本申請一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板以及包括該陣列基板的觸控顯示面板。

背景技術(shù)：

目前，越來越多的電子設(shè)備配置有觸控顯示面板，例如，公共場所大廳的信息查詢機，用戶在日常生活中用的手機、電腦等。當(dāng)用戶利用例如手指來觸摸觸控顯示面板時，觸控顯示面板把信號發(fā)送到該設(shè)備。在各種設(shè)備中存在很多的觸控顯示面板不僅需要檢測觸控位置，還需要檢測觸控壓力，觸控顯示面板通?？梢允褂脡毫鞲衅鱽頇z測觸控壓力的大小。

現(xiàn)有技術(shù)中的觸控顯示面板使用的壓力傳感器通常為電橋式壓力傳感器。電橋式壓力傳感器在未感應(yīng)到外界壓力時，電橋中的各電阻可以處于平衡狀態(tài)，而電橋式壓力傳感器在感應(yīng)到外界壓力時，電橋式壓力傳感器可以通過檢測出的電學(xué)參數(shù)確定用于引發(fā)垂直于觸控顯示面板表面的方向形變的壓力大小。但是，由于制備陣列基板時存在工藝波動等因素，使得電橋式壓力傳感器在未感應(yīng)到外界壓力時電橋不平衡，造成觸控顯示面板不能準(zhǔn)確地檢測出其上的觸控壓力的大小。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，本申請實施例提供一種陣列基板以及包括該陣列基板的觸控顯示面板，來解決以上背景技術(shù)部分提到的技術(shù)問題。

為了實現(xiàn)上述目的，第一方面，本申請實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)，該陣列基板包括：多個半導(dǎo)體壓力傳感器，位于非顯示區(qū)，各半導(dǎo)體壓力傳感器包括多個用于感應(yīng)外界壓力的半導(dǎo)體電阻；電壓施加電路，電壓施加電路分別與半導(dǎo)體壓力傳感器的第一連接端和第二連接端電連接，用于向半導(dǎo)體壓力傳感器施加電壓；電壓檢測電路，電壓檢測電路分別與半導(dǎo)體壓力傳感器的第三連接端和第四連接端電連接，用于獲取半導(dǎo)體壓力傳感器的應(yīng)變電壓；多個電阻校正電路，每個半導(dǎo)體壓力傳感器中存在至少一個半導(dǎo)體電阻與電阻校正電路對應(yīng)，電阻校正電路用于校正與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻的電阻率，以使各半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力的狀態(tài)下對應(yīng)的應(yīng)變電壓為預(yù)設(shè)初始值。

第二方面，本申請實施例還提供了一種觸控顯示面板，包括上述陣列基板。

本申請實施例提供的陣列基板和觸控顯示面板，半導(dǎo)體壓力傳感器中的各半導(dǎo)體電阻可以感應(yīng)外界壓力，電壓施加電路可以向半導(dǎo)體壓力傳感器施加電壓，電壓檢測電路可以獲取半導(dǎo)體壓力傳感器的應(yīng)變電壓，并且每個半導(dǎo)體壓力傳感器可以存在至少一個半導(dǎo)體電阻與電阻校正電路相對應(yīng)，電阻校正電路可以校正與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻的電阻率，從而使得半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力的狀態(tài)下，電壓檢測電路檢測到的應(yīng)變電壓為預(yù)設(shè)初始值，即可以使得半導(dǎo)體壓力傳感器的電橋初始平衡，以便于觸控顯示面板可以準(zhǔn)確地檢測出其上的觸控壓力的大小。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯：

圖1a示出了根據(jù)本申請的陣列基板的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b示出了圖1a中的陣列基板的半導(dǎo)體壓力傳感器的連接關(guān)系示意圖；

圖1c示出了圖1a中的陣列基板的半導(dǎo)體壓力傳感器的另一連接關(guān)系示意圖；

圖2a示出了根據(jù)本申請的陣列基板的另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b示出了根據(jù)本實施例的陣列基板的一實現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c示出了根據(jù)本實施例的陣列基板的另一實現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d示出了根據(jù)本實施例的陣列基板的又一實現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了包括本申請的觸控顯示面板的一觸控顯示裝置的示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本申請的原理和特征作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本申請。

