本發(fā)明專利申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2011年4月13日、申請(qǐng)?zhí)枮?01180026099.7、發(fā)明名稱為“電子裝置和用于制造電子裝置的方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明涉及一種電子裝置和一種用于制造電子裝置的方法。

背景技術(shù)：

電子裝置在切斷狀態(tài)下具有不均勻的光學(xué)外觀。所述電子裝置能夠具有光電子器件以及非光電子器件，其接觸材料和表面提供不同的色彩印象和亮度印象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是，提供一種在切斷狀態(tài)下具有均勻的光學(xué)外觀的電子裝置。所述問題通過所述的電子裝置來解決，該電子裝置帶有：支承體；在所述支承體上的至少一個(gè)連接面；至少一個(gè)電子器件，所述至少一個(gè)電子器件借助于接觸材料至少固定在所述連接面上；遮蓋面，所述遮蓋面包圍在所述支承體上的所述連接面，和至少一個(gè)被覆蓋的區(qū)域，所述至少一個(gè)被覆蓋的區(qū)域由覆蓋材料覆蓋，其中所述遮蓋面是高反射的，其反射率大于70％，并且在所述連接面上的和在所述接觸材料上的暴露區(qū)域用所述覆蓋材料覆蓋，其中所述覆蓋材料通過二氧化鈦、即tio2顆粒染色，使得在所述覆蓋材料中的所述二氧化鈦顆粒以從25重量百分百直至70重量百分比的份額設(shè)置，以至于所述覆蓋材料是高反射的，其反射率大于70％，由此使在所述遮蓋面和所述被覆蓋的區(qū)域之間的光學(xué)對(duì)比度最小化。

在具體實(shí)施方式中說明電子裝置的改進(jìn)形式和有利的擴(kuò)展方案。

不同的實(shí)施形式具有帶有光電子器件和非光電子器件的電子裝置。在切斷狀態(tài)下使光學(xué)外觀均勻化。

在光電子器件的接通狀態(tài)下，最小化吸收損失。

電子裝置具有帶有至少一個(gè)連接面的支承體。至少一個(gè)電子器件借助于接觸材料固定在連接面上。遮蓋面設(shè)置在支承體上并且包圍連接面。電子裝置具有至少一個(gè)由覆蓋材料覆蓋的被覆蓋的區(qū)域。覆蓋材料設(shè)計(jì)成，使得最小化遮蓋面和被覆蓋的區(qū)域之間的光學(xué)對(duì)比度。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，連接面是電的、優(yōu)選金屬的接觸面。

替選地或者補(bǔ)充地，連接面是尤其為非金屬的粘接面。這能夠應(yīng)用于生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上的光電子器件。

光學(xué)對(duì)比度涉及色彩對(duì)比度。替選地或者補(bǔ)充地，光學(xué)對(duì)比度也涉及亮度對(duì)比度。一方面，通過遮蓋面和覆蓋材料具有相似的、優(yōu)選相同的反射率來最小化光學(xué)對(duì)比度。另一方面，通過遮蓋面和覆蓋材料具有相似的、優(yōu)選相同的顏色來最小化光學(xué)對(duì)比度。

能夠通過色距δe來描述色度坐標(biāo)差，進(jìn)而描述色彩對(duì)比度。同義于“相同的顏色”而使用術(shù)語“相同的色價(jià)”。δe<2的色距對(duì)人眼而言幾乎是不能夠被感受到的。與此相反地，δe>5-10的色距被感覺為其他的顏色。遮蓋面的顏色和覆蓋材料的顏色優(yōu)選具有δe<5、尤其優(yōu)選δe<3的色距。

覆蓋材料相對(duì)于遮蓋面的亮度印象的相似性能夠表現(xiàn)在反射比差中。在覆蓋之前，例如，被金覆蓋的焊盤具有大約55％的反射比。遮蓋面的材料能夠具有為大約95％的反射比。因此限定的40％的差能夠被限定為干擾的初始狀態(tài)。遮蓋面的反射率與覆蓋材料的反射率的差優(yōu)選小于20％并且尤其優(yōu)選小于10％。遮蓋面和覆蓋材料的反射率的差的任意的減小都產(chǎn)生更均勻的亮度印象。

