本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，觸控屏(Touch Panel)技術(shù)進入快速發(fā)展時期，觸控屏按照觸控電極的設(shè)置位置可以分為外掛式觸控屏和內(nèi)嵌式觸控屏，內(nèi)嵌式觸控屏可以分為：外置式觸摸屏(On cell Touch Panel)和嵌入式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，In Cell觸控屏又可分為復(fù)合內(nèi)嵌式(Hybrid In Cell，簡稱HIC)觸控屏和完全內(nèi)嵌式(Full In Cell，簡稱FIC)觸控屏。

目前，高分辨率(Pixels Per Inch，簡稱PPI)的In Cell觸摸屏已成為觸控屏的主要發(fā)展方向?，F(xiàn)有技術(shù)中，In Cell觸摸屏的結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示，包括依次設(shè)置在襯底基板10上的金屬層、平坦層40、觸控電極50、鈍化層60以及像素電極70，其中，金屬層包括漏極20和觸控信號線30，漏極20穿過平坦層40和鈍化層60上的過孔與像素電極70相連接，觸控信號線30穿過平坦層40上的過孔與觸控電極50相連接。由于平坦層40上設(shè)置有漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，而對于高PPI的In Cell觸摸屏來說，每個亞像素區(qū)域的尺寸都較小，因而實際制作時平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔之間的距離小于5μm。此外，平坦層40的材料一般為有機材料，例如亞克力，因而平坦層40上的過孔常采用曝光、顯影工藝形成。然而，由于平坦層40的厚度較大，因而顯影過程不易掌控過孔的關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)、角度(Profile)以及與其它孔的重疊程度(Overlay)，因而平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔可能會連在一起，從而會導(dǎo)致不良。

In Cell觸摸屏實際制作過程中，由于漏極20既需要與有源層相連，又需要穿過平坦層40和鈍化層60上的過孔與像素電極70相連，因而平坦層40上的漏極接觸孔的位置不能移動。如圖1(b)所示，為了避免平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔連通，因而制作時可能會將平坦層40上的觸控信號線接觸孔向遠離漏極接觸孔方向移動，以使平坦層40上的漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔之間的距離大于5μm。

然而，觸控信號線30的材料為如圖2(a)和圖2(b)所示的Ti/Al/Ti(鈦/鋁/鈦)疊層材料，由于觸控信號線30較細，因而觸控信號線接觸孔移動后，如圖2(a)所示觸控信號線接觸孔遠離漏極20的一側(cè)會懸空，這樣在采用曝光、顯影形成平坦層40上的過孔時，如圖2(b)所示，顯影液會腐蝕觸控信號線30中的Al，從而導(dǎo)致Al內(nèi)縮，進而導(dǎo)致觸控電極50與觸控信號線30的搭接不良，影響產(chǎn)品顯示畫面的品質(zhì)和觸控性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可確保漏極接觸孔與觸控信號線接觸孔不連通，且不影響觸控電極和觸控信號線的搭接。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上形成金屬層，所述金屬層包括漏極和觸控信號線；形成第一鈍化層和平坦層，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，以分別露出漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層靠近所述金屬層，且所述第一鈍化層通過干刻工藝形成；形成觸控電極，所述觸控電極穿過所述第一鈍化層和所述平坦層上的所述觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接。

優(yōu)選的，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：利用干刻工藝形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有第一觸控信號線接觸孔和第一子漏極接觸孔；形成平坦層，所述平坦層具有第二觸控信號線接觸孔和第二子漏極接觸孔；其中，所述第一觸控信號線接觸孔和所述第二觸控信號線接觸孔連通，以形成觸控信號線接觸孔，所述第一子漏極接觸孔和所述第二子漏極接觸孔連通，以形成第一漏極接觸孔。

進一步優(yōu)選的，形成平坦層，具體包括：通過曝光、顯影工藝形成平坦層。

優(yōu)選的，形成第一鈍化層和平坦層，具體包括：形成第一鈍化層薄膜；形成平坦層薄膜，對所述平坦層薄膜進行固化；利用干刻工藝同時對所述第一鈍化層薄膜和固化后的所述平坦層薄膜進行刻蝕，以形成觸控信號線接觸孔和第一漏極接觸孔。