請參考圖1a-圖1b，其中圖1a示出了根據(jù)本申請的陣列基板的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b示出了圖1a中的陣列基板的半導(dǎo)體壓力傳感器的連接關(guān)系示意圖。如圖1a所示，本實施例中的陣列基板100可以包括顯示區(qū)110和非顯示區(qū)120，并且非顯示區(qū)120可以環(huán)繞顯示區(qū)110。

在本實施例中，上述陣列基100還可以包括多個半導(dǎo)體壓力傳感器101，如圖1a所示，且各半導(dǎo)體壓力傳感器101可以設(shè)置在非顯示區(qū)120，從而可以避免各半導(dǎo)體壓力傳感器101影響陣列基板100所在觸控顯示面板的發(fā)光顯示。如圖1b所示，上述陣列基板100還可以包括與各半導(dǎo)體壓力傳感器電連接的電壓施加電路102和電壓檢測電路103。進(jìn)一步地，上述各半導(dǎo)體壓力傳感器101可以包括多個半導(dǎo)體電阻，各半導(dǎo)體電阻可以為壓力感應(yīng)電阻，可以感應(yīng)外界的壓力。當(dāng)陣列基板100所在的觸控顯示面板在接受到外界壓力時，半導(dǎo)體壓力傳感器101中的半導(dǎo)體電阻的阻值會相應(yīng)地發(fā)生改變。

需要說明的是，上述各半導(dǎo)體壓力傳感器101可以包括第一連接端s1、第二連接端s2、第三連接端s3和第四連接端s4，如圖1b所示。每個半導(dǎo)體壓力傳感器101可以與電壓施加電路102和電壓檢測電路103電連接，具體地，電壓施加電路102可以分別與半導(dǎo)體壓力傳感器101的第一連接端s1和第二連接端s2電連接，電壓檢測電路103可以分別與半導(dǎo)體壓力傳感器101的第三連接端s3和第四連接端s4電連接，如圖1b所示。上述電壓施加電路103可以向與之電連接的半導(dǎo)體壓力傳感器101施加電壓，上述電壓檢測電路103可以獲取與之電連接的半導(dǎo)體傳感器101的應(yīng)變電壓。這里，電壓檢測電路103檢測到的應(yīng)變電壓為半導(dǎo)體傳感器101中第三連接端s3和第四連接端s4之間的電壓。當(dāng)陣列基板100所在的觸控顯示面板受到外界壓力時，觸控顯示面板發(fā)生形變，半導(dǎo)體壓力傳感器101中的半導(dǎo)體電阻的阻抗發(fā)生相應(yīng)的變化，致使半導(dǎo)體壓力傳感器101中的第三連接端s3和第四連接端s4之間的應(yīng)變電壓發(fā)生變化，因此根據(jù)電壓檢測電路103獲取的應(yīng)變電壓的電壓值可以判斷出觸控顯示面板接受到的觸控壓力的大小。

在本實施例中，上述陣列基板100還可以包括多個電阻校正電路104，如圖1b所示，電阻校正電路104可以用于校正半導(dǎo)體電阻的電阻率。需要說明的是，每個電阻校正電路104可以與一個半導(dǎo)體電阻相對應(yīng)，并且每個半導(dǎo)體壓力傳感器101中至少存在一個半導(dǎo)體電阻與電阻校正電路104相對應(yīng)，例如，如圖1b所示，該半導(dǎo)體壓力傳感器101存在一個半導(dǎo)體電阻與電阻校正電路104相對應(yīng)，電阻校正電路104可以校正與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻的電阻率，因此電阻校正電路104可以通過改變半導(dǎo)體電阻的電阻率來改變半導(dǎo)體電阻的阻值。需要說明的是，上述電阻校正電路104可以輸入第一電壓信號，該第一電壓信號形成的電場可以使得半導(dǎo)體電阻中的載流子定向漂移，并且電場的強弱可以影響半導(dǎo)體電阻中載流子的遷移率，載流子的遷移率影響半導(dǎo)體電阻的電阻率，載流子遷移率越大，半導(dǎo)體電阻的電阻率越小。因此，向電阻校正電路104輸入不同的第一電壓信號可以改變半導(dǎo)體電阻的電阻率，從而可以改變該半導(dǎo)體電阻的阻值。現(xiàn)有技術(shù)中，在制備陣列基板100的過程中由于存在工藝波動等因素，造成制備出的半導(dǎo)體壓力傳感器101中的半導(dǎo)體電阻的阻值在一定程度上可能會偏離理論電阻值，從而使得半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力的狀態(tài)下電壓檢測電路103獲取的應(yīng)變電壓在一定程度上偏離預(yù)設(shè)初始值。在此種情況下，上述電阻校正電路104可以通過校正半導(dǎo)體電阻的電阻率來使得半導(dǎo)體壓力傳感器101中的半導(dǎo)體電阻的阻值為理論電阻值，從而使得半導(dǎo)體電阻未感應(yīng)到外界壓力的狀態(tài)下電壓檢測電路103檢測出的應(yīng)變電壓為預(yù)設(shè)初始值。需要說明的是，應(yīng)變電壓的預(yù)設(shè)初始值和零相比可以具有一定的誤差范圍，當(dāng)電壓檢測電路103檢測出的應(yīng)變電壓的電壓值在該誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為該半導(dǎo)體壓力傳感器101中的半導(dǎo)體電阻的阻值為理論電阻值。在本實施例的一些可選地實現(xiàn)方式中，當(dāng)各半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻未感應(yīng)到外界壓力時，上述電壓檢測電路103獲取的應(yīng)變電壓可以為零，即上述應(yīng)變電壓的預(yù)設(shè)初始值可以為零。

