本發(fā)明申請是國際申請?zhí)枮閜ct/jp2014/063166，國際申請日為2014年5月19日，進(jìn)入中國國家階段的申請?zhí)枮?01480035868.3，名稱為“esd保護(hù)裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。本發(fā)明涉及esd保護(hù)裝置。所謂“esd”保護(hù)裝置是指靜電放電(electro-staticdischarge)。esd是帶電的導(dǎo)電性物體、例如人體與其它導(dǎo)電性物體接觸或充分靠近時發(fā)生激烈放電的現(xiàn)象。“esd保護(hù)裝置”是在發(fā)生靜電放電時將電荷逃逸至接地并用來保護(hù)電路的裝置。
背景技術(shù)：
：以往，廣泛使用用于使電子設(shè)備免受esd即靜電放電損害的esd保護(hù)裝置。圖13示出使用esd保護(hù)裝置的電路的一個示例。應(yīng)保護(hù)的電路(下面稱作“被保護(hù)電路”)502和端子503電連接。被保護(hù)電路502例如為ic(集成電路)等。端子503表示在連接器等中導(dǎo)電體露出至外部的部分。自連接被保護(hù)電路502與端子503的布線的中途開始分岔的布線前端，連接有esd保護(hù)裝置501。esd保護(hù)裝置501和被保護(hù)電路502分別接地。如圖13所示，esd保護(hù)裝置501內(nèi)部的放電電極之間在通常狀態(tài)下成為沒有電流流過的狀態(tài)。例如人體接觸端子503或充分靠近端子503從而發(fā)生esd的情況下，會向端子503施加高電壓。此時，在該狀態(tài)下則會向被保護(hù)電路502施加過電壓，電流如箭頭92所示那樣流過。然而，若在esd保護(hù)裝置501的放電電極間發(fā)生放電，則因該放電，電流朝箭頭91方向流過，因此，不會向被保護(hù)電路502施加過電壓。即，被保護(hù)電路502可得到保護(hù)。例如，日本專利特開2009-238563號公報(專利文獻(xiàn)1)中記載有稱作“過電壓保護(hù)元器件”的結(jié)構(gòu)：該結(jié)構(gòu)在由絕緣體構(gòu)成的基體內(nèi)部形成作為放電部的空洞，在該空洞內(nèi)部配置有彼此相對的放電電極。專利文獻(xiàn)1記載有放電電極通過印刷、鍍覆等來形成。例如日本專利特開2001－217057(專利文獻(xiàn)2)中記載有稱作“貼片型浪涌吸收元件”的結(jié)構(gòu)：該結(jié)構(gòu)在絕緣性陶瓷燒結(jié)體的內(nèi)部配置有相對的內(nèi)部電極。形成為由內(nèi)部電極彼此夾著放電空間。專利文獻(xiàn)2中記載有在放電空間中通過絲網(wǎng)印刷填充碳糊料，燒結(jié)時將其燒掉。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2009－238563號公報專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2001－217057號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的技術(shù)問題專利文獻(xiàn)1中，放電電極通過印刷、鍍覆等形成，因此，放電電極是附著于絕緣體表面的薄導(dǎo)電膜。放電時，電子與該放電電極發(fā)生撞擊，電子撞擊引起的沖擊有可能使放電電極剝落。在專利文獻(xiàn)1中，在絕緣片材中設(shè)置開口部，在該開口部中填充作為放電電極形成材料的丙烯酸樹脂，在燒成工序中蒸發(fā)該丙烯酸樹脂，從而得到空洞。