本發(fā)明涉及有機(jī)el元件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光元件(以下有時(shí)稱(chēng)為“有機(jī)el元件”)中，正在追求元件壽命的提高，即，驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性的提高。例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的技術(shù)中，在基板上層疊有陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極的有機(jī)el元件中，與發(fā)光層相接觸地設(shè)置空穴阻擋層，由此來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性的提高?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本專(zhuān)利第4325197號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題然而，近年來(lái)要求有機(jī)el元件的更進(jìn)一步的驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性的有機(jī)el元件。解決課題的方法本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面所涉及的有機(jī)el元件為具有陽(yáng)極、陰極和設(shè)置于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層的有機(jī)el元件，其具備設(shè)置于發(fā)光層與陰極之間的多層型電子傳輸層，多層型電子傳輸層具有包含電子傳輸材料的電子傳輸層、和在電子傳輸層與發(fā)光層之間與發(fā)光層相接觸地設(shè)置的發(fā)光層側(cè)混合層，發(fā)光層側(cè)混合層同時(shí)包含電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物。上述構(gòu)成中，具備具有發(fā)光層側(cè)混合層和電子傳輸層的多層側(cè)電子傳輸層。而且，與發(fā)光層相接觸地設(shè)置的發(fā)光層側(cè)混合層除電子傳輸材料外還包含有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，因此能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性的提高。一個(gè)實(shí)施方式中，上述多層型電子傳輸層可以還具備陰極側(cè)混合層，所述陰極側(cè)混合層在電子傳輸層的靠陰極的一側(cè)與所述電子傳輸層相接觸地設(shè)置，陰極側(cè)混合層可以同時(shí)包含電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物。該構(gòu)成中，多層型電子傳輸層在電子傳輸層的靠陰極的一側(cè)具有陰極側(cè)混合層。陰極側(cè)混合層除電子傳輸材料外還包含有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，因此，自陰極向電子傳輸層的電子注入得以高效化。其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的降低。一個(gè)實(shí)施方式中，多層型電子傳輸層可以在發(fā)光層側(cè)混合層與電子傳輸層之間還具有金屬層。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的降低。一個(gè)實(shí)施方式中，上述發(fā)光層側(cè)混合層的厚度可以為2nm～20nm。這是因?yàn)?，如果發(fā)光層側(cè)混合層的厚度小于2nm，則容易產(chǎn)生針孔，如果發(fā)光層側(cè)混合層的厚度大于20nm，則多層型電子傳輸層整體的厚度變厚，驅(qū)動(dòng)電壓變高。一個(gè)實(shí)施方式中，上述發(fā)光層側(cè)混合層中含有的有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物可以為8-羥基喹啉鈉。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠進(jìn)一步提高驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性的有機(jī)el元件。附圖說(shuō)明圖1是示意性地示出一個(gè)實(shí)施方式所涉及的有機(jī)el元件的構(gòu)成的附圖。圖2是示意性地示出另一實(shí)施方式所涉及的有機(jī)el元件的構(gòu)成的附圖。具體實(shí)施方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)相同元素賦予相同符號(hào)。省略重復(fù)的說(shuō)明。附圖的尺寸比率未必與說(shuō)明一致。(第1實(shí)施方式)如圖1所示意性地示出的那樣，第1實(shí)施方式所涉及的有機(jī)el元件1是在基板p上依次設(shè)置陽(yáng)極e1、空穴注入層11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、多層型電子傳輸層14和陰極e2而構(gòu)成的。有機(jī)el元件1能夠適合用于曲面狀或平面狀的照明裝置例如作為掃描儀的光源使用的面狀光源、和顯示裝置。首先，對(duì)基板p、陽(yáng)極e1、空穴注入層11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13和陰極e2進(jìn)行說(shuō)明。<基板>基板p適合使用在有機(jī)el元件1的制造工序中不會(huì)發(fā)生化學(xué)變化的基板，基板p例如可以是玻璃基板、硅基板等剛性基板，也可以是塑料基板、高分子膜等撓性基板。通過(guò)使用撓性基板，可以制成整體上為撓性的有機(jī)el元件。對(duì)于基板p，也可以預(yù)先形成用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)el元件1的電極、驅(qū)動(dòng)電路。<陽(yáng)極>陽(yáng)極e1適合使用電阻低的薄膜。陽(yáng)極e1和陰極e2中的至少一方為透明。例如底發(fā)射型的有機(jī)el元件中，配置于基板p側(cè)的陽(yáng)極e1適合使用透明、且對(duì)可見(jiàn)光區(qū)域的光的透射率高的材料。作為陽(yáng)極e1的材料，可使用具有導(dǎo)電性的金屬氧化物膜、和金屬薄膜等。具體地，作為陽(yáng)極e1，可使用包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫、銦錫氧化物(indiumtinoxide：簡(jiǎn)稱(chēng)ito)和銦鋅氧化物(indiumzincoxide：簡(jiǎn)稱(chēng)izo)等的薄膜、或者金、鉑、銀、銅、鋁或包含至少1種以上的這些金屬的合金等。它們之中，作為陽(yáng)極e1，從透射率和圖案化的容易度考慮，適合使用包含ito、izo和氧化錫的薄膜。此外，在從陰極e2側(cè)取出光的情況下，作為陽(yáng)極e1，優(yōu)選由將來(lái)自發(fā)光層13的光反射至陰極e2側(cè)的材料形成，作為這樣的材料，優(yōu)選功函數(shù)3.0ev以上的金屬、金屬氧化物、金屬硫化物。例如可使用反射光的程度的膜厚的金屬薄膜。作為陽(yáng)極e1的形成方法的例子，可舉出真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、鍍敷法等。作為陽(yáng)極e1，可使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有機(jī)物的透明導(dǎo)電膜。能夠考慮光的透射性、導(dǎo)電度等來(lái)適當(dāng)確定陽(yáng)極e1的膜厚。陽(yáng)極e1的厚度例如為10nm～10μm，優(yōu)選20nm～1μm，進(jìn)一步優(yōu)選50nm～500nm。<空穴注入層>空穴注入層11為具有改善來(lái)自陽(yáng)極e1的空穴注入效率的功能的功能層。