除對(duì)比度最小化之外，用覆蓋材料部分地或者完全覆蓋電子器件引起對(duì)電子器件進(jìn)行腐蝕保護(hù)。

相對(duì)于使用由擴(kuò)散塑料制成的透鏡或粗化透鏡表面或者用擴(kuò)散樹脂對(duì)透鏡表面覆層，使用覆蓋材料是有利的。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，接觸材料具有焊料或粘接劑。這是有利的，因?yàn)橛纱穗娮悠骷c連接面能夠機(jī)械地和/或?qū)щ姷剡B接。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，電子器件能夠是光電子器件，尤其是led。光電子器件能夠生長(zhǎng)在iii-v族化合物半導(dǎo)體材料上，尤其是生長(zhǎng)在例如為氮化鎵(gan)的氮化物化合物半導(dǎo)體材料上。光電子器件具有至少一個(gè)發(fā)射電磁輻射的有源區(qū)。所述有源區(qū)能夠是pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)(mqw)、單量子阱結(jié)構(gòu)(sqw)。量子阱結(jié)構(gòu)表示：量子阱(三維)、量子線(二維)和量子點(diǎn)(一維)。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，電子器件能夠是非光電子器件。能夠使用例如為存儲(chǔ)器或控制器的esd(靜電放電)半導(dǎo)體芯片和/或微芯片作為非光電子器件。替選地或者補(bǔ)充地，能夠使用例如是電阻器、線圈、電容器的無源器件作為非光電子器件。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，光電子器件是導(dǎo)線接觸的半導(dǎo)體芯片。替選地或者補(bǔ)充地，因此，光電子器件能夠構(gòu)造成倒裝芯片。帶有倒裝芯片形式的光電子器件的實(shí)施形式是有利的，因?yàn)槿∠捎诮雍暇€所引起的遮暗并且有源面沒有由于所述光電子器件上的焊盤而喪失。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，由覆蓋材料所覆蓋的區(qū)域包括非光電子器件的背離支承體的面。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，被覆蓋的區(qū)域包括電子器件的側(cè)面。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，被覆蓋的區(qū)域包括連接面的沒有被電子器件覆蓋的區(qū)域。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，被覆蓋的區(qū)域包括接觸材料的沒有被電子器件覆蓋的區(qū)域。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，接合線能夠由覆蓋材料覆蓋。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，尤其為螺釘?shù)墓潭▎卧軌蛴筛采w材料覆蓋。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，非光電子器件能夠完全地由覆蓋材料覆蓋。完全覆蓋非光電子器件是尤其有利的，因?yàn)橐虼俗钚』诒桓采w的器件和遮蓋面之間的對(duì)比度，優(yōu)選使對(duì)比度消失。

被覆蓋的區(qū)域是有利的，因?yàn)樵谇袛酄顟B(tài)下，通過覆蓋而使電子裝置的光學(xué)印象均勻化。此外有利的是，減少在電子裝置的反射差的表面上的光吸收。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，遮蓋面具有陶瓷的、優(yōu)選白色的材料。替選或者補(bǔ)充于此的是，遮蓋面具有層壓的環(huán)氧樹脂。替選或者補(bǔ)充于此的是，遮蓋面具有阻焊漆。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，覆蓋材料具有染色的硅樹脂。替選或者補(bǔ)充于此的是，覆蓋材料具有染色的環(huán)氧樹脂，尤其為阻焊漆。替選或者補(bǔ)充于此的是，覆蓋材料具有熱塑性塑料。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，覆蓋材料通過顏料、尤其通過二氧化鈦(tio2)顆粒來染色。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，在覆蓋材料中的二氧化鈦顆粒的比例為直至70％的重量百分比、優(yōu)選大約25％的重量百分比。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，遮蓋面是高反射的，其反射率大于70％。替選或者補(bǔ)充于此的是，覆蓋材料是高反射的，其反射率大于70％。

不同的實(shí)施形式具有用于制造電子裝置的方法。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，將遮蓋面以面和結(jié)構(gòu)化的方式施加到支承體上。在此空出至少一個(gè)連接面。隨后在所述連接面上安裝至少一個(gè)電子器件。隨后覆蓋在連接面上的至少部分暴露的區(qū)域。