通過這種方式形成空洞即夾著空洞相對的放電電極通過印刷等形成，因此，無法使得放電電極之間的間隙變得較小，即，無法充分實現(xiàn)窄間隙化。在專利文獻(xiàn)2中，貼片型浪涌吸收元件通過印刷法、生片法來制作，無法充分實現(xiàn)放電電極之間的窄間隙化。然而，本發(fā)明的目的在于提供一種esd保護(hù)裝置，其能實現(xiàn)放電電極之間的進(jìn)一步的窄間隙化，能減少放電電極剝落的問題。解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段為了實現(xiàn)上述目的，基于本發(fā)明的esd保護(hù)裝置包括：第一絕緣層、重疊于上述第一絕緣層的第二絕緣層、在厚度方向上貫穿上述第一絕緣層的第一過孔導(dǎo)體、在上述第一絕緣層與上述第二絕緣層之間的設(shè)置為與上述第一過孔導(dǎo)體相接的放電間隙部、配置于上述第一絕緣層的與上述放電間隙部相反側(cè)的面并與上述第一過孔導(dǎo)體電連接的第一布線、以及配置于上述第二絕緣層的任一面并至少包含隔著上述放電間隙部與上述第一過孔導(dǎo)體相對的部分的第二布線。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能實現(xiàn)放電電極之間的進(jìn)一步的窄間隙化，能減少放電電極剝落的問題。附圖說明圖1是基于本發(fā)明的實施方式1中的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖2是基于本發(fā)明的實施方式1中的esd保護(hù)裝置的層疊前狀態(tài)的說明圖。圖3是基于本發(fā)明的實施方式2中的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖4是基于本發(fā)明的實施方式2中的esd保護(hù)裝置的層疊前狀態(tài)的說明圖。圖5是基于本發(fā)明的實施方式3中的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖6是基于本發(fā)明的實施方式3中的esd保護(hù)裝置的層疊前狀態(tài)的說明圖。圖7是基于本發(fā)明的實施方式4中的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖8是基于本發(fā)明的實施方式5中的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖9是基于本發(fā)明的實施方式6中的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖10是基于本發(fā)明的實施方式6中的esd保護(hù)裝置的層疊前狀態(tài)的說明圖。圖11是基于現(xiàn)有技術(shù)的esd保護(hù)裝置的剖視圖。圖12是基于現(xiàn)有技術(shù)的esd保護(hù)裝置的層疊前狀態(tài)的說明圖。圖13是使用esd保護(hù)裝置的一般情況的一個示例的電路圖。具體實施方式將絕緣片材層疊來制作esd保護(hù)裝置的情況下，可考慮將絕緣片材的1層作為空洞來形成放電部。然而，此時由絕緣片材的厚度大致決定空洞的厚度，無法實現(xiàn)充分的窄間隙化?？紤]在同一面內(nèi)配置相鄰的放電電極從而在左右排列的放電電極彼此間形成間隙，然而通過印刷形成這種放電電極的情況下，俯視放電電極時的外形線由于印刷滲洇而不穩(wěn)定，因此，為了避免短路不得不增大間隔，其結(jié)果是，無法準(zhǔn)確地形成較小的間隙。