本發(fā)明涉及電子制造領(lǐng)域，特別涉及一種阻變器件及其制作方法、顯示基板的制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著近兩年來新型阻變材料研究獲得的進(jìn)展，阻變器件開始受到人們的重視，阻變材料是一種可以根據(jù)外加偏壓實(shí)現(xiàn)電阻態(tài)改變的材料，而阻變器件就是利用阻變材料的電阻態(tài)可變這種特性進(jìn)行數(shù)字信號處理的電子器件。阻變器件可以在正向偏壓下由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，也可以在反向偏壓下由低阻態(tài)返回高阻態(tài)，從而可以作為開關(guān)器件來使用，能夠部分或完全替代顯示器件中晶體管的功能。但是，在將阻變器件的制作過程結(jié)合至例如顯示器件的制作工藝中時(shí)，面臨阻變器件的阻變特性難以調(diào)整的問題。例如在設(shè)計(jì)工藝流程時(shí)，可以根據(jù)多方面情況確定阻變器件的阻變材料，并將阻變材料制作在電極之間以形成所需要的阻變器件。而由于阻變材料一旦確定，阻變器件本身的阻變特性(例如高阻態(tài)與低阻態(tài)之間的轉(zhuǎn)變電壓)就是相對固定的，而幾乎無法通過如改變工藝參數(shù)等手段進(jìn)行調(diào)整。由此，目前只能通過改變阻變材料并采用另外一整套的工藝配方，才能制作得到另一種阻變特性的阻變器件，而這在實(shí)際的產(chǎn)品生產(chǎn)中是非常困難的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種阻變器件及其制作方法、顯示基板的制作方法、顯示裝置，能夠解決阻變器件的阻變特性在制作工藝中難以調(diào)整的問題。

第一方面，本發(fā)明提供了一種阻變器件的制作方法，包括：

形成第一電極層；

在所述第一電極層上形成表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層；

對所述表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層進(jìn)行退火，以使碳單質(zhì)層至少部分地通過與所述過渡金屬氧化物層之間發(fā)生的氧化還原反應(yīng)以氣體的形式揮發(fā)，并使所述過渡金屬氧化物層由其內(nèi)部產(chǎn)生的氧空位而向阻變材料轉(zhuǎn)變；

形成第二電極層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述第一電極層上形成表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層，包括：

在所述第一電極層上形成碳單質(zhì)層；

在所述碳單質(zhì)層上形成過渡金屬氧化物層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述碳單質(zhì)層上形成過渡金屬氧化物層，包括：

通過印刷工藝將過渡金屬氧化物的溶膠打印在所述碳單質(zhì)層上，以形成過渡金屬氧化物層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述印刷工藝具體是凸版印刷工藝或者噴墨打印工藝。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述第一電極層上形成表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層，包括：

在所述第一電極層上形成過渡金屬氧化物層；

在所述過渡金屬氧化物層上形成碳單質(zhì)層。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在對所述表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層進(jìn)行退火處理時(shí)，使所述碳單質(zhì)層以氣體的形式完全揮發(fā)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一電極層和/或第二電極層的形成材料是金屬。

第二方面，本發(fā)明還提供了一種阻變器件，所述阻變器件采用上述任意一種阻變器件的制作方法制作得到。

第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括：按照上述任意一種阻變器件的制作方法形成包括阻變器件的層結(jié)構(gòu)。

第四方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括采用上述任意一種顯示基板的制作方法制作得到的顯示基板。

由上述技術(shù)方案可知，基于在退火過程中由相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層形成阻變材料，本發(fā)明可以通過調(diào)整退火過程中的工藝參數(shù)來調(diào)整阻變材料中的氧空位分布，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)阻變器件的阻變特性的調(diào)整，解決阻變器件的阻變特性在制作工藝中難以調(diào)整的問題。相比于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明能夠基于對阻變特性的靈活調(diào)整實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)而低成本的阻變器件的制作工藝，能夠適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件的制作方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件在制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中采用凸版印刷工藝形成過渡金屬氧化物層的過程和原理示意圖；

圖4是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件的阻變原理的示意圖；

圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件的阻變特性的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。除非另外定義，本發(fā)明使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘哳愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，且該連接可以是直接的或間接的。

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件的制作方法的流程示意圖。參見圖1，該阻變器件的制作方法包括：