替選地或者補(bǔ)充地，在非光電子器件中，用覆蓋材料來覆蓋電子器件上背離支承體的面。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，通過分配或計(jì)量來用覆蓋材料進(jìn)行覆蓋。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中，通過噴射來用覆蓋材料進(jìn)行覆蓋。

附圖說明

以下借助附圖詳細(xì)闡明根據(jù)本發(fā)明的解決方案的不同的實(shí)施例。

圖1示出帶有光電子器件的電子裝置的斷面的剖面圖；

圖2a和2b示出帶有具有導(dǎo)線接觸部的光電子器件的電子裝置的斷面的俯視圖；

圖3a和3b示出帶有具有倒裝芯片接觸部的光電子器件的電子裝置的斷面的俯視圖；

圖4示出帶有非光電子器件的電子裝置的斷面的剖面圖；

圖5示出帶有光電子器件和非光電子器件的電子裝置的斷面的剖面圖；

圖6a示出帶有非光電子器件、尤其帶有無源器件的電子裝置的斷面的剖面圖；

圖6b和6c示出帶有非光電子器件、尤其帶有無源器件的電子裝置的斷面的俯視圖；

圖7a示出帶有非光電子器件、尤其帶有無源器件的電子裝置的斷面的剖面圖；

圖7b和7c示出帶有非光電子器件、尤其帶有無源器件的電子裝置的斷面的俯視圖。

具體實(shí)施方式

相同的、同類的或起相同作用的元件在圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。圖以及在圖中示出的元件彼此間的大小比例不能夠視作是按比例的。相反地，為了更好的可視性以及為了較好的理解，能夠夸大地示出各個(gè)元件。

圖1示出電子裝置1的斷面的剖面圖。在支承體2上設(shè)置有連接面6。光電子器件3a借助于接觸材料4固定在連接面6上。遮蓋面5包圍在支承體2上的連接面6。被覆蓋的區(qū)域15由覆蓋材料10覆蓋。覆蓋材料10設(shè)計(jì)成，使得最小化遮蓋面5和被覆蓋的區(qū)域15之間的光學(xué)對(duì)比度。

連接面6能夠是電接觸面。替選地，連接面6也能夠是尤其為非金屬的粘接面。

光學(xué)對(duì)比度是色彩對(duì)比度和/或亮度對(duì)比度。

接觸材料4能夠是焊料或粘接劑。光電子器件3a能夠是led。

被覆蓋的區(qū)域15包括光電子器件3a的側(cè)面7、連接面6的沒有被光電子器件3a覆蓋的區(qū)域和接觸材料4的沒有被光電子器件3a覆蓋的區(qū)域。光電子器件3a的背離支承體2的面8不具有覆蓋材料10。在有源區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射21優(yōu)選地穿過背離支承體2的面8發(fā)射。

遮蓋面5能夠是陶瓷的、優(yōu)選為白色的材料。替選或者補(bǔ)充于此的是，遮蓋面5能夠是層壓的環(huán)氧樹脂。替選或者補(bǔ)充于此的是，遮蓋面5能夠具有阻焊漆或熱塑性塑料(預(yù)模制封裝件)。

覆蓋材料10能夠是染色的硅樹脂。替選或者補(bǔ)充于此的是，覆蓋材料10能夠是染色的環(huán)氧樹脂，尤其是阻焊漆。替選或者補(bǔ)充于此的是，覆蓋材料10能夠具有熱塑性塑料。

覆蓋材料10能夠通過顏料11、尤其是通過二氧化鈦(tio2)顆粒來染色。在覆蓋材料中的二氧化鈦顆粒的比例為直到大約70％的重量百分比、優(yōu)選地大約25％的重量百分比。

遮蓋面5和/或覆蓋材料(10)能夠是高反射的。在此，各自的反射率大于70％。

圖2a示出在施加覆蓋材料10之前的電子裝置的俯視圖。光電子器件3a借助于接觸材料4固定在連接面6上。光電子器件3a實(shí)現(xiàn)為導(dǎo)線接觸的半導(dǎo)體芯片。借助于接合線14通過光電子器件3a上的焊盤20來實(shí)現(xiàn)接觸。

