本公開涉及一種用于有機發(fā)光二極管(oled)器件的光提取基底以及包括其的oled器件。更具體地，本公開涉及一種用于oled器件的光提取基底以及包括其的oled器件，其中，光提取基底可改善光提取效率并可有助于oled中可靠性的實現(xiàn)。
背景技術：
：通常，發(fā)光器件可以被劃分為具有由有機材料形成的發(fā)光層的有機發(fā)光二極管(oled)器件和具有由無機材料形成的發(fā)光層的無機發(fā)光器件。在oled器件中，oled是基于經(jīng)電子注入電極(陰極)注入的電子和經(jīng)空穴注入電極(陽極)注入的空穴的復合在有機發(fā)光層中產(chǎn)生的激子的輻射衰減的自發(fā)光光源。oled具有一系列的優(yōu)點，諸如低電壓驅動、光的自發(fā)射、寬視角、高分辨率、自然色彩再現(xiàn)性和快速響應速率。近來，已經(jīng)對oled應用于便攜式信息裝置、照相機、時鐘、手表、辦公設備、用于車輛等的信息顯示裝置、電視(tv)、顯示裝置和照明系統(tǒng)等積極地進行了研究。為了改善這種上述oled器件的發(fā)光效率，有必要改善形成發(fā)光層的材料的發(fā)光效率或者光提取效率(即，由發(fā)光層產(chǎn)生的光被提取的效率)。oled器件的光提取效率取決于oled層的折射率。在典型的oled器件中，當由發(fā)光層產(chǎn)生的光束以大于臨界角的角度發(fā)射時，該光束會在諸如用作陽極的透明電極層的折射率較高的層與諸如玻璃基底的折射率較低的層之間的界面處被全反射。這會因此降低光提取效率，從而降低了oled器件的整體發(fā)光效率，這是有問題的。更詳細地進行描述，由oled產(chǎn)生的光中的僅大約20％是從oled器件發(fā)射的而產(chǎn)生的光中的大約80％由于波導效應和全內反射而損失，其中，波導效應源自于玻璃基底、陽極和有機發(fā)光層(由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層組成)的不同的折射率，全內反射源自于玻璃基底和環(huán)境大氣之間的折射率的差異。這里，內部有機發(fā)光層的折射率在從1.7至1.8的范圍，而通常用在陽極中的氧化銦錫(ito)的折射率為大約1.9。由于這兩個層具有范圍為200nm到400nm的顯著低的厚度，并且用于玻璃基底的玻璃的折射率為大約1.5，從而在oled器件內部形成平面波導。計算出由于上述原因在內部波導模式中損失的光的比率為大約45％。另外，由于玻璃基底的折射率為大約1.5以及環(huán)境大氣的折射率為1.0，所以當光從玻璃基底的內部出射時，入射角大于臨界角的光束會被全反射并被俘獲在玻璃基底內部。被俘獲的光的比率為大約35％。因此，僅可以從oled器件發(fā)射所產(chǎn)生的光的大約20％。為了克服這樣的問題，已經(jīng)積極研究了光提取層，通過光提取層可以提取否則將在內部波導模式中損失的光的80％。光提取層通常被分類為內部光提取層和外部光提取層。在外部光提取層的情況下，能夠通過在基底的外表面上設置包括微透鏡的膜來改善光提取效率，微透鏡的形狀是從各種形狀之中選擇的。光提取效率的這種改善不明顯依賴于微透鏡的形狀。另一方面，內部光提取層直接提取否則將在光波導模式中損失的光。因此，內部光提取層改善光提取效率的能力可以高于外部光提取層改善光提取效率的能力。然而，使用內部光提取層來改善光提取效率的效果相對于向外發(fā)射的光的量仍然是不明顯的。因此，需要積極研究進一步改善光提取效率的方法或技術。技術實現(xiàn)要素：技術問題因此，考慮到現(xiàn)有技術中出現(xiàn)的上述問題而提出了本公開，本公開提出一種用于有機發(fā)光二極管(oled)的光提取基底以及包括其的oled器件，其中，光提取基底可改善光提取效率并可有助于oled中可靠性的實現(xiàn)。技術方案根據(jù)本公開的方面，用于有機發(fā)光器件的光提取基底可包括：基體基底；散射層，設置在基體基底上，散射層由tio2形成，多個空隙作為第一光散射元件形成在散射層內；平坦化層，設置在散射層上。散射層被與形成平坦化層的平坦化形成材料相同的材料滲透。