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半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號(hào):11289834閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的目的之一是提供包括氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置,其具有穩(wěn)定的電特性和改進(jìn)的可靠性。在包括氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管中,通過分別使用含有第13族元素及氧的材料形成與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜,能夠保持與氧化物半導(dǎo)體膜的界面的良好狀態(tài)。再者,通過該絕緣膜分別包括氧比例多于化學(xué)計(jì)量組成中氧比例的區(qū)域,向氧化物半導(dǎo)體膜供應(yīng)氧,從而能夠降低氧化物半導(dǎo)體膜中的氧缺陷。此外,通過與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜分別采用疊層結(jié)構(gòu),使得在氧化物半導(dǎo)體膜之上以及之下設(shè)置分別含有鋁的膜,能夠防止水侵入到氧化物半導(dǎo)體膜中。

技術(shù)研發(fā)人員:山崎舜平
受保護(hù)的技術(shù)使用者:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日:2011.06.20
技術(shù)公布日:2017.09.22
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