作為構(gòu)成空穴注入層11的空穴注入材料的例子，可舉出氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁等氧化物，苯基胺化合物，星爆型胺化合物，酞菁化合物，非晶碳，聚苯胺，和聚乙撐二氧噻吩(pedot)這樣的聚噻吩衍生物等。作為具有電荷傳輸性的以往已知的有機(jī)材料，通過(guò)將它們與受電子性材料組合，由此能夠作為空穴注入層材料使用。作為受電子性材料，可以適合地使用雜多酸化合物、芳基磺酸。雜多酸化合物是如下的多酸，即，具有以keggin型或dawson型的化學(xué)結(jié)構(gòu)表示的、雜原子位于分子的中心的結(jié)構(gòu)，將作為釩(v)、鉬(mo)、鎢(w)等的含氧酸的同多酸與異種元素的含氧酸縮合而成的多酸。作為異種元素的含氧酸，主要可舉出硅(si)、磷(p)、砷(as)的含氧酸。作為雜多酸化合物的具體例，可舉出磷鉬酸、硅鉬酸、磷鎢酸、磷鎢鉬酸、硅鎢酸等。作為芳基磺酸，可舉出苯磺酸、對(duì)甲苯磺酸、對(duì)苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、4-羥基苯磺酸、5-磺基水楊酸、對(duì)十二烷基苯磺酸、二己基苯磺酸、2，5-二己基苯磺酸、二丁基萘磺酸、6，7-二丁基-2-萘磺酸、十二烷基萘磺酸、3-十二烷基-2-萘磺酸、己基萘磺酸、4-己基-1-萘磺酸、辛基萘磺酸、2-辛基-1-萘磺酸、己基萘磺酸、7-己基-1-萘磺酸、6-己基-2-萘磺酸、二壬基萘磺酸、2，7-二壬基-4-萘磺酸、二壬基萘二磺酸、2，7-二壬基-4，5-萘二磺酸等。可以將雜多酸化合物與芳基磺酸混合后使用。空穴注入層11例如可以通過(guò)使用含有上述空穴注入材料的涂布液的涂布法來(lái)形成。作為涂布液的溶劑，只要是溶解空穴注入材料的溶劑即可，例如可舉出氯仿、水、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。作為涂布法，例如可舉出旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、以及噴墨法等。通過(guò)使用這些涂布法中的一種來(lái)將上述涂布液涂布在形成有陽(yáng)極e1的基板p上，由此可以形成空穴注入層11。也能夠利用真空蒸鍍法等來(lái)將空穴注入層11成膜。另外，若為包含金屬氧化物的空穴注入層11，則也能夠使用濺射法、離子鍍法等。關(guān)于空穴注入層11的厚度，其最適值根據(jù)所使用的材料而不同，可考慮所追求的特性和成膜的簡(jiǎn)易度等來(lái)適當(dāng)確定?？昭ㄗ⑷雽?1的厚度例如為1nm～1μm，優(yōu)選2nm～500nm，進(jìn)一步優(yōu)選5nm～200nm。<空穴傳輸層>空穴傳輸層12為具有如下功能的功能層，即，改善來(lái)自與空穴傳輸層12的陽(yáng)極e1側(cè)的界面相接觸的層(圖1中為空穴注入層11)、或更靠近陽(yáng)極e1的空穴傳輸層12的空穴注入。作為構(gòu)成空穴傳輸層12的空穴傳輸材料，例如可舉出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、或者聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物等。作為構(gòu)成空穴傳輸層12的空穴傳輸材料，也可舉出日本特開(kāi)2012-144722號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的空穴傳輸層材料。它們之中，作為空穴傳輸材料，優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)或其衍生物、或者聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基)或其衍生物等高分子空穴傳輸材料，進(jìn)一步優(yōu)選聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在側(cè)鏈或主鏈具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在為低分子的空穴傳輸材料的情況下，優(yōu)選使其分散在高分子粘結(jié)劑中后使用。作為空穴傳輸層12的形成方法，對(duì)于低分子的空穴傳輸材料而言，可舉出基于利用與高分子粘結(jié)劑的混合溶液的成膜的方法，對(duì)于高分子的空穴傳輸材料而言，可舉出基于利用溶液的成膜的方法。作為利用溶液的成膜中使用的溶劑，只要是使空穴傳輸材料溶解的溶劑即可，可舉出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、甲乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。作為利用溶液的成膜方法，可舉出與作為將空穴注入層成膜的方法舉出過(guò)的方法同樣的涂布法。作為混合的高分子粘結(jié)劑，優(yōu)選不極度地阻礙電荷傳輸?shù)恼辰Y(jié)劑，并且適合使用對(duì)可見(jiàn)光的吸收弱的粘結(jié)劑。作為該高分子粘結(jié)劑，可舉出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。作為空穴傳輸層12的膜厚，其最適值根據(jù)所使用的材料而不同，可適當(dāng)設(shè)定為使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率達(dá)到適度的值。作為空穴傳輸層12的膜厚，需要至少為不產(chǎn)生針孔的厚度，另一方面，如果過(guò)厚，則元件的驅(qū)動(dòng)電壓增高而不優(yōu)選。因此，該空穴傳輸層12的膜厚例如為1nm～1μm，優(yōu)選2nm～500nm，進(jìn)一步優(yōu)選5nm～200nm。<發(fā)光層>發(fā)光層13通常主要含有發(fā)出熒光和/或磷光的有機(jī)物、或者該有機(jī)物和輔助它的摻雜劑。摻雜劑是為了例如提高發(fā)光效率、或改變發(fā)光波長(zhǎng)而加入的。從溶解性的觀點(diǎn)出發(fā)，作為有機(jī)物，優(yōu)選為高分子化合物，發(fā)光層13優(yōu)選包含聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為103～108的高分子化合物。作為構(gòu)成發(fā)光層13的發(fā)光材料，例如可舉出下述的色素系發(fā)光材料、金屬絡(luò)合物系發(fā)光材料或高分子系發(fā)光材料。作為色素系發(fā)光材料，例如可以舉出環(huán)噴他明(シクロペソタミソ)衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩環(huán)化合物、吡啶環(huán)化合物、紫環(huán)酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。作為金屬絡(luò)合物系發(fā)光材料，例如可舉出中心金屬具有tb、eu、dy等稀土金屬、或al、zn、be、pt、ir等、并且配體具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉結(jié)構(gòu)等的金屬絡(luò)合物。作為金屬絡(luò)合物，可舉出銥絡(luò)合物、鉑絡(luò)合物等具有來(lái)自三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光的金屬絡(luò)合物；羥基喹啉鋁絡(luò)合物、苯并羥基喹啉鈹絡(luò)合物、苯并噁唑基鋅絡(luò)合物、苯并噻唑鋅絡(luò)合物、偶氮甲基鋅絡(luò)合物、卟啉鋅絡(luò)合物、菲咯啉銪絡(luò)合物。作為高分子系發(fā)光材料，例如可舉出聚對(duì)亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚對(duì)亞苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物；將上述色素材料或金屬絡(luò)合物材料高分子化了的材料等。上述發(fā)光材料中，作為發(fā)藍(lán)色光的材料，可舉出二苯乙烯基亞芳基衍生物、噁二唑衍生物、和它們的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚對(duì)亞苯基衍生物、聚芴衍生物等。其中，優(yōu)選作為高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚對(duì)亞苯基衍生物、聚芴衍生物等。