本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的，本發(fā)明涉及陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

現(xiàn)行的像素設(shè)計(jì)中，為了節(jié)約成本一般會采用掩膜(mask)數(shù)目減少的方案，即將源漏電極層(sd)和有源層(act)共用一張半色調(diào)掩膜版(htmmask)的方案，并且該方案已在很多像素設(shè)計(jì)上使用。但是由于htmnask形成的sd金屬下方均會有act，參考圖1a～圖1d和圖2，特別是在圖2所示的三處溝道處(ⅰ、ⅱ、ⅲ)，源漏電極處的有源層(active)會外漏在柵極(gate)外。在受到光照(hv)時(shí)，參考圖2，在柵極200外的有源層400的特性會發(fā)生變化，源極500處的空穴隨著光照而增加，薄膜晶體管(tft)的漏電流會增加，tft的開關(guān)特性受到影響，漏極的電壓接近源極電壓顯示異常。

因此，現(xiàn)階段的陣列基板相關(guān)工藝仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。

本發(fā)明是基于發(fā)明人的下列發(fā)現(xiàn)而完成的：

本發(fā)明人在研究過程中發(fā)現(xiàn)，為了改善由于采用htmmask制作帶來的tft漏電流的增加，現(xiàn)有技術(shù)一般會采用源極(source)、漏極(drain)和有源層(active)分別使用兩套mask的方案，可有效地解決漏電流的問題，但是，這種方案會增加制作的成本。

本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過深入研究提出一種方案，基于現(xiàn)有的ffs像素設(shè)計(jì)，在溝道處的源漏(sd)電極與柵(g)電極的爬坡位置，用連接電極將sd電極與數(shù)據(jù)線進(jìn)行搭接，從而使有源層(act)不會外漏在g電極外，從而在減小在受到光照時(shí)tft的漏電流的同時(shí)，也不會增加制作的成本。

有鑒于此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種制作成本低、減少有源層外漏在柵極外產(chǎn)生的漏電流或者顯示質(zhì)量更高的陣列基板。

在本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述陣列基板包括：襯底基板；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè)；數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述襯底基板的一側(cè)；連接電極，所述連接電極將所述薄膜晶體管的源漏極與所述數(shù)據(jù)線電相連；其中，所述薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影在所述薄膜晶體管的柵極在所述襯底基板的正投影之內(nèi)。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，其有源層在柵絕緣層的投影都落在柵極在柵絕緣層的投影之內(nèi)，再利用連接電極將源漏極和數(shù)據(jù)線相連，從而減少了有源層外漏在柵極而產(chǎn)生的光漏電問題，進(jìn)而提高該陣列基板組成的顯示面板的顯示穩(wěn)定性。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的陣列基板，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述連接電極由ito材料形成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述數(shù)據(jù)線與所述源漏極同層設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極同層設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述連接電極包括：第一子連接電極，所述第一子連接電極與像素電極同層設(shè)置，且與所述源漏極電連接；第二子連接電極，所述第二子連接電極與公共電極同層設(shè)置，且與所述第一子連接電極、所述數(shù)據(jù)線電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述數(shù)據(jù)線包括：第一數(shù)據(jù)線，與所述源漏極同層設(shè)置；第二數(shù)據(jù)線，與所述柵極同層設(shè)置，且所述第二數(shù)據(jù)線與所述第一數(shù)據(jù)線通過所述連接電極電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述連接電極包括：第三子連接電極，所述第三子連接電極與像素電極同層設(shè)置，且與所述源漏極電連接；第四子連接電極，所述第四子連接電極與公共電極同層設(shè)置，且與所述第三子連接電極、所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線電連接。