散射層可包括尺寸為從30nm至50nm的范圍的結晶固體tio2。散射層可包括聚集體，結晶固體中的多個結晶固體被聚集以形成尺寸可以為從0.3μm至630μm的范圍或者可以為從0.035μm至53μm的范圍的各個聚集體。散射層可包括結晶固體tio2，結晶固體被聚集以形成不規(guī)則形狀的聚集體。聚集體中的每個可具有樹枝狀形狀或棒狀形狀。第一光散射元件可具有不規(guī)則的形狀。滲透散射材料的滲透材料可填充第一光散射元件的一部分。散射層可包括設置在散射層內的作為第二光散射元件的多個顆粒。第一光散射元件的面積與散射層和平坦化層的總面積的比值可以在從1.6％至13.2％的范圍。第一光散射元件的面積與散射層的總面積的比值可以在從6％至20％的范圍。散射層可包括頂半部和底半部，第一光散射元件在底半部中占據(jù)的面積的比率比第一光散射元件在頂半部中占據(jù)的面積的比率高。第一光散射元件在底半部中占據(jù)的面積的比率可以是第一光散射元件在頂半部中占據(jù)的面積的比率的兩倍至六倍。第一光散射元件在底半部中占據(jù)的面積與底半部的總面積的比值可以在從14％至18％的范圍。第一光散射元件在頂半部中占據(jù)的面積與頂半部的總面積的比值可以在從3％至8％的范圍。第二光散射元件可設置在底半部內。第二光散射元件可以由從由sio2、tio2、zno和sno2組成的候選組中選擇的一種金屬氧化物或者至少兩種金屬氧化物的組合形成。第二光散射元件中的每個可包括僅具有單一折射率的單一部或者具有不同折射率的多重部。多重部可包括核以及圍繞該核的殼，殼具有與核的折射率不同的折射率。核可以是中空的空間。平坦化層可由有機/無機混合聚合物形成。基體基底可以是柔性基底?；w基底可以是具有1.5mm或更小的厚度的薄玻璃片。根據(jù)本公開的方面，一種有機發(fā)光器件可包括：有機發(fā)光二極管；如權利要求1至權利要求23中的任意一項權利要求所述的光提取基底，設置在由有機發(fā)光二極管發(fā)射的光出射的路徑上。有益效果根據(jù)本公開，由于用于所述多個光散射元件的散射層由tio2形成，因此可在散射層內形成具有可使光散射的尺寸的多個不規(guī)則形狀的空隙。另外，根據(jù)本公開，由于由有機/無機混合聚合物形成的平坦化層設置在散射層上，因此當光散射基底用在oled器件中時，可防止oled器件的電特性的劣化。另外，由于有機/無機混合聚合物的一部分可滲透到散射層中以占據(jù)具有由散射層的多孔結構誘導的開口結構的多個空隙的部分，空隙的不設置有有機/無機混合聚合物的剩余部分，即，空隙的被散射層和有機/無機混合聚合物圍繞的部分具有封閉的結構。因此，空隙的具有封閉結構的部分可用作折射率為1的光散射元件。另外，根據(jù)本公開，空隙形狀的光散射元件分別具有多折射率的核-殼結構。具體地，核是中空的空間。這些特征可進一步改善oled器件的光提取效率。根據(jù)本公開，因此能夠改善oled器件的光提取效率并有助于oled器件中可靠性的實現(xiàn)。附圖說明圖1是示意性地示出根據(jù)示例性實施例的用于oled器件的光提取基底以及具有光提取基底位于光出射的路徑上的oled器件的剖視圖。圖2和圖3是形成有根據(jù)示例性實施例的散射層的tio2的電子顯微鏡圖像。圖4是示出對樹枝狀結晶固體執(zhí)行顆粒尺寸分析的結果的曲線圖。圖5是示出對棒狀結晶固體執(zhí)行顆粒尺寸分析的結果的曲線圖。圖6是用于根據(jù)示例性實施例的oled器件的光提取基底的剖面的電子顯微鏡圖像。圖7是示出當對樣品#1、樣品#2和樣品#5執(zhí)行fib分析時的分析點的概念圖。圖8示出樣品#1的點9的分析圖像。圖9示出樣品#2的點9的分析圖像。圖10示出樣品#5的點9的分析圖像。圖11示出位于樣品#1的十字線上的點的分析圖像。圖12示出位于樣品#2的十字線上的點的分析圖像。圖13示出位于樣品#5的十字線上的點的分析圖像。圖14是空隙(通過如上所述的圖像分析來計算其面積)被轉換成具有相同面積的圓的情況的柱狀圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖詳細地描述根據(jù)示例性實施例的用于有機發(fā)光二極管(oled)器件的光提取基底以及包括其的oled器件。