作為發(fā)藍(lán)色光的材料，也可舉出日本特開(kāi)2012-144722號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的材料。作為發(fā)綠色光的材料，可舉出喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、和它們的聚合物、聚對(duì)亞苯基亞乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。其中，優(yōu)選作為高分子材料的聚對(duì)亞苯基亞乙烯基衍生物、聚芴衍生物等。作為發(fā)綠色光的材料，也可舉出日本特開(kāi)2012-036388號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的材料。作為發(fā)紅色光的材料，可舉出香豆素衍生物、噻吩環(huán)化合物、和它們的聚合物、聚對(duì)亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。其中，優(yōu)選作為高分子材料的聚對(duì)亞苯基亞乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。作為發(fā)紅色光的材料，也可舉出日本特開(kāi)2011-105701號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的材料。作為摻雜劑材料，例如可舉出苝衍生物、香豆素衍生物、紅熒烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸內(nèi)鎓鹽(squarylium)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基色素、并四苯衍生物、吡咯啉酮衍生物、十環(huán)烯、吩噁嗪酮(phenoxazone)等。作為發(fā)光層13的形成方法，可舉出將包含發(fā)光材料的溶液涂布在空穴傳輸層12上的涂布法、真空蒸鍍法、轉(zhuǎn)印法等。它們之中，從制造工序的容易度出發(fā)，優(yōu)選用涂布法形成發(fā)光層。作為包含發(fā)光材料的溶液的溶劑，例如可以使用上述的作為用于形成空穴注入層11的涂布液的溶劑舉出過(guò)的溶劑。作為對(duì)包含發(fā)光材料的溶液進(jìn)行涂布的方法，可以使用旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、輥涂法、繞線棒涂布法、浸涂法、?？p涂布法、毛細(xì)管涂布法、噴涂法、噴嘴涂布法、凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、反轉(zhuǎn)印刷法、噴墨打印法等。從容易進(jìn)行圖案形成、多色區(qū)分涂布的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選凹版印刷法、絲網(wǎng)印刷法、柔性版印刷法、膠版印刷法、反轉(zhuǎn)印刷法或噴墨打印法。在顯示出升華性的低分子化合物的情況下，可以使用真空蒸鍍法。另外，利用基于激光、摩擦的轉(zhuǎn)印、熱轉(zhuǎn)印等方法，也能夠僅在所期望的地方形成發(fā)光層13。發(fā)光層13的厚度通常為約2nm～200nm。<陰極>作為陰極e2的材料，優(yōu)選功函數(shù)小、向多層型電子傳輸層14的電子注入容易、且導(dǎo)電度高的材料。在從陽(yáng)極e1側(cè)取出光的情況下，為了將來(lái)自發(fā)光層13的光利用陰極e2向陽(yáng)極e1側(cè)反射，作為陰極e2的材料，優(yōu)選可見(jiàn)光反射率高的材料。陰極e2例如可使用堿金屬、堿土金屬、過(guò)渡金屬和周期表13族金屬等。作為陰極e2的材料，例如可使用鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬、上述金屬中的2種以上的合金、上述金屬中的1種以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢中的1種的合金、或者石墨或石墨層間化合物等。本說(shuō)明書(shū)中，堿土金屬中包括鎂。以下的記載中也同樣。作為合金的例子，可舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。在構(gòu)成從陰極e2側(cè)取出光的元件的情況下，作為陰極e2，可以使用透明導(dǎo)電性電極，例如可以使用包含氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ito和izo等導(dǎo)電性金屬氧化物的薄膜、包含聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等導(dǎo)電性有機(jī)物的薄膜。陰極可以具有2層以上的層疊結(jié)構(gòu)。陰極e2的厚度考慮導(dǎo)電度和耐久性來(lái)適當(dāng)設(shè)定。陰極e2的厚度例如為10nm～10μm，優(yōu)選20nm～1μm，進(jìn)一步優(yōu)選50nm～500nm。作為陰極e2的形成方法，例如可舉出真空蒸鍍法、濺射法、和將金屬薄膜熱壓接的層壓法等。接著，對(duì)多層型電子傳輸層14進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，多層型電子傳輸層14為在電子傳輸層14a的兩側(cè)設(shè)置有第1混合層(發(fā)光層側(cè)混合層)14b和第2混合層(陰極側(cè)混合層)14c的層疊體。<電子傳輸層>電子傳輸層14a對(duì)應(yīng)于多層型電子傳輸層14中的本體部。電子傳輸層14a包含電子傳輸材料，另一方面不包含后述的第1混合層14b和第2混合層14c中含有的有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物。作為電子傳輸材料，可以使用一般作為電子傳輸層使用的公知的材料。例如，作為電子傳輸材料，可舉出萘、蒽等具有稠合芳環(huán)的化合物、其衍生物、4，4-雙(二苯基乙烯基)聯(lián)苯所代表的苯乙烯基系芳香環(huán)衍生物、苝衍生物、紫環(huán)酮衍生物、香豆素衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物、蒽醌、萘醌、聯(lián)苯醌、蒽醌二甲烷、四氰基蒽醌二甲烷等醌衍生物、氧化磷衍生物、咔唑衍生物、和吲哚衍生物、三(8-羥基喹啉)、鋁(iii)等羥基喹啉絡(luò)合物、和羥基苯基噁唑絡(luò)合物等羥基唑絡(luò)合物、偶氮甲堿絡(luò)合物、環(huán)庚三烯酚酮金屬絡(luò)合物和黃酮醇金屬絡(luò)合物、包含具有受電子性氮的雜芳環(huán)的化合物等。受電子性氮表示在與相鄰的原子之間形成多重鍵的氮原子。由于氮原子具有高的電負(fù)性，因此多重鍵也具有接受電子的性質(zhì)。因此，具有受電子性氮的雜芳環(huán)具有高的電子親和性。作為包含這些具有受電子性氮的雜芳環(huán)結(jié)構(gòu)的化合物，例如可舉出作為優(yōu)選化合物的苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、菲咯啉衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、聯(lián)吡啶、三聯(lián)吡啶等低聚吡啶衍生物、喹喔啉衍生物、萘啶衍生物、菲咯啉衍生物等。關(guān)于電子傳輸層14a的形成方法，在使用低分子的電子傳輸材料的情況下，可以舉出真空蒸鍍法、或者利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜，在使用高分子的電子傳輸材料的情況下，可舉出利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜。在實(shí)施利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的情況下，可以并用高分子粘結(jié)劑。<第1混合層>第1混合層14b在電子傳輸層14a的靠近發(fā)光層13的一側(cè)與發(fā)光層13相接觸地設(shè)置。第1混合層14b也與電子傳輸層14a相接觸。第1混合層14b為同時(shí)包含電子傳輸層14a所包含的電子傳輸材料、和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的層，第1混合層14b可以為在電子傳輸層14a的組合物中混合有有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的層。