在本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板的制備方法。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述方法包括：在襯底基板的一側(cè)，形成薄膜晶體管；其中，所述有源層在所述襯底基板的正投影在所述柵極在所述襯底基板的正投影之內(nèi)；在襯底基板的一側(cè)，形成數(shù)據(jù)線；在所述薄膜晶體管的源漏極和所述數(shù)據(jù)線的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成連接電極，其中，所述連接電極將所述源漏極與數(shù)據(jù)線電連接。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，采用本發(fā)明實(shí)施例的制作方法，獲得的陣列基板，其利用連接電極將源漏極和數(shù)據(jù)線相連，從而減少了有源層外漏在柵極而產(chǎn)生的光漏電問題，進(jìn)而提高該陣列基板組成的顯示器的顯示穩(wěn)定性，并且該方法也不會增加mask的數(shù)目和制造陣列基板的成本。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的制作方法，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述數(shù)據(jù)線與所述源漏極、所述有源層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過一次構(gòu)圖工藝形成所述數(shù)據(jù)線與所述柵極；通過一次構(gòu)圖工藝形成所述源漏極和有源層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述連接電極包括第一子連接電極和第二子連接電極；其中，所述第一子連接電極與像素電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與所述源漏極電連接；所述第二子連接電極與公共電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與所述第一子連接電極、所述數(shù)據(jù)線電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，其中，所述第一數(shù)據(jù)線與所述源漏、所述有源層極通過一次構(gòu)圖工藝形成，所述第二數(shù)據(jù)線與所述柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述連接電極包括第三子連接電極和第四子連接電極；其中，所述第三子連接電極與像素電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與所述源漏極電連接；所述第四子連接電極與公共電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與所述第三子連接電極、所述第一數(shù)據(jù)線、所述第二數(shù)據(jù)線電連接。

在本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明提出了一種顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述顯示面板包括上述的陣列基板。

發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板，其陣列基板解決了有源層外漏在柵極之外而產(chǎn)生的光漏電問題，進(jìn)而提高該顯示面板的顯示穩(wěn)定性，并且其制造成本也不會增加。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對陣列基板所描述的特征和優(yōu)點(diǎn)，仍適用于該顯示面板，在此不再贅述。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1a～圖1d是現(xiàn)有技術(shù)的一種少mask像素設(shè)計(jì)的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖1a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖1b是圖1a中沿bb’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖1c是圖1a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖1d是圖1a中沿dd’線的u型截面展開后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的tft漏電流的原理示意圖；

圖3a～圖3b是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖3a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖3b是圖3a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖3c是圖3a中沿ee’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a～圖4b是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖4a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖4b是圖4a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖4c是圖4a中沿ee’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a～圖5b是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖5a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖5b是圖5a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖5c是圖5a中沿ee’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6a～圖6d是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖6a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖6b是圖6a中沿bb’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖6c是圖a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖6d是圖a中沿dd’線的u型截面展開后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7a～圖7d是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖7a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖7b是圖7a中沿bb’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖7c是圖7a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖7d是圖7a中沿dd’線的u型截面展開后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8a～圖8d是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖8a是該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，

圖8b是圖8a中沿bb’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖8c是圖8a中沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，

圖8d是圖8a中沿dd’線的u型截面展開后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備陣列基板方法的流程示意圖；

圖10是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的制備陣列基板方法的流程示意圖。

附圖標(biāo)記

100基板

200柵極

300柵絕緣層

400有源層

500源漏極

700數(shù)據(jù)線

710第一數(shù)據(jù)線

720第二數(shù)據(jù)線

800連接電極

810第一子連接電極

820第二子連接電極

830第三子連接電極

840第四子連接電極

910層間絕緣層

920像素電極

930公共電極

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，下面實(shí)施例旨在用于解釋本發(fā)明，而不應(yīng)視為對本發(fā)明的限制。除非特別說明，在下面實(shí)施例中沒有明確描述具體技術(shù)或條件的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以按照本領(lǐng)域內(nèi)的常用的技術(shù)或條件或按照產(chǎn)品說明書進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可通過市購到的常規(guī)產(chǎn)品。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。參照圖3a～8d，對本發(fā)明的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)的描述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，陣列基板包括：襯底基板100、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線700和連接電極800；其中，薄膜晶體管設(shè)置在襯底基板100的一側(cè)，數(shù)據(jù)線700設(shè)置在襯底基板100的一側(cè)；參考圖3b，薄膜晶體管包括柵極200、柵絕緣層300、有源層400和源漏極500，并且參考圖3a(其中省略了襯底基板和柵絕緣層)，有源層400在襯底基板100的正投影在柵極200在襯底基板100的正投影之內(nèi)；而參考圖3b，連接電極800將源漏極500與數(shù)據(jù)線700電連接。