步驟101：形成第一電極層。

步驟102：在所述第一電極層上形成表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層。

步驟103：對所述表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層進(jìn)行退火，以使碳單質(zhì)層至少部分地通過與所述過渡金屬氧化物層之間發(fā)生的氧化還原反應(yīng)以氣體的形式揮發(fā)，并使所述過渡金屬氧化物層由其內(nèi)部產(chǎn)生的氧空位而向阻變材料轉(zhuǎn)變。

步驟104：形成第二電極層。

需要說明的是，步驟103和步驟104之間的執(zhí)行順序可以相互交換，并且上述所有步驟之前、各步驟之間以及上述所有步驟之后還可以包括一個(gè)或一個(gè)以上的步驟，比如在上述所有步驟之后還包括形成絕緣材料層以及在絕緣材料層中形成過孔的過程，再如在步驟103之后還包括將預(yù)定部分的過渡金屬氧化物層導(dǎo)體化的過程，并可以不僅限于此。

還需要說明的是，上述第一電極層和上述第二電極層可以是任意一種導(dǎo)體材料形成的層結(jié)構(gòu)，并可以分別作為阻變器件的頂電極和底電極中的一個(gè)。上述碳單質(zhì)層的形成材料可以是碳粉、碳纖維、石墨或納米碳材料，并可以不僅限于此。上述過渡金屬氧化物層的形成材料可以例如包括包含一種或一種以上過渡金屬元素的金屬氧化物，還可以包括兩種或兩種以上過渡金屬氧化物復(fù)合而成的多元復(fù)雜氧化物，所涉及的過渡金屬氧化可以例如是氧化鈦、氧化鎳、氧化鋁，并可以不僅限于此。

可以看出，基于在退火過程中由相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層形成阻變材料，本發(fā)明實(shí)施例可以通過調(diào)整退火過程中的工藝參數(shù)來調(diào)整阻變材料中的氧空位分布，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)阻變器件的阻變特性的調(diào)整，解決阻變器件的阻變特性在制作工藝中難以調(diào)整的問題。相比于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明實(shí)施例能夠基于對阻變特性的靈活調(diào)整實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)而低成本的阻變器件的制作工藝，能夠適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的阻變器件在制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示的結(jié)構(gòu)通過的下述步驟形成：

第一步驟：在底板上形成包括第一電極層的圖形。

其中，底板可以例如是玻璃、氮化硅、有機(jī)聚合物等材料形成的襯底基板，也可以是表面上已經(jīng)形成有一些層結(jié)構(gòu)的襯底基板，并可以不僅限于此。本實(shí)施例中第一電極層11采用金屬材料形成，包括而不僅限于銅、鋁、鉬、鎳、銀、鉑、金(可以優(yōu)選功函數(shù)超過指定能量閾值的金屬材料)。在一種示例性的實(shí)現(xiàn)方式中，形成第一電極層11的過程包括：在清洗好的底板上以磁控濺射工藝形成一層金屬膜層，并對該金屬膜層依照圖案化工藝的流程進(jìn)行光刻膠涂覆、曝光、顯影、金屬刻蝕、光刻膠剝離等工序，所形成的圖案化的金屬膜層在圖2所示的位置處即為第一電極層11。在其他實(shí)現(xiàn)方式中，金屬膜層可以通過例如真空蒸鍍或電化學(xué)沉積等物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)工藝在底板上形成，此外圖案化的金屬膜層還可以包括行掃描線、晶體管電極、金屬遮光層、電路連接線等圖形中的至少一種，并可以不僅限于此。

第二步驟：在第一電極層上形成包括碳單質(zhì)層的圖形。

在一種示例性的實(shí)現(xiàn)方式中，形成碳單質(zhì)層12的過程包括：在第一步驟完成后的基板上，以碳單質(zhì)材料通過例如真空蒸鍍或磁控濺射等物理氣相沉積工藝形成一層碳薄膜(沉積厚度可以遠(yuǎn)小于其他膜層的厚度，比如第一電極層、過渡金屬氧化物層和第二電極層的厚度均處于50～5000nm的范圍內(nèi)時(shí)，碳薄膜的厚度是1～15nm)，然后對該碳薄膜依照圖案化工藝的流程進(jìn)行光刻膠涂覆、曝光、顯影、碳薄膜刻蝕、光刻膠剝離等工序，所形成的圖案化的碳薄膜在圖2所示的位置處即為碳單質(zhì)層12。在其他實(shí)現(xiàn)方式中，在形成一層碳薄膜后可以不對其進(jìn)行圖案化，多余的碳薄膜可在后續(xù)的退火過程中被完全去除，或者在退火過程完成后被單獨(dú)地采用刻蝕或剝離過程去除，并可以不僅限于此。

