本發(fā)明涉及一種射頻模塊，尤其涉及一種用于射頻信號類產(chǎn)品、具有防電磁干擾功能的射頻模塊，同時也涉及該射頻模塊的實現(xiàn)方法，屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

射頻信號類產(chǎn)品目前被廣泛應(yīng)用在消費類電子產(chǎn)品中。在不斷更新?lián)Q代的消費類電子產(chǎn)品中，各個功能模塊的集成度越來越高。例如在手機(jī)中不可或缺的射頻模塊，該射頻模塊決定著手機(jī)信號接收的好壞。當(dāng)集成度越高，周圍對它產(chǎn)生的電磁干擾也越強(qiáng)，使射頻模塊本身的性能大打折扣。為了保證射頻模塊所需的性能匹配，需要使周圍生成的電磁干擾能夠被有效隔離。同時，在射頻模塊接收和輸出信號的過程中，也需要讓周圍的電磁干擾降低或被有效隔離，從而增強(qiáng)射頻模塊接收/輸出的有效信號的強(qiáng)度，提高射頻模塊的性能。

在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用電磁屏蔽結(jié)構(gòu)使射頻模塊周圍的電磁干擾降低或被有效隔離。傳統(tǒng)的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)一般采用金屬蓋體罩蓋于射頻模塊外圍。在該電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備工藝中，金屬蓋體是以焊接方式連接于電路板，由于產(chǎn)品必須經(jīng)過高溫回焊步驟，有可能造成產(chǎn)品的隱藏性破壞。例如，由于防焊漆膠脫落造成錫竄流而短路。再者，上述高溫回焊步驟也會造成生產(chǎn)端的工時增加、成本上升等問題。并且，為了組裝上述金屬蓋體，必須加大產(chǎn)品占據(jù)的空間，從而導(dǎo)致產(chǎn)品尺寸會增加。

所以，鑒于上述傳統(tǒng)的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)在實際使用時的缺點，需要提供一種設(shè)計合理且有效改善上述問題的屏蔽結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的首要技術(shù)問題在于提供一種防電磁干擾的射頻模塊。

本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題在于提供一種上述射頻模塊的實現(xiàn)方法。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用下述的技術(shù)方案：

根據(jù)本發(fā)明實施例的第一方面，提供一種防電磁干擾的射頻模塊，包括射頻模塊本體，所述射頻模塊本體內(nèi)部設(shè)置有電性連接區(qū)域與接地區(qū)域，所述射頻模塊本體的上表面與側(cè)面附著金屬薄膜結(jié)構(gòu)，所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)與所述接地區(qū)域?qū)?，形成與所述射頻模塊本體融為一體的防電磁干擾屏蔽層結(jié)構(gòu)。

其中較優(yōu)地，所述射頻模塊本體的一個或多個側(cè)面暴露有第一導(dǎo)電材料斷面，所述第一導(dǎo)電材料端面與所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)連接，所述第一導(dǎo)電材料斷面的相對端與所述接地區(qū)域連接，使所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)與所述接地區(qū)域?qū)?，形成所述射頻模塊本體的防電磁干擾屏蔽層結(jié)構(gòu)。

其中較優(yōu)地，所述射頻模塊本體包括基板，所述基板上設(shè)置有所述電性連接區(qū)域與所述接地區(qū)域，所述電性連接區(qū)域設(shè)置有單芯片射頻模塊或多芯片射頻模塊，所述單芯片射頻模塊或多芯片射頻模塊及相應(yīng)的所述第一導(dǎo)電材料與第二導(dǎo)電材料包裹于所述環(huán)氧樹脂填充物內(nèi)，形成不可分割的整體密封結(jié)構(gòu)。

其中較優(yōu)地，所述基板包括但不限于單層電路板材、單層電路框架、多層集成的電路板材、多層集成的電路框架中的任意一種。

其中較優(yōu)地，所述多芯片射頻模塊由多種功能芯片與元器件組成，所述單芯片射頻模塊由單功能芯片或者單功能芯片與元器件組成，所述功能芯片、所述元器件分別與所述基板電性連接。

