光透導電材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及觸摸屏、有機電致發(fā)光材料、太陽能電池等使用的光透導電材料，特別 是涉及適合采用投影型靜電容量式的觸摸屏使用的光透導電材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 在個人數(shù)字助理（PDA)、筆記本電腦、辦公室自動化設備、醫(yī)療設備W及汽車導航 系統(tǒng)等電子設備中，廣泛應用該些W顯示屏作為輸入手段的觸摸屏。
[0003] 根據(jù)位置檢出的方法，觸摸屏分為光學式、超聲波式、表面型靜電容量式、投影型 靜電容量式、電阻膜式等。電阻膜式的觸摸屏由光透導電材料和帶有光透導電層的玻璃隔 著間隔物相對設置，電流在光透導電材料中流動，帶有光透導電層的玻璃上具有測量電壓 該樣的構(gòu)造。另一方面，靜電容量式的觸摸屏的基本構(gòu)成為在基材上具有光透導電層的光 透導電材料，特征為沒有可動的部分，由于耐久性強、透射率高，適用于各種各樣用途。進一 步地，由于投影型靜電容量式具有能夠多點同時檢出的優(yōu)點，廣泛應用于智能手機W及平 板電腦等。
[0004] 作為用于觸摸屏的光透導電材料，一般使用在基材上具有由氧化鋼錫（IT0)形成 的光透導電層的材料。然而，由IT0形成的光透導電層存在W下問題：由于折光率大導致光 的表面反射大，從而存在光透導電材料的總透光率低的問題；由于柔性低，從而存在光透導 電材料彎曲時由IT0形成的光透導電層發(fā)生龜裂使光透導電材料的電阻值增高的問題。
[0005] 作為替代在基材上形成由IT0形成的光透導電層的材料的光透導電材料，在基材 上形成薄的催化劑層，在其上形成抗蝕圖案后，通過鍛敷法使金屬層在抗蝕開口部層積，最 后通過除去抗蝕層W及由抗蝕層保護的基底金屬，由此使用半加成法形成金屬圖案的光透 導電材料例如被專利文獻1、專利文獻2等公開。
[0006] 另外，近年來也有人提議將使用銀鹽擴散轉(zhuǎn)印法的照片感光材料作為導電性材料 前體使用的方法。例如專利文獻3、專利文獻4和專利文獻5等公開了W下技術(shù)：在基材上 至少依次具有物理顯影核層和團化銀乳劑層的導電性材料前體之上，使可溶性銀鹽形成劑 和還原劑在堿溶液中反應，形成金屬銀圖案。由該方式制作的圖案不僅能再現(xiàn)均一的線寬， 而且由于銀在金屬中導電性最高，與其他方式相比，能W更細的線寬獲得高導電性。而且， 由該方法得到的銀圖案比由IT0形成的光透導電層具有柔初性高、折彎性強的優(yōu)點。
[0007] 利用了前述投影型靜電容量式的觸摸屏，將兩張光透導電材料貼合（所述光透導 電材料是將多個傳感器元件在同一平面上進行圖案化后的光透導電材料），由此制造觸摸 傳感器。該樣的觸摸傳感器中，如果只有多個傳感器構(gòu)成觸摸傳感器，僅傳感器元件顯眼， 因此，在傳感器元件W外的部分，有的進行配置與傳感器元件不導通的假元件，然而，通常 由于操作者凝視畫面操作觸摸屏，傳感器元件和假元件之間的差別由人眼觀看時，會存在 記住該種不協(xié)調(diào)感（視認性高）的問題。特別是使用基材上具有金屬圖案的光透導電材料 制作投影型靜電容量式的觸摸屏的情況下，傳感器元件和假元件的視認性問題的出現(xiàn)尤其 顯著。
