本發(fā)明涉及l(fā)ed芯片。
背景技術(shù)：
：led即發(fā)光二極管，由于其可以直接將電能轉(zhuǎn)化為光能，因此在各種領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，應(yīng)用led照明時(shí)需要將其封裝為led芯片，傳統(tǒng)的芯片封裝方式由于透光率低，影響了照明效果，因此提供一種具有高透光率的led芯片成為現(xiàn)有技術(shù)中亟待解決的問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為解決前述技術(shù)問題，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：提供了具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片具有固晶區(qū)域，所述固晶區(qū)域由冷白區(qū)域以及暖白區(qū)域組成，所述led芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁表面具有熒光層，所述環(huán)形側(cè)壁中填充封裝膠。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述陶瓷基板的的陶瓷材質(zhì)選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯以及氟化鈣。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片包括依序堆疊的n型半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體發(fā)光層、p型半導(dǎo)體層。所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述n型半導(dǎo)體層為n型gan(氮化鎵)層，所述半導(dǎo)體發(fā)光層包含氮化鎵或氮化銦鎵，所述p型半導(dǎo)體層為p型gan層，所述的p型gan層及n型gan層分別電連接連接至外部電源所述的具有高透光率的led芯片，其特征是所述的所述封裝膠包覆環(huán)形側(cè)壁和熒光層，所述封裝膠由包括硅膠和/或環(huán)氧樹脂的材料構(gòu)成。所述的所述的具有高透光率的led芯片，其特征是位于所述led芯片在于環(huán)形側(cè)壁的固晶區(qū)域內(nèi)交錯(cuò)排列。本發(fā)明提供的具有高透光率的led芯片，與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過改進(jìn)led封裝結(jié)構(gòu)，優(yōu)化封裝膠體的材料選擇與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高了led芯片的透光率，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。具體實(shí)施方式本發(fā)明提供的具有高透光率的led芯片，其特征是所述led芯片具有固晶區(qū)域，所述固晶區(qū)域由冷白區(qū)域以及暖白區(qū)域組成，所述led芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁表面具有熒光層，所述環(huán)形側(cè)壁中填充封裝膠。所述的陶瓷基板的材質(zhì)選自氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯以及氟化鈣。所述led芯片包括依序堆疊的n型半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體發(fā)光層、p型半導(dǎo)體層。所述n型半導(dǎo)體層為n型gan(氮化鎵)層，所述半導(dǎo)體發(fā)光層包含氮化鎵或氮化銦鎵，所述p型半導(dǎo)體層為p型gan層，所述的p型gan層及n型gan層分別電連接連接至外部電源所述封裝膠包覆環(huán)形側(cè)壁和熒光層，所述封裝膠由包括硅膠和/或環(huán)氧樹脂的材料構(gòu)成。所述led芯片在于環(huán)形側(cè)壁的固晶區(qū)域內(nèi)交錯(cuò)排列。所述封裝膠的相對介電常數(shù)范圍50～200。封裝膠中摻雜由納米銀粒子。所述納米銀粒子的制備方法為：1)在表面活性劑如十二烷基硫酸納和十二烷基磺酸鈉等存在下；2)采用532nm,10ns的激光在丙酮、水、甲醇、異丙醇等溶劑中輻照銀金屬基體材料與溶液界面處，用激光剝離銀箔，得到納米銀粒子。透光率測試測試將實(shí)施例1～4制得的led各取100只分別進(jìn)行透光率測試，所結(jié)果如下實(shí)施例號1234透光率/％85878687實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用本發(fā)明的具有高透光率的led芯片具有較高的透光率。技術(shù)特征：技術(shù)總結(jié)具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶區(qū)域，所述固晶區(qū)域由冷白區(qū)域以及暖白區(qū)域組成，所述LED芯片的基板為陶瓷基板，所述基板上具有環(huán)形側(cè)壁，所述環(huán)形側(cè)壁表面具有熒光層，所述環(huán)形側(cè)壁中填充封裝膠。技術(shù)研發(fā)人員：龐綺琪受保護(hù)的技術(shù)使用者：龐綺琪技術(shù)研發(fā)日：2017.07.06技術(shù)公布日：2017.09.22