技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
ESD保護(hù)裝置包括：第一絕緣層(2a)、重疊于第一絕緣層(2a)的第二絕緣層(2b)、在厚度方向上貫穿第一絕緣層(2a)的第一過(guò)孔導(dǎo)體(6a)、在第一絕緣層(2a)與第二絕緣層(2b)之間的設(shè)置為與第一過(guò)孔導(dǎo)體(6a)相接的放電間隙部(10)、配置于第一絕緣層(2a)的與放電間隙部(10)相反側(cè)的面并與第一過(guò)孔導(dǎo)體(6a)電連接的第一布線(7a)、以及配置于第二絕緣層(2b)的任一面并至少包含隔著放電間隙部(10)與第一過(guò)孔導(dǎo)體(6a)相對(duì)的部分的第二布線(7b)。

技術(shù)研發(fā)人員：大坪喜人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日：2014.05.19
技術(shù)公布日：2017.10.17