發(fā)明人經(jīng)過長期的研究發(fā)現(xiàn)，參考圖3a和圖3b的現(xiàn)有ffs像素設(shè)計(jì)，在溝道處的源漏極500與柵極200的爬坡位置，采用連接電極800將源漏極500與數(shù)據(jù)線700進(jìn)行搭接，從而使有源層400不會外漏在柵極200外，從而減小在光照產(chǎn)生tft的漏電流，同時(shí)，也不會增加制作的成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，連接電極800的具體種類不受特別的限制，只要該種類的材料組成的連接電極800具有導(dǎo)電作用且不會產(chǎn)生漏電流即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該陣列基板的使用設(shè)計(jì)進(jìn)行選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，連接電極800可以是由ito材料形成的。如此，采用上述材料的連接電極800，不僅能將源漏極500與數(shù)據(jù)線700電連接，還可進(jìn)一步避免光照情況下本身產(chǎn)生漏電流的問題。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，連接電極800的具體制作方法不受特別的限制，只要該方法制作的連接電極800可實(shí)現(xiàn)源漏極500與數(shù)據(jù)線700的電連接即可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該連接電極800的具體位置進(jìn)行設(shè)計(jì)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，連接電極800可以是與薄膜晶體管的像素電極，通過一次構(gòu)圖法形成的一體化結(jié)構(gòu)。如此，形成的連接源漏極500與數(shù)據(jù)線700的連接電極800，并不會額外增加制造成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，數(shù)據(jù)線700的具體位置不受特別的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該陣列基板的使用要求進(jìn)行設(shè)計(jì)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，參照圖3b，數(shù)據(jù)線700與源漏極500可以同層設(shè)置。如此，數(shù)據(jù)線700與源漏極500可通過一次構(gòu)圖工藝形成，而不會增加制作該陣列基板的成本。需要說明的是，本文中所有“同層設(shè)置”是指通過一次構(gòu)圖工藝形成的，或者設(shè)置在同一層結(jié)構(gòu)中。在本發(fā)明的一些具體示例中，參考圖3b，不僅數(shù)據(jù)線700與源漏極500可同層設(shè)置，而數(shù)據(jù)線700下表面的半導(dǎo)體層與有源層400也可同層設(shè)置，如此，數(shù)據(jù)線700、源漏電極500和有源層400可通過同一個(gè)掩膜板制作，從而有利于降低制造成本，并且組成源漏電極500的源極和漏極之間是絕緣的，且源極和漏極分別連接不同的結(jié)構(gòu)，其中，源極和漏極中的一個(gè)連接數(shù)據(jù)線700，而源極和漏極中的另一個(gè)連接像素電極。在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，參照圖4b，數(shù)據(jù)線700與柵極200可以同層設(shè)置。如此，數(shù)據(jù)線700與柵極200可通過一次構(gòu)圖工藝形成，并且還可增加數(shù)據(jù)線700遠(yuǎn)離基板100一側(cè)的柵絕緣層300的厚度，從而減小寄生電容。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，參照圖4b，連接電極800還可以進(jìn)一步包括第一子連接電極810和第二子連接電極820。其中，第一子連接電極810與像素電極同層設(shè)置，且與源漏極500電連接；而第二子連接電極820與公共電極同層設(shè)置，且與第一子連接電極810、數(shù)據(jù)線700電連接。如此，通過第一子連接電極810和第二子連接電極820，可以將源漏極500和數(shù)據(jù)線700電連接，并且第一子連接電極810與像素電極同層設(shè)置、第二子連接電極820與公共電極同層設(shè)置，則不會增加制作的成本。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，連接電極800也可以直接將源漏極500與數(shù)據(jù)線700電相連，如此，只制作一個(gè)連接電極800的工藝更簡單、制作成本更低。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照圖5b，數(shù)據(jù)線700可進(jìn)一步包括第一數(shù)據(jù)線710和第二數(shù)據(jù)線720。其中，第一數(shù)據(jù)線710與源漏極500同層設(shè)置；而第二數(shù)據(jù)線720與柵極200同層設(shè)置，且第二數(shù)據(jù)線720與第一數(shù)據(jù)線710通過連接電極電連接。如此，通過平行設(shè)置且并聯(lián)的雙數(shù)據(jù)線710和720，可使電阻降低。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，參照圖5b，連接電極800(圖中未標(biāo)出)可以包括第三子連接電極830和第四子連接電極840；其中，第三子連接電極830與像素電極同層設(shè)置，且與源漏極500電連接；而第四子連接電極840與公共電極同層設(shè)置，且與第三子連接電極830、第一數(shù)據(jù)線710、第二數(shù)據(jù)線720電連接。并且，第一數(shù)據(jù)線710和第二數(shù)據(jù)線720之間可通過第四子連接電極840直接相連，從而實(shí)現(xiàn)兩個(gè)數(shù)據(jù)線之間的并聯(lián)，進(jìn)而可減小電阻。如此，通過第三子連接電極830和第四子連接電極840，可以將源漏極500和第一數(shù)據(jù)線710、第二數(shù)據(jù)線720電連接，并且第三子連接電極830與像素電極同層設(shè)置、第四子連接電極840與公共電極同層設(shè)置，則不會增加制作的成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖6a～8d，該陣列基板還可以進(jìn)一步包括層間絕緣層910、公共電極930和像素電極920。需要說明的是，圖3a～5b是均是陣列基板沿cc’線的截面結(jié)構(gòu)示意圖，且該陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖(包括圖3a、圖4a、圖5a、圖6a、圖7a和圖8a)中忽略了襯底基板、柵絕緣層和層間絕緣層。