對(duì)觀察者而言，在光電子器件3a周圍，在所有側(cè)上能夠看到接觸材料4。在光電子器件3a的焊盤20上，也能夠看到接觸材料4。在遮蓋面5和帶有暴露的接觸材料4的區(qū)域之間，能夠直接地看到連接面6。接觸材料4和連接面6與遮蓋面5相比被較暗地著色，并且與遮蓋面5相比在色彩和亮度方面明顯突出。對(duì)于帶有光電子器件3a的電子裝置1的觀察者而言，暗的著色在切斷狀態(tài)下是影響美學(xué)的。此外，帶有光電子器件3a的電子裝置1的暗的區(qū)域在接通狀態(tài)下導(dǎo)致不期望的吸收損失。為了解決或減少這兩個(gè)問題，在帶有暴露的連接面6和暴露的接觸材料4的區(qū)域15上施加覆蓋材料10。該結(jié)果在圖2b中可見。

圖2b示出在施加覆蓋材料10之后的電子裝置的俯視圖。區(qū)域15完全由覆蓋材料10所覆蓋。覆蓋材料10中的顏料11和覆蓋材料10自身引起在被覆蓋的區(qū)域15和遮蓋面5之間的對(duì)比度消失。因此，用虛線示出被覆蓋的區(qū)域15和遮蓋面5之間的邊界。光電子器件3a的背離支承體2的表面8不具有覆蓋材料10。

在一個(gè)沒有示出的實(shí)施例中，接合線14也用覆蓋材料10覆蓋。

圖3a示出一種電子裝置，其中光電子器件構(gòu)造成倒裝芯片。除在圖3a中取消圖2a中的焊盤20和接合線14之外，所述裝置與圖2a中的裝置相同。這通過完全地經(jīng)由光電子器件3a的背側(cè)進(jìn)行光電子器件3a的接觸來實(shí)現(xiàn)。

圖3b示出一種電子裝置，其中光電子器件3a構(gòu)造成倒裝芯片并且光電子器件3a和遮蓋面5之間的暴露區(qū)域被覆蓋。被覆蓋的區(qū)域16由覆蓋材料10覆蓋，使得在遮蓋面5和可發(fā)光的半導(dǎo)體芯片3a之間獲得具有相對(duì)于遮蓋面5最小的對(duì)比度的區(qū)域。

圖4示出一種電子裝置，其中電子器件是非光電子器件3b、尤其是例如存儲(chǔ)器或控制器的esd半導(dǎo)體芯片和/或微芯片。因?yàn)榉枪怆娮悠骷?b沒有發(fā)射或感應(yīng)電磁輻射，所以非光電子器件3b的背離支承體2的整個(gè)面8能夠用覆蓋材料10覆蓋。如已經(jīng)在圖1中示出，在非光電子器件3b中，側(cè)面7和帶有暴露的接觸材料4并且?guī)в斜┞兜倪B接面6的區(qū)域也能夠用覆蓋材料10覆蓋。在完全覆蓋非光電子器件3b中被覆蓋的區(qū)域17引起均勻的色彩效果并且最小化側(cè)面7上的吸收損失以及非光電子器件3b的背離支承體2的表面8上的吸收損失。

圖5示出一種電子裝置，其中光電子器件3a和非光電子器件3b彼此直接相鄰地設(shè)置在支承體2上。在光電子器件3a中被覆蓋的區(qū)域15和在完全覆蓋非光電子器件3b的情況下被覆蓋的區(qū)域17與在圖1和圖4中的所述區(qū)域相同。電子器件3a和3b由澆注材料13澆注。在澆注材料13中引入散射中心12。非光電子器件3b的完全的覆蓋部17以及光電子器件3a中被覆蓋的區(qū)域15降低了不期望的吸收損失。由光電子器件3a發(fā)出的電磁輻射21在散射中心上被散射，尤其是被反射。被反射的輻射大部分撞到被覆蓋的區(qū)域15和17以及遮蓋面5上。覆蓋材料10和遮蓋面5設(shè)計(jì)成是高反射的。在更大程度上，被反射的電磁輻射僅還由光電子器件3a的背離支承體2的表面8吸收。

