本發(fā)明涉及白光led顯示與照明領(lǐng)域，具體而言，涉及一種量子點(diǎn)薄膜、量子點(diǎn)白光led及其封裝方法。

背景技術(shù)：

隨著科技的不斷進(jìn)步，led背光逐漸成為主流背光源，與傳統(tǒng)的ccfl背光源相比，led背光具有高色域、高亮度、長(zhǎng)壽命、節(jié)能環(huán)保、實(shí)時(shí)色彩可控等諸多優(yōu)點(diǎn)，特別是高色域的led背光源使應(yīng)用其的電視、手機(jī)、平板電腦等電子產(chǎn)品屏幕具有更加鮮艷的顏色，色彩還原度更高。

目前傳統(tǒng)商業(yè)化的白光led背光源一般采用藍(lán)光芯片激發(fā)yag黃光熒光粉的led芯片，因背光源中缺少紅光成分，色域值只能達(dá)到ntsc65％～72％。為了進(jìn)一步提高色域值，技術(shù)人員普遍采用了藍(lán)光芯片同時(shí)激發(fā)紅光熒光粉、綠光熒光粉的方式，但由于現(xiàn)用熒光粉的相關(guān)色溫較低、發(fā)光半峰寬較寬，故即使采用這種方式，也只能將背光源的色域值提升至ntsc80％左右。同時(shí)，現(xiàn)有熒光粉的激發(fā)效率低，為實(shí)現(xiàn)高色域白光需要大量熒光粉，導(dǎo)致led封裝過(guò)程中熒光粉的濃度(熒光粉占封裝膠水的比例)很高，從而極大地增加了封裝作業(yè)的難度以及產(chǎn)品的不良率。

近年來(lái)，量子點(diǎn)材料逐漸受到重視，特別是量子點(diǎn)熒光粉具有光譜隨尺寸可調(diào)、發(fā)光半峰寬窄、斯托克斯位移大、激發(fā)效率高等一系列獨(dú)特的光學(xué)性能，受到led背光行業(yè)的廣泛關(guān)注。目前，量子點(diǎn)熒光粉實(shí)現(xiàn)高色域白光的方式主要有：(1)將量子點(diǎn)熒光粉制成光學(xué)膜材，填充于導(dǎo)光板或者貼于液晶屏幕內(nèi)，通過(guò)藍(lán)光或紫外光背光燈珠激發(fā)，獲得高色域白光；(2)將量子點(diǎn)熒光粉制成玻璃管，置于屏幕側(cè)面，通過(guò)藍(lán)光或紫外光背光燈珠激發(fā)，獲得高色域白光。但是，目前將量子點(diǎn)熒光粉制成光學(xué)膜材和玻璃管時(shí)，很難將量子點(diǎn)熒光粉封裝其中，同時(shí)不影響量子點(diǎn)熒光粉的發(fā)光性能，而且制成的光學(xué)膜材和玻璃管與led燈珠之間的配合效果較差，難以獲得優(yōu)異的高色域白光。為此，有研究人員嘗試，將量子點(diǎn)熒光粉直接封裝于led燈珠內(nèi)來(lái)獲得高色域白光，但由于量子點(diǎn)熒光粉難以直接與灌封硅膠混合，且在高溫下量子點(diǎn)易團(tuán)聚，導(dǎo)致器件發(fā)光穩(wěn)定性差。而且封裝的密封效果差，量子點(diǎn)材料的表面化學(xué)基易受外界的氫氧鍵作用而失效，導(dǎo)致器件光色性能快速惡化。因此，量子點(diǎn)熒光粉的可靠封裝成為封裝量子點(diǎn)白光led過(guò)程中需要考慮的重要問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)薄膜，其能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)熒光粉封裝其中，可靠性強(qiáng)。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種量子點(diǎn)白光led，其能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)薄膜和led芯片配合作用好，獲得優(yōu)異的高色域白光。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種量子點(diǎn)白光led的封裝方法，工藝簡(jiǎn)單，可靠性強(qiáng)。