可以理解，當(dāng)上述陣列基板100中的半導(dǎo)體壓力傳感器101在未感應(yīng)到外界壓力時，若電壓檢測電路103檢測出的應(yīng)變電壓偏離預(yù)設(shè)初始值，則造成半導(dǎo)體壓力傳感器101在感應(yīng)到外界壓力時，電壓檢測電路103檢測到的應(yīng)變電壓不準(zhǔn)確，從而使得觸控顯示面板計算出的外界壓力的值不準(zhǔn)確。本實施例中的電阻校正電路104可以通過改變半導(dǎo)體電阻的電阻率來改變該半導(dǎo)體電阻的阻值，使得半導(dǎo)體壓力傳感器101在未感應(yīng)到外界壓力時電壓檢測電路103檢測出的應(yīng)變電壓為預(yù)設(shè)初始值，從而提高了半導(dǎo)體壓力傳感器101在感應(yīng)到外界壓力時電壓檢測電路103檢測到的應(yīng)變電壓的精度，提高了觸控顯示面板計算出的外界壓力的精度。

上述陣列基板100所在的觸控顯示面板在未接受到外界壓力時，半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻處于平衡狀態(tài)，上述電壓檢測電路103檢測到的應(yīng)變壓力為預(yù)設(shè)初始值。當(dāng)觸控顯示面板接受到第一壓力時，則半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻處于不平衡狀態(tài)，電壓檢測電路103檢測不平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體壓力傳感器101的應(yīng)變電壓為v1，并對不平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體壓力傳感器101對應(yīng)的應(yīng)變電壓進(jìn)行換算，從而實現(xiàn)對觸控顯示面板的壓力檢測。但是，在制備陣列基板100的過程中由于存在工藝波動等因素，造成制備出的半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力時已經(jīng)不平衡，而當(dāng)觸控顯示面板接受到第一壓力時，半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻仍處于不平衡狀態(tài)，此時電壓檢測電路103檢測到的應(yīng)變電壓為v2，且應(yīng)變電壓v2小于應(yīng)變電壓v1，進(jìn)而影響觸控顯示面板的壓力檢測的精度。本實施例中的電阻校正電路104可以使得半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力時可以處于平衡狀態(tài)，提高了半導(dǎo)體壓力傳感器101在按壓前后傳感器可產(chǎn)生的應(yīng)變電壓值的范圍，提高了觸控顯示面板的檢測精度。在本實施例的一些可選地實現(xiàn)方式中，上述各半導(dǎo)體電壓傳感器101可以為惠斯通電橋，每個半導(dǎo)體電壓傳感器101的電橋可以由第一半導(dǎo)體電阻r1、第二半導(dǎo)體電阻r2、第三半導(dǎo)體電阻r3和第四半導(dǎo)體電阻r4組成，如圖1b所示。具體地，上述第一半導(dǎo)體電阻r1的第二端可以與第二半導(dǎo)體電阻r2的第一端電連接，第二半導(dǎo)體電阻r2的第二端可以與第四半導(dǎo)體電阻r4的第一端電連接，第四半導(dǎo)體電阻r4的第二端可以與第三半導(dǎo)體電阻r3的第一端電連接，第三半導(dǎo)體電阻r3的第二端可以與第一半導(dǎo)體電阻r1的第一端電連接，如圖1b所示。上述第一半導(dǎo)體電阻r1的第一端可以為其所在的半導(dǎo)體壓力傳感器101的第一連接端s1，第二半導(dǎo)體電阻r2的第二端可以為其所在的半導(dǎo)體壓力傳感器101的第二連接端s2，第一半導(dǎo)體電阻r1的第二端可以為其所在的半導(dǎo)體壓力傳感器101的第三連接端s3，第四半導(dǎo)體電阻r4的第二端可以為其所在的半導(dǎo)體壓力傳感器101的第四連接端s4，如圖1b所示。