其中較優(yōu)地，所述第一導(dǎo)電材料、所述第二導(dǎo)電材料以及金屬薄膜結(jié)構(gòu)為具有單一導(dǎo)電特性的金屬材料或者多種所述金屬材料混合的具有導(dǎo)電特性的合金材料，并且所述第一導(dǎo)電材料與所述第二導(dǎo)電材料的形狀為線狀或條狀。

根據(jù)本發(fā)明實施例的第二方面，提供一種防電磁干擾的射頻模塊的實現(xiàn)方法，包括如下步驟：

步驟s1：準(zhǔn)備基板，并在基板上劃分不同的區(qū)域；

步驟s2：在基板的電性連接區(qū)域設(shè)置射頻模塊的各組成部分；

步驟s3：采用導(dǎo)電材料使相應(yīng)的芯片與基板、接地區(qū)域與切割道區(qū)域內(nèi)相應(yīng)的打線區(qū)域的電性連接；

步驟s4：將塑封料填充覆蓋到射頻本體的每個空間角落，使射頻模塊的各組成部分及導(dǎo)電材料包裹于塑封料內(nèi)；

步驟s5：采用成品切割工藝將整體密封結(jié)構(gòu)按單顆射頻模塊的成品尺寸切割出獨立的封裝成品；

步驟s6：將射頻模塊本體轉(zhuǎn)換到鍍膜治具上鍍膜，形成防電磁干擾的射頻模塊。

其中較優(yōu)地，步驟s1中，所述基板上設(shè)置至少一個接地的打線區(qū)域，所述打線區(qū)域分別接地，所述基板的外周設(shè)置有切割道區(qū)域，位于所述基板任意一側(cè)或多側(cè)的所述切割道區(qū)域上設(shè)置有打線區(qū)域。

其中較優(yōu)地，步驟s2中，當(dāng)所述射頻模塊中含有所述元器件時，所述元器件采用表面貼裝工藝貼附所述基板上，使所述元器件分別與所述基板電性連接。

其中較優(yōu)地，步驟s2中，當(dāng)所述射頻模塊中含有所述功能芯片時，所述功能芯片采用貼裝工藝貼附于所述基板上，或者所述功能芯片采用倒裝工藝使所述功能芯片直接與所述基板電性連接。

其中較優(yōu)地，步驟s3中，當(dāng)所述功能芯片采用貼裝工藝貼附于所述基板上時，所述功能芯片通過所述第二導(dǎo)電材料并利用引線鍵合工藝與所述基板電性連接；接地的打線區(qū)域通過所述第一導(dǎo)電材料并利用引線鍵合工藝分別對應(yīng)與切割道區(qū)域內(nèi)的打線區(qū)域電性連接。

其中較優(yōu)地，步驟s5中，切割道區(qū)域被切除，分別與相應(yīng)的接地的打線區(qū)域相連接的所述第一導(dǎo)電材料被切斷形成斷面，使所述第一導(dǎo)電材料的斷面分別暴露于其所在的所述射頻模塊本體的相應(yīng)面上。

其中較優(yōu)地，步驟s6中，將多顆獨立的所述射頻模塊本體轉(zhuǎn)換到所述鍍膜治具上，通過使每顆獨立的所述射頻模塊本體的上表面朝上，且每顆獨立的所述射頻模塊本體之間有一定的距離間隙，使得每顆所述射頻模塊本體的側(cè)面暴露在空氣中，而所述基板的下表面被所述鍍膜治具完全遮蓋，所述射頻模塊本體的上表面與側(cè)面被金屬薄膜結(jié)構(gòu)附著，所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)直接與所述射頻本體側(cè)面暴露的所述第一導(dǎo)電材料的斷面電性連接，使所述金屬薄膜結(jié)構(gòu)與所述射頻模塊本體內(nèi)部的接地區(qū)域電性連接，形成與所述射頻本體融為一體的防電磁干擾屏蔽層。