[0008] 面對該問題，專利文獻6中，由狹縫（帶狀的無金屬圖案的部分）分割網(wǎng)格狀金屬 圖案來設置傳感器元件和假元件，而此時狹縫寬在20ymW上且在網(wǎng)格的最大尺寸W下， 并且狹縫不通過網(wǎng)格的交點，由此期望降低視認性。然而，即使狹縫寬在20ym，傳感器元件 的輪廓也被視認，而且即使狹縫不通過網(wǎng)格的交點，視認性也不能充分降低。而且，一般使 用投影型靜電容量式的觸摸屏，與基材在同一平面上的多個平行的光透電極為并列構(gòu)造， 在使用該方法制作觸摸傳感器的情況下，平行的光透電極之間存在短路問題。
[0009] 此外，專利文獻7中，由于直線性狹縫的視認性差，提議下功夫把狹縫不做成直線 性的，然而對于視認性仍然不足。而且，使用該方法也不能解決前述的短路問題。專利文獻 8中，假元件由點形成使得傳感器元件和假元件的總透光率一致，盡力使視認性變得等同。 然而，由于金屬圖案與點的圖案不同，無論如何凝視時都存在會記住眼睛捕捉到的該差異 的不協(xié)調(diào)感的問題。而且，微小點與細線組合的金屬圖案中，由于金屬圖案形成時曝光的成 暈現(xiàn)象等的影響，因而存在圖像與設計值差異變大的情況，存在視認性變差的問題。
[0010] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0011] 專利文獻
[0012] 專利文獻1 ;日本專利公開公報特開2007-287994號
[0013] 專利文獻2 :日本專利公開公報特開2007-287953號
[0014] 專利文獻3 ;日本專利公開公報特開2003-77350號
[0015] 專利文獻4 ;日本專利公開公報特開2005-250169號
[0016] 專利文獻5 ;日本專利公開公報特開2007-188655號
[0017] 專利文獻6 ;日本專利公開公報特開2006-344163號 [001引專利文獻7 :日本專利公開公報特開2011-59771號
[0019] 專利文獻8 ;日本專利公開公報特開2011-253263號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020] 發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0021] 本發(fā)明的課題是提供適合作為采用靜電容量式的觸摸屏的光透電極的、視認性 低、減少短路發(fā)生的光透導電材料。
[0022] 解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
[0023] 本發(fā)明使用W下光透導電材料基本上解決了上述課題，所述光透導電材料在基材 上具有由被電連接至端子部的金屬圖案構(gòu)成的傳感器元件和由未被電連接至端子部的金 屬圖案構(gòu)成的假元件，其特征在于，在所述傳感器元件和假元件具有分隔線作為虛擬邊界 線的情況下，所述傳感器元件的金屬圖案和所述假元件的金屬圖案的至少其中之一是沿著 所述虛擬邊界線平移的圖案。
[0024] 本文中，傳感器元件和假元件優(yōu)選由單元圖形重復而成的金屬圖案形成。優(yōu)選傳 感器元件的金屬圖案的單元圖形和假元件的金屬圖案的單元圖形全等。優(yōu)選單元圖形為正 方形或菱形，線間隔在400ymW下。
[0025] 金屬圖案的線寬優(yōu)選1~10ym。
[0026] 假元件的金屬圖案與傳感器元件的金屬圖案不相連，沿著虛擬邊界線（參照圖2) 平移的距離優(yōu)選為構(gòu)成假元件和傳感器元件的單元圖形的邊的線寬W上、100ymW下，較 優(yōu)選為構(gòu)成假元件和傳感器元件的單元圖形的邊的線寬的1. 5倍W上、40ymW下。
[0027] 優(yōu)選傳感器元件的金屬圖案和假元件的金屬圖案不重疊，且傳感器元件的金屬圖 案和假元件的金屬圖案之間沒有非圖像區(qū)域。