優(yōu)選的，所述第一鈍化層的厚度小于所述平坦層的厚度。

優(yōu)選的，在形成觸控電極之后，所述方法還包括：形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔與所述第二漏極接觸孔連通；形成像素電極，所述像素電極穿過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相連接。

優(yōu)選的，在形成金屬層之前，所述方法還包括：在襯底基板上形成遮光圖案；所述遮光圖案位于所述陣列基板的像素界定區(qū)；在形成有所述遮光圖案的襯底基板上形成緩沖層；在形成有所述緩沖層的襯底基板上形成有源層；在形成有所述有源層的襯底基板上形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層上的襯底基板上形成柵極；在形成有所述柵極的襯底基板上形成中間介電層；所述漏極穿過所述中間介電層和所述柵絕緣層與所述有源層接觸。

第二方面，提供一種陣列基板，包括襯底基板以及依次設(shè)置在襯底基板上的金屬層、第一鈍化層、平坦層和觸控電極；所述金屬層包括源漏極和觸控信號線；其中，所述第一鈍化層和所述平坦層上具有第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔，所述觸控電極穿過觸控信號線接觸孔與所述觸控信號線相連接；所述第一鈍化層通過干刻工藝形成。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在觸控電極上的第二鈍化層和像素電極；所述第二鈍化層具有第二漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔連通，所述像素電極穿過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相連接。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述襯底基板和所述金屬層之間的遮光圖案、緩沖層、有源層、柵絕緣層、柵極和中間介電層；其中，所述源漏極穿過所述中間介電層和所述柵絕緣層上的過孔與所述有源層接觸，所述遮光圖案靠近所述襯底基板設(shè)置。

第三方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，由于金屬層上形成有第一鈍化層和平坦層，第一鈍化層通過干刻工藝形成，而干刻工藝對過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，因而可以避免第一鈍化層上的第一漏極接觸孔和觸控信號線接觸孔連通。

在此基礎(chǔ)上，在第一鈍化層上形成平坦層，若平坦層上的過孔采用曝光、顯影工藝形成，即使平坦層上的觸控信號線接觸孔向遠離第一漏極接觸孔的方向移動，由于形成平坦層過孔的顯影液不會腐蝕第一鈍化層，因而平坦層成孔時便不會腐蝕到觸控信號線的側(cè)邊；若平坦層上的過孔采用干刻工藝形成，一方面，干刻工藝形成的過孔關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，另一方面，即使平坦層上的觸控信號線接觸孔向遠離第一漏極接觸孔的方向移動，干刻工藝所采用的刻蝕氣體也不會腐蝕到觸控信號線，因而在金屬層上形成第一鈍化層，第一鈍化層采用干刻工藝形成可確保第一漏極接觸孔與觸控信號線接觸孔不連接，且不影響觸控電極和觸控信號線的搭接。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖2(a)為圖1(b)中A點放大示意圖一；

圖2(b)為圖1(b)中A點放大示意圖二；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5(a)為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成金屬層、第一鈍化層和平坦層的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖5(b)為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成金屬層、第一鈍化層和平坦層的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一鈍化層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(a)為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一鈍化層薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(b)為本發(fā)明實施例提供的一種在襯底基板上形成第一鈍化層薄膜和平坦層薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9(a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖9(b)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖10(a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖10(b)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖11(a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖11(b)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖七。

附圖標記：

10-襯底基板；20-漏極；201-第一漏極接觸孔；2011-第一子漏極接觸孔；2012-第二子漏極接觸孔；202-第二漏極接觸孔；30-觸控信號線；301-觸控信號線接觸孔；3011-第一觸控信號線接觸孔；3012-第二觸控信號線接觸孔；40-平坦層；50-觸控電極；60-第二鈍化層(鈍化層)；70-像素電極；80-第一鈍化層；90-第一鈍化層薄膜；100-平坦層薄膜；110-遮光圖案；120-緩沖層；130-有源層；140-柵絕緣層；150-柵極；160-中間介電層；170-源極。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖3所示，包括：

S100、如圖4所示，在襯底基板10上形成金屬層，金屬層包括漏極20和觸控信號線30。

此處，對于漏極20和觸控信號線30的材料不進行限定，漏極20和觸控信號線30的材料可以相同，也可以不同。當漏極20和觸控信號線30的材料不同時，可以先形成漏極20，再形成觸控信號線30；也可以先形成觸控信號線30，再形成漏極20。