本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊通過將射頻模塊本體與金屬薄膜結(jié)構(gòu)融為一體，并且將金屬薄膜結(jié)構(gòu)與射頻本體內(nèi)部的接地區(qū)域通過第一導(dǎo)電材料導(dǎo)通，形成與射頻模塊本體融為一體的防電磁干擾屏蔽層結(jié)構(gòu)。通過防電磁干擾屏蔽層結(jié)構(gòu)實現(xiàn)防電磁干擾的作用，使射頻模塊周圍生成的電磁干擾被有效隔離，從而提高射頻模塊的性能。同時，該射頻模塊將原有的射頻模塊生產(chǎn)過程與金屬薄膜濺鍍工藝組合，可以更簡單高效和更具有制造成本優(yōu)勢地形成射頻模塊所需的防電磁干擾屏蔽層。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊中，采用多芯片射頻模塊的射頻模塊本體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3和圖4為本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊中，采用單芯片射頻模塊的射頻模塊本體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊的實現(xiàn)方法流程圖；

圖6～圖14為圖5中所示的射頻模塊實現(xiàn)方法的工作過程示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

如圖1所示，本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊包括射頻模塊本體，在射頻模塊本體內(nèi)部設(shè)置有電性連接區(qū)域1與接地區(qū)域2；在射頻模塊本體一個或多個側(cè)面暴露有第一導(dǎo)電材料斷面(如圖12所示的第一導(dǎo)電材料斷面301)，該第一導(dǎo)電材料斷面的相對端與接地區(qū)域2連接，在射頻模塊本體的上表面與側(cè)面附著金屬薄膜結(jié)構(gòu)4，使金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與第一導(dǎo)電材料端面連接，實現(xiàn)將金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與接地區(qū)域2導(dǎo)通，形成防電磁干擾屏蔽層結(jié)構(gòu)。通過防電磁干擾屏蔽層結(jié)構(gòu)實現(xiàn)將射頻模塊周圍生成的電磁干擾被有效的隔離，從而提高射頻模塊的性能。

其中，射頻模塊本體是指具有射頻功能的獨立的封裝成品。如圖2～圖4所示，該射頻模塊本體包括基底板材5(簡稱基板)，該基板5可以是單層電路板材或框架，也可以是多層集成的電路板材或框架。在基板上設(shè)置有電性連接區(qū)域1與接地區(qū)域2。如圖2所示，在電性連接區(qū)域1可以設(shè)置由多種功能芯片6、元器件7組成的多芯片射頻模塊；在電性連接區(qū)域1還可以設(shè)置由單功能芯片6組成的單芯片射頻模塊(圖中未示出)；如圖3和圖4所示，在電性連接區(qū)域1還可以設(shè)置由單功能芯片6與元器件7組成的單芯片射頻模塊。其中，功能芯片6可以是單顆射頻功能芯片，功能芯片也可以是多顆多種功能芯片的組合，例如，功能芯片可以是射頻元件、功率放大器芯片、開關(guān)芯片、低噪聲放大器芯片、濾波器等具有射頻功能的芯片中的任意一種或多種。功能芯片6可以采用貼裝工藝貼附在基板上，并采用一根或多根第二導(dǎo)電材料11通過引線鍵合工藝使功能芯片6與基板5電性連接；功能芯片6還可以采用倒裝工藝使功能芯片直接與基板5電性連接。元器件7可以是電容、電阻、電感、濾波器等此類用封裝表面貼裝工藝使其貼附于基板5上的元器件(此種元器件也被稱為smt元器件)中的任意一種或多種。接地區(qū)域2的位置可以根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計需要和封裝工藝能力進(jìn)行設(shè)置，其大小也不受限制。該接地區(qū)域2與一根或多根第一導(dǎo)電材料3(第一導(dǎo)電材料斷面的相對端)連接。第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11可以是具有單一導(dǎo)電特性的金屬材料，如金、銀、銅、鋁等金屬材料；第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11還可以是多種金屬材料混合的具有導(dǎo)電特性的合金材料，如銅合金，銀合金等合金材料。并且，第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11的形狀可以是線狀或條狀，第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11主要是可以采用引線鍵合工藝進(jìn)行連接的導(dǎo)電材料。