尤其作為間隙、將20μm左右的較小間隙作為目標(biāo)的情況下，無法穩(wěn)定并準(zhǔn)確地形成。另一方面，通過印刷形成膜時，其膜厚偏差較小。厚度方向上也幾乎沒有滲洇的問題。通過印刷形成的膜厚可由糊料的固體成分的量、糊料的噴出量來控制。發(fā)明者考慮上述情形而實現(xiàn)以下發(fā)明。(實施方式1)參照圖1，對基于本發(fā)明的實施方式1的esd保護(hù)裝置進(jìn)行說明。如圖1所示，本實施方式中的esd保護(hù)裝置101包括：第一絕緣層2a、重疊于第一絕緣層2a的第二絕緣層2b、在厚度方向上貫穿第一絕緣層2a的第一過孔導(dǎo)體6a、在第一絕緣層2a與第二絕緣層2b之間的設(shè)置為與第一過孔導(dǎo)體6a相接的放電間隙部10、配置于第一絕緣層2a的與放電間隙部10相反一側(cè)的面并與第一過孔導(dǎo)體6a電連接的第一布線7a、以及配置于第二絕緣層2b的任一面并至少包含隔著放電間隙部10與第一過孔導(dǎo)體6a相對的部分的第二布線7b。第一絕緣層2a和第二絕緣層2b例如為陶瓷層。在圖1所示示例中，放電間隙部10包括放電輔助電極4和空洞5。對于本實施方式中的esd保護(hù)裝置101的構(gòu)成而言，可如下所述那樣，通過糊料印刷來制作放電間隙部結(jié)構(gòu)。若為該結(jié)構(gòu)，可由印刷的層厚來控制放電間隙部的厚度。第一過孔導(dǎo)體6a和第二過孔導(dǎo)體6b分別相當(dāng)于放電電極。放電電極的方式不限于此，只要是放電電極彼此夾著放電間隙部10而互相相對的結(jié)構(gòu)即可。在此處例示的esd保護(hù)裝置101中，形成了作為一放電電極的第一過孔導(dǎo)體6a和作為另一放電電極的第二過孔導(dǎo)體6b夾著放電間隙部10而互相相對的結(jié)構(gòu)。下文中詳細(xì)描述放電間隙部10。可通過向孔中填充導(dǎo)電糊料的方法而非印刷來形成成為放電電極的第一過孔導(dǎo)體6a，因此，成為具有充分的厚度的結(jié)構(gòu)。因而，與作為放電電極附著有印刷得到的薄膜的結(jié)構(gòu)不同，即便反復(fù)進(jìn)行放電，放電電極也不易剝落。在本實施方式中，能實現(xiàn)放電電極之間的進(jìn)一步的窄間隙化，能進(jìn)一步減少放電電極剝落的問題。如本實施方式所示，第一過孔導(dǎo)體6a優(yōu)選具有靠近放電間隙部10一側(cè)較細(xì)的梯形形狀。通過采用該結(jié)構(gòu)，能提高第一過孔導(dǎo)體6a內(nèi)部中靠近放電間隙部10一側(cè)的電荷密度，其結(jié)果是變得容易在放電電極之間發(fā)生放電。此外，由于該梯形形狀的取向，放電電極的剝落進(jìn)一步得到抑制。如本實施方式所示，優(yōu)選為包括第二過孔導(dǎo)體6b，該第二過孔導(dǎo)體6b在厚度方向上貫穿第二絕緣層2b，其厚度方向上的一端與第二布線7b電連接且另一端與放電間隙部10相接，第二過孔導(dǎo)體6b經(jīng)由放電間隙部10與第一過孔導(dǎo)體6a相對，第二布線7b配置于第二絕緣層2b的與放電間隙部10相反側(cè)的面。通過采用該結(jié)構(gòu)，得到由成為放電電極的2個過孔導(dǎo)體夾住放電間隙部10的結(jié)構(gòu)，因此，放電電極間的放電變得容易。如本實施方式所示，第二過孔導(dǎo)體6b優(yōu)選具有靠近放電間隙部10一側(cè)較細(xì)的梯形形狀。