圖6a示出電子裝置的斷面的剖面圖，其中電子器件是非光電子器件3c。特別地，非光電子器件3c能夠是無源器件。特別地，電阻器、電容器或線圈能夠設(shè)為無源器件。目前為具有smd(表面安裝器件)結(jié)構(gòu)的器件。在此，由覆蓋材料10覆蓋的區(qū)域18包括連接面6的沒有由無源器件3c覆蓋的區(qū)域和接觸材料4的沒有由無源器件3c覆蓋的區(qū)域。接觸材料4在連接面6和無源器件3c的smd焊接連接面22之間獲得電的以及機(jī)械的連接。如已在以上附圖中示出，遮蓋面5包圍連接面6。無源器件3c的背離支承體2的面8a保持未被覆蓋。

圖6b示出在通過覆蓋材料10覆蓋暴露的區(qū)域之前圖6a中的電子裝置的斷面的俯視圖。由于無源器件3c固定在兩個(gè)連接面6上，接觸材料4分布在焊接連接面22的邊界之外。光學(xué)印象是極其不均勻的。

圖6c示出圖6b中的裝置，其中在圖6c中，用覆蓋材料10來覆蓋在連接面6上的和在接觸材料4上的暴露區(qū)域。得到被覆蓋的區(qū)域18。如已在上述實(shí)施例中描述，即便在無源器件3c中通過部分地覆蓋暴露區(qū)域也降低光學(xué)對(duì)比度。在圖6c的實(shí)施例中，焊接連接面22和無源器件3c的背離支承體2的面8a保持為未被覆蓋材料所覆蓋。

圖7a示出電子裝置的斷面的剖面圖，其中如已在圖6a中示出，電子器件是無源器件3c。直接鄰接于焊接連接面22的接觸材料4在無源器件3c和連接面6之間建立電的和機(jī)械的接觸。優(yōu)選地，對(duì)于該功能而言焊料用作接觸材料4。此外，接觸材料4在無源器件3c的朝向支承體2的面8b和支承體之間提供純機(jī)械的接觸。優(yōu)選地，對(duì)于該功能而言粘接劑用作接觸材料4。覆蓋材料10覆蓋整個(gè)無源器件3c、連接面6的由接觸材料4覆蓋的區(qū)域和連接面6的暴露區(qū)域。覆蓋材料10與遮蓋面5齊平地鄰接。這在完全覆蓋無源器件3c的情況下獲得被覆蓋的區(qū)域19。

圖7b示出在通過覆蓋材料10覆蓋暴露區(qū)域之前圖7a中的電子裝置的斷面的俯視圖。由于無源器件3c固定在兩個(gè)連接面6上，接觸材料4分布在焊接連接面22的邊界之外。在兩個(gè)焊接連接面22之間，在支承體2和無源器件3c的朝向支承體2的面8b(在此見圖7a；在圖7b中不可見)之間設(shè)有附加的接觸材料4。所述附加的接觸材料4側(cè)向地在無源器件3c下方突出。由于連接面6的和接觸材料4的暴露區(qū)域光學(xué)印象是極其不均勻的并且在與光電子器件組合時(shí)出現(xiàn)吸收損失。

圖7c示出圖7a中的電子裝置的斷面的俯視圖，即在通過覆蓋材料10覆蓋暴露區(qū)域之后。在完全覆蓋無源器件3c的情況下得到被覆蓋的區(qū)域19。遮蓋面5和被覆蓋的區(qū)域19之間的對(duì)比度被最小化，優(yōu)選地，不再能夠看出對(duì)比度。該光學(xué)印象是極其均勻的。為了表明該內(nèi)容，以虛線示出無源器件3c位于被覆蓋的區(qū)域19下方的結(jié)構(gòu)。

為了闡明所基于的思想，借助一些實(shí)施例描述所述電子裝置。在此，所述實(shí)施例不局限于特定的特征組合。即使一些特征和擴(kuò)展方案僅結(jié)合特殊的實(shí)施例或各個(gè)實(shí)施例描述，也能夠?qū)⑺鼈兎謩e與其他實(shí)施例中的其他特征組合。同樣能夠考慮的是，只要保持實(shí)現(xiàn)普遍的技術(shù)教導(dǎo)，就可在實(shí)施例中刪去或添加各個(gè)示出的特征或特殊的擴(kuò)展方案。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，還公開了以下附記：

