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光源模組及具有該光源模組的led顯示裝置的制造方法

文檔序號:8596340閱讀:540來源:國知局
光源模組及具有該光源模組的led顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及LED顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種光源模組及具有該光源 模組的LED顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前,由于量子點(diǎn)材料具有能量集中和發(fā)光半波寬窄的特點(diǎn),適合用來顯示屏的 背光源。一般來說,量子點(diǎn)材料的顯示屏是將量子點(diǎn)封裝組件固定在藍(lán)色LED的發(fā)光面和 擴(kuò)散板的側(cè)面之間。這樣,藍(lán)光LED發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)量子點(diǎn)封裝組件中的各種波長的量子 點(diǎn),混合后發(fā)出白光,然后通過擴(kuò)散板將白光均勻分布投射到顯示屏上。
[0003] 在顯示屏中,為了追求顯示屏的厚度薄、窄邊等外觀因素,藍(lán)光LED和量子點(diǎn)封裝 組件之間的距離往往很近。這樣藍(lán)光LED發(fā)出的光在量子點(diǎn)封裝組件上的分布就會不均 勻,容易造成局部光強(qiáng)過大、溫度過高。由于量子點(diǎn)材料對溫度和光強(qiáng)很敏感,量子點(diǎn)材料 長期在被強(qiáng)光照射或者在高溫環(huán)境下工作會嚴(yán)重影響其穩(wěn)定性。進(jìn)而導(dǎo)致量子點(diǎn)封裝組件 整體效率降低,最終影響顯示效果。而部分量子點(diǎn)材料的顯示屏為了降低量子點(diǎn)封裝組件 的體表面的局部光強(qiáng),便增加量子點(diǎn)封裝組件和藍(lán)光LED之間的距離。但是,這樣增加了顯 示屏整體的體積,同時(shí)顯示效果也并不理想。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型旨在提供一種光源模組及具有該光源模組的LED顯示裝置,以解決現(xiàn) 有技術(shù)中藍(lán)光LED發(fā)出的光在量子點(diǎn)封裝組件上的分布不均勻的問題。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本實(shí)用新型的一個方面,提供了一種光源模組,包括:基 板;發(fā)光芯片,設(shè)置在基板的表面上;散射層,包覆在發(fā)光芯片外;發(fā)光層,覆蓋在基板的表 面上,散射層的至少周向外側(cè)上設(shè)置有發(fā)光層。
[0006] 進(jìn)一步地,光源模組還包括框架,框架設(shè)置基板的周向邊緣處,發(fā)光層填充在框架 中。
[0007] 進(jìn)一步地,散射層呈半球狀。
[0008] 進(jìn)一步地,散射層呈長方體狀。
[0009] 進(jìn)一步地,發(fā)光芯片為LED藍(lán)光芯片。
[0010] 進(jìn)一步地,發(fā)光層的材料為量子點(diǎn)材料。
[0011] 進(jìn)一步地,發(fā)光芯片通過金屬導(dǎo)線焊接在基板上。
[0012] 進(jìn)一步地,基板為金屬基板。
[0013] 進(jìn)一步地,框架的材料為PC或PMMA。
[0014] 根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面,提供了一種LED顯示裝置,包括顯示屏和與顯示屏 連接的光源模組,光源模組為上述的光源模組。
[0015] 應(yīng)用本實(shí)用新型的技術(shù)方案,發(fā)光芯片設(shè)置在基板的表面上,散射層包覆在發(fā)光 芯片外,發(fā)光層覆蓋在基板的表面上,發(fā)光層包覆在散射層上,或者發(fā)光層環(huán)繞設(shè)置在散射 層的周向外側(cè)。散射層可以將發(fā)光芯片發(fā)出的光向四周進(jìn)行散射,散射后散射層的表面均 會有光,散射層的表面的光分布均勻。然后經(jīng)過散射層后的光激發(fā)發(fā)光層發(fā)出白光,這樣在 發(fā)光層上光的分布就比較均勻,有效地避免了發(fā)光層的局部光強(qiáng)過大、溫度過高的情況,進(jìn) 而提高了發(fā)光層的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0016] 構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,本實(shí)用 新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。 在附圖中:
[0017] 圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光源模組的實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)剖視示意圖;
[0018] 圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光源模組的實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)剖視示意圖;
[0019] 圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中的光源模組的模擬光照效果圖;以及
[0020] 圖4示出了圖1的光源模組的模擬光照效果圖。
[0021] 上述附圖包括以下附圖標(biāo)記:
[0022] 10、基板;20、發(fā)光芯片;30、散射層;40、發(fā)光層;50、框架;60、金屬導(dǎo)線。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本實(shí)用新型。
[0024] 如圖1所示,本實(shí)施例的光源模組包括基板10、發(fā)光芯片20、散射層30和發(fā)光層 40。發(fā)光芯片20設(shè)置在基板10的表面上,散射層30包覆在發(fā)光芯片20外,發(fā)光層40覆 蓋在基板10的表面上,散射層30的至少周向外側(cè)上設(shè)置有發(fā)光層40。實(shí)施例一的光源模 組的發(fā)光層40包覆在散射層30上。
[0025] 應(yīng)用實(shí)施例一的光源模組,發(fā)光芯片20設(shè)置在基板10的表面上,散射層30包覆 在發(fā)光芯片20外,發(fā)光層40覆蓋在基板10的表面上,發(fā)光層40包覆在散射層30上。散 射層30可以將發(fā)光芯片20發(fā)出的光向四周進(jìn)行散射,散射后散射層30的表面均會有光, 散射層30的表面的光分布均勻。然后經(jīng)過散射層30后的光激發(fā)發(fā)光層40發(fā)出白光,這樣 在發(fā)光層40上光的分布就比較均勻,有效地避免了發(fā)光層40的局部光強(qiáng)過大、溫度過高的 情況,進(jìn)而提高了發(fā)光層40的穩(wěn)定性。
[0026] 為了方便將發(fā)光層40固定在基板10上,在實(shí)施例一中,光源模組還包括框架50, 框架50設(shè)置基板10的周向邊緣處,發(fā)光層40填充在框架50中。框架50的材料為漫反射 材料。
[0027] 為了保證散射層30的表面的光均勻性,在實(shí)施例一中,散射層30呈半球狀。
[0028] 在實(shí)施例一中,發(fā)光芯片20為LED藍(lán)光芯片。
[0029] 為了提高發(fā)光層40的穩(wěn)定性,在實(shí)施例一中,發(fā)光層40的材料為量子點(diǎn)材料。優(yōu) 選地,發(fā)光層40的表面呈凸弧面狀。這樣可以提高發(fā)光層40的表面的光萃取率,有效減少 光的全反射。
[0030] 在實(shí)施例一中,發(fā)光芯片20通過金屬導(dǎo)線60焊接在基板10上。優(yōu)選地,金屬導(dǎo) 線60為金線或銅線。優(yōu)選地,金屬導(dǎo)線60的根數(shù)為兩根或四根。
[0031] 在實(shí)施例一中,基板10為金屬基板。金屬基板上印制有電路圖案,LED藍(lán)光芯片 直接通過金線或銅線焊接在金屬基板上,而不是通過將LED藍(lán)光芯片封裝成LED燈。這樣 LED藍(lán)光芯片的熱
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