在此基礎(chǔ)上，由于觸控信號線30通常由金屬材料形成，因而也可以將觸控信號線30稱為觸控金屬圖案(Touch pattern Metal，簡稱TPM)。由于Ti/Al/Ti疊層材料的導(dǎo)電性能好，因而本發(fā)明實施例優(yōu)選觸控信號線30的材料為Ti/Al/Ti疊層材料。

需要說明的是，本發(fā)明實施例可以在形成漏極20的同時形成源極，本發(fā)明說明書附圖4未示意出源極。

S101、如圖5(a)和圖5(b)所示，形成第一鈍化層80和平坦層40，第一鈍化層80和平坦層40上具有第一漏極接觸孔201和觸控信號線接觸孔301，以分別露出漏極20和觸控信號線30；其中，第一鈍化層80靠近金屬層，且第一鈍化層80通過干刻工藝形成。

其中，用于和漏極接觸的過孔稱為漏極接觸孔，用于和觸控信號線30接觸的過孔稱為觸控信號線接觸孔301。

此處，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，鈍化層(Passivation，簡稱PVX)的材料一般為氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)中的至少一種。平坦層(Planarization，簡稱PLN)40的材料一般為有機材料，具體的，平坦層40的材料例如可以包括亞克力。

此外，第一鈍化層80上的過孔和平坦層40上的過孔可以如圖5(a)所示通過一次構(gòu)圖同時形成；也可以如圖5(b)所示，先形成第一鈍化層80上的過孔，再形成平坦層40上的過孔。當?shù)谝烩g化層80上的過孔和平坦層40上的過孔通過一次同時形成時，由于第一鈍化層80通過干刻工藝形成，因而第一鈍化層80和平坦層40同時通過干刻工藝形成。當先形成第一鈍化層80上的過孔，再形成平坦層40上的過孔時，對于平坦層40可以采用干刻工藝形成，也可以采用曝光、顯影工藝形成，對此不進行限定。

基于上述，需要說明的是，相對于濕刻工藝和曝光、顯影工藝，干刻工藝能夠更精確地管控過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度。

S102、如圖6所示，形成觸控電極50，觸控電極50穿過第一鈍化層80和平坦層40上的觸控信號線接觸孔301與觸控信號線30相連接。

其中，對于觸控電極50的材料不進行限定，只要是透明材料即可。示例的，觸控電極50的材料可以是ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)或FTO(Fluorine-Doped Tin Oxide，氟摻雜二氧化錫)中的至少一種。在觸摸時，觸控電極50可以將觸控信號傳遞給觸控信號線30。此處，公共電極可以相當于觸控電極50，公共電極的材料可以為ITO，稱為common ITO，簡稱C-ITO。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，由于金屬層上形成有第一鈍化層80和平坦層40，第一鈍化層80通過干刻工藝形成，而干刻工藝對過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，因而可以避免第一鈍化層80上的第一漏極接觸孔201和觸控信號線接觸孔301連通。

在此基礎(chǔ)上，在第一鈍化層80上形成平坦層40，若平坦層40上的過孔采用曝光、顯影工藝形成，即使平坦層40上的觸控信號線接觸孔301向遠離第一漏極接觸孔201的方向移動，由于形成平坦層40過孔的顯影液不會腐蝕第一鈍化層80，因而平坦層40成孔時便不會腐蝕到觸控信號線30的側(cè)邊；若平坦層40上的過孔采用干刻工藝形成，一方面，干刻工藝形成的過孔關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，另一方面，即使平坦層40上的觸控信號線接觸孔301向遠離第一漏極接觸孔201的方向移動，干刻工藝所采用的刻蝕氣體也不會腐蝕到觸控信號線30，因而在金屬層上形成第一鈍化層80，第一鈍化層80采用干刻工藝形成可確保第一漏極接觸孔201與觸控信號線接觸孔301不連接，且不影響觸控電極50和觸控信號線30的搭接。

可選的，步驟S101具體包括：

S200、如圖7所示，利用干刻工藝形成第一鈍化層80，第一鈍化層80具有第一觸控信號線接觸孔3011和第一子漏極接觸孔2011。

此處，形成第一鈍化層80具體可以是：先在金屬層上形成一層第一鈍化層薄膜，再利用曝光、顯影以及刻蝕工藝形成第一鈍化層80。可以利用氣相沉積法形成第一鈍化層薄膜。

其中，干法刻蝕工藝包括光子束刻蝕、中子刻蝕和等離子刻蝕等多種形式。此處，對于干刻工藝的具體類型不進行限定，可以根據(jù)第一鈍化層80的材料選擇相應(yīng)的干刻工藝。由于鈍化層的材料一般為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種，因而鈍化層常使用等離子刻蝕工藝形成。