第1混合層14b所具有的電子傳輸材料可以為與電子傳輸層14a中例示過(guò)的電子傳輸材料同樣的材料。作為有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物中含有的金屬離子，優(yōu)選含有堿金屬離子、堿土金屬離子和稀土金屬離子中的至少一種。有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物中含有的配體優(yōu)選羥基喹啉、羥基苯并喹啉、吖啶醇、菲啶醇、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基二芳基噁二唑、羥基二芳基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯并三唑、羥基furborane(フルボラソ)、聯(lián)吡啶、菲咯啉、酞菁、卟啉、環(huán)戊二烯、β-二酮類(lèi)、偶氮甲堿類(lèi)和它們的衍生物等。作為有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，例如可舉出下述式(1)～式(16)中的任意化合物。[化1][化2][化3][化4]式(1)～式(16)中，m表示堿金屬。作為堿金屬，可舉出鋰、鈉、鉀、銣或銫，它們之中，優(yōu)選鋰、鈉或銫，進(jìn)一步優(yōu)選鋰或鈉。式(1)～式(16)所示的各有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物中，與構(gòu)成五元環(huán)或六元環(huán)的碳原子鍵合的至少1個(gè)氫原子可以被碳數(shù)1～12的烷基取代。作為碳數(shù)1～12的烷基，優(yōu)選甲基、乙基、丙基或叔丁基。式(1)～(16)中，作為有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，優(yōu)選式(1)、式(2)、式(4)、式(6)、式(7)或式(9)，進(jìn)一步優(yōu)選式(1)、式(2)或式(4)。作為有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的具體例，可舉出8-羥基喹啉鋰、8-羥基喹啉鈉、8-羥基喹啉鉀、8-羥基喹啉銣、8-羥基喹啉銫、苯并-8-羥基喹啉鋰、苯并-8-羥基喹啉鈉、苯并-8-羥基喹啉鉀、苯并-8-羥基喹啉銣、苯并-8-羥基喹啉銫、2-甲基-8-羥基喹啉鋰、2-甲基-8-羥基喹啉鈉、2-甲基-8-羥基喹啉鉀、2-甲基-8-羥基喹啉銣和2-甲基-8-羥基喹啉銫。上文中，作為有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，優(yōu)選8-羥基喹啉鋰或8-羥基喹啉鈉，進(jìn)一步優(yōu)選8-羥基喹啉鈉。對(duì)于電子傳輸材料與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的混合比例的例子而言，在將電子傳輸材料的質(zhì)量設(shè)為v1、將有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的質(zhì)量設(shè)為v2時(shí)，v1∶v2為1∶99～99∶1，優(yōu)選5∶95～70∶30。對(duì)于第1混合層14b的形成方法的例子而言，在使用低分子的電子傳輸材料的情況下，可以舉出真空蒸鍍法或者利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜，在使用高分子的電子傳輸材料的情況下，可舉出利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜。在實(shí)施利用溶液或熔融狀態(tài)的成膜的情況下，可以并用高分子粘結(jié)劑。例如，真空蒸鍍法中，將構(gòu)成第1混合層14b的電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物共蒸鍍即可。<第2混合層>第2混合層14c與第1混合層14b同樣，為包含電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的層。第2混合層14c可以為在電子傳輸層14a的組合物中混合有有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的層。第2混合層14c為用于改善來(lái)自陰極e2的電子注入效率的層，作為電子注入層發(fā)揮作用。第2混合層14c中含有的電子傳輸材料可以設(shè)為在電子傳輸層14a的說(shuō)明中例示過(guò)的電子傳輸材料。第2混合層14c中含有的有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物可舉出在第1混合層14b的說(shuō)明中例示過(guò)的有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物。第2混合層14c中含有的電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物可以與第1混合層14b中含有的電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物相同。第2混合層14c可與第1混合層14b同樣地形成。第2混合層14c中，對(duì)于電子傳輸材料與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的混合比例而言，在將電子傳輸材料的質(zhì)量設(shè)為v3、將有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的質(zhì)量設(shè)為v4的情況下，v3∶v4的例子為5∶95～50∶50。關(guān)于多層型電子傳輸層14的厚度，其最適值根據(jù)多層型電子傳輸層14的層構(gòu)成和所使用的材料而不同，選擇為使驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率達(dá)到適度的值即可。多層型電子傳輸層14的厚度需要至少為不產(chǎn)生針孔的厚度，另一方面，如果過(guò)厚，則元件的驅(qū)動(dòng)電壓增高而不理想。因此，多層型電子傳輸層14的膜厚例如為7nm～1μm。這樣的多層型電子傳輸層14的膜厚中，電子傳輸層14a的膜厚例如為3nm～1μm，第1混合層14b的膜厚例如為2nm～20nm，第2混合層14c的膜厚例如為2nm～20nm。第1和第2混合層14b、14c的厚度比電子傳輸層14a的厚度薄。若第1和第2混合層14b、14c薄于2nm，則傾向于產(chǎn)生針孔，另外，若厚于20nm，則多層型電子傳輸層14整體的膜厚也傾向于增厚，結(jié)果，驅(qū)動(dòng)電壓升高。多層型電子傳輸層14可以通過(guò)在發(fā)光層13上依次形成第1混合層14b、電子傳輸層14a和第2混合層14c而形成。從提高制造效率的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選第1混合層14b、電子傳輸層14a和第2混合層14c通過(guò)相同的成膜方法來(lái)形成。多層型電子傳輸層14所具有的第1混合層14b、電子傳輸層14a和第2混合層14c均具有電子傳輸材料。因此，多層型電子傳輸層14例如對(duì)應(yīng)于如下構(gòu)成：在多層型電子傳輸層的整體由電子傳輸材料構(gòu)成的電子傳輸層中，在發(fā)光層側(cè)界面和陰極層側(cè)界面局部摻雜了有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物。在此，“摻雜”是指有意地將2種以上的不同材料混合。第1混合層14b、電子傳輸層14a和第2混合層14c所具有的電子傳輸材料可以設(shè)為相同的材料，但第1混合層14b、電子傳輸層14a和第2混合層14c所具有的電子傳輸材料也可以不同。此時(shí)，第1混合層14b、電子傳輸層14a和第2混合層14c各自所具有的電子傳輸材料例如可以使用在電子傳輸層14a的說(shuō)明中例示過(guò)的電子傳輸材料。第1混合層14b和第2混合層14c也可以不由相同的材料構(gòu)成。有機(jī)el元件1通過(guò)在基板p上依次形成陽(yáng)極e1、空穴注入層11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、多層型電子傳輸層14和陰極e2來(lái)制造。