上述電壓施加電路102可以分別與第一連接端s1和第二連接端s2電連接，上述電壓檢測電路103可以分別與第三連接端s3和第四連接端s4電連接。當(dāng)陣列基板100所在的觸控顯示面板未接受到外界壓力時，半導(dǎo)體壓力傳感器101中的第一半導(dǎo)體電阻r1、第二半導(dǎo)體電阻r2、第三半導(dǎo)體電阻r3和第四半導(dǎo)體電阻r4組成的電橋可以處于平衡狀態(tài)，即各半導(dǎo)體電阻需要滿足而當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體電阻r1、第二半導(dǎo)體電阻r2、第三半導(dǎo)體電阻r3和第四半導(dǎo)體電阻r4組成的電橋不平衡時，上述電阻校正電路104可以通過校正對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻的電阻率來改變該半導(dǎo)體電阻的阻值，從而使得各半導(dǎo)體電阻需要滿足例如，如圖1b所示，若半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力時，各半導(dǎo)體電阻不滿足則與第二半導(dǎo)體電阻r2對應(yīng)的電阻校正電路104可以通過改變該第二半導(dǎo)體電阻r2的電阻率來改變該第二半導(dǎo)體電阻r2的阻值，從而使得各半導(dǎo)體電阻可以滿足即可以使得該半導(dǎo)體壓力傳感器101處于平衡狀態(tài)。

上述陣列基板100在利用電壓施加電路102向半導(dǎo)體壓力傳感器101施加電壓時，可以將第一連接端s1或第二連接端s2作為電壓輸入端。例如，如圖1c所示，半導(dǎo)體壓力傳感器101可以將第一連接端s1作為電壓輸入端，驅(qū)動芯片等可以向電壓施加電路102輸入vref電壓，從而使得電壓施加電路可以半導(dǎo)體壓力傳感器101的第一連接端s1輸入vref電壓，半導(dǎo)體壓力傳感器101可以將第二連接端s2接地，連接gnd。圖1c示出了圖1a中的陣列基板的半導(dǎo)體壓力傳感器的另一連接關(guān)系示意圖。同樣地，上述半導(dǎo)體壓力傳感器101還可以將第二連接端s2作為電壓輸入端，電壓施加電路102可以向第二連接端s2輸入vref電壓，第一連接端s1可以接地，連接gnd。電壓檢測電路103可以連接在第三連接端s3和第四連接端s4，如圖1c所示，在利用電壓檢測電路103檢測半導(dǎo)體壓力傳感器101的應(yīng)變電壓時，可以獲取第三連接端s3和第四連接端s4之間的電壓。上述電壓檢測電路103在檢測到應(yīng)變電壓后，可以將該應(yīng)變電壓發(fā)送到與電壓檢測電路103連接的處理器(如驅(qū)動芯片)，該處理器可以根據(jù)第三連接端s3和第四連接端s4之間的電壓計算出第三連接端s3和第四連接端s4之間的應(yīng)變電壓，并進(jìn)一步根據(jù)該應(yīng)變電壓計算得到觸控壓力的大小。

本申請的上述實施例提供的陣列基板，半導(dǎo)體壓力傳感器101中的各半導(dǎo)體電阻可以感應(yīng)外界壓力，電壓施加電路102可以向半導(dǎo)體壓力傳感器101施加電壓，電壓檢測電路103可以獲取半導(dǎo)體壓力傳感器101的應(yīng)變電壓，每個半導(dǎo)體壓力傳感器101可以存在至少一個半導(dǎo)體電阻與電阻校正電路104相對應(yīng)，電阻校正電路104可以校正與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻的電阻率，從而使得半導(dǎo)體壓力傳感器101中的半導(dǎo)體電阻在未感應(yīng)到外界壓力的狀態(tài)下，電壓檢測電路103檢測到的應(yīng)變電壓為預(yù)設(shè)初始值，即可以使得半導(dǎo)體壓力傳感器101的電橋初始平衡，以便于觸控顯示面板可以準(zhǔn)確地檢測出其上的觸控壓力的大小。