S201、如圖5(b)所示，形成平坦層40，平坦層40具有第二觸控信號線接觸孔3012和第二子漏極接觸孔2012；其中，第一觸控信號線接觸孔3011和第二觸控信號線接觸孔3012連通，以形成觸控信號線接觸孔301，第一子漏極接觸孔2011和第二子漏極接觸孔2012連通，以形成第一漏極接觸孔201。

此處，平坦層40可以采用干刻工藝形成，也可以采用曝光、顯影工藝形成，對此不進行限定。

當平坦層40采用干刻工藝形成時，可以先在第一鈍化層80上形成一層平坦層薄膜，并對平坦層薄膜進行固化，之后再利用曝光、顯影、刻蝕工藝形成平坦層40；當平坦層40采用曝光、顯影工藝形成時，可以先在第一鈍化層80上一層平坦層薄膜，再利用曝光、顯影工藝形成平坦層40，為了避免平坦層40上的第二觸控信號線接觸孔3012和第二子漏極接觸孔2012接觸，因而在實際制作時可以將第二觸控信號線接觸孔3012向遠離第二子漏極接觸孔2012的方向移動。由于顯影液不能刻蝕第一鈍化層80，因而即使第二觸控信號線接觸孔3012移動后，也不會腐蝕到觸控信號線30的側(cè)邊，當觸控信號線30為Ti/Al/Ti疊層材料時，因而顯影液不會腐蝕到Al。

本發(fā)明實施例，由于第一鈍化層80通過干刻工藝形成，而干刻工藝可以對過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度進行精確控制，因而可以避免第一鈍化層80上的第一子漏極接觸孔2011和第一觸控信號線接觸孔3011連通。此外，當在第一鈍化層80上再形成平坦層40時，若平坦層40采用曝光、顯影工藝形成，即使第二觸控信號線接觸孔3012向遠離第二子漏極接觸孔2012的方向移動，由于形成平坦層40的顯影液不會腐蝕第一鈍化層80，因而形成平坦層40時便不會腐蝕觸控信號線30的側(cè)邊。

進一步優(yōu)選的，步驟S201具體包括：通過曝光、顯影工藝形成平坦層40。

本發(fā)明實施例，由于平坦層40的材料一般為有機材料，如亞克力，因而通過鍍膜、曝光以及顯影工藝便可以直接形成平坦層40。

可選的，步驟S101具體包括：

S300、如圖8(a)所示，形成第一鈍化層薄膜90。

其中，對于第一鈍化層薄膜90的材料不進行限定，可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

在此基礎(chǔ)上，可以通過氣相沉積法形成第一鈍化層薄膜90。

S301、如圖8(b)所示，形成平坦層薄膜100，對平坦層薄膜100進行固化。

此處，可以利用噴涂或涂覆工藝形成平坦層薄膜100。

需要說明的是，由于平坦層薄膜100的材料一般為有機材料，因而需要對平坦層薄膜100進行固化。在此基礎(chǔ)上，對于如何對平坦層薄膜100進行固化不進行限定，例如可以采用紫外固化或熱固化等方法。

S302、如圖5(a)所示，利用干刻工藝同時對第一鈍化層薄膜90和固化后的平坦層薄膜100進行刻蝕，以形成觸控信號線接觸孔301和第一漏極接觸孔201。

本發(fā)明實施例，利用干刻工藝同時對第一鈍化層薄膜90和固化后的平坦層薄膜100進行刻蝕，以形成觸控信號線接觸孔301和第一漏極接觸孔201，由于干刻易于控制過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度，因而可以避免觸控信號線接觸孔301和第一漏極接觸孔201連通，且即使觸控信號線接觸孔301向遠離第一漏極接觸孔201偏移，當觸控信號線30的材料為Ti/Al/Ti疊層材料時，干刻工藝采用的刻蝕氣體也不會腐蝕觸控信號線30中的Al。