基板p上的各構(gòu)成元素的形成方法如前所述，因此省略說(shuō)明。有機(jī)el元件1中，通過(guò)具備多層型電子傳輸層14，由此在發(fā)光層13與電子傳輸層14a之間具有第1混合層14b。第1混合層14b除電子傳輸材料外還具有有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，因此，有機(jī)el元件1的元件壽命延長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性提高。這是因?yàn)槔缈烧J(rèn)為，電荷累積的電荷所致的電子傳輸層的劣化被有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物抑制。多層型電子傳輸層14具有第2混合層14c，且第2混合層14c具有有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，因此，自陰極e2向電子傳輸層14a的電子注入效率得到改善。其結(jié)果是，能夠進(jìn)一步縮小驅(qū)動(dòng)電壓。(第2實(shí)施方式)圖2所示的第2實(shí)施方式所涉及的有機(jī)el元件2中，具備多層型電子傳輸層14a代替多層型電子傳輸層14。除具備多層型電子傳輸層14a這一點(diǎn)以外，有機(jī)el元件2的構(gòu)成與有機(jī)el元件1的構(gòu)成同樣。有機(jī)el元件2所具備的多層型電子傳輸層14a中，在第1混合層14b與電子傳輸層14a之間設(shè)置有金屬層14d，在這一點(diǎn)上與多層型電子傳輸層14不同。金屬層14d與第1混合層14b相接觸地層疊在第1混合層14b上。金屬層14d也與電子傳輸層14a相接觸。金屬層14d的材料的例子包括堿金屬和堿土金屬。作為金屬層14d的堿金屬的例子，為鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈁，堿土金屬的例子為鎂、鈣、鍶、鋇、鐳。其中，優(yōu)選鎂。金屬層14d的厚度的例子為0.5nm～10nm。金屬層14d例如可以利用真空蒸鍍法形成。有機(jī)el元件2除具有金屬層14d這一點(diǎn)以外與有機(jī)el元件1的構(gòu)成相同，因此，至少具有與有機(jī)el元件1相同的作用效果。而且，通過(guò)具有金屬層14d，可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的降低，可進(jìn)一步改善元件壽命。其結(jié)果是，有機(jī)el元件2的驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性進(jìn)一步提高。以上，說(shuō)明了本發(fā)明的各種實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于所例示的各種實(shí)施方式，其由權(quán)利要求書(shū)所示，且意在包含與權(quán)利要求書(shū)等同的含義和范圍內(nèi)的全部的變更。例如，有機(jī)el元件的構(gòu)成并不限定于圖1和圖2所例示的構(gòu)成。有機(jī)el元件只要在發(fā)光層13與陰極e2之間具有多層型電子傳輸層即可。示出有機(jī)el元件所能夠采取的層構(gòu)成的例子。以下的說(shuō)明中也有時(shí)包括第1和第2實(shí)施方式的構(gòu)成。a)陽(yáng)極/空穴注入層/發(fā)光層/多層型電子傳輸層/陰極b)陽(yáng)極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/多層型電子傳輸層/陰極c)陽(yáng)極/發(fā)光層/多層型電子傳輸層/陰極記號(hào)“/”表示記號(hào)“/”的兩側(cè)的層之間相接合。a)～c)中，“多層型電子傳輸層”表示以下任意含義：(i)第1層疊結(jié)構(gòu)：第1混合層/電子傳輸層、(ii)第2層疊結(jié)構(gòu)：第1混合層/電子傳輸層/第2混合層、(iii)第3層疊結(jié)構(gòu)：第1混合層/金屬層/電子傳輸層、和(iv)第4層疊結(jié)構(gòu)：第1混合層/金屬層/電子傳輸層/第2混合層。像上述第2層疊結(jié)構(gòu)和第4層疊結(jié)構(gòu)那樣在多層型電子傳輸層中含有第2混合層的有機(jī)el元件的情況下，該有機(jī)el元件對(duì)應(yīng)于具有電子注入層。在構(gòu)成多層型電子傳輸層的至少任一層為具有阻止空穴傳輸?shù)墓δ艿膶拥那闆r下，這樣的具有阻止空穴傳輸?shù)墓δ艿膶右灿袝r(shí)被稱(chēng)為空穴阻擋層。對(duì)于空穴阻擋層具有阻止空穴傳輸?shù)墓δ?，例如可以制作僅流通空穴電流的有機(jī)el元件，以其電流值的減少來(lái)確認(rèn)阻止的效果。上述a)和b)的層構(gòu)成中，在空穴注入層和/或空穴傳輸層具有阻止電子傳輸?shù)墓δ艿那闆r下，這些層有時(shí)也被稱(chēng)為電子阻擋層。對(duì)于電子阻擋層具有阻止電子傳輸?shù)墓δ?，例如可以制作僅流通電子電流的有機(jī)el元件，以所測(cè)定的電流值的減少來(lái)確認(rèn)阻止電子傳輸?shù)男Ч??？梢栽诳昭ㄗ⑷雽雍?或空穴傳輸層之外，在陽(yáng)極與發(fā)光層之間另行設(shè)置電子阻擋層。另外，有機(jī)el元件可以具有單層的發(fā)光層，也可以具有2層以上的發(fā)光層。上述a)～c)的層構(gòu)成中的任意1個(gè)中，若將在陽(yáng)極與陰極之間配置的層疊體作為“結(jié)構(gòu)單元a”，則作為具有2層發(fā)光層的有機(jī)el元件的構(gòu)成，可舉出下述d)所示的層構(gòu)成。所具有的2個(gè)(結(jié)構(gòu)單元a)層構(gòu)成可以相互相同，也可以相互不同。d)陽(yáng)極/(結(jié)構(gòu)單元a)/電荷產(chǎn)生層/(結(jié)構(gòu)單元a)/陰極在此，電荷產(chǎn)生層是指通過(guò)施加電場(chǎng)而產(chǎn)生空穴和電子的層。作為電荷產(chǎn)生層，例如可舉出包含氧化釩、銦錫氧化物(indiumtinoxide：簡(jiǎn)稱(chēng)ito)、氧化鉬等的薄膜。若將“(結(jié)構(gòu)單元a)/電荷產(chǎn)生層”作為“結(jié)構(gòu)單元b”，則作為具有3層以上的發(fā)光層13的有機(jī)el元件的構(gòu)成，可舉出以下的e)所示的層構(gòu)成。e)陽(yáng)極/(結(jié)構(gòu)單元b)x/(結(jié)構(gòu)單元a)/陰極記號(hào)“x”表示2以上的整數(shù)，“(結(jié)構(gòu)單元b)x”表示層疊有x個(gè)(結(jié)構(gòu)單元b)的層疊體。另外，所具有的多個(gè)(結(jié)構(gòu)單元b)的層構(gòu)成可以相同，也可以不同。也可以不設(shè)置電荷產(chǎn)生層，將多個(gè)發(fā)光層直接層疊來(lái)構(gòu)成有機(jī)el元件。至此的說(shuō)明中，對(duì)將陽(yáng)極配置于基板側(cè)的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以將陰極配置于基板側(cè)。此時(shí)，例如在將a)～e)的層構(gòu)成的各有機(jī)el元件制作于基板上時(shí)，從陰極(各構(gòu)成a)～e)的右側(cè))起依次將各層層疊在基板上即可。實(shí)施例以下，基于實(shí)施例和比較例進(jìn)一步具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。[實(shí)施例1]作為實(shí)施例1，如圖1所示，制造在基板上依次層疊陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、第1混合層、電子傳輸層、第2混合層和陰極而成的有機(jī)el元件。將實(shí)施例1的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件a1。實(shí)施例1中，用玻璃將有機(jī)el元件a1密封。以下，具體地說(shuō)明有機(jī)el元件a1的制造方法。<基板和陽(yáng)極>作為有機(jī)el元件a1的基板，準(zhǔn)備玻璃基板。在玻璃基板上，以規(guī)定的圖案形成ito薄膜作為陽(yáng)極。ito薄膜通過(guò)濺射法來(lái)形成，其膜厚為45nm。將表面形成有ito薄膜的玻璃基板用有機(jī)溶劑、堿洗劑和超純水進(jìn)行超聲波清洗后，用有機(jī)溶劑煮沸10分鐘，使其干燥。