本發(fā)明的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種量子點(diǎn)薄膜，其包括呈凹形的硼硅玻璃基體，硼硅玻璃基體的頂口邊沿覆有紫外固化膠層，硼硅玻璃基體的凹槽內(nèi)設(shè)置有量子點(diǎn)凝膠層，紫外固化膠層和量子點(diǎn)凝膠層上共同覆蓋有玻璃基片。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述量子點(diǎn)凝膠層是由量子點(diǎn)顆粒摻雜于透光硅膠材料中混合形成的量子點(diǎn)溶膠涂覆形成的，量子點(diǎn)顆粒為吸附有量子點(diǎn)的介孔材料。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述量子點(diǎn)選自于由cdse/zns量子點(diǎn)、inp/zns量子點(diǎn)、cdsete/zns量子點(diǎn)、cuins/zns量子點(diǎn)、cspbx3量子點(diǎn)(x＝cl、br、i)組成的組合中的至少一種。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述介孔材料為介孔硅、介孔tio2或al2o3納米管。

一種基于上述量子點(diǎn)薄膜的量子點(diǎn)白光led，其包括引線框架、位于引線框架內(nèi)的led芯片，以及位于引線框架開(kāi)口處的量子點(diǎn)薄膜，硼硅玻璃基體位于引線框架開(kāi)口內(nèi)，且二者的開(kāi)口方向相同，玻璃基片覆蓋于該引線框架的開(kāi)口上。

一種量子點(diǎn)白光led的封裝方法，在呈凹形的硼硅玻璃基體的頂口邊沿涂覆紫外固化膠，在硼硅玻璃基體的凹槽內(nèi)注入量子點(diǎn)溶膠，于100～150下烘烤1～5小時(shí)；

取玻璃基片壓在紫外固化膠和量子點(diǎn)溶膠上，得到預(yù)鍵合樣品；

朝預(yù)鍵合樣品的玻璃基片投射紫外光，固化20～60分鐘，得到量子點(diǎn)薄膜，其中，紫外固化膠成為紫外固化膠層，量子點(diǎn)溶膠成為量子點(diǎn)凝膠層；

將量子點(diǎn)薄膜安裝于內(nèi)置有l(wèi)ed芯片的引線框架的開(kāi)口處，硼硅玻璃基體位于引線框架開(kāi)口內(nèi)，且二者的開(kāi)口方向相同，玻璃基片覆蓋于該引線框架的開(kāi)口上。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，上述量子點(diǎn)溶膠按照以下制備方法制得：

將介孔材料浸泡于含量子點(diǎn)的苯溶液中，超聲震蕩20～30分鐘，再用去離子水清洗，加入透光硅膠材料，于50～60℃下攪拌至少30分鐘，真空下脫泡，靜置、冷卻至室溫。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，在進(jìn)行封裝之前，先對(duì)硼硅玻璃基體和玻璃基片進(jìn)行清潔處理，具體是將硼硅玻璃基體和玻璃基片，先超聲清洗至少10分鐘，再用去離子水沖洗至少3分鐘，放入雙氧水和濃硫酸的混合液中煮沸至少30分鐘，冷卻至室溫，最后用去離子水沖洗掉表面的混合液，用氮?dú)獯蹈伞?/p>

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，將量子點(diǎn)薄膜安裝于引線框架的開(kāi)口處后，還包括往引線框架和量子點(diǎn)薄膜之間灌封硅膠的步驟。