在本發(fā)明的一些具體示例中，參考圖6a～圖6d，數(shù)據(jù)線700和源漏極500同層設(shè)置，連接電極800將源漏極500與數(shù)據(jù)線700電連接；并且，連接電極800和像素電極920同層設(shè)置，層間絕緣層910覆蓋源漏極500、連接電極800和數(shù)據(jù)線700，而像素電極920覆蓋層間絕緣層910的至少一部分。如此，該方案中的連接電極800可以包括至少相互絕緣的兩部分，第一部分的連接電極800起到將源極與數(shù)據(jù)線700電連接的作用，而另一部分的連接電極800將漏極與像素電極920電相連且該部分的連接電極800可與像素電極920一體成型。

在本發(fā)明的另一些具體示例中，參考圖7a～圖7d，數(shù)據(jù)線700和柵極200同層設(shè)置，第一子連接電極810和第二子連接電極820將源漏極500與數(shù)據(jù)線700電連接；并且，第一子連接電極810和像素電極920同層設(shè)置，第二子連接電極820和公共電極930同層設(shè)置，而層間絕緣層910覆蓋源漏極500和第一子連接電極810。如此，該方案中的數(shù)據(jù)線700和像素電極920(圖中未標(biāo)出)之間的絕緣層總厚度增加，從而可有效地減小寄生電容。

