本申請(qǐng)要求于2016年4月15日提交的第10-2016-0046265號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請(qǐng)的公開通過引用全部包含于此。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置，更具體地，涉及一種防止密封劑從基底剝落的有機(jī)發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

不同于液晶顯示器(lcd)裝置，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)光特性且不需要單獨(dú)的光源。因此，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可具有減小的厚度和減輕的重量。另外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有諸如低功耗、高亮度、寬視角和高響應(yīng)速度的優(yōu)異特性，使得其對(duì)于在便攜式電子裝置中使用來說成為理想的選擇。

通常，有機(jī)發(fā)光裝置包括其上設(shè)置有薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管的第一基底、覆蓋第一基底的第二基底以及將第一基底和第二基底結(jié)合的密封劑。密封劑可被施加到第一基底的邊緣與第二基底的邊緣，并密封第一基底與第二基底之間的空間。

基底包括顯示圖像的顯示區(qū)和設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)的驅(qū)動(dòng)器的非顯示區(qū)。密封劑設(shè)置在非顯示區(qū)中。為了改善密封劑與基底之間的粘合，可在非顯示區(qū)中設(shè)置虛設(shè)金屬層。最近，根據(jù)減小非顯示區(qū)的面積的趨勢，虛設(shè)金屬層的面積也減小了，并且虛設(shè)金屬層的電阻增大了。結(jié)果，當(dāng)出現(xiàn)靜電時(shí)，電荷被儲(chǔ)存在虛設(shè)金屬層中，產(chǎn)生了熱并且密封劑會(huì)從基底剝落。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光裝置包括：第一基底，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；虛設(shè)金屬層，在非顯示區(qū)中設(shè)置在第一基底上。虛設(shè)金屬層包括在剖視圖中彼此疊置的第一虛設(shè)金屬層和第二虛設(shè)金屬層。有機(jī)發(fā)光裝置還包括：絕緣層，設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層與第二虛設(shè)金屬層之間；第二基底，覆蓋第一基底；密封劑，設(shè)置在第一基底與第二基底之間，并與虛設(shè)金屬層疊置。第一虛設(shè)金屬層電連接到第二虛設(shè)金屬層，密封劑接觸第二虛設(shè)金屬層。

在示例性實(shí)施例中，絕緣層包括與第一虛設(shè)金屬層的至少一部分疊置的第一接觸孔，第二虛設(shè)金屬層設(shè)置在絕緣層上，并通過第一接觸孔連接到第一虛設(shè)金屬層。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的電阻率小于第一虛設(shè)金屬層的電阻率。

在示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層由鉬制成，第二虛設(shè)金屬層由鋁制成。

在示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光裝置還包括：半導(dǎo)體，在顯示區(qū)中設(shè)置在第一基底上；柵極絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體上；柵極布線，設(shè)置在柵極絕緣層上。絕緣層設(shè)置在柵極布線上。有機(jī)發(fā)光裝置還包括設(shè)置在絕緣層上的數(shù)據(jù)布線。

在示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層與柵極布線由相同的材料制成，并與柵極布線設(shè)置在同一層中。

在示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，柵極布線包括在剖視圖中設(shè)置在第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層之間的第一柵極布線以及設(shè)置在第二柵極絕緣層上的第二柵極布線。

在示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層與第一柵極布線或第二柵極布線由相同的材料制成，并與第一柵極布線或第二柵極布線設(shè)置在同一層中。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層與數(shù)據(jù)布線由相同的材料制成，并與數(shù)據(jù)布線設(shè)置在同一層中。

在示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層和第二虛設(shè)金屬層具有與第一基底的邊緣基本平行延伸的條形。

在示例性實(shí)施例中，在平面圖中第二虛設(shè)金屬層的寬度小于第一虛設(shè)金屬層的寬度。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的第一邊緣包括多個(gè)第一突起和凹部。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的第一邊緣與第一基底的邊緣相鄰。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的與第二虛設(shè)金屬層的第一邊緣相對(duì)的第二邊緣包括多個(gè)第二突起和凹部。

在示例性實(shí)施例中，孔圖案形成在第一虛設(shè)金屬層中，第二接觸孔形成在絕緣層中，第二接觸孔設(shè)置在孔圖案中。

在示例性實(shí)施例中，密封劑設(shè)置在第二接觸孔中。

在示例性實(shí)施例中，密封劑通過第二接觸孔接觸第一基底。

在示例性實(shí)施例中，多個(gè)第二接觸孔設(shè)置在孔圖案中。

在示例性實(shí)施例中，多個(gè)孔圖案以矩陣形式設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層中。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層不與孔圖案疊置。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的與第一基底的邊緣相鄰的第一邊緣以及第二虛設(shè)金屬層的與第二虛設(shè)金屬層的第一邊緣相對(duì)的第二邊緣均包括多個(gè)突起和凹部。