如圖2～圖4所示，射頻模塊本體通過采用包封工藝，可以將環(huán)氧樹脂填充物8(也被稱為塑封料)覆蓋在基板5上的每一個空間角落上，使基板5上的電性連接區(qū)域1與接地區(qū)域2全部包裹于環(huán)氧樹脂填充物8內(nèi)，使電性連接區(qū)域1上的射頻模塊(單芯片射頻模塊或多芯片射頻模塊)的各組成部分與基板5緊密貼合，并使電性連接區(qū)域1上的射頻模塊的各個組成部分(單芯片射頻模塊或多芯片射頻模塊)及導(dǎo)電材料(第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11)全部包裹于環(huán)氧樹脂填充物8內(nèi)，形成不可分割的整體密封結(jié)構(gòu)。該整體密封結(jié)構(gòu)可以采用封裝中成品切割工藝將整體密封結(jié)構(gòu)按單顆射頻模塊的成品尺寸切割分離出獨立的封裝成品，該封裝成品即為射頻模塊本體，并且該射頻模塊本體的一個或多個側(cè)面暴露有第一導(dǎo)電材料斷面。

在本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊中，金屬薄膜結(jié)構(gòu)4可以是單一導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電金屬，如金、銀、銅等導(dǎo)電金屬；金屬薄膜結(jié)構(gòu)4還可以是多種導(dǎo)電材料混合成的導(dǎo)電合金，如金與鎳的合金、不銹鋼與銅的合金、鎳與銅合金等導(dǎo)電性合金。通過采用封裝的金屬薄膜濺鍍工藝可以使金屬薄膜結(jié)構(gòu)4牢牢附著在射頻模塊本體的上表面與側(cè)面，形成厚度一般在2～15um之間的金屬薄膜結(jié)構(gòu)4(即金屬鍍層)。該金屬薄膜結(jié)構(gòu)4對射頻模塊本體本身的厚度和質(zhì)量不會產(chǎn)生明顯的改變，且與射頻模塊本體融為一體，形成不可分離的整體結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊。

下面結(jié)合圖5～圖14，并以射頻模塊本體的基板5上設(shè)置有多芯片射頻模塊為典型實施例，具體說明本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊的實現(xiàn)方法。

步驟s1：準(zhǔn)備基板，并在基板上劃分不同的區(qū)域；

在本實施例所提供的防電磁干擾的射頻模塊中，基板5可以選用多層電路板，在基板5上設(shè)置有電性連接區(qū)域1、接地區(qū)域2以及切割道區(qū)域9。具體地，如圖6所示，可以在基板5上設(shè)置三個接地的打線區(qū)域，分別為打線區(qū)域2a、打線區(qū)域2b以及打線區(qū)域2c，打線區(qū)域2a、打線區(qū)域2b以及打線區(qū)域2c分別接地，形成接地區(qū)域2。在基板5的外圍設(shè)置有用于切割分離出獨立的射頻模塊本體的切割道區(qū)域9，在位于基板5任意一側(cè)或多側(cè)的切割道區(qū)域9上設(shè)置有打線區(qū)域，切割道區(qū)域9上設(shè)置至少一個打線區(qū)域。例如，可以在位于基板5左側(cè)、右側(cè)及前側(cè)的切割道區(qū)域9上分別設(shè)置打線區(qū)域10a、打線區(qū)域10b以及打線區(qū)域10c。打線區(qū)域2a、打線區(qū)域2b以及打線區(qū)域2c可以設(shè)置在臨近相應(yīng)的切割道區(qū)域9的位置上，并優(yōu)選與切割道區(qū)域9內(nèi)的相應(yīng)的打線區(qū)域的位置對應(yīng)，以節(jié)約導(dǎo)電材料的用量。其中，接地的打線區(qū)域與切割道區(qū)域9內(nèi)設(shè)置的打線區(qū)域的位置、數(shù)量及大小可以根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計需要和封裝工藝能力進(jìn)行設(shè)置。