在本發(fā)明的另一些具體示例中，參考圖8a～圖8d，第一數(shù)據(jù)線710和源漏極500同層設(shè)置，第二數(shù)據(jù)線720和柵極200同層設(shè)置，第三子連接電極830和第四子連接電極840將源漏極500與第一數(shù)據(jù)線710、第二數(shù)據(jù)線720電相連；并且，第三子連接電極830和像素電極920同層設(shè)置，第四子連接電極840和公共電極930同層設(shè)置，而層間絕緣層910覆蓋源漏極500、第三子連接電極830和第一數(shù)據(jù)線710。如此，該方案中的雙數(shù)據(jù)線710和720可共同地傳導(dǎo)電流，從而減小電阻。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明提出了一種陣列基板，其有源層在柵絕緣層的投影都落在柵極在柵絕緣層的投影之內(nèi)，再利用連接電極將源極和數(shù)據(jù)線相連，從而減少了有源層外漏在柵極而產(chǎn)生的光漏電問題，進(jìn)而提高該陣列基板組成的顯示面板的顯示穩(wěn)定性。

在本發(fā)明的二個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備陣列基板的方法。參照圖9～10，對本發(fā)明的制作方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照圖9，該方法包括：

s100：在襯底基板的一側(cè)，形成薄膜晶體管。

在該步驟中，在襯底基板100的一側(cè)制作出薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管可包括柵極200、柵絕緣層300、有源層400和源漏極500。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖10，形成薄膜晶體管的步驟可進(jìn)一步包括s110和s120，下面對步驟s110和s120分別進(jìn)行描述：

s110：在襯底基板的一側(cè)依次形成柵極、柵絕緣層。

在該步驟中，可在襯底基板100的一側(cè)形成柵極200，再在柵極200遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)以及襯底基板100的同側(cè)形成柵絕緣層300。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成柵極200和柵絕緣層300的具體方法，不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的形成柵極和柵絕緣層的方法均可，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇，在此不再贅述。

s120：在柵絕緣層遠(yuǎn)離柵極的一側(cè)，形成有源層、源漏極。

在該步驟中，在柵絕緣層300遠(yuǎn)離柵極200的一側(cè)，可通過同一掩膜板，形成具有相同圖案的有源層400、源漏極500；其中，形成的有源層400在襯底基板100的投影落在柵極200在襯底基板100的投影之內(nèi)。如此，光敏材料組成的有源層400沒有外漏在柵極200外，即使受到光照時(shí)也不會產(chǎn)生漏電流，進(jìn)而減小顯示異常的技術(shù)問題。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成有源層400、源漏極500的具體方法，不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的形成相同圖案的有源層、源漏極的方法均可，例如采用htmmask，等等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇，在此不再贅述。

s200：在襯底基板的一側(cè)，形成數(shù)據(jù)線。

在該步驟中，在襯底基板100的一側(cè)制作出數(shù)據(jù)線700。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)線700可以是與柵極200通過一次構(gòu)圖工藝形成。如此，后續(xù)再在數(shù)據(jù)線700表面形成的絕緣層總厚度更大，有利于減小寄生電容，并且與柵極200共同采用一個(gè)掩膜制作，不會增加該陣列基板的制作成本。而且，在柵極200和數(shù)據(jù)線700的遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)以及基板100的同側(cè)形成柵絕緣層300。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)線700也可以是與源漏極500、有源層400通過一次構(gòu)圖工藝形成。如此，只需一層連接電極800就可將數(shù)據(jù)線700和源漏極500電相連，并且與源漏極500、有源層400共同采用一個(gè)掩膜制作，不會增加該陣列基板的制作成本。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)線700可包括第一數(shù)據(jù)線710和第二數(shù)據(jù)線720，其中的第二數(shù)據(jù)線720是與柵極200通過一次構(gòu)圖工藝形成。如此，采用雙數(shù)據(jù)線的設(shè)計(jì)可降低電阻，并且，第二數(shù)據(jù)線720與柵極200共同采用一個(gè)掩膜制作，不會增加該陣列基板的制作成本。而且，在柵極200和第二數(shù)據(jù)線720的遠(yuǎn)離基板100的一側(cè)以及基板100的同側(cè)形成柵絕緣層300。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)線700可包括第一數(shù)據(jù)線710和第二數(shù)據(jù)線720，其中的第一數(shù)據(jù)線710可以是與源漏極500、有源層400通過一次構(gòu)圖工藝形成。如此，采用雙數(shù)據(jù)線的設(shè)計(jì)可降低電阻，并且，第一數(shù)據(jù)線710與源漏極500、有源層400共同采用一個(gè)掩膜制作，也不會增加該陣列基板的制作成本。