請繼續(xù)參考圖2a，其示出了根據(jù)本申請的陣列基板的另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，本實施例中的陣列基板200可以包括多個半導(dǎo)體壓力傳感器，電壓施加電路202、電壓檢測電路203和電阻校正電路204，并且半導(dǎo)體壓力傳感器可以包括多個半導(dǎo)體電阻201，各半導(dǎo)體電阻201可以用于感應(yīng)外界壓力。

在本實施例中，上述電壓施加電路202可以分別與半導(dǎo)體壓力傳感器的第一連接端和第二連接端電連接，上述電壓檢測電路203可以分別與半導(dǎo)體壓力傳感器的第三連接端和第四連接端電連接，其中電壓施加電路202可以向半導(dǎo)體壓力傳感器施加電壓，電壓檢測電路203可以獲取半導(dǎo)體壓力傳感器的應(yīng)變電壓。上述陣列基板200可以包括多個半導(dǎo)體壓力傳感器，并且每個壓力傳感器中存在至少一個半導(dǎo)體電阻201可以與電阻校正電路204對應(yīng)，該電阻校正電路204可以校正與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻201的電阻率。需要說明的是，電壓檢測電路203獲取的應(yīng)變電壓與半導(dǎo)體電壓傳感器中的半導(dǎo)體電阻201的阻值相關(guān)，當(dāng)半導(dǎo)體壓力傳感器未感應(yīng)到外界壓力時，電壓檢測電路203檢測到的應(yīng)變電壓可以為預(yù)設(shè)初始值，而當(dāng)半導(dǎo)體壓力傳感器感應(yīng)到外界壓力時，電壓檢測電路203檢測到的應(yīng)變電壓也會相應(yīng)的發(fā)生改變，并且半導(dǎo)體壓力傳感器感應(yīng)到外界壓力的大小不同時，電壓檢測電路203檢測到的應(yīng)變電壓也會不同。但是，由于在陣列基板200制備的過程中存在工藝波動等因素，半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻201的阻值可能會偏離理論值，使得電壓檢測電路203檢測到的應(yīng)變電壓偏離預(yù)設(shè)初始值，造成觸控顯示面板檢測到的壓力不準(zhǔn)確。此種情況下，電阻校正電路204可以校正半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻201的電阻率，改變半導(dǎo)體電阻201的阻值，從而保證電壓檢測電路203在半導(dǎo)體電阻201未感應(yīng)到外界壓力時檢測到的應(yīng)變電壓可以為預(yù)設(shè)初始值。

需要說明的是，本實施例中的陣列基板200還可以包括多個薄膜晶體管，如圖2a所示，各薄膜晶體管可以包括柵極205、源極206、漏極207和有源層208。陣列基板由多個層級結(jié)構(gòu)組成，如圖2a所示，薄膜晶體管的柵極205位于柵極層，源極206和漏極207位于源漏極層，有源層208位于半導(dǎo)體層。上述半導(dǎo)體壓力傳感器中的各半導(dǎo)體電阻201可以與薄膜晶體管的有源層208同層設(shè)置，如圖2a所示。