步驟s2：在基板的電性連接區(qū)域設(shè)置射頻模塊的各組成部分；

如圖7所示，可以在基板5的電性連接區(qū)域1設(shè)置兩種不同規(guī)格的元器件，其中，第一種元器件分別為元器件7a～7e，第二種元器件分別為元器件7f～h。將第一種元器件7a～7e與第二種元器件7f～h分別采用封裝中的表面貼裝工藝貼附于基板5上，使元器件7a～7e分別與基板5電性連接。在基板5的電性連接區(qū)域1設(shè)置完元器件后，還可以設(shè)置兩種不同功能的芯片，第一種功能芯片分別為芯片6a和芯片6b，第二種功能芯片為芯片6c。其中，芯片6a和芯片6b貼裝工藝貼附在基板5上，芯片6c采用倒裝工藝使功能芯片6c直接與基板5電性連接。

步驟s3：采用導(dǎo)電材料使相應(yīng)的芯片與基板、接地區(qū)域與切割道區(qū)域內(nèi)相應(yīng)的打線區(qū)域的電性連接；

如圖8和圖9所示，導(dǎo)電材料包括第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11，第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11可以采用銅合金的導(dǎo)電線。通過采用多根第二導(dǎo)電材料11并利用引線鍵合工藝可以實現(xiàn)將芯片6a和芯片6b與基板5電性連接。通過采用一根或多根第一導(dǎo)電材料3并利用引線鍵合工藝可以實現(xiàn)將接地的打線區(qū)域2a～2c分別對應(yīng)與切割道區(qū)域9內(nèi)的打線區(qū)域10a～10c電性連接。其中，打線區(qū)域2a和打線區(qū)域10a之間、打線區(qū)域2b和打線區(qū)域10b之間分別采用多根電性材料實現(xiàn)電性連接，打線區(qū)域2c和打線區(qū)域10c采用一根電性材料實現(xiàn)電性連接。需要強(qiáng)調(diào)的是，第一導(dǎo)電材料3的線弧形狀及高度無特殊要求，第一導(dǎo)電材料3的連接方向可以從接地的打線區(qū)域到切割道區(qū)域9內(nèi)的打線區(qū)域，也可從切割道區(qū)域9內(nèi)的打線區(qū)域到接地的打線區(qū)域，其它遵循引線鍵合工藝即可。

步驟s4：將塑封料填充覆蓋到射頻本體的每個空間角落，使射頻模塊的各組成部分及導(dǎo)電材料包裹于塑封料內(nèi)；

如圖10所示，可以采用包封工藝將塑封料8(環(huán)氧樹脂填充物)填充覆蓋在基板5上的每一個空間角落上，使位于基板5上電性連接區(qū)域1的元器件7a～7h、芯片6a～6c以及第一導(dǎo)電材料3與第二導(dǎo)電材料11全部包裹于塑封料內(nèi)，并使元器件7a～7h、芯片6a～6c與基板5緊密貼合，形成不可分割的整體密封結(jié)構(gòu)。

步驟s5：采用成品切割工藝將整體密封結(jié)構(gòu)按單顆射頻模塊的成品尺寸切割出獨立的封裝成品；

如圖11所示，可以采用成品切割工藝將步驟s4中的整體密封結(jié)構(gòu)按單顆射頻模塊的成品尺寸切割出獨立的封裝成品，該封裝成品即為射頻模塊本體。在此切割過程中，切割道區(qū)域9被切除，分別與相應(yīng)的接地的打線區(qū)域相連接的第一導(dǎo)電材料3被切斷形成斷面301(如圖12所示)，使第一導(dǎo)電材料3的斷面301分別暴露于其所在的射頻模塊本體的相應(yīng)面上。也就是在本實施例所提供的射頻模塊本體的三個側(cè)面的會分別暴露出第一導(dǎo)電材料3的斷面301，第一導(dǎo)電材料3的斷面用于與金屬薄膜結(jié)構(gòu)4電性連接，使金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與接地區(qū)域2電性連接。需要強(qiáng)調(diào)的是，此射頻模塊本體為一次性切割分離成的完整獨立的個體，并且單顆射頻模塊本體之間切割后不存在任何形式、部位的連接。