在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，采用勻膠機(jī)在呈凹形的硼硅玻璃基體的頂口邊沿旋轉(zhuǎn)涂覆紫外固化膠，采用點(diǎn)膠工藝在硼硅玻璃基體的凹槽內(nèi)注入量子點(diǎn)溶膠。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果是：本發(fā)明實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜包括呈凹形的硼硅玻璃基體，硼硅玻璃基體的頂口邊沿覆有紫外固化膠層，硼硅玻璃基體的凹槽內(nèi)設(shè)置有量子點(diǎn)凝膠層，紫外固化膠層和量子點(diǎn)凝膠層上共同覆蓋有玻璃基片，該量子點(diǎn)薄膜能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)熒光粉封裝其中，可靠性強(qiáng)；本發(fā)明實(shí)施例的量子點(diǎn)白光led是將上述量子點(diǎn)薄膜安裝于內(nèi)置有l(wèi)ed芯片的引線框架的開(kāi)口處，該量子點(diǎn)白光led同樣能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)熒光粉封裝其中，器件的可靠性強(qiáng)，且該封裝過(guò)程簡(jiǎn)單，易工業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的量子點(diǎn)薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a-2f為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的量子點(diǎn)白光led在封裝過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖標(biāo)：010-量子點(diǎn)薄膜；020-量子點(diǎn)凝膠層；040-玻璃基片；001-量子點(diǎn)白光led；100-量子點(diǎn)薄膜；110-硼硅玻璃基體；111-凹槽；120-量子點(diǎn)凝膠層；130-紫外固化膠層；140-玻璃基片；200-引線框架；300-led芯片；400-硅膠層。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。

因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，還需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“設(shè)置”、“安裝”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

第一實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，本實(shí)施例提供一種量子點(diǎn)薄膜010，其包括呈凹形的硼硅玻璃基體110，硼硅玻璃基體110的頂口邊沿覆有紫外固化膠層130，硼硅玻璃基體110的凹槽內(nèi)設(shè)置有量子點(diǎn)凝膠層020，紫外固化膠層130和量子點(diǎn)凝膠層020上共同覆蓋有玻璃基片040，本實(shí)施例中，玻璃基片040剛好完全覆蓋于紫外固化膠層130和量子點(diǎn)凝膠層020上。

其中，紫外固化膠層130為紫外固化膠涂覆形成的，量子點(diǎn)凝膠層020是由量子點(diǎn)顆粒摻雜于透光硅膠材料中混合形成的量子點(diǎn)溶膠涂覆形成的，量子點(diǎn)顆粒為吸附有量子點(diǎn)的介孔材料。

更具體的，量子點(diǎn)選自于由cdse/zns量子點(diǎn)、inp/zns量子點(diǎn)、cdsete/zns量子點(diǎn)、cuins/zns量子點(diǎn)、cspbx3量子點(diǎn)(x＝cl、br、i)組成的組合中的至少一種，即含一定量的核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；介孔材料為介孔硅(多為介孔sio2)、介孔tio2或al2o3納米管，即基于六方介孔固體納米顆粒；透光硅膠材料可選用硅膠。本實(shí)施例中的量子點(diǎn)選用的是cdse/zns量子點(diǎn)，介孔材料選用的是介孔sio2，量子點(diǎn)凝膠層020是由吸附有cdse/zns量子點(diǎn)的介孔sio2摻雜于硅膠中混合形成的量子點(diǎn)溶膠涂覆形成的。

本實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜010采用分子自組裝形成機(jī)理，用介孔材料對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行化學(xué)修飾形成量子點(diǎn)顆粒，而且，利用呈凹形的硼硅玻璃基體110和平板狀的玻璃基片040形成內(nèi)設(shè)有容納腔的薄膜，通過(guò)紫外固化中間層鍵合工藝，將量子點(diǎn)顆粒封裝成獨(dú)立的膜片，該量子點(diǎn)薄膜010構(gòu)成led封裝中的光轉(zhuǎn)換層。

本實(shí)施例的量子點(diǎn)薄膜010是采用以下制備方法制得：

s101預(yù)處理：先對(duì)呈凹形的硼硅玻璃基體110和平板狀的玻璃基片040進(jìn)行清潔處理，避免后續(xù)封裝過(guò)程中帶入雜質(zhì)，具體方法為：將硼硅玻璃基體110和玻璃基片040，先超聲清洗至少10分鐘，丙酮清洗去油脂，再用去離子水沖洗至少3分鐘，放入雙氧水和濃硫酸的混合液中煮沸至少30分鐘，冷卻至室溫，最后用去離子水沖洗掉表面的混合液，用氮?dú)獯蹈?。本?shí)施例是將硼硅玻璃基體110和玻璃基片040，先超聲清洗12分鐘，再用去離子水沖洗5分鐘，放入雙氧水和濃硫酸的混合液中煮沸30分鐘，冷卻至室溫，最后用去離子水沖洗掉硼硅玻璃基體110和玻璃基片040表面的混合液，用氮?dú)獯蹈?，即完成硼硅玻璃基體110和玻璃基片040的預(yù)處理。