上述電阻校正電路204可以與薄膜晶體管的柵極205同層設(shè)置，并且各電阻校正電路204可以與半導(dǎo)體電阻201一一對應(yīng)，例如，每個半導(dǎo)體壓力傳感器中的各半導(dǎo)體電阻201均可以與一個電阻校正電路204對應(yīng)，或者每個半導(dǎo)體壓力傳感器中存在一個半導(dǎo)體電阻201與一個電阻校正電路204對應(yīng)。并且，任一電阻校正電路204和與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻201在垂直于陣列基板200的襯底210的方向上可以至少部分重疊，如圖2a所示。陣列基板200中的驅(qū)動芯片等可以為各電阻校正電路204提供第一電壓信號，使得與各電阻校正電路204對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻201中的載流子在電場的作用下可以定向漂移，并且載流子的遷移率可以決定半導(dǎo)體電阻201的電阻率，遷移率越大，半導(dǎo)體電阻的電阻率越小，而電阻校正電路204中輸入的第一電壓信號的高低可以影響半導(dǎo)體電阻201中載流子的濃度，電阻校正電路204可以校正與之對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻201的電阻率，從而改變該半導(dǎo)體電阻201的阻值。因此，若半導(dǎo)體壓力傳感器因存在半導(dǎo)體電阻201的阻值偏離理論值而造成電橋不平衡，與該半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻201對應(yīng)的電阻校正電路204可以通過改變半導(dǎo)體電阻201的電阻率來校正該半導(dǎo)體電阻201的阻值，從而使得半導(dǎo)體電阻201在未感應(yīng)到外界壓力時，該半導(dǎo)體壓力傳感器的電橋可以平衡，進(jìn)而使得上述電壓檢測電路203檢測出的應(yīng)變電壓可以為預(yù)設(shè)初始值?？蛇x地，這里的預(yù)設(shè)初始值可以為零。

在本實施例中，任一電阻校正電路204輸入的第一電壓信號發(fā)生變化時，與該電阻校正電路204對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻的電阻率會發(fā)生相應(yīng)的變化。因此，在半導(dǎo)體電阻未感應(yīng)到外界壓力時，根據(jù)電壓檢測電路203檢測出的應(yīng)變電壓偏離預(yù)設(shè)初始值的大小，可以確定半導(dǎo)體電阻201偏離理論值的大小，進(jìn)而可以確定向電阻校正電路204提供的第一電壓信號的電壓值，從而使得半導(dǎo)體電阻201可以通過改變電阻率達(dá)到理論電阻值。

在本實施例中，上述薄膜晶體管的柵極205所在的柵極層和有源層208所在的半導(dǎo)體層之間可以設(shè)有柵極絕緣層209，半導(dǎo)體層和源極206與漏極207所在的源漏極層之間設(shè)有第一絕緣層211?？蛇x地，陣列基板200中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)可以如圖2a所示，上述第一絕緣層211具體地可以位于柵極層和源漏極層之間。需要說明的是，薄膜晶體管的源極206和漏極207可以通過第一通孔與有源層相接觸，并且上述電壓施加電路202和電壓檢測電路203可以與薄膜晶體管的源極206和漏極207同層設(shè)置，如圖2a所示，同樣地，電壓施加電路202和電壓檢測電路203也可以通過第一通孔與半導(dǎo)體層中的半導(dǎo)體電阻201電連接，使得電壓施加電路202可以向該半導(dǎo)體電阻201所在的半導(dǎo)體壓力傳感器施加電壓，電壓檢測電路203可以檢測該半導(dǎo)體電阻201所在的半導(dǎo)體壓力傳感器的應(yīng)變電壓。具體地，上述電壓施加電路202可以分別與半導(dǎo)體電阻201所在的半導(dǎo)體壓力傳感器中的第一連接端和第二連接端電連接，上述電壓檢測電路203可以分別與半導(dǎo)體電阻201所在的半導(dǎo)體壓力傳感器中的第三連接端和第四連接端電連接?？梢岳斫猓?dāng)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖2a所示時，源漏極層和半導(dǎo)體層之間存在柵極絕緣層和第一絕緣層，上述第一通孔可以貫穿該柵極絕緣層和第一絕緣層，從而使得薄膜晶體管的源極206和漏極207可以通過第一通孔與有源層相接觸，電壓施加電路202和電壓檢測電路203也可以通過第一通孔與半導(dǎo)體層中的半導(dǎo)體電阻201電連接。

在本實施例的一些可選地實現(xiàn)方式中，上述源漏極層中除了需要設(shè)置源極206、漏極207、電壓施加電路202和電壓檢測電路203以外，通常還需要部署數(shù)據(jù)線等，因此該源漏極層可能會存在布線空間不足的問題，此種情況下，可以將電壓施加電路202或電壓檢測電路203中的部分線路部署到第三金屬層。該第三金屬層與源漏極層之間可以設(shè)有第二絕緣層212，如圖2b所示，圖2b示出了根據(jù)本實施例的陣列基板的一實現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖。上述電壓檢測電路203可以包括位于源漏極層的第一部分2031和位于第三金屬層的第二部分2032，并且該電壓檢測電路203的第一部分2031可以通過第一通孔與半導(dǎo)體壓力傳感器的第三連接端電連接，電壓檢測電路203的第二部分2032可以通過第二通孔與半導(dǎo)體壓力傳感器的第四連接端電連接。具體地，如圖2b所示，上述第二通孔可以貫穿第三金屬層和源漏金屬層之間的所有有層級結(jié)構(gòu)，以使上述電壓檢測電路203的第二部分2032可以通過第二通孔和位于源漏極金屬層中第一部分2031與半導(dǎo)體壓力傳感器的第四連接端電連接，從而實現(xiàn)將電壓檢測電路203設(shè)置在源漏極層和第三金屬層，解決了源漏極層布線空間不足的問題。