在此基礎(chǔ)上，相對于分別刻蝕第一鈍化層薄膜90和平坦層薄膜100，本發(fā)明實施例同時對第一鈍化層薄膜90和固化后的平坦層薄膜100進行刻蝕可以節(jié)省一張掩膜板(Mask)，簡化了陣列基板的制作工藝。

優(yōu)選的，第一鈍化層80的厚度小于平坦層40的厚度。

由于膜層的厚度越小，膜層上形成的過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度越易于控制，因而本發(fā)明實施例優(yōu)選第一鈍化層80的厚度小于平坦層40的厚度，這樣在第一鈍化層80上形成第一觸控信號線接觸孔3011和第一子漏極接觸孔2011時，可以避免第一觸控信號線接觸孔3011和第一子漏極接觸孔2011連通。

優(yōu)選的，在形成觸控電極50之后，上述方法還包括：

S400、如圖9(a)和圖9(b)所示，形成第二鈍化層60，第二鈍化層60具有第二漏極接觸孔202，第一漏極接觸孔201與第二漏極接觸孔202連通。

其中，第二鈍化層60和第一鈍化層80的材料可以相同，也可以不同。

此處，可以通過曝光、顯影及刻蝕工藝形成第二鈍化層60上的第二漏極接觸孔202。在利用干刻工藝分別形成第二鈍化層60上的第二漏極接觸孔202和第一鈍化層80上的過孔時，可以使用相同的刻蝕氣體，只需根據(jù)第一鈍化層80和第二鈍化層60的厚度來調(diào)整刻蝕時間即可。

S401、如圖10(a)和圖10(b)所示，形成像素電極70，像素電極70穿過第一漏極接觸孔201和第二漏極接觸孔202與漏極20相連接。

其中，對于像素電極70的材料不進行限定，例如可以是IZO、IIO或P-ITO(多晶硅氧化銦錫)中的至少一種。

此處，漏極20與像素電極70相連接，用于為像素電極70提供驅(qū)動信號。

本發(fā)明實施例中可以利用觸控電極50和像素電極70作為陣列基板的驅(qū)動電極和感應(yīng)電極。

優(yōu)選的，如圖11(a)和圖11(b)所示，在形成金屬層之前，上述方法還包括：

S501、在襯底基板10上形成遮光圖案110；遮光圖案110位于陣列基板的像素界定區(qū)。

此處，可以先通過濺鍍法或蒸鍍法沉積遮光薄膜，再根據(jù)需要通過構(gòu)圖工藝形成遮光圖案110。

其中，當陣列基板為LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)陣列基板時，像素界定區(qū)即指非透光區(qū)域；當陣列基板為OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機電致發(fā)光二極管顯示器)陣列基板時，像素界定區(qū)即指非發(fā)光區(qū)域。

S502、在形成有遮光圖案110的襯底基板10上形成緩沖層120(Buffer)。

其中，緩沖層120的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

S503、在形成有緩沖層120的襯底基板10上形成有源層130。

S504、在形成有有源層130的襯底基板10上形成柵絕緣層140(Gate Insulator，簡稱GI)。

其中，柵絕緣層140的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。此處，可以通過化學(xué)氣相沉積法形成柵絕緣層140。

S505、在形成有柵絕緣層140上的襯底基板10上形成柵極(Gate)150。

此處，可以通過濺鍍法或蒸鍍法沉積形成柵極薄膜，并根據(jù)需要通過構(gòu)圖工藝形成柵極150。

S506、在形成有柵極150的襯底基板10上形成中間介電層160(Inter-layer Dielectric，簡稱ILD)；漏極20穿過中間介電層160和柵絕緣層140與有源層130接觸。

其中，對于中間介電層160的材料不進行限定，例如可以為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的至少一種。

此處，可以通過干刻工藝形成中間介電層160和柵絕緣層140上的過孔。

需要說明的是，如圖11(a)和圖11(b)所示，源極170可以和漏極20同時形成，源極170穿過中間介電層160和柵絕緣層140與有源層130接觸。

本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板，如圖6、圖9-圖11所示，包括襯底基板10以及依次設(shè)置在襯底基板10上的金屬層、第一鈍化層80、平坦層40和觸控電極50；金屬層包括源極170、漏極20和觸控信號線30。其中，第一鈍化層80和平坦層40上具有第一漏極接觸孔201和觸控信號線接觸孔301，觸控電極50穿過觸控信號線接觸孔301與觸控信號線30相連接；第一鈍化層80通過干刻工藝形成。