s102涂覆：采用勻膠機(jī)在硼硅玻璃基體110的頂口邊沿涂覆紫外固化膠，采用點(diǎn)膠工藝在硼硅玻璃基體110的凹槽內(nèi)注入量子點(diǎn)溶膠，然后置于烤箱中，于100～150℃下烘烤1～5小時(shí)，本實(shí)施例是于180℃下烘烤3小時(shí)。本實(shí)施例中的烘烤是在開(kāi)放的加熱臺(tái)架上進(jìn)行的，由硼硅玻璃基體110底部通過(guò)熱傳導(dǎo)對(duì)量子點(diǎn)溶膠固化，硼硅玻璃基體110頂部為室溫環(huán)境，100～150℃的烘烤溫度為硼硅玻璃基體110底部的加熱臺(tái)架的溫度。同時(shí)還要保證量子點(diǎn)溶膠的受熱溫度不超過(guò)100℃，這是由于量子點(diǎn)溶膠的受熱溫度一旦超過(guò)100℃，封裝的器件性能會(huì)很差。

其中，量子點(diǎn)溶膠是按照以下制備方法預(yù)先制得：

將基于六方介孔固體納米顆粒的介孔材料作為主體，含一定量的核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的苯溶液作為客體，將介孔材料浸泡于含一定量的核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的苯溶液中，超聲震蕩20～30分鐘，超聲時(shí)間不宜超過(guò)半小時(shí)，過(guò)長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致材料降解，再用去離子水清洗掉介孔材料孔壁外多余的量子點(diǎn)，加入透光硅膠材料，于50～60℃下攪拌至少30分鐘，真空下脫泡，靜置、冷卻至室溫。本實(shí)施例具體是將介孔sio2浸泡于含一定量的cdse/zns量子點(diǎn)的苯溶液中，超聲震蕩20分鐘，再用去離子水清洗掉介孔sio2孔壁外多余的量子點(diǎn)，加入硅膠，于60℃下攪拌30分鐘，真空下脫泡，靜置、冷卻至室溫，即得量子點(diǎn)溶膠。本實(shí)施例通過(guò)對(duì)量子點(diǎn)的表面化學(xué)鍵進(jìn)行修飾，減小膠體量子點(diǎn)老化過(guò)程中的團(tuán)聚效應(yīng)。

s103預(yù)鍵合：取玻璃基片040壓在紫外固化膠和量子點(diǎn)溶膠上，利用玻璃基片040的自重和紫外固化膠表面侵潤(rùn)作用完成玻璃基片040和硼硅玻璃基體110之間的預(yù)鍵合，得到預(yù)鍵合樣品。

s104固化：朝預(yù)鍵合樣品的玻璃基片040投射紫外光，固化20～60分鐘，本實(shí)施例固化40分鐘，得到量子點(diǎn)薄膜010，其中，紫外固化膠固化成為紫外固化膠層130，量子點(diǎn)溶膠固化成為量子點(diǎn)凝膠層020。

該量子點(diǎn)薄膜010將量子點(diǎn)封裝其中，而且只在硼硅玻璃基體110和玻璃基片040之間涂覆紫外固化膠，避免紫外固化膠對(duì)量子點(diǎn)的封裝質(zhì)量造成影響。

第二實(shí)施例

請(qǐng)參照?qǐng)D2d和圖2f所示，本實(shí)施例提供一種量子點(diǎn)白光led001，其包括引線框架200、位于引線框架200內(nèi)的led芯片300，以及位于引線框架200開(kāi)口處的量子點(diǎn)薄膜100。