通過采用該結(jié)構(gòu)，能提高第二過孔導(dǎo)體6b內(nèi)部中靠近放電間隙部10一側(cè)的電荷密度，其結(jié)果是變得容易在放電電極之間發(fā)生放電。如本實施方式所示，優(yōu)選在放電間隙部10配置放電輔助電極4。通過采用該結(jié)構(gòu)，因放電輔助電極4的作用，變得容易放電。在之后的制造方法的說明中，進(jìn)一步詳細(xì)闡述放電間隙部10。放電間隙部10優(yōu)選包含如下結(jié)構(gòu)：俯視時以空洞5為中心，由放電輔助電極4包圍該空洞5的周圍。此外，放電輔助電極4優(yōu)選包含半導(dǎo)體陶瓷粒子。進(jìn)一步地，放電輔助電極4優(yōu)選包含由絕緣性材料包覆的導(dǎo)電性粒子。通過采用這些結(jié)構(gòu)，使得放電間隙部10容易發(fā)生放電。對圖1所示esd保護(hù)裝置101的制造方法進(jìn)行說明。圖2示出esd保護(hù)裝置101層疊前的狀態(tài)。通過層疊多個絕緣體片材來制作esd保護(hù)裝置101。絕緣體片材例如為陶瓷片材，但不限于陶瓷片材，也可以是其它種類的絕緣體片材。下面，以esd保護(hù)裝置101包含的絕緣層為陶瓷層的情況為例進(jìn)行說明。在要成為第一絕緣層2a的陶瓷片材中開孔并填充導(dǎo)電糊料16a。導(dǎo)電糊料16a隨后將成為第一過孔導(dǎo)體6a。另一方面，在要成為第二絕緣層2b的陶瓷片材中開孔并填充導(dǎo)電糊料16b。由在陶瓷片材的哪個面上開孔來決定所形成的孔的梯形形狀的取向，因此，能通過在哪個面開孔來適當(dāng)選擇最終形成的過孔導(dǎo)體的梯形形狀的取向。導(dǎo)電糊料16a、16b例如為金屬糊料。在第一絕緣層2a的上表面印刷放電輔助電極材料14。在第二絕緣層2b的下表面印刷空洞形成糊料15。由此，第一絕緣層2a和第二絕緣層2b成為圖2所示狀態(tài)。在圖2所示示例中，放電輔助電極材料14印刷成環(huán)狀，在落入放電輔助電極材料14的環(huán)內(nèi)側(cè)的位置印刷空洞形成糊料15。另外，放電輔助電極材料14是通過燒成而形成放電輔助電極的材料。其可以是例如在絕緣性陶瓷粉末中混合了半導(dǎo)體陶瓷粉末的材料?；蛘撸烹娸o助電極材料14可以是由絕緣層材料包覆的導(dǎo)電性粒子。稱作“由絕緣性材料包覆的導(dǎo)電性粒子”的情況下，“包覆”可以是完全包覆，也可以是不完全包覆。包覆可以是在導(dǎo)電性粒子的表面附著有非常小的絕緣性粒子的結(jié)構(gòu)?；蛘?，可以是在絕緣性包膜內(nèi)收納有導(dǎo)電性粒子的、所謂核-殼結(jié)構(gòu)的粒子?！皩?dǎo)電性粒子”例如可以是cu粒子。另外，也可適用au、al、ag、ni等導(dǎo)電性材料的粒子。包覆導(dǎo)電性粒子的“絕緣性材料”例如可以是al2o3。作為“半導(dǎo)體陶瓷粉末”，例如可優(yōu)選適用由sic那樣的碳化物、mno、nio、coo、cuo等過渡金屬的氧化物等半導(dǎo)體陶瓷材料形成的陶瓷粉末。半導(dǎo)體陶瓷粉末例如可由sio2包覆sic粒子。放電輔助電極材料14可以是將半導(dǎo)體陶瓷粉末、以及由絕緣性材料包覆的導(dǎo)電性粒子進(jìn)行混合的材料。空洞形成糊料15是在燒成溫度下消失的材料。這是作為主材料包含例如在燒成溫度下消失的樹脂小珠的材料。作為滿足該條件的樹脂，可舉出例如丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂等?？斩葱纬珊?5是根據(jù)需要將這些合成樹脂小珠與粘合劑樹脂、溶劑等混合而得到的材料?？