在下面的公開中，在本公開的主題會由于其中的內含物而不清楚的情況下，將省略包括在本公開中的已知功能和組件的詳細描述。如圖1中所示，根據(jù)示例性實施例的用于oled器件的光提取基底(在下文中，稱作“光提取基底”)100是設置在由oled10產(chǎn)生的光出射的路徑上的基底，用以改善oled10的光提取效率。另外，光提取基底100是保護oled10免受外部環(huán)境影響的基底。oled10可被用作照明裝置的光源。雖然未具體示出，但是oled具有由陽極、有機發(fā)光層和陰極組成的多層結構，該多層結構夾在用于包封oled10的根據(jù)示例性實施例的光提取基底100與面對光提取基底100的另一基底之間。陽極可由諸如au、in、sn或氧化銦錫(ito)的具有較高逸出功的金屬或金屬氧化物形成，以促進空穴注入。陰極可以是由具有較低逸出功的al、al:li或mg:ag形成的金屬薄膜，以促進電子注入。有機發(fā)光層可包括順序堆疊在陽極上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。當oled是用于照明的白色oled時，發(fā)光層可具有由例如發(fā)射藍色光的高分子發(fā)光層和發(fā)射橙紅色光的低分子發(fā)光層組成的多層結構。另外，可使用發(fā)射白光的各種其它結構。oled也可具有其中多個有機發(fā)光層與相互連接的層(未示出)交替的串列式結構。在該結構中，當在陽極與陰極之間感生正向電壓時，電子從陰極穿過電子注入層和電子傳輸層被傳輸?shù)桨l(fā)射層，同時空穴從陽極穿過空穴注入層和空穴傳輸層被傳輸發(fā)射層。已經(jīng)遷移到發(fā)射層中的電子和空穴彼此復合，從而產(chǎn)生激子。當這些激子從激發(fā)態(tài)轉變到基態(tài)時，發(fā)射光。發(fā)射的光的亮度與在陽極與陰極之間流動的電流量成比例。用于改善oled10的光提取效率的光提取基底100包括基體基底110、散射層120、多個第一光散射元件130和平坦化層150。根據(jù)示例性實施例的光提取基底100還包括多個第二光散射元件140?；w基底110支撐設置在其一個表面上的散射層120、多個第一光散射元件130、多個第二光散射元件140和平坦化層150?；w基底110設置在oled10的前部上，即，設置在由oled10發(fā)射的光出射的路徑上，以允許發(fā)射的光出射，同時用作用于保護oled10免受外部環(huán)境影響的包封基底?；w基底110可以是由具有優(yōu)異的透光率和優(yōu)異的機械性質的任意透明材料形成的透明基底。例如，基體基底110可以由諸如可熱固化或可紫外(uv)固化的有機膜的聚合材料形成?？蛇x擇地，基體基底110可以由諸如鈉鈣玻璃(sio2-cao-na2o)或鋁硅酸鹽玻璃(sio2-al2o3-na2o)的化學增強玻璃形成。當包括根據(jù)示例性實施例的光提取基底100的oled器件用于照明時，基體基底110可以由鈉鈣玻璃形成。基體基底110也可以是由金屬氧化物或金屬氮化物形成的基底。根據(jù)示例性實施例，基體基底110可以是柔性基底，更具體地，可以是厚度為1.5mm或更小的薄玻璃片?？梢允褂萌廴诠に嚮蚋》üに噥碇圃焖霰〔ＡＩ⑸鋵?20是提供定位有多個第一光散射元件130的空間同時將多個第二光散射元件140固定到基體基底110的基質層。根據(jù)示例性實施例，散射層120由tio2形成。雖然散射層120已經(jīng)被描述為由金紅石tio2形成，但是根據(jù)示例性實施例的散射層120不具體限于金紅石tio2。相反，根據(jù)示例性實施例的散射層120可由銳鈦礦tio2形成。金紅石tio2形成多孔結構。當散射層120由多孔金紅石tio2形成時，具有可以使多個空隙散射光的尺寸的多個空隙，即，折射率為零的多個第一光散射元件130在形成散射層120的工藝期間形成在散射層120內。即，金紅石tio2是誘導多個第一光散射元件130以空隙的形式形成的多孔材料。形成散射層120的tio2是折射率為2.5至2.7的高折射率(hri)金屬氧化物。