其中，參見(jiàn)圖2d所示，量子點(diǎn)薄膜100包括呈凹形的硼硅玻璃基體110，硼硅玻璃基體110的頂口邊沿覆有紫外固化膠層130，硼硅玻璃基體110的凹槽111內(nèi)設(shè)置有量子點(diǎn)凝膠層120，紫外固化膠層130和量子點(diǎn)凝膠層120上共同覆蓋有平板狀的玻璃基片140，本實(shí)施例中，玻璃基片140延伸出紫外固化膠層130外。量子點(diǎn)凝膠層120是由量子點(diǎn)顆粒摻雜于透光硅膠材料混合形成的量子點(diǎn)溶膠涂覆形成的，量子點(diǎn)顆粒為吸附有量子點(diǎn)的介孔材料。本實(shí)施例中，量子點(diǎn)為inp/zns量子點(diǎn)，介孔材料為al2o3納米管，透光硅膠材料為甲基系有機(jī)硅膠。

硼硅玻璃基體110位于引線框架200開(kāi)口內(nèi)，且二者的開(kāi)口方向相同，玻璃基片140覆蓋于該引線框架200的開(kāi)口上，本實(shí)施例中，玻璃基片140覆蓋于量子點(diǎn)凝膠層120、紫外固化膠層130和引線框架200上。

該量子點(diǎn)薄膜100的量子點(diǎn)白光led001的封裝方法為：

s201預(yù)處理：先對(duì)呈凹形的硼硅玻璃基體110和平板狀的玻璃基片140進(jìn)行清潔處理，硼硅玻璃基體110的結(jié)構(gòu)如圖2a所示。具體是將硼硅玻璃基體110和玻璃基片140，先超聲清洗10分鐘，再用去離子水沖洗3分鐘，放入雙氧水和濃硫酸的混合液中煮沸30分鐘，冷卻至室溫，最后用去離子水沖洗掉表面的混合液，用氮?dú)獯蹈伞?/p>

s202涂覆：采用勻膠機(jī)在呈凹形的硼硅玻璃基體110的頂口邊沿涂覆紫外固化膠，紫外固化膠經(jīng)過(guò)后續(xù)工藝處理后會(huì)成為紫外固化膠層130，如圖2a所示；采用點(diǎn)膠工藝在硼硅玻璃基體110的凹槽111內(nèi)注入量子點(diǎn)溶膠，于150℃下烘烤4小時(shí)，量子點(diǎn)溶膠經(jīng)過(guò)后續(xù)工藝處理后會(huì)成為量子點(diǎn)凝膠層120，如圖2c所示。

其中，量子點(diǎn)溶膠按照以下制備方法制得：

將介孔材料al2o3納米管浸泡于含inp/zns量子點(diǎn)的苯溶液中，超聲震蕩30分鐘，再用去離子水清洗，加入硅膠，于50℃下攪拌40分鐘，真空下脫泡，靜置、冷卻至室溫。

s203預(yù)鍵合：取玻璃基片140壓在紫外固化膠和量子點(diǎn)溶膠上，得到預(yù)鍵合樣品。

s204固化：朝預(yù)鍵合樣品的玻璃基片140投射紫外光，固化60分鐘，得到量子點(diǎn)薄膜100，此時(shí)，紫外固化膠成為紫外固化膠層130，量子點(diǎn)溶膠成為量子點(diǎn)凝膠層120，如圖2d所示。

s205組裝：將量子點(diǎn)薄膜100安裝于內(nèi)置有l(wèi)ed芯片300的引線框架200的開(kāi)口處，硼硅玻璃基體110位于引線框架200開(kāi)口內(nèi)，且二者的開(kāi)口方向相同，玻璃基片140覆蓋于該引線框架的開(kāi)口上，如圖2e所示。

s206灌封：往引線框架200和量子點(diǎn)薄膜100之間注入灌封硅膠，并對(duì)應(yīng)形成硅膠層400，用以固定led電連接、提高封裝器件的光提取效率。最終形成量子點(diǎn)白光led001，如圖2f所示。

綜上所述，本發(fā)明的量子點(diǎn)薄膜能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)熒光粉封裝其中，由量子點(diǎn)薄膜組裝形成的量子點(diǎn)白光led同樣能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)熒光粉封裝其中，可靠性強(qiáng)，且該封裝過(guò)程工藝簡(jiǎn)單，可靠性強(qiáng)。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。