其中，第一鈍化層80和平坦層40可以通過一次構(gòu)圖工藝同時形成，也可以先形成第一鈍化層80，再形成平坦層40。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，由于金屬層上形成有第一鈍化層80和平坦層40，第一鈍化層80通過干刻工藝形成，而干刻工藝對過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，因而可以避免第一鈍化層80上的第一漏極接觸孔201和觸控信號線接觸孔301連通。

在此基礎(chǔ)上，在第一鈍化層80上形成平坦層40，若平坦層40上的過孔采用曝光、顯影工藝形成，即使平坦層40上的觸控信號線接觸孔301向遠離第一漏極接觸孔201的方向移動，由于形成平坦層40過孔的顯影液不會腐蝕第一鈍化層80，因而平坦層40成孔時便不會腐蝕到觸控信號線30的側(cè)邊；若平坦層40上的過孔采用干刻工藝形成，一方面，干刻工藝形成的過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，另一方面，即使平坦層40上的觸控信號線接觸孔301向遠離第一漏極接觸孔201的方向移動，干刻工藝所采用的刻蝕氣體也不會腐蝕到觸控信號線30，因而在金屬層上形成第一鈍化層80，第一鈍化層80采用干刻工藝形成可確保第一漏極接觸孔201與觸控信號線接觸孔301不連接，且不影響觸控電極50和觸控信號線30的搭接。

優(yōu)選的，如圖10和圖11所示，陣列基板還包括設(shè)置在觸控電極50上的第二鈍化層60和像素電極70；第二鈍化層60具有第二漏極接觸孔202，第一漏極接觸孔201和第二漏極接觸孔202連通，像素電極70穿過第一漏極接觸孔201和第二漏極接觸孔202與漏極20相連接。

其中，第二鈍化層60和第一鈍化層80的材料可以相同，也可以不同。

此處，對于像素電極70的材料不進行限定，例如可以是IZO、IIO或P-ITO(多晶硅氧化銦錫)中的至少一種。

本發(fā)明實施例，漏極20與像素電極70相連接，可以為像素電極70提供驅(qū)動信號。

優(yōu)選的，如圖11(a)和圖11(b)所示，陣列基板還包括依次設(shè)置在襯底基板10和金屬層之間的遮光圖案110、緩沖層120、有源層130、柵絕緣層140、柵極150和中間介電層160；其中，源極170和漏極20穿過中間介電層160和柵絕緣層140上的過孔與有源層130接觸，遮光圖案110靠近襯底基板10設(shè)置。

其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，遮光圖案110應(yīng)設(shè)置在陣列基板的像素界定區(qū)。

此處，可以通過干刻工藝形成中間介電層160和柵絕緣層140上的過孔。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

其中，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置可以是顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置。更明確地說，預(yù)期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式或便攜式計算機、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機、MP4視頻播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、導(dǎo)航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，對于一件珠寶的圖像的顯示器)等，此外，顯示裝置還可以是顯示面板。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，顯示裝置包括上述的陣列基板，由于金屬層上形成有第一鈍化層80和平坦層40，第一鈍化層80通過干刻工藝形成，而干刻工藝對過孔的關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，因而可以避免第一鈍化層80上的第一漏極接觸孔201和觸控信號線接觸孔301連通。

在此基礎(chǔ)上，在第一鈍化層80上形成平坦層40，若平坦層40上的過孔采用曝光、顯影工藝形成，即使平坦層40上的觸控信號線接觸孔向遠離第一漏極接觸孔201的方向移動，由于形成平坦層40過孔的顯影液不會腐蝕第一鈍化層80，因而平坦層40成孔時便不會腐蝕到觸控信號線30的側(cè)邊；若平坦層40上的過孔采用干刻工藝形成，一方面，干刻工藝形成的過孔關(guān)鍵尺寸、角度以及與其它孔的重疊程度易于控制，另一方面，即使平坦層40上的觸控信號線接觸孔301向遠離第一漏極接觸孔201的方向移動，干刻工藝所采用的刻蝕氣體也不會腐蝕到觸控信號線30，因而在金屬層上形成第一鈍化層80，第一鈍化層80采用干刻工藝形成可確保第一漏極接觸孔201與觸控信號線接觸孔301不連接，且不影響觸控電極50和觸控信號線30的搭接。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。