第三步驟：通過印刷工藝將過渡金屬氧化物的溶膠打印在碳單質(zhì)層上，以形成過渡金屬氧化物層。

其中，印刷工藝可以例如是凸版印刷工藝或者噴墨打印工藝，并可以不僅限于此。參見圖3，在一種示例性的實(shí)現(xiàn)方式中，通過凸版印刷工藝形成過渡金屬氧化物層13的過程包括：二氧化鈦溶膠從分配器21處滴至墨輥22的表面，并隨著墨輥22的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)被刮刀23抹平。隨著印刷輥24的同步順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，安裝在印刷輥24的輥面上的印刷凸版25會(huì)通過與墨輥22表面之間的接觸和擠壓使二氧化鈦溶膠轉(zhuǎn)移到印刷凸版25的外側(cè)表面的各個(gè)印刷圖形上。而隨著印刷輥24的順時(shí)針旋轉(zhuǎn)，基臺26會(huì)帶動(dòng)待印刷板材27(即第二步驟完成后的基板)同步向左平移。當(dāng)印刷輥24上的印刷凸版25與待印刷板材27的待印刷表面相互接觸時(shí)，二氧化鈦溶膠會(huì)在預(yù)定的擠壓壓力作用下被轉(zhuǎn)印到待印刷板材27的待印刷表面上的對應(yīng)圖形區(qū)域，從而形成與印刷凸版25上的各印刷圖形相對應(yīng)的印刷圖案。可理解的是，可以通過控制墨輥22的旋轉(zhuǎn)速度、印刷輥24的旋轉(zhuǎn)速度和基臺26的平移速度，使得印刷輥24上印刷凸版25的外側(cè)表面的線速度、墨輥22上二氧化鈦溶膠的線速度，以及待印刷板材27的待印刷表面的平移速度一致或近似一致，以保障印刷的準(zhǔn)確程度。在將二氧化鈦溶膠按照所指定的圖案印刷到碳單質(zhì)層12上之后，可以通過例如干燥或燒結(jié)等方式形成具有所指定的圖案的過渡金屬氧化物層，在圖2所示的位置處即為過渡金屬氧化物層13。在其他實(shí)現(xiàn)方式中，所選用的用于形成過渡金屬氧化物層的原料可以是其他過渡金屬氧化物材料的溶膠(失去流動(dòng)性的膠狀物質(zhì))，并可以采用其他印刷工藝打印過渡金屬氧化物的溶膠，所包含的過程也可以根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整(增加步驟、減少步驟和/或變更步驟)，本發(fā)明對此不做限制。

需要說明的是，上述過渡金屬氧化物的溶膠具體指的是通過干燥或燒結(jié)等過程可以形成過渡金屬氧化物的溶膠或凝膠，例如將過渡金屬氧化物分散到液體分散系中所形成的不具有流動(dòng)性的溶膠或凝膠，可以通過干燥或燒結(jié)形成該過渡金屬氧化物；再如將鈦酸丁酯加入無水乙醇后形成的不具有流動(dòng)性的溶膠或凝膠，可以在干燥或燒結(jié)后形成二氧化鈦，并且可以不僅限于此。

由此，經(jīng)過上述第一至第三步驟，即在底板上形成了如圖2所示的結(jié)構(gòu)。在一種實(shí)施方式中，由圖2所示的結(jié)構(gòu)最終形成的阻變器件的結(jié)構(gòu)如圖4所示。具體地，如圖4所示的結(jié)構(gòu)通過的下述步驟在圖2所示的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上形成：

第四步驟：在預(yù)定溫度下對碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層進(jìn)行退火，使得碳單質(zhì)層通過與過渡金屬氧化物層之間發(fā)生的氧化還原反應(yīng)以氣體的形式完全揮發(fā)。