接著，使用紫外線臭氧(uv-o3)裝置，對(duì)形成有ito薄膜的面進(jìn)行約15分鐘的紫外線臭氧處理。<空穴注入層>利用旋涂法將具有電荷傳輸性的有機(jī)材料與受電子性材料組合而成的空穴注入材料涂布在ito薄膜上，由此形成厚度35nm的涂膜。下文中，將實(shí)施例1中使用的空穴注入材料稱(chēng)為空穴注入材料α1。在大氣中，在加熱板上使上述涂膜干燥，形成空穴注入層。利用加熱板的干燥中，先使上述涂膜在50℃干燥4分鐘后，進(jìn)一步使其在230℃干燥15分鐘。<空穴傳輸層>將作為高分子材料的空穴傳輸材料與二甲苯混合，得到固形物(空穴傳輸材料)濃度為0.6重量％的空穴傳輸層形成用組合物。下文中，將實(shí)施例1中使用的空穴傳輸材料稱(chēng)為空穴傳輸材料α2。將所得到的空穴傳輸層形成用組合物利用旋涂法涂布在空穴注入層上，得到膜厚20nm的涂膜。在氮?dú)夥?不活性氣氛)下，利用加熱板，將設(shè)置有該涂膜的玻璃基板在180℃加熱60分鐘，由此使溶劑蒸發(fā)后，自然冷卻至室溫，得到空穴傳輸層。<發(fā)光層>將發(fā)光性共軛系高分子材料與二甲苯混合，得到發(fā)光性共軛系高分子材料的濃度為1.3％的發(fā)光層形成用組合物。實(shí)施例1中，作為發(fā)光性共軛系高分子材料，使用藍(lán)色發(fā)光性共軛系高分子材料。下文中，將實(shí)施例1中使用的藍(lán)色發(fā)光性共軛系高分子材料稱(chēng)為藍(lán)色發(fā)光性共軛系高分子材料α3。利用旋涂法將所得到的發(fā)光層形成用組合物涂布在空穴傳輸層上，得到膜厚65nm的涂膜。在氮?dú)夥?不活性氣氛)下，利用加熱板在150℃將設(shè)置有該涂膜的玻璃基板加熱10分鐘，由此使溶劑蒸發(fā)后，自然冷卻至室溫，得到發(fā)光層。<第1混合層>將形成有發(fā)光層的玻璃基板轉(zhuǎn)移至蒸鍍室中，在發(fā)光層上形成第1混合層。具體地，進(jìn)行排氣直至蒸鍍室內(nèi)的真空度為1.0×10-5pa以下，利用真空蒸鍍法在發(fā)光層上共蒸鍍電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物，形成膜厚為5nm、混合有電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的第1混合層。下文中，將實(shí)施例1中使用的電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物稱(chēng)為電子傳輸材料α4和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5。電子傳輸材料α4為東麗公司制的tr-e314。有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5為8-羥基喹啉鈉(naq)。電子傳輸材料α4與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的蒸鍍速度分別設(shè)為即，第1混合層中的電子傳輸材料α4與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的質(zhì)量比為50∶50。<電子傳輸層>形成第1混合層后，在相同的蒸鍍室內(nèi)在第1混合層上形成電子傳輸層。具體地，利用真空蒸鍍法在第1混合層上蒸鍍電子傳輸材料α4，形成膜厚為60nm的電子傳輸層。電子傳輸材料α4的蒸鍍速度設(shè)為<第2混合層>形成電子傳輸層后，在相同的蒸鍍室內(nèi)在電子傳輸層上形成第2混合層。具體地，利用真空蒸鍍法在電子傳輸層上共蒸鍍電子傳輸材料α4和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5，形成膜厚為5nm、且混合有電子傳輸材料α4和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的第2混合層。電子傳輸材料α4與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的蒸鍍速度分別設(shè)為即，第2混合層中的電子傳輸材料α4與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的質(zhì)量比為50∶50。<陰極>形成第2混合層后，在相同的蒸鍍室內(nèi)形成陰極。具體地，利用真空蒸鍍法在第2混合層上共蒸鍍鎂和銀，形成膜厚為20nm的陰極a后，利用真空蒸鍍法在陰極a上蒸鍍鋁，形成膜厚為100nm的陰極b。即，形成在第2混合層上層疊有厚度20nm的陰極a和厚度100nm的陰極b的2層結(jié)構(gòu)的陰極作為有機(jī)el元件a1的陰極。<玻璃密封>形成陰極后，在不暴露于大氣的情況下將陰極形成后的玻璃基板從蒸鍍室搬送至密封處理室中。然后，在氮?dú)夥?非活性氣氛)下，將四周涂布有uv固化樹(shù)脂的密封玻璃與從蒸鍍室搬送來(lái)的玻璃基板貼合后，照射uv光而將uv固化樹(shù)脂固化，由此，用玻璃將有機(jī)el元件a1密封。驅(qū)動(dòng)如上所述地制造的有機(jī)el元件a1，測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。元件壽命用lt80評(píng)價(jià)，所述lt80由在將驅(qū)動(dòng)開(kāi)始時(shí)的亮度設(shè)為100時(shí)，自驅(qū)動(dòng)開(kāi)始直至亮度降低至80為止的時(shí)間表示。用10ma/cm2的恒定電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)el元件a1后進(jìn)行元件壽命的測(cè)定。驅(qū)動(dòng)電壓為以10ma/cm2的恒定電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)el元件a1時(shí)的電壓。電流效率為亮度為1000cd/m2(即，1000nit)時(shí)的值。有機(jī)el元件a1的測(cè)定結(jié)果中，元件壽命(lt80)為15.1小時(shí)，電流效率為1.0cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為6.0v。[比較例1]作為比較例1，制造在基板上依次層疊陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、和陰極而成的有機(jī)el元件，將所得的比較例1的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件b1。有機(jī)el元件b1的構(gòu)成中，除不具有第1和第2混合層的點(diǎn)和電子傳輸層的膜厚為70nm的點(diǎn)以外，具有與實(shí)施例1的有機(jī)el元件a1同樣的構(gòu)成。即，比較例1中，基板、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、和陰極的各自的材料、厚度和形成方法與實(shí)施例1的情況同樣。因此，對(duì)電子傳輸層的形成方法進(jìn)行說(shuō)明、而省略其他說(shuō)明。比較例1中，電子傳輸層如下所述地形成。即，在形成發(fā)光層后，將形成有發(fā)光層的玻璃基板(基板)轉(zhuǎn)移至蒸鍍室中。然后，進(jìn)行排氣直至蒸鍍室內(nèi)的真空度為1.0×10-5pa以下，利用真空蒸鍍法在發(fā)光層上蒸鍍電子傳輸材料α4，形成膜厚為70nm的電子傳輸層。電子傳輸材料α4的蒸鍍速度設(shè)為比較例1中，也與實(shí)施例1同樣地對(duì)所制造的有機(jī)el元件b1進(jìn)行玻璃密封。驅(qū)動(dòng)比較例1的有機(jī)el元件b1，在與實(shí)施例1同樣的條件下，測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。其結(jié)果是，比較例1中，元件壽命(lt80)為0.1小時(shí)，電流效率為1.0cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為6.1v。[比較例2]作為比較例2，制造在基板上依次層疊陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、第2混合層和陰極而成的有機(jī)el元件，將所得的比較例2的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件b2。