技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括：通孔，形成為穿透半導(dǎo)體襯底；第一緩沖器電路和第二緩沖器電路；布線形成層，形成在所述半導(dǎo)體襯底的上層中；連接布線部分，假設(shè)從所述半導(dǎo)體襯底到所述布線形成層的方向為向上方向，則所述連接布線部分形成在所述通孔的上部，所述連接布線部分在芯片內(nèi)端面上，該芯片內(nèi)端面為所述通孔的面對所述半導(dǎo)體襯底的上部部分的端面；第一路徑，連接所述第一緩沖器電路和所述通孔；以及第二路徑，連接所述第二緩沖器電路和所述通孔。所述第一路徑和所述第二路徑經(jīng)由所述連接布線部分電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：高柳浩二
受保護的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2013.04.27
技術(shù)公布日：2017.11.07