當具有1的低折射率的多個第一光散射元件130和具有不同折射率的多個第二光散射元件140形成在散射層120中時，形成諸如高-低折射率結構或者高-低-高折射率結構的復雜化的折射率結構。當如上所述的復雜化的多折射率結構設置在由oled10發(fā)射的光出射的路徑上時，可使oled10的光提取效率最大化。根據(jù)示例性實施例，散射層120的tio2結晶固體可具有不規(guī)則的形狀。例如，如圖2的電子顯微鏡圖像中所示，散射層120的tio2結晶固體可具有樹枝狀形狀，其中，30nm至50nm尺寸的多面體各向異性地連接。另外，如圖3的電子顯微鏡圖像中所示，散射層120的tio2結晶固體可以是寬度為20nm至30nm且長度為80nm至120nm的棒狀結晶固體。參照圖4的顆粒尺寸分析的結果，測得分別由預定數(shù)量的樹枝狀結晶固體組成的聚集體的尺寸為0.3μm至630μm。另外，參照圖5的顆粒尺寸分析的結果，測得分別由預定數(shù)量的棒狀結晶固體組成的聚集體的尺寸為0.035μm至53μm。tio2結晶固體的形狀可由分散有金紅石tio2的有機溶劑確定。當tio2結晶固體具有如上所述的樹枝狀形狀或棒狀形狀時，由tio2誘導的多個第一光散射元件130也可具有能夠使光散射最大化的各種形狀和尺寸。多個第一光散射元件130形成在散射層120中。多個第一光散射元件130是在燒制散射層120的金紅石tio2的工藝期間形成的空隙。因此，根據(jù)tio2結晶固體的形狀，多個第一光散射元件130被形成為具有各種形狀和尺寸的空隙。根據(jù)示例性實施例，tio2結晶固體具有諸如樹枝狀形狀或棒狀形狀的不規(guī)則的形狀，從而將不規(guī)則形狀賦予到多個第一光散射元件130。當如上所述的所述多個第一光散射元件130形成在散射層120內時，所述多個空隙形狀的第一光散射元件130用于使平均折射率降低，而不是用作具有折射率為1的光散射元件，從而降低有效的折射率。具體地，由于由金紅石tio2形成的散射層120具有多孔結構，因此具有開口結構的所述多個第一光散射元件130形成在散射層120內。因此，所述多個第一光散射元件130用作散射層120的多孔結構的部分，而不是用作折射率為1的單獨的光散射元件。在這種情況下，由于具有開口結構的所述多個第一光散射元件130的折射率和金紅石tio2的復雜影響，使得散射層120的平均有效折射率降低。這對光提取效率的改善而言不是顯著的貢獻。根據(jù)示例性實施例，散射層120被與平坦化形成材料(平坦化層150由之形成)相同的材料滲透。滲透材料位于散射層120中，以占據(jù)所述多個第一光散射元件130的部分，從而將所述多個第一光散射元件130的開口結構轉化成閉合結構。因此，所述多個第一光散射元件130的不設置有滲透材料的剩余部分，即，所述多個第一光散射元件130的被散射層120和滲透材料圍繞的部分可用作折射率為1的光散射元件，從而引起與散射層120顯著不同的折射率。所述多個第一光散射元件130與所述多個第二光散射元件140一起引起與散射層120折射率的不同，同時提供了復雜化的散射結構，從而使oled10的光提取效率的改善最大化。根據(jù)示例性實施例，所述多個第一光散射元件130的面積與散射層120和平坦化層150的總面積的比可以在從1.6％至13.2％的范圍。所述多個第一光散射元件130的面積的比率可在散射層120的面積的從6％至20％的范圍。在以上提及的范圍中，所述多個第一光散射元件130的面積越寬，可實現(xiàn)oled10的越大的光提取效率。這可因此減少相對昂貴的第二光散射元件140的需求量，從而降低制造成本。由散射層120的金紅石tio2誘導的所述多個第一光散射元件130根據(jù)在散射層120中的位置占據(jù)不同的面積。散射層120可由頂半層121和底半層122組成。所述多個第一光散射元件130在底半層122中占據(jù)的面積的比率高于所述多個第一光散射元件130在頂半層121中占據(jù)的面積的比率。具體地，所述多個第一光散射元件130在底半層122中占據(jù)的面積的比率可以是所述多個第一光散射元件130在頂半層121中占據(jù)的面積的比率的兩倍至六倍。