[0028] 優(yōu)選在將所述假元件多區(qū)域分隔的線作為虛擬邊界線的情況下，一個區(qū)域的假元 件的金屬圖案相對于與所述虛擬邊界線相接的另一個區(qū)域的假元件的金屬圖案是沿著所 述虛擬邊界線平移的圖案。
[002引發(fā)明的效果
[0030] 本發(fā)明可W提供適合作為采用投影型靜電容量式的觸摸屏的光透電極的、視認性 低、減少短路發(fā)生的光透導電材料。
【附圖說明】
[0031] 圖1表示本發(fā)明的光透導電材料的一個例子的平面示意圖。
[0032] 圖2為圖1的假元件和傳感器元件的放大圖。
[0033] 圖3表示在傳感器元件中W包圍的形狀設置假元件的一個例子的放大示意圖。
[0034] 圖4表示本發(fā)明優(yōu)選的光透導電材料的部分放大示意圖。
[0035] 圖5表示使用比較例的具有非圖像區(qū)域的光透導電材料的部分放大圖。
【具體實施方式】
[0036]W下使用附圖對本發(fā)明進行說明，只要不脫離本發(fā)明的技術(shù)范圍，可W進行各種 各樣的變形和修改，本發(fā)明不僅僅限于W下實施方式。
[0037] 圖1表示本發(fā)明的光透導電材料的一個例子的平面示意圖。圖1中，本發(fā)明的光 透導電材料1在基材2上具有由金屬圖案構(gòu)成的具有光透過性的傳感器元件11和同樣由 金屬圖案構(gòu)成的具有光透過性的假元件12。傳感器元件11借助配線部14與端子部15電 連接，通過該端子部15與外部電連接，可W捕捉由傳感器元件11感知的靜電容量的變化。 序號13表示非圖像部。另一方面，未與端子部15電連接的金屬圖案在本發(fā)明中全部為假 元件12。
[003引圖2為圖1的假元件12和傳感器元件11的放大圖。圖2中，傳感器元件11由單 元圖形21(為了便于說明，部分用粗線表示）重復而成的金屬圖案形成。作為該單元圖形 21，可W使用公知的形狀，例如等邊H角形、等腰H角形、直角H角形等H角形；正方形、長 方形、菱形、平行四邊形、梯形等四邊形；（正）六邊形、（正）八邊形、（正）十二邊形、（正） 二十邊形等（正）N邊形；圓；楠圓；星形等組合的圖案，可W使用該些單元圖形的單獨重復 或者兩種W上的組合等。而且，單元圖形21的邊也可W不是直線，例如可W由銀齒線、波浪 線等構(gòu)成。另外，如日本專利公開公報特開2002-223095號公開的那樣，可W使用疊磚樣 的圖案。本發(fā)明中，作為傳感器元件11和假元件12,雖然可W使用該些任意形狀的單元圖 形重復而成的金屬圖案，但優(yōu)選正方形或菱形，更優(yōu)選由構(gòu)成單元圖形的相鄰兩邊成30~ 70°角的菱形。單元圖形21的線間隔（對邊間距離）優(yōu)選400ymW下。此外，其線寬優(yōu) 選20ymW下，較優(yōu)選1~15ym，更優(yōu)選1~10ym。并且，圖2W后的附圖中，W實線表 示的部分為金屬圖案實際存在，而虛線表示的部分是為方便說明而虛設的，該處不存在金 屬圖案。
[0039] 圖2中，假元件12由與構(gòu)成傳感器元件11的單元圖形21全等的單元圖形22 (為 了方便說明，部分W粗線表示）構(gòu)成。假元件12的金屬圖案與傳感器元件11的金屬圖案不 相連，沿著圖2所示的虛擬邊界線R(傳感器元件11和假元件12的分隔線）向右方平移。 該樣沿著虛擬邊界線R平移，使傳感器元件11和假元件12的金屬圖案不相連、不導通，另 一方面，使傳感器元件11和假元件12用眼睛難于辨認差別。
[0040] 本發(fā)明中，