1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底基板上形成金屬層，所述金屬層包括漏極和觸控信號(hào)線；
形成第一鈍化層和平坦層，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號(hào)線接觸孔，以分別露出漏極和觸控信號(hào)線；其中，所述第一鈍化層靠近所述金屬層，且所述第一鈍化層通過(guò)干刻工藝形成；
形成觸控電極，所述觸控電極穿過(guò)所述第一鈍化層和所述平坦層上的所述觸控信號(hào)線接觸孔與所述觸控信號(hào)線相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：
利用干刻工藝形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有第一觸控信號(hào)線接觸孔和第一子漏極接觸孔；
形成平坦層，所述平坦層具有第二觸控信號(hào)線接觸孔和第二子漏極接觸孔；其中，所述第一觸控信號(hào)線接觸孔和所述第二觸控信號(hào)線接觸孔連通，以形成觸控信號(hào)線接觸孔，所述第一子漏極接觸孔和所述第二子漏極接觸孔連通，以形成第一漏極接觸孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，形成平坦層，具體包括：
通過(guò)曝光、顯影工藝形成平坦層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：
形成第一鈍化層薄膜；
形成平坦層薄膜，對(duì)所述平坦層薄膜進(jìn)行固化；
利用干刻工藝同時(shí)對(duì)所述第一鈍化層薄膜和固化后的所述平坦層薄膜進(jìn)行刻蝕，以形成觸控信號(hào)線接觸孔和第一漏極接觸孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度小于所述平坦層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成觸控電極之后，所述方法還包括：
形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔與所述第二漏極接觸孔連通；
形成像素電極，所述像素電極穿過(guò)所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成金屬層之前，所述方法還包括：
在襯底基板上形成遮光圖案；所述遮光圖案位于所述陣列基板的像素界定區(qū)；
在形成有所述遮光圖案的襯底基板上形成緩沖層；
在形成有所述緩沖層的襯底基板上形成有源層；
在形成有所述有源層的襯底基板上形成柵絕緣層；
在形成有所述柵絕緣層上的襯底基板上形成柵極；
在形成有所述柵極的襯底基板上形成中間介電層；所述漏極穿過(guò)所述中間介電層和所述柵絕緣層與所述有源層接觸。
8.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板以及依次設(shè)置在襯底基板上的金屬層、第一鈍化層、平坦層和觸控電極；所述金屬層包括源漏極和觸控信號(hào)線；
其中，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號(hào)線接觸孔，所述觸控電極穿過(guò)觸控信號(hào)線接觸孔與所述觸控信號(hào)線相連接；所述第一鈍化層通過(guò)干刻工藝形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在觸控電極上的第二鈍化層和像素電極；所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔連通，所述像素電極穿過(guò)所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述襯底基板和所述金屬層之間的遮光圖案、緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極和中間介電層；
其中，所述源漏極穿過(guò)所述中間介電層和所述柵絕緣層上的過(guò)孔與所述有源層接觸，所述遮光圖案靠近所述襯底基板設(shè)置。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。