可選地，上述第二通孔還可以貫穿第三金屬層和半導(dǎo)體層之間的所有層級結(jié)構(gòu)，如圖2c所示，上述電壓檢測電路的第二部分2032可以通過第二通孔直接與與半導(dǎo)體壓力傳感器的第四連接端電連接?？梢岳斫?，與上述電壓檢測電路203類似，上述電壓施加電路202也可以包括設(shè)置在第三金屬層和源漏極層的兩部分，并且電壓施加電路202中位于第三金屬層的部分和源漏極層的部分可以通過通孔電連接。

在本實施例的一些可選地實現(xiàn)方式中，上述陣列基板200還可以包括驅(qū)動芯片，上述電阻校正電路204可以與驅(qū)動芯片相連接，該驅(qū)動芯片可以向電阻校正電路204提供第一電壓信號，以便于該第一電壓信號可以校正與該電阻校正電路204對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻201的電阻率，從而改變對應(yīng)的半導(dǎo)體電阻201的電阻值，使得電壓檢測電路203檢測到的應(yīng)變電壓為預(yù)設(shè)初始值。

可以理解，在本實施例的陣列基板200中，上述半導(dǎo)體層、柵極層和源漏極層可以在垂直于陣列基板200的襯底210的方向上依次排列，即柵極層可以位于半導(dǎo)體層和源漏極層之間，如圖2a-圖2c所示?；蛘?，本實施例中的陣列基板200中的柵極層、半導(dǎo)體層和源漏極層可以在垂直于陣列基板200的襯底210的方向上依次排列，即柵極層可以位于襯底210和半導(dǎo)體層之間，如圖2d所示，但是，上述半導(dǎo)體電阻201仍可以與薄膜晶體管的有源層208同層設(shè)置，電壓施加電路202和電壓檢測電路203仍可以與薄膜晶體管的源極206和漏極207同層設(shè)置，電阻校正電路204仍可以與薄膜晶體管的柵極205同層設(shè)置，如圖2d所示。圖2d示出了根據(jù)本實施例的陣列基板的又一實現(xiàn)方式的結(jié)構(gòu)示意圖。可以理解，柵極層可以位于襯底210和半導(dǎo)體層之間時，該陣列基板也可以包括第三金屬層(未示出)，上述電壓施加電路202或電壓檢測電路203中的部分線路部署到該第三金屬層，可以解決源漏極層布線空間不足的問題。

本申請的上述實施例提供的陣列基板200，半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻201可以與薄膜晶體管的有源層208同層設(shè)置，電阻校正電路204可以與薄膜晶體管的柵極205同層設(shè)置，改變電阻校正電路204中的第一電壓信號可以相應(yīng)地改變半導(dǎo)體壓力傳感器中的半導(dǎo)體電阻201的電阻率，可見電阻校正電路可以通過改變半導(dǎo)體電阻201的電阻率來校正電阻，從而可以避免半導(dǎo)體壓力傳感器中的各半導(dǎo)體電阻201偏離理論值，使得半導(dǎo)體壓力傳感器中的各半導(dǎo)體電阻201組成的電橋平衡。

此外，本申請還提供了一種觸控顯示面板，可以包括上述實施例中的陣列基板。并且，該觸控顯示面板中陣列基板的結(jié)構(gòu)和功能與上述實施例相同，這里不再贅述。這里，觸控顯示面板可以用于制備如圖3所示的的具有觸控功能的手機，圖3示出了包括本申請的觸控顯示面板的一觸控顯示裝置的示意圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，上述觸控顯示裝置還可以為具有觸控功能的電腦、電視、穿戴式智能設(shè)備等，這里不再一一列舉。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。