斩葱纬珊?5的主材料不限于樹脂。只要是在燒成溫度下消失的固體材料即可，可以是樹脂以外的材料。例如可以利用具有某一程度的硬度的蠟等。此外，空洞形成糊料15的主材料不限于小珠狀。例如，可以使用柱狀樹脂材料，其形狀不受限制。如圖2所示，在第一絕緣層2a下側(cè)層疊有絕緣層2c。在絕緣層2b的上側(cè)層疊有絕緣層2d。在此處所示示例中，絕緣層2c、2d與第一絕緣層2a、第二絕緣層2b相同地，均為陶瓷片材。在絕緣層2c的上表面，預(yù)先形成隨后將成為第一布線7a的導(dǎo)電糊料層17a。在絕緣層2d的下表面，預(yù)先形成隨后將成為第二布線7b的導(dǎo)電糊料層17b?？赏ㄟ^在絕緣層表面印刷導(dǎo)電糊料來形成導(dǎo)電糊料層17a、17b。在該示例中，以層疊總計4層陶瓷片材來制作esd保護(hù)裝置作為前提，但整體層數(shù)不限于此。如圖2所示，以從下到上為絕緣層2c、第一絕緣層2a、第二絕緣層2b、絕緣層2d的順序進(jìn)行層疊，從而將它們一體燒成。其結(jié)果是整體成為一體，能得到如圖1所示的esd保護(hù)裝置101。在燒成時，放電輔助電極材料14成為放電輔助電極4，空洞形成糊料15消失從而成為空洞5。燒成時，導(dǎo)電糊料層17a成為第一布線7a，導(dǎo)電糊料層17b成為第二布線7b。(實施方式2)參照圖3，對基于本發(fā)明的實施方式2的esd保護(hù)裝置進(jìn)行說明。如圖3所示，本實施方式中的esd保護(hù)裝置102基本上成為與實施方式1中說明的esd保護(hù)裝置101相同的結(jié)構(gòu)。在放電間隙部10中，實施方式1的esd保護(hù)裝置101的空洞5成為隨著向下而變細(xì)的形狀，但本實施方式中，空洞5相反成為隨著向上而變細(xì)的形狀。在本實施方式中，放電輔助電極4的形狀也與實施方式1有少許不同。然而，在本實施方式中，放電間隙部10也成為如下結(jié)構(gòu)：即，俯視時以空洞5為中心，放電輔助電極4包圍空洞5的周圍。在本實施方式所示的esd保護(hù)裝置102中，也能得到與實施方式1相同的效果。圖4示出本實施方式中的esd保護(hù)裝置102層疊前的狀態(tài)。與實施方式1中圖2所示情況類似，但本實施方式中，并非在不同表面印刷將成為放電間隙部10的材料，而是一并印刷在一個表面。即，放電輔助電極材料14和空洞形成糊料15均印刷于第一絕緣層2a的上表面。在該情況下，在第一絕緣層2a的上表面中的、與導(dǎo)電糊料16a的上表面相對應(yīng)的位置，首先在俯視時所觀察到的中心印刷空洞形成糊料15，之后，印刷放電輔助電極材料14以使其環(huán)狀地包圍空洞形成糊料15。如圖4所示，準(zhǔn)備各絕緣層，將它們層疊并一體燒成，從而能得到如圖3所示的esd保護(hù)裝置102。(實施方式3)參照圖5，對基于本發(fā)明的實施方式3的esd保護(hù)裝置進(jìn)行說明。如圖5所示，本實施方式中的esd保護(hù)裝置103基本上成為與實施方式2中說明的esd保護(hù)裝置102相同的結(jié)構(gòu)。但是，與esd保護(hù)裝置102不同，設(shè)于第二絕緣層2b的第二過孔導(dǎo)體6b具有隨著向上而變細(xì)的取向的梯形形狀。即，第二過孔導(dǎo)體6b具有靠近放電間隙部10一側(cè)變粗的梯形形狀。在本實施方式中，就第二過孔導(dǎo)體6b的放電間隙部10側(cè)一端處的電荷集中程度而言，比實施方式2要差，但除此之外，本發(fā)明的實施方式能得到某種程度的效果。