在一種示例性的實(shí)現(xiàn)方式中，主要由鉑形成的第一電極層、主要由二氧化鈦形成的過渡金屬氧化物層和碳單質(zhì)層在200℃～300℃的預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行退火，使得碳單質(zhì)層與過渡金屬氧化物層在接觸面上發(fā)生氧化還原反應(yīng)，即碳原子與過渡金屬氧化物中的氧原子結(jié)合形成一氧化碳和/或二氧化碳。所形成的一氧化碳和/或二氧化碳均會(huì)以氣體的形式逸出，即碳單質(zhì)層會(huì)在這一過程中逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w，直至碳單質(zhì)層完全消失。而過渡金屬氧化物層中會(huì)因?yàn)槭チ艘恍┭踉佣趦?nèi)部形成氧空位，氧空位的出現(xiàn)即使得過渡金屬氧化物層向阻變材料轉(zhuǎn)變。例如圖5所示，經(jīng)過上述退火過程的過渡金屬氧化物層13在與第一電極層11交界的位置處產(chǎn)生了一定量的氧空位ho，這些氧空位ho會(huì)在第一電極層11與第二電極層14之間的電壓所產(chǎn)生的電場左右下發(fā)生移動(dòng)，并在兩端電壓達(dá)到第一轉(zhuǎn)變電壓v1時(shí)到達(dá)第二電極層14處形成導(dǎo)電通路，使過渡金屬氧化物層13上下兩端的電阻值從一個(gè)高電阻值突變?yōu)橐粋€(gè)低電阻值，即實(shí)現(xiàn)了阻變器件從高阻態(tài)向低阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。而如果此后在第一電極層11與第二電極層14之間施加與第一轉(zhuǎn)變電壓v1反向的第二轉(zhuǎn)變電壓v2時(shí)，氧空位ho又會(huì)整體向第一電極層11處移動(dòng)，使得導(dǎo)電通路被切斷，使過渡金屬氧化物層13上下兩端的電阻值從一個(gè)低電阻值突變?yōu)橐粋€(gè)高電阻值，即實(shí)現(xiàn)了阻變器件從低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。作為一種更具體的示例，按照本實(shí)施例的方法所形成的一種阻變器件的伏安特性曲線如圖6所示，可以看出在電壓始終沒有超過0.4v時(shí)電流值始終在0a附近，曲線斜率所代表的器件電阻值非常大；而在電壓達(dá)到0.5v左右時(shí)電流值突然增大，并且隨著電壓變化電流值也會(huì)有比較大幅的變化，曲線斜率所代表的器件電阻值相對較小?？梢钥闯?，該阻變器件的上述第一轉(zhuǎn)變電壓大約在0.4～0.5v的范圍內(nèi)，即器件具有一定的阻變特性。

此外可以理解的是，過渡金屬氧化物層13在與第一電極層11交界的位置處產(chǎn)生的氧空位能夠降低接觸面的勢壘高度，使得過渡金屬氧化物層13與第一電極層11之間形成良好的歐姆接觸，有利于該接觸面的電阻的降低。

第五步驟：在退火后的過渡金屬氧化物層上形成包括第二電極層的圖形。

其中，第二電極層14可以采用金屬材料形成，包括而不僅限于銅、鋁、鉬、鎳、銀、鉑、金(可以優(yōu)選功函數(shù)超過指定能量閾值的金屬材料)。在一種示例性的實(shí)現(xiàn)方式中，形成第二電極層14的過程包括：以磁控濺射工藝在過渡金屬氧化物層上形成一層金屬膜層，并對該金屬膜層依照圖案化工藝的流程進(jìn)行光刻膠涂覆、曝光、顯影、金屬刻蝕、光刻膠剝離等工序，所形成的圖案化的金屬膜層在圖2所示的位置處即為第二電極層14。在其他實(shí)現(xiàn)方式中，金屬膜層可以通過例如真空蒸鍍或電化學(xué)沉積等物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)工藝形成，此外圖案化的金屬膜層還可以包括數(shù)據(jù)線、晶體管電極、像素電極、公共電極、電路連接線等圖形中的至少一種，并可以不僅限于此。在第二電極層14采用金屬材料形成時(shí)，第二電極層14與過渡金屬氧化物層13之間可形成肖特基接觸，即具有一個(gè)很大的表面勢壘高度，即接觸面的電阻也會(huì)相對較大，使得阻變器件的高阻態(tài)電阻足夠大。

由此，經(jīng)過上述第四至第五步驟，即在圖2所示結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上形成了圖4所示的阻變器件的結(jié)構(gòu)，該阻變器件可以基于如圖5所示的阻變原理而具有如圖6所示的阻變特性。

在本發(fā)明的又一示例中，上述第一電極層和/或第二電極層的形成材料是金屬以外的導(dǎo)電材料，包括而不限于銦錫氧化物、重?fù)诫s的半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電聚合物等。而可以理解的是，相比于其他材料而言，采用金屬材料形成第一電極層和/或第二電極層能夠方便地調(diào)整阻變器件中肖特基電阻與體電阻的數(shù)值，更有利于實(shí)現(xiàn)所需要的阻變器件的特性。