s300：在源漏極、柵絕緣層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)形成連接電極。

在該步驟中，為了解決縮小有源層400的面積而帶來的源漏極500與數(shù)據(jù)線無法導(dǎo)通的問題，所以在源漏極500、柵絕緣層300和數(shù)據(jù)線遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)形成連接電極；其中，連接電極用于將源漏極500與數(shù)據(jù)線電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成連接電極的具體方法不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的形成電極的方法均可，例如形成ito層的方法，等等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇，在此不再贅述。

在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)線700與源漏極500是通過一次構(gòu)圖工藝形成的情況下，在源漏極500、柵絕緣層300和數(shù)據(jù)線700的遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)形成連接電極800即可，如此，連接電極800可將同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線700與源漏極500電連接。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)線700與柵極200是通過一次構(gòu)圖工藝形成的情況下，在源漏極500和柵絕緣層300的遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)形成第一子連接電極810，并且第一子連接電極810可以與像素電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與源漏極500電連接；然后，再在第一子連接電極810和數(shù)據(jù)線700的遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)形成第二子連接電極820，并且第二子連接電極820可以與公共電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與第一子連接電極810、數(shù)據(jù)線700電連接。如此，即使數(shù)據(jù)線700與源漏極500不是同層設(shè)置，也可以通過第一子連接電極810和第二子連接電極820將其電連接。

在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)線700包括第一數(shù)據(jù)線710和第二數(shù)據(jù)線720的情況下，在源漏極500和柵絕緣層300的遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)形成第三子連接電極830，并且第三子連接電極830可與像素電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與源漏極500電連接；然后，再在第三子連接電極830、第一數(shù)據(jù)線710和第二數(shù)據(jù)線720的遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)形成第四子連接電極840，并且第四子連接電極840可與公共電極通過一次構(gòu)圖工藝形成，用于與第三子連接電極810分別與第一數(shù)據(jù)線710、第二數(shù)據(jù)線720電連接。如此，即使采用雙數(shù)據(jù)線的設(shè)計(jì)，也可通過第三子連接電極830和第四子連接電極840將源漏極500與其電連接。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明提出了一種制作方法，獲得的陣列基板，其利用連接電極將源極和數(shù)據(jù)線相連，從而減少了源極下面有源層外漏在柵極而產(chǎn)生的光漏電問題，進(jìn)而提高該陣列基板組成的顯示器的顯示穩(wěn)定性，并且該方法也不會增加mask數(shù)目和制造陣列基板的成本。

在本發(fā)明的三個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種顯示面板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示面板包括上述的陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示面板的具體類型不受特別的限制，本領(lǐng)域內(nèi)常用的顯示面板的類型均可，具體例如電視、手機(jī)、電腦顯示屏、平板顯示器、游戲機(jī)、可穿戴設(shè)備及具有顯示面板的生活、家用電器等等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該顯示面板的實(shí)際使用要求進(jìn)行選擇，在此不再贅述。

需要說明的是，該顯示面板除了陣列基板以外，還包括其他必要的組件和構(gòu)成，以液晶顯示器為例，具體例如彩膜基板、液晶顯示層、光源組件、控制組件、電路和外殼，等等，，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)該陣列基板的具體類型進(jìn)行補(bǔ)充，在此不再贅述。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明提出了一種顯示面板使用要求進(jìn)行，其陣列基板解決了有源層外漏在柵極而產(chǎn)生的光漏電問題，進(jìn)而提高該顯示面板的顯示穩(wěn)定性，并且其制造成本也不會增加。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，前面針對陣列基板所描述的特征和優(yōu)點(diǎn)，仍適用于該顯示面板，在此不再贅述。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。