例如，所述多個第一光散射元件130在底半層122中占據(jù)的面積的比率可在底半層122的面積的14％至18％的范圍，而所述多個第一光散射元件130在頂半層121中占據(jù)的面積的比率可以在頂半層121的面積的3％至8％的范圍。如上所述，所述多個第一光散射元件130在底半層122中所占據(jù)的面積的比率是所述多個第一光散射元件130在頂半層121中所占據(jù)的面積的比率的兩倍至六倍。所述多個第二光散射元件140設置在散射層120內，更具體地，設置在散射層120的底半層122內。顆粒形式的所述多個第二光散射元件140與空隙形式的所述多個第一光散射元件130一起提供復雜化的光散射結構。所述多個第二光散射元件140可在與散射層120的材料一起被施用到基體基底110之前通過溶膠-凝膠方法與散射層120的材料混合。以這種方式，可在基體基底110上設置或形成所述多個第二光散射元件140?？蛇x擇地，先于散射層120的形成，可通過與形成散射層120的工藝獨立的工藝在基體基底110上設置所述多個第二光散射元件140，然后可用散射層120覆蓋所述多個第二光散射元件140。根據(jù)示例性實施例，所述多個第二光散射元件140可由從由sio2、tio2、zno和sno2組成的候選組中選擇的一種金屬氧化物或者至少兩種金屬氧化物的組合形成。顆粒形式的所述多個第二光散射元件140可具有多折射率結構。例如，顆粒形式的所述多個第二光散射元件140中的每個可具有由具有不同折射率的核141和殼142組成的核-殼結構。核141可以是中空的空間?；诤?41與殼142之間的折射率差異，具有核-殼結構的所述多個第二光散射元件140可進一步改善提取由oled10發(fā)射的光的效率。設置在散射層120內的所述多個第二光散射元件140全部可以是具有核-殼結構的顆?；蛘呔哂袉我徽凵渎实念w粒。所述多個第二光散射元件140可以是分別具有諸如核-殼結構的多折射率結構的顆粒與具有單一折射率的顆粒的混合物。如上所述，設置在散射層120內的所述多個第二光散射元件140與散射層120、所述多個第一光散射元件130和平坦化層150一起提供oled的內部光提取層(ilel)。即，所述多個第二光散射元件140提供與散射層120不同的折射率，同時與所述多個第一光散射元件130一起使由oled10發(fā)射的光出射的路徑多樣化，從而改善oled10的光提取效率。平坦化層150設置在散射層120上。如上所述，當大量的多個第一光散射元件130設置在散射層120內時，所述多個第一光散射元件130不用作折射率為1的光散射顆粒。就這一點而言，根據(jù)示例性實施例，平坦化層150由有機/無機混合聚合物形成，使得所述多個第一光散射元件130用作光散射顆粒。當有機/無機混合聚合物被施用到散射層120的頂表面以形成平坦化層150時，有機/無機混合聚合物的一部分滲透到由多孔金紅石tio2形成的散射層120中，如圖6的電子顯微鏡圖像中所示。在此工藝期間，滲透材料以空隙的形式占據(jù)所述多個第一光散射元件130的部分。結果，所述多個第一光散射元件130的不設置有混合聚合物151的剩余部分可用作折射率為1的光散射元件。平坦化層150不僅如上所述的對所述多個第一光散射元件130給予特性光散射功能，而且使散射層120的表面平坦化。由于平坦化層150的表面緊靠陽極，因此平坦化層150的表面形成為高度平坦的表面，以防止oled10的電特性的劣化。如上所述，根據(jù)示例性實施例的光提取基底100包括由多孔金紅石tio2形成的散射層120、以空隙形式設置在散射層120內的所述多個第一光散射元件130、顆粒形式的所述多個第二光散射元件140以及由有機/無機混合聚合物形成的平坦化層150。因此，根據(jù)示例性實施例的光提取基底100可改善oled10的光提取效率，同時有助于實現(xiàn)oled10的可靠性。在根據(jù)示例性實施例的光提取基底100中，測量光提取效率根據(jù)所述多個第二光散射元件140的結構的改變。當所述多個第二光散射元件140僅由具有單一折射率的sio2形成時，測得出射光的強度為69.0lm/w。這是不具有光提取層的oled的出射光的強度(為35.1lm/w)的1.97倍。當由sio2形成的所述多個第二光散射元件140為具有中空核的核-殼結構時，測得出射光的強度為70.3lm/w。