有機(jī)el元件b2的結(jié)構(gòu)中，除不具有第1混合層的點(diǎn)和電子傳輸層的膜厚為65nm的點(diǎn)以外，為與實(shí)施例1的有機(jī)el元件a1同樣的構(gòu)成。比較例2中，基板、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、第2混合層和陰極的各自的材料、厚度和形成方法與實(shí)施例1的情況同樣。而且，比較例2的電子傳輸層的形成方法中除將膜厚設(shè)為65nm的點(diǎn)以外，與比較例1的情況同樣。比較例2中，也與實(shí)施例1同樣地對(duì)有機(jī)el元件b2進(jìn)行玻璃密封。驅(qū)動(dòng)比較例2的有機(jī)el元件b2，在與實(shí)施例1同樣的條件下，測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。其結(jié)果是，比較例2中，元件壽命(lt80)為2.3小時(shí)，電流效率為1.0cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為5.5v。[實(shí)施例1和比較例1、2的比較]上述實(shí)施例1、比較例1、2的有機(jī)el元件a1、b1、b2的元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)定結(jié)果如表1所示。【表1】元件壽命(小時(shí))電流效率(cd/a)驅(qū)動(dòng)電壓(v)比較例10.11.06.1比較例22.31.05.5實(shí)施例115.11.06.0從表1可以理解，設(shè)有第1混合層的實(shí)施例1與比較例1、2相比，在大致同樣的電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓下，能夠得到更長(zhǎng)的元件壽命。尤其是通過(guò)將實(shí)施例1與比較例2進(jìn)行比較，可以理解這樣的元件壽命的不同是由第1混合層的影響而產(chǎn)生的。因此可以理解，通過(guò)設(shè)置包含電子傳輸材料和有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物的第1混合層，由此有機(jī)el元件的驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性提高。接著，如圖2所示，對(duì)多層型電子傳輸層還具備金屬層的情況的作用效果的驗(yàn)證結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。(實(shí)施例2)作為實(shí)施例2，如圖2所示，制造在基板上依次層疊陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、第1混合層、金屬層、電子傳輸層、第2混合層和陰極而成的有機(jī)el元件。將實(shí)施例2的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件a2。實(shí)施例2中，與實(shí)施例1的情況同樣地用玻璃將有機(jī)el元件a2密封。對(duì)有機(jī)el元件a2的制造方法進(jìn)行具體地說(shuō)明。<基板和陽(yáng)極>作為有機(jī)el元件a2的基板，準(zhǔn)備玻璃基板。在準(zhǔn)備的玻璃基板上，以規(guī)定的圖案形成ito薄膜作為陽(yáng)極。ito薄膜通過(guò)濺射法來(lái)形成，其膜厚為45nm。將表面形成有ito薄膜的玻璃基板用有機(jī)溶劑、堿性洗劑和超純水進(jìn)行超聲波清洗后，在有機(jī)溶劑中煮沸10分鐘，使其干燥。接著，使用紫外線臭氧(uv-o3)裝置，對(duì)形成有ito薄膜的面進(jìn)行約15分鐘的紫外線臭氧處理。<空穴注入層>利用旋涂法將包含空穴注入材料α1的墨液涂布在ito薄膜上，將所形成的涂膜的厚度設(shè)為80nm，除該點(diǎn)以外與實(shí)施例1同樣地形成空穴注入層。<空穴傳輸層>與實(shí)施例1的情況同樣地在空穴注入層上形成空穴傳輸層。<發(fā)光層>將紅色發(fā)光性共軛系高分子材料與二甲苯混合，得到紅色發(fā)光性共軛系高分子材料的濃度為2.8％的發(fā)光層形成用組合物。以下，將實(shí)施例2中使用的紅色發(fā)光性共軛系高分子材料稱(chēng)為紅色發(fā)光性共軛系高分子材料α6。將所得到的發(fā)光層形成用組合物利用旋涂法涂布在空穴傳輸層上，得到膜厚160nm的涂膜。在氮?dú)夥?非活性氣氛)下，利用加熱板，將設(shè)置有該涂膜的玻璃基板在150℃加熱10分鐘，由此使溶劑蒸發(fā)后，自然冷卻至室溫，得到發(fā)光層。<第1混合層>與實(shí)施例1同樣地在發(fā)光層上形成第1混合層。<金屬層>形成第1混合層后，在形成第1混合層后的蒸鍍室內(nèi)用真空蒸鍍法在第1混合層上蒸鍍鎂，形成膜厚為2nm的金屬層。鎂的蒸鍍速度設(shè)為<電子傳輸層>形成金屬層后，在相同的蒸鍍室內(nèi)，與實(shí)施例1的情況同樣地形成電子傳輸層。<第2混合層>形成電子傳輸層后，將電子傳輸材料α4與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的蒸鍍速度分別設(shè)為和除該點(diǎn)以外與實(shí)施例1同樣地，在電子傳輸層上形成第2混合層。即，第2混合層中的電子傳輸材料α4與有機(jī)金屬絡(luò)合物化合物α5的質(zhì)量比為10∶90。<陰極>形成第2混合層后，在相同的蒸鍍室內(nèi)形成陰極。具體地，在第2混合層上，利用真空蒸鍍法蒸鍍鎂，形成膜厚為2nm的陰極a后，利用真空蒸鍍法在陰極a上蒸鍍銀，形成膜厚為18nm的陰極b。接著，利用真空蒸鍍法在陰極b上蒸鍍鋁，形成膜厚為100nm的陰極c。即，形成在第2混合層上層疊有厚度2nm的陰極a、厚度18nm的陰極b和厚度100nm的陰極c的3層結(jié)構(gòu)的陰極作為有機(jī)el元件a2的陰極。<玻璃密封>形成陰極后，與實(shí)施例1的情況同樣地，用玻璃將有機(jī)el元件a2密封。有機(jī)el元件a2在發(fā)光層中含有紅色發(fā)光性共軛系高分子材料α6，因此有機(jī)el元件a2為紅色發(fā)光元件。驅(qū)動(dòng)所制造的有機(jī)el元件a2，測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。元件壽命與實(shí)施例1同樣地用lt80進(jìn)行評(píng)價(jià)。元件壽命的測(cè)定是在以80ma/cm2的恒定電流驅(qū)動(dòng)元件的狀態(tài)下測(cè)定的。電流效率為亮度為100cd/m2(即，100nit)時(shí)的值。驅(qū)動(dòng)電壓為電流密度為10ma/cm2時(shí)的值。有機(jī)el元件a2的測(cè)定結(jié)果中，元件壽命(lt80)為156.1小時(shí)，電流效率為8.2cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為6.8v。(實(shí)施例3)作為實(shí)施例3，除不具備金屬層的點(diǎn)以外，與實(shí)施例2的情況同樣地制造有機(jī)el元件，并用玻璃進(jìn)行密封。將實(shí)施例3的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)fl元件a3。有機(jī)el元件a3也與有機(jī)el元件a2同樣地為紅色發(fā)光元件。對(duì)所制造的有機(jī)el元件a3在與實(shí)施例2的情況同樣的條件下測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。實(shí)施例3中，元件壽命(lt80)為52.0小時(shí)，電流效率為6.4cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為11.5v。[實(shí)施例2和實(shí)施例3的比較]上述實(shí)施例2和實(shí)施例3中的元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)定結(jié)果如表2所示?！颈?】元件壽命(小時(shí))電流效率(cd/a)驅(qū)動(dòng)電壓(v)實(shí)施例2156.18.26.8實(shí)施例352.06.411.5從表1可以理解，設(shè)有金屬層的實(shí)施例2與未設(shè)有金屬層的實(shí)施例3相比，能夠以更低的驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的元件壽命。