1.電子裝置(1)，帶有：

-支承體(2)，

-在所述支承體(2)上的至少一個(gè)連接面(6)，

-至少一個(gè)電子器件(3a，3b，3c)，所述至少一個(gè)電子器件借助于接觸材料(4)至少固定在所述連接面(6)上，

-遮蓋面(5)，所述遮蓋面包圍在所述支承體(2)上的所述連接面(6)，

-至少一個(gè)被覆蓋的區(qū)域(15，16，17，18，19)，所述至少一個(gè)被覆蓋的區(qū)域由覆蓋材料(10)覆蓋，

其中所述覆蓋材料(10)設(shè)計(jì)成，使得最小化在所述遮蓋面(5)和所述被覆蓋的區(qū)域(15，16，17，18，19)之間的光學(xué)對(duì)比度。

2.根據(jù)附記1所述的電子裝置，其中所述連接面(6)包括電接觸面和/或粘接面。

3.根據(jù)附記1或2所述的電子裝置，其中所述光學(xué)對(duì)比度是色彩對(duì)比度和/或亮度對(duì)比度。

4.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述接觸材料(4)具有焊料和/或粘接劑。

5.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述電子器件包括光電子器件(3a)，尤其是led。

6.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述電子器件包括無源器件和/或非光電子器件(3b，3c)，尤其是靜電放電的半導(dǎo)體芯片。

7.根據(jù)附記6所述的電子裝置，其中所述被覆蓋的區(qū)域(17，19)包括所述非光電子器件(3b，3c)的背離所述支承體(2)的面(8，8a)。

8.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述被覆蓋的區(qū)域(15，16，17)包括所述電子器件(3a，3b)的側(cè)面(7)。

9.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述被覆蓋的區(qū)域(15，16，17，18，19)包括所述連接面(6)的沒有被所述電子器件(3a，3b，3c)覆蓋的區(qū)域。

10.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述被覆蓋的區(qū)域(15，16，17，18，19)包括所述接觸材料(4)的沒有被所述電子器件(3a、3b、3c)覆蓋的區(qū)域。

11.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述遮蓋面(5)具有陶瓷的、優(yōu)選白色的材料和/或?qū)訅旱沫h(huán)氧樹脂和/或阻焊漆。

12.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述覆蓋材料(10)具有染色的硅樹脂和/或至少一種染色的環(huán)氧樹脂、尤其是阻焊漆和/或熱塑性塑料。

13.根據(jù)附記12所述的電子裝置，其中所述覆蓋材料(10)通過顏料(11)、尤其通過二氧化鈦(tio2)顆粒染色。

14.根據(jù)附記13所述的電子裝置，其中在所述覆蓋材料(10)中的所述二氧化鈦顆粒的比例直至70％的重量百分比、優(yōu)選為大約25％的重量百分比。

15.根據(jù)上述附記之一所述的電子裝置，其中所述遮蓋面(5)和/或所述覆蓋材料(10)是高反射的，其反射率分別大于70％。

附圖標(biāo)記列表

1電子裝置

2支承體

3a、3b、3c電子器件

3a光電子器件

3b、3c非光電子器件

4接觸材料

5遮蓋面

6連接面

7電子裝置3a、3b的側(cè)面

8電子裝置3a、3b的背離支承體2的面

8a非光電子器件3c的背離支承體2的面

8b非光電子器件3c的朝向支承體2的面

10覆蓋材料

11顏料

12澆注材料13中的散射中心

13澆注材料

14接合線

15光電子器件3a中被覆蓋的區(qū)域，其是導(dǎo)線接觸的

16光電子器件3a中被覆蓋的區(qū)域，其是倒裝芯片

17在完全覆蓋非光電子器件3b的情況下的被覆蓋的區(qū)域

18在部分覆蓋非光電子器件3c的情況下的被覆蓋的區(qū)域

19在完全覆蓋非光電子器件3c的情況下的被覆蓋的區(qū)域

20光電子器件3a上的焊盤

21由光電子器件3a發(fā)射的電磁輻射

22非光電子器件3c的焊接連接面(smd接觸)