這是不具有光提取層的oled的出射光的強度的兩倍。當不使用顆粒形式的所述多個第二光散射元件140時，即，當僅使用所述多個第一光散射元件130時，測得出射光的強度為63.3lm/w，其是不具有光提取層的oled的出射光的強度的1.8倍?？衫斫獾氖牵斔龆鄠€第一光散射元件130與具有核-殼結構的所述多個第二光散射元件140結合時，獲得最高的光提取效率。在下文中，將討論第一光散射元件占據(jù)的面積的比率對光提取效率的影響。第一光散射元件是使用金紅石tio2誘導的空隙，并使被混合聚合物填充的空隙的部分。為了確定第一光散射元件的面積的比率對光提取效率的影響，使用聚焦離子束(fib)來分析樣品#1至樣品#5的結構。樣品#1至樣品#5的光提取效率分別為不具有光提取層的oled的光提取效率的1.82倍、2.07倍、1.84倍、2.00倍和2.08倍。通過檢查尺寸為2×2mm2的發(fā)光部分上的二十等分點的剖面形狀來分析每個樣品。在下文中，將比較由于大部分相似設計結構而屬于霧度60％組的樣品#1、樣品#2和樣品#5。圖8示出樣品#1的點9的分析圖像。點9被劃分為兩個部分，檢查所述部分的剖面形狀，在表1中示出結果。[表1]圖9示出樣品#2的點9的分析圖像。點9被劃分為兩個部分，檢查所述部分的剖面形狀，在表2中示出結果。[表2]厚度/尺寸(nm)al電極96至102有機發(fā)光層475至485ito54至60hri+平坦化層1192至1266散射顆粒(直徑)中空(直徑)最大值378最大值238散射空隙76至123hri層厚度(平均)710平坦化層厚度(平均)519圖10示出樣品#5的點9的分析圖像。點9被劃分為兩個部分，檢查所述部分的剖面形狀，在表3中示出結果。[表3]厚度/尺寸(nm)al電極96至102有機發(fā)光層475至485ito54至60hri+平坦化層1430至1541散射顆粒(直徑)-散射空隙107至402hri層厚度(平均)1110平坦化層厚度(平均)375為了計算樣品#1、樣品#2和樣品#5中的每個樣品的散射空隙(即，第一光散射元件)的面積的平均比率，以與點9相同的方式測量位于每個樣品的十字線上的點的剖面形狀。圖11示出位于樣品#1的十字線上的點的分析圖像。在表4中示出結果。[表4]表5示出表4中的測量結果的平均值。[表5]平均平坦化層+hri厚度(nm)1338±85空隙面積，比率(μm2，％)0.30±0.16，5.0±2.5散射顆粒面積(μm2)0.10±0.10圖12示出位于樣品#2的十字線上的點的分析圖像。在表6中示出結果。[表6]表7示出表6中的測量結果的平均值。[表7]平均平坦化層+hri厚度(nm)1283±97空隙面積，比率(μm2，％)0.50±0.29，8.4±4.7散射顆粒面積(μm2)0.23±0.22圖13示出位于樣品#5的十字線上的點的分析圖像。在表8中示出結果。[表8]表9示出表8中的測量結果的平均值。[表9]平均平坦化層+hri厚度(nm)1301±85空隙面積，比率(μm2，％)0.43±0.21，7.2±3.6散射顆粒面積(μm2)0.23±0.12表10示出在省略了表2中的平坦化層的情況下，hri厚度和各個點相對于hri面積的空隙比率(即，空隙占據(jù)的面積的比率)。[表10]比較在圖11至圖13中示出且在表4至表9中示出的樣品#1、樣品#2和樣品#5的測量結果和平均值，可理解的是，在具有較高光提取效率的樣品#2和樣品#5中空隙占據(jù)的面積的比率比在樣品#1中空隙占據(jù)的面積的比率大。這意味著根據(jù)示例性實施例的空隙形式的多個第一光散射元件有助于oled的光提取效率的改善。圖14是空隙(通過如上所述的圖像分析來計算其面積)被轉換成具有相同面積的圓的情況的柱狀圖，其中，空隙的半徑以0nm至10nm為單位列出。參照柱狀圖，空隙的平均半徑為60，標準偏差為44.4nm。本公開的具體示例性實施例的上述描述已經(jīng)參照附圖給出，并且不意圖窮舉或將本公開限制于所公開的精確形式，明顯地，根據(jù)以上教導，本領域普通技術人員能夠進行許多修改和改變。因此，本公開的范圍不意圖受限于上述實施例，而是意圖受所附權利要求及其等同物的限制。當前第1頁12