技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種射頻微波器件及微量氮摻雜石墨烯薄膜。氮摻雜石墨烯薄膜，采用以下方法制備而來：將聚酰亞胺、聚酰胺、氮摻雜石墨烯印刷成膜，厚度控制在5?100μm；50?200℃熱壓成型，制得石墨薄膜；將所得石墨薄膜置于石墨高溫爐，分別經200?600℃與2000?3000℃熱處理，最后50?200℃熱壓成型，制得柔性石墨烯薄膜。射頻微波器件采用上述氮摻雜石墨烯薄膜制備而來。本發(fā)明制備的石墨烯薄膜與傳統(tǒng)的碳基材料相比具有高面內取向結構，是的其有優(yōu)良的導電性和低平面阻抗，其導電率可以比擬金屬導電性，同時，具有低消耗特性，并且可以彎曲，成本低廉、制作過程簡單、更加環(huán)保的優(yōu)點。

技術研發(fā)人員：何大平;吳志鵬;宋榮國
受保護的技術使用者：武漢理工大學
技術研發(fā)日：2017.06.16
技術公布日：2017.10.20