可如圖6所示那樣層疊多個絕緣層來制作本實施方式中的esd保護(hù)裝置103。在該情況下，可利用第一絕緣層2a的第一過孔導(dǎo)體6a和第二絕緣層2b的第二過孔導(dǎo)體6b使梯形形狀的取向相一致。因而，在層疊時無需反轉(zhuǎn)一絕緣層，因此容易進(jìn)行層疊操作。(實施方式4)參照圖7，對基于本發(fā)明的實施方式4的esd保護(hù)裝置進(jìn)行說明。如圖7所示，本實施方式中的esd保護(hù)裝置104基本上成為與實施方式1中說明的esd保護(hù)裝置101相同的結(jié)構(gòu)。其中，放電間隙部10整體成為放電輔助電極4。在本實施方式中，能實現(xiàn)放電電極之間的進(jìn)一步的窄間隙化，能減少放電電極剝落的問題。通過在層疊前的第一絕緣層2a的上表面印刷充足量的放電輔助電極材料14來得到本實施方式的結(jié)構(gòu)，無需預(yù)先印刷空洞形成糊料?？稍诘诙^緣層2b的下表面印刷放電輔助電極材料14，來代替在第一絕緣層2a的上表面印刷?；蛘?，也可在第一絕緣層2a的上表面和第二絕緣層2b的下表面這雙方進(jìn)行印刷。另外，如本實施方式所示，與整個放電間隙部10成為放電輔助電極4的結(jié)構(gòu)相比，如實施方式1所示的在放電間隙部10中設(shè)有放電輔助電極4和空洞5這兩者的結(jié)構(gòu)能減輕施加于放電輔助電極4的負(fù)載，因此更優(yōu)選。(實施方式5)參照圖8，對基于本發(fā)明的實施方式5的esd保護(hù)裝置進(jìn)行說明。如圖8所示，本實施方式中的esd保護(hù)裝置105基本上成為與實施方式1中說明的esd保護(hù)裝置101相同的結(jié)構(gòu)。其中，放電間隙部10整體成為空洞5。如本實施方式所示，放電間隙部10可以是空洞5。在本實施方式中，能實現(xiàn)放電電極之間的進(jìn)一步的窄間隙化，能減少放電電極剝落的問題。如實施方式1那樣設(shè)置放電輔助電極4更容易發(fā)生放電并能降低放電開始電壓，因此優(yōu)選，但在本實施方式中也能得到本發(fā)明的合理效果。通過在層疊前的第一絕緣層2a的上表面印刷充足量的空洞形成糊料15來得到本實施方式的結(jié)構(gòu)，無需預(yù)先印刷放電輔助電極材料?？稍诘诙^緣層2b的下表面印刷空洞形成糊料15，來代替在第一絕緣層2a的上表面進(jìn)行印刷。或者，也可在第一絕緣層2a的上表面和第二絕緣層2b的下表面這雙方進(jìn)行印刷。目前為止的各實施方式中所說明那樣，對于第一過孔導(dǎo)體6a和第二過孔導(dǎo)體6b經(jīng)由放電間隙部10彼此相對的結(jié)構(gòu)，在第一絕緣層2a和第二絕緣層2b合起來的2層絕緣層的厚度中、在厚度方向上排列并被收納，因此優(yōu)選。通過采用該結(jié)構(gòu)，能抑制整個裝置的厚度，能實現(xiàn)窄間隙化。進(jìn)一步地，優(yōu)選在該情況下的放電間隙部10配置放電輔助電極4。根據(jù)本發(fā)明，包含放電輔助電極在內(nèi)，可在2層絕緣層的厚度中進(jìn)行收納。到此為止，對第一過孔導(dǎo)體6a以外還包括第二過孔導(dǎo)體6b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但對于本發(fā)明而言，第二過孔導(dǎo)體6b不是必須的。接著，對不具有第二過孔導(dǎo)體6b的實施方式進(jìn)行說明。(實施方式6)參照圖9，對基于本發(fā)明的實施方式6的esd保護(hù)裝置進(jìn)行說明。