步驟s6：將射頻模塊本體轉(zhuǎn)換到鍍膜治具上鍍膜，形成防電磁干擾的射頻模塊。

如圖13和圖14所示，通過將多顆步驟s5中獨立的射頻模塊本體使用轉(zhuǎn)接裝置轉(zhuǎn)換到金屬薄膜濺射用的治具12(簡稱鍍膜治具)上，通過使每顆獨立的射頻模塊本體的上表面(填充有塑封料8的一面)朝上，且每顆獨立的射頻模塊本體之間有一定的距離間隙，這樣使得每顆射頻模塊本體的側(cè)面(四個側(cè)面)會暴露在空氣中，而基板5的下表面(元器件、芯片引腳穿出的一面)被鍍膜治具12完全遮蓋。在進(jìn)行金屬薄膜結(jié)構(gòu)4的濺鍍(鍍膜)過程中，只有射頻模塊本體暴露在空氣中的五個表面(上表面及四個側(cè)面)被導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸶街纬?～15um厚的金屬薄膜結(jié)構(gòu)4，被遮蓋住的基板5的下表面無任何導(dǎo)電金屬或?qū)щ姾辖鸶街?。該金屬薄膜結(jié)構(gòu)4對射頻模塊本體本身的厚度和質(zhì)量不會產(chǎn)生明顯的改變，且與射頻模塊本體融為一體，形成不可分離的結(jié)構(gòu)，即本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊。如圖14所示，位于射頻模塊本體的上表面及側(cè)面金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與射頻本體側(cè)面暴露的第一導(dǎo)電材料3的斷面301直接電性連接，使金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與射頻模塊本體內(nèi)部的接地區(qū)域2電性連接，形成射頻本體的防電磁干擾屏蔽層。也就是本實施例所提供的射頻模塊本體的三個側(cè)面暴露出的第一導(dǎo)電材料3的斷面301分別與金屬薄膜結(jié)構(gòu)4電性連接，使金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與接地區(qū)域2電性連接，使金屬薄膜結(jié)構(gòu)4與射頻模塊本體內(nèi)部的接地區(qū)域2電性連接。當(dāng)本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊工作時，通過射頻本體的防電磁干擾屏蔽層可以實現(xiàn)防電磁干擾的作用，從而將射頻模塊周圍生成的電磁干擾被有效的隔離，從而提高射頻模塊的性能。

本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊通過在射頻本體的基板上分別設(shè)置接地區(qū)域及切割道區(qū)域，通過第一導(dǎo)電材料將接地區(qū)域與切割道區(qū)域的打線區(qū)域電性連接，并通過塑封料填充覆蓋到射頻本體的每個空間角落，形成不可分割的整體密封結(jié)構(gòu)。通過將整體密封結(jié)構(gòu)按單顆射頻模塊的成品尺寸切割出獨立的封裝成品，使射頻模塊本體的一個或多個側(cè)面暴露有第一導(dǎo)電材料的斷面。通過在射頻本體的上表面及側(cè)面設(shè)置金屬薄膜結(jié)構(gòu)，使金屬薄膜結(jié)構(gòu)直接與射頻本體內(nèi)部的接地區(qū)域電性連接，形成金屬薄膜結(jié)構(gòu)與射頻模塊本體融為一體的防電磁干擾的射頻模塊。同時，本射頻模塊將原有的射頻模塊生產(chǎn)過程與金屬薄膜濺鍍工藝組合，可以更簡單高效和更具有制造成本優(yōu)勢地形成射頻模塊所需的防電磁干擾屏蔽層。

以上對本發(fā)明所提供的防電磁干擾的射頻模塊及其實現(xiàn)方法進(jìn)行了詳細(xì)的說明。對本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明實質(zhì)精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都將屬于本發(fā)明專利權(quán)的保護(hù)范圍。