技術編號：11388155
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體的，本發(fā)明涉及陣列基板及其制備方法、顯示面板。背景技術現(xiàn)行的像素設計中，為了節(jié)約成本一般會采用掩膜(MASK)數(shù)目減少的方案，即將源漏電極層(SD)和有源層(ACT)共用一張半色調掩膜版(HTMMASK)的方案，并且該方案已在很多像素設計上使用。但是由于HTMNASK形成的SD金屬下方均會有ACT，參考圖1a～圖1d和圖2，特別是在圖2所示的三處溝道處(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ)，源漏電極處的有源層(Active)會外漏在柵極(gate)外。在受到光照(hv)時，參考圖2，在柵極2...
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