如圖9所示，本實施方式中的esd保護(hù)裝置106包括：第一絕緣層2a、重疊于第一絕緣層2a的第二絕緣層2b、在厚度方向上貫穿第一絕緣層2a的第一過孔導(dǎo)體6a、在第一絕緣層2a與第二絕緣層2b之間的設(shè)置為與第一過孔導(dǎo)體6a相接的放電間隙部10、配置于第一絕緣層2a的與放電間隙部10相反一側(cè)的面并與第一過孔導(dǎo)體6a電連接的第一布線7a、以及配置于第二絕緣層2b的任一面并至少包含隔著放電間隙部10與第一過孔導(dǎo)體6a相對的部分的第二布線7b。第二布線7b“配置于第二絕緣層2b的任一面”是指如下情況：如實施方式1～5所示那樣存在貫穿第二絕緣層2b的第二過孔導(dǎo)體6b的情況下，第二布線7b可位于第二絕緣層2b的上表面，但如本實施方式那樣第二絕緣層2b不存在第二過孔導(dǎo)體6b的情況下，第二布線7b位于第二絕緣層2b的下表面。即，至少在本實施方式中，第二布線7b配置于第二絕緣層2b的下表面。在本實施方式中，第一過孔導(dǎo)體6a和第二布線7b分別相當(dāng)于放電電極。在此處例示的esd保護(hù)裝置106中，形成了作為一放電電極的第一過孔導(dǎo)體6a和作為另一放電電極的第二布線7b夾著放電間隙部10而互相相對的結(jié)構(gòu)。對于放電間隙部10的內(nèi)容，可適用實施方式1～5中說明的任意方案。在本實施方式中，能實現(xiàn)放電電極之間的進(jìn)一步的窄間隙化，能減少放電電極剝落的問題。如實施方式1～5所示那樣，對于設(shè)置貫穿第二絕緣層2b的第二過孔導(dǎo)體6b來將其作為放電電極從而形成過孔導(dǎo)體彼此相對的結(jié)構(gòu)，其利用了過孔導(dǎo)體在厚度方向上突出的形狀并容易在前端集中電荷，因此容易發(fā)生放電。即，上述結(jié)構(gòu)容易降低開始電壓，因此優(yōu)選。然而，如本實施方式那樣僅在放電間隙部的單側(cè)存在過孔導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，也能得到作為本發(fā)明的某種程度的效果?？扇鐖D10所示那樣層疊多個絕緣層來制作本實施方式中的esd保護(hù)裝置106。在該情況下，無需在第二絕緣層2b開孔并填充導(dǎo)電糊料。因而，在減少工序數(shù)的方面較為優(yōu)選。(實驗例)為了調(diào)查對于esd的放電響應(yīng)性，準(zhǔn)備基于本發(fā)明或現(xiàn)有技術(shù)的多種esd保護(hù)裝置作為樣本i～v，進(jìn)行了作為iec(國際電子技術(shù)委員會)的標(biāo)準(zhǔn)之一的iec61000-4-2所規(guī)定的靜電放電抗擾試驗。樣本i是本實施方式1所示的esd保護(hù)裝置101。樣本ii是本實施方式2所示的esd保護(hù)裝置102。樣本iii是本實施方式3所示的esd保護(hù)裝置103。樣本iv是本實施方式6所示的esd保護(hù)裝置106。樣本v是基于現(xiàn)有技術(shù)的esd保護(hù)裝置，是圖11所示的esd保護(hù)裝置100。esd保護(hù)裝置100作為絕緣層層疊了陶瓷層，esd保護(hù)裝置100包含第一布線7a和第二布線7b。第一布線7a的前端與第二布線7b的前端隔著貫穿孔9的內(nèi)部空間彼此相對。如圖12所示那樣層疊絕緣層來得到圖11所示的結(jié)構(gòu)。即，準(zhǔn)備形成有貫穿孔9的絕緣層2f，在分別印刷有導(dǎo)電糊料17a、17b的絕緣層2c、2d之間夾著絕緣層2f來進(jìn)行配置。