在本發(fā)明的又一示例中，在對所述表面相互接觸的碳單質(zhì)層和過渡金屬氧化物層進(jìn)行退火處理時(shí)，使所述碳單質(zhì)層以氣體的形式僅部分地?fù)]發(fā)。可理解的是，由于碳單質(zhì)可以具有良好的導(dǎo)電性，因此在碳單質(zhì)層部分保留在過渡金屬氧化物層與第一電極層之間時(shí)可以不對其接觸電阻造成很大的影響。而可以理解的是，相比于使碳單質(zhì)層部分地?fù)]發(fā)，使碳單質(zhì)層完全地?fù)]發(fā)更有利于形成過渡金屬氧化物層與第一電極層之間的歐姆接觸，減少其接觸電阻，從而使阻變器件的低阻態(tài)電阻足夠小。

在本發(fā)明的又一示例中，上述過渡金屬氧化物層還可以通過例如磁控濺射的物理氣相沉積工藝或化學(xué)氣相沉積工藝形成，同樣可以形成例如圖2所示的過渡金屬氧化物層13。而可以理解的是，相比于其他工藝，例如凸版印刷工藝或者噴墨打印工藝的印刷工藝所需要的設(shè)備和工藝步驟更簡單，有助于降低阻變器件的制作成本。

在本發(fā)明的又一示例中，上述示例中充當(dāng)?shù)纂姌O的第一電極層可以作為頂電極，而上述示例中充當(dāng)頂電極的第一電極層可以作為底電極，即阻變器件的制作方法可以包括：參照上述第五步驟的制作方式在底板上形成第一電極層；參照上述第三步驟的方式在第一電極層上形成過渡金屬氧化物層；參照上述第二步驟的方式在過渡金屬氧化物層上形成碳單質(zhì)層；參照上述第一步驟的方式在碳單質(zhì)層上形成第二電極層；參照上述第四步驟的方式對過渡金屬氧化物層和碳單質(zhì)層進(jìn)行退火。其中，在形成第二電極層之后再退火的理由在于，這樣可以避免過渡金屬氧化物層中的氧空位與空氣環(huán)境中的氧氣復(fù)合，影響阻變特性的形成。當(dāng)然，也可以在無氧環(huán)境下先參照上述第四步驟的方式對過渡金屬氧化物層和碳單質(zhì)層進(jìn)行退火，再參照上述第一步驟的方式形成第二電極層，同樣可以避免氧空位與空氣環(huán)境中的氧氣復(fù)合的問題，但相比而言較不利于第二電極層與過渡金屬氧化物層之間的歐姆接觸的形成。

比較后易知，該制作方法可以通過制作順序相反的方式形成阻變器件，可單獨(dú)適用于一些特殊的應(yīng)用場景；而按照上述圖2和圖4所示的阻變器件的制作方法中碳單質(zhì)層被夾在第一電極層和過渡金屬氧化物層之間進(jìn)行退火，因此可以大幅減少外界環(huán)境對退火過程的影響(比如不存在環(huán)境中的氧氣會(huì)與界面上的氧空位復(fù)合的問題)，因而對于阻變器件的阻變特性的控制更易于進(jìn)行。

另外需要說明的是，本發(fā)明中碳單質(zhì)層與過渡金屬氧化物層之間相互接觸的方式可以不僅限于彼此之間的直接層疊，還可以包括通過過孔彼此接觸或是覆蓋在外表面上地接觸等等，并可以不僅限于此。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板的制作方法，該顯示基板的制作方法包括按照上述任意一種阻變器件的制作方法形成包括阻變器件的層結(jié)構(gòu)，該層結(jié)構(gòu)可以包括而不僅限于：柵極導(dǎo)電層、柵極絕緣層、有源層、源漏導(dǎo)電層、鈍化層、像素電極層、有機(jī)發(fā)光層、層間介質(zhì)層、公共電極層、平坦化層中的任意一個(gè)或者多個(gè)。基于上述任意一種阻變器件的制作方法所具有的有益效果，包括其全部過程的顯示基板的制作方法也具有相同或相應(yīng)的有益效果。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括上述任意一種的顯示基板。本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置可以為：顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。基于顯示基板因包含的阻變器件所具有的優(yōu)點(diǎn)，顯示裝置也具有相同或相應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。