(實(shí)施例4)實(shí)施例4中，除空穴注入層和發(fā)光層的構(gòu)成不同的點(diǎn)以外，制造具有與實(shí)施例2的情況同樣的構(gòu)成的有機(jī)el元件，并用玻璃與實(shí)施例2同樣地進(jìn)行密封。將實(shí)施例4的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件a4。對(duì)有機(jī)el元件a4中的空穴注入層和發(fā)光層的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。<空穴注入層>在ito薄膜上涂布包含空穴注入材料α1的墨液，將所形成的涂膜的厚度設(shè)為85nm，除該點(diǎn)以外與實(shí)施例2的情況同樣地形成空穴注入層。<發(fā)光層>將綠色發(fā)光性共軛系高分子材料與二甲苯混合，得到綠色發(fā)光性共軛系高分子材料的濃度為2.2％的發(fā)光層形成用組合物。以下，將實(shí)施例4中使用的綠色發(fā)光性共軛系高分子材料稱(chēng)為綠色發(fā)光性共軛系高分子材料α7。利用旋涂法將所得到的發(fā)光層形成用組合物涂布在空穴傳輸層上，得到膜厚85nm的涂膜。將設(shè)置有該涂膜的玻璃基板在氮?dú)夥?非活性氣氛)下，利用加熱板，在150℃加熱10分鐘，由此使溶劑蒸發(fā)后，自然冷卻至室溫，得到發(fā)光層。如上所述，發(fā)光層中包含綠色發(fā)光性共軛系高分子材料α7，因此有機(jī)el元件a4為綠色發(fā)光元件。驅(qū)動(dòng)所制造的有機(jī)el元件a4，測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。元件壽命與實(shí)施例1同樣地用lt80進(jìn)行評(píng)價(jià)。元件壽命的測(cè)定是在以25ma/cm2的恒定電流驅(qū)動(dòng)元件的狀態(tài)下測(cè)定的。電流效率為亮度為100cd/m2(即，100nit)時(shí)的值。驅(qū)動(dòng)電壓為電流密度為10ma/cm2時(shí)的值。有機(jī)el元件a3中，元件壽命(lt80)為12.4小時(shí)，電流效率為6.1cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為6.2v。(實(shí)施例5)作為實(shí)施例5，除不具備金屬層的點(diǎn)以外與實(shí)施例4的情況同樣地制造有機(jī)el元件，并用玻璃進(jìn)行密封。將實(shí)施例5的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件a5。有機(jī)el元件a5也與有機(jī)el元件a4同樣地為綠色發(fā)光元件。對(duì)所制造的有機(jī)el元件a5在與實(shí)施例4的情況同樣的條件下測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。實(shí)施例5中，元件壽命(lt80)為1.7小時(shí)，電流效率為12.9cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為8.9v。[實(shí)施例4和實(shí)施例5的比較]上述實(shí)施例4和實(shí)施例5中的元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)定結(jié)果如表3所示?！颈?】元件壽命(小時(shí))電流效率(cd/a)驅(qū)動(dòng)電壓(v)實(shí)施例412.46.16.2實(shí)施例51.712.98.9從表3可以理解，設(shè)有金屬層的實(shí)施例4與未設(shè)有金屬層的實(shí)施例5相比，電流效率降低，但能夠以更低的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的元件壽命。(實(shí)施例6)實(shí)施例6中，除空穴注入層和發(fā)光層的構(gòu)成不同的點(diǎn)以外，制造具有與實(shí)施例2的情況同樣的構(gòu)成的有機(jī)el元件，并用玻璃進(jìn)行密封。將實(shí)施例6的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件a6。對(duì)有機(jī)el元件a6中的空穴注入層和發(fā)光層的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。<空穴注入層>在ito薄膜上涂布包含空穴注入材料α1的墨液，使所形成的涂膜的厚度設(shè)為35nm，除該點(diǎn)以外與實(shí)施例2的情況同樣地形成空穴注入層。<發(fā)光層>將藍(lán)色發(fā)光性共軛系高分子材料α3與二甲苯混合，得到藍(lán)色發(fā)光性共軛系高分子材料α3的濃度為1.3％的發(fā)光層形成用組合物。利用旋涂法將所得到的發(fā)光層形成用組合物涂布在空穴傳輸層上，得到膜厚65nm的涂膜。在氮?dú)夥?非活性氣氛)下，利用加熱板，將設(shè)置有該涂膜的玻璃基板在150℃加熱10分鐘，由此使溶劑蒸發(fā)后，自然冷卻至室溫，得到發(fā)光層。如上所述，發(fā)光層中包含藍(lán)色發(fā)光性共軛系高分子材料α3，因此有機(jī)el元件a6為藍(lán)色發(fā)光元件。驅(qū)動(dòng)所制造的有機(jī)el元件a6，測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。元件壽命與實(shí)施例1同樣地用lt80進(jìn)行評(píng)價(jià)。元件壽命的測(cè)定是在以80ma/cm2的恒定電流驅(qū)動(dòng)元件的狀態(tài)下測(cè)定的。電流效率為亮度為100cd/m2(即，100nit)時(shí)的值。驅(qū)動(dòng)電壓為電流密度為10ma/cm2時(shí)的值。有機(jī)el元件a6中，元件壽命(lt80)為11.8小時(shí)，電流效率為1.7cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為4.9v。(實(shí)施例7)作為實(shí)施例7，除不具備金屬層的點(diǎn)以外與實(shí)施例6的情況同樣地制造有機(jī)el元件，并用玻璃進(jìn)行密封。將實(shí)施例7的有機(jī)el元件稱(chēng)為有機(jī)el元件a7。有機(jī)el元件a7也與有機(jī)el元件a6同樣地為藍(lán)色發(fā)光元件。對(duì)所制造的有機(jī)el元件a7，在與實(shí)施例6的情況同樣的條件下測(cè)定元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓。實(shí)施例7中，元件壽命(lt80)為8.0小時(shí)，電流效率為1.7cd/a，驅(qū)動(dòng)電壓為5.1v。[實(shí)施例6和實(shí)施例7的比較]上述實(shí)施例6和實(shí)施例7中的元件壽命、電流效率和驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)定結(jié)果如表4所示?！颈?】元件壽命(小時(shí))電流效率(cd/a)驅(qū)動(dòng)電壓(v)實(shí)施例611.81.74.9實(shí)施例78.01.75.1從表4可以理解，設(shè)有金屬層的實(shí)施例6與未設(shè)有金屬層的實(shí)施例7相比，能夠以更低的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的元件壽命。從表2～表4的結(jié)果可以確認(rèn)，通過(guò)在紅色發(fā)光元件、綠色發(fā)光元件和藍(lán)色發(fā)光元件的任意元件中進(jìn)一步設(shè)置金屬層，由此可實(shí)現(xiàn)元件的長(zhǎng)壽命化，金屬層有助于驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性的提高。符號(hào)說(shuō)明1，2…有機(jī)el元件，13…發(fā)光層、14，14a…多層型電子傳輸層、14a…電子傳輸層、14b…第1混合層(發(fā)光層側(cè)混合層)，14c…第2混合層(陰極側(cè)混合層)，14d…金屬層、e1…陽(yáng)極，e2…陰極。當(dāng)前第1頁(yè)12