進(jìn)一步地，在絕緣層2d的上側(cè)重疊未形成任何結(jié)構(gòu)的絕緣層2e，將這總計4層一體燒成。由此，得到圖11所示的esd保護(hù)裝置100。作為靜電放電抗擾試驗，利用接觸放電施加8kv的電壓，并調(diào)查樣本的放電電極間是否發(fā)生放電。可通過被保護(hù)電路是否被施加有電壓，來判斷樣本的放電電極間是否發(fā)生放電?？赏ㄟ^被保護(hù)電路中檢測出的峰值電壓來判斷樣本的放電電極間的放電開始電壓的大小。被保護(hù)電路中檢測出的峰值電壓越小，表示樣本的動作更優(yōu)。作為評價結(jié)果，如下那樣分別進(jìn)行顯示。峰值電壓小于350v的樣本，視為特別良好，將等級標(biāo)為“a”。峰值電壓在350v以上且小于500v的樣本，視為良好，將等級標(biāo)為“b”。峰值電壓在500v以上且小于600v的樣本，將等級標(biāo)為“c”。峰值電壓超過600v的樣本，視為不合格，將等級標(biāo)為“d”。在表1的“esd放電響應(yīng)性”欄中示出評價結(jié)果。[表1]評價結(jié)果一覽表樣本esd放電響應(yīng)性esd反復(fù)可靠性綜合判定樣本iaa優(yōu)樣本iiaa優(yōu)樣本iiiab良樣本ivbc合格樣本v(比較例)cd不合格此外，為了調(diào)查對于esd的反復(fù)可靠性，在接觸放電中向輸入端子503施加100次8kv電壓，之后再次通過靜電放電抗擾試驗來調(diào)查放電響應(yīng)性。在表1的“esd反復(fù)可靠性”欄中示出此時的評價結(jié)果。綜合判定中基于esd放電響應(yīng)性和esd反復(fù)可靠性這2個評價結(jié)果，以優(yōu)、良、合格、不合格4階段來進(jìn)行評價。如表1所示，樣本i～iii在初始狀態(tài)下，放電響應(yīng)性特別良好。樣本i和ii的反復(fù)可靠性也特別良好。因而，樣本i和ii的綜合判定為“優(yōu)”。樣本iii在初始狀態(tài)下的放電響應(yīng)性特別良好，但反復(fù)可靠性比樣本i和ii要差。于是，樣本iii的綜合判定為“良”。樣本iii優(yōu)良程度僅次于樣本i和ii。樣本iv的綜合判定為“合格”，與樣本i～iii相比要差，但與基于現(xiàn)有技術(shù)的樣本v相比要優(yōu)良，因此，可以說在該情況下某種程度上能得到本發(fā)明的效果。樣本v的初始狀態(tài)下的放電響應(yīng)性小于600v，但反復(fù)可靠性不合格，因此綜合判定為“不合格”。此外，本次公開的上述實施方式在所有方面均為示例，并不起到限定作用。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求的范圍來表示，而并非由上述說明來表示，本發(fā)明的范圍還包括與權(quán)利要求的范圍等同的意思以及范圍內(nèi)的所有變更。工業(yè)上的實用性本發(fā)明可用于esd保護(hù)裝置。標(biāo)號說明2a第一絕緣層、2b第二絕緣層、2c、2d、2e絕緣層、4放電輔助電極、5空洞、6a第一過孔導(dǎo)體6b第二過孔導(dǎo)體、7a第一布線、7b第二布線、10放電間隙部、14放電輔助電極材料、15空洞形成糊料、16a、16b導(dǎo)電糊料、17a、17b導(dǎo)電糊料層、91、92箭頭、100(基于現(xiàn)有技術(shù)的)esd保護(hù)裝置、101、102、103、104、105、106esd保護(hù)裝置、501(一般的)esd保護(hù)裝置、502被保護(hù)電路、503端子。當(dāng)前第1頁12