在示例性實(shí)施例中，絕緣層包括與第一虛設(shè)金屬層的至少一部分疊置的第一接觸孔和第三接觸孔，第二虛設(shè)金屬層通過第一接觸孔連接到第一虛設(shè)金屬層，密封劑通過第三接觸孔接觸第一虛設(shè)金屬層。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種有機(jī)發(fā)光裝置包括包含顯示區(qū)和非顯示區(qū)的第一基底、與第一基底相對(duì)的第二基底以及在顯示區(qū)中設(shè)置在第一基底上的像素。像素包括存儲(chǔ)電容器、包括陽極和陰極的有機(jī)發(fā)光二極管、包括第一柵電極的驅(qū)動(dòng)晶體管以及包括第二柵電極的開關(guān)晶體管。有機(jī)發(fā)光裝置還包括在非顯示區(qū)中設(shè)置在第一基底上的虛設(shè)金屬層。虛設(shè)金屬層包括第一虛設(shè)金屬層和第二虛設(shè)金屬層。第一虛設(shè)金屬層和第二虛設(shè)金屬層彼此疊置。有機(jī)發(fā)光裝置還包括絕緣層和密封劑，所述絕緣層在剖視圖中在第一虛設(shè)金屬層與第二虛設(shè)金屬層之間在非顯示區(qū)中設(shè)置在第一基底上，所述密封劑在第一基底與第二基底之間在非顯示區(qū)中設(shè)置在第一基底上，并與虛設(shè)金屬層疊置。第一虛設(shè)金屬層、第一柵電極和第二柵電極由相同的材料制成。

在示例性實(shí)施例中，第一柵電極連接到存儲(chǔ)電容器的第一端，存儲(chǔ)電容器的第二端連接到驅(qū)動(dòng)電壓線，第二柵電極連接到掃描線，陽極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的漏電極，陰極連接到共電壓線。

在示例性實(shí)施例中，絕緣層包括與第一虛設(shè)金屬層的至少一部分疊置的第一接觸孔，第二虛設(shè)金屬層設(shè)置在絕緣層上并通過第一接觸孔連接到第一虛設(shè)金屬層。

在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的電阻率小于第一虛設(shè)金屬層的電阻率。

在示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層由鉬制成，第二虛設(shè)金屬層由鋁制成。

附圖說明

通過參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

圖2示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的圖1的放大的a部分的俯視平面圖。

圖3示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的相對(duì)于圖2的線iii-iii的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖4示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的一個(gè)像素的等效電路圖。

圖5示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的多個(gè)晶體管和電容器的布局圖。

圖6示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖5的詳細(xì)的布局圖。

圖7示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的相對(duì)于線vii-vii的圖6的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖8示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的相對(duì)于線viii-viii的圖6的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖9示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖10示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

圖11示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

圖12示出相對(duì)于圖11的線xii-xii的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖13示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖14示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

圖15示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

圖16示出相對(duì)于圖15的線xvi-xvi的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖17示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

圖18示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

具體實(shí)施方式

將參照附圖在下文中更充分地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。同樣的附圖標(biāo)記可貫穿附圖指示同樣的元件。

將理解的是，當(dāng)諸如膜、區(qū)域、層或元件的組件被稱作“在”另一組件“上”，“連接到”、“結(jié)合到”另一組件或“與”另一組件“相鄰”時(shí)，該組件可直接在所述另一組件上，直接連接到、結(jié)合到所述另一組件或與所述另一組件相鄰，或者可存在中間組件。還將理解的是，當(dāng)組件被稱作“在”兩個(gè)組件“之間”時(shí)，該組件可以是在這所述兩個(gè)組件之間的唯一組件，或者還可存在一個(gè)或更多個(gè)中間組件。還將理解的是，當(dāng)組件被稱作“覆蓋”另一組件時(shí)，該組件可以是覆蓋所述另一組件的唯一組件，或者一個(gè)或更多個(gè)中間組件也可覆蓋所述另一組件。另外，當(dāng)?shù)谝粎^(qū)或第一組件被描述為圍繞第二區(qū)或第二組件時(shí)，將理解為第一區(qū)或第一組件可完全地或部分地圍繞第二區(qū)或第二組件。

將進(jìn)一步理解的是，這里使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開，元件不受這些術(shù)語限制。因此，在一個(gè)示例性實(shí)施例中的“第一”元件可在另一示例性實(shí)施例中描述為“第二”元件。

還將理解的是，當(dāng)兩個(gè)組件或方向被描述為相互基本平行或垂直延伸時(shí)，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，所述兩個(gè)組件或方向相互精確地平行或垂直延伸，或者相互近似地平行或垂直地延伸。此外，當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)組件被描述為彼此基本相同或者兩個(gè)或更多個(gè)值被描述為彼此大概相等時(shí)，將理解的是，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，所述組件或值是彼此相同、彼此不可區(qū)分或者彼此可區(qū)分但在功能上彼此相同。另外，當(dāng)兩個(gè)工藝被描述為同時(shí)執(zhí)行或者彼此以基本同一時(shí)間執(zhí)行時(shí)，將理解的是，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，所述兩個(gè)工藝可以以精確地同一時(shí)間執(zhí)行或者大概同一時(shí)間執(zhí)行。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D1描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。

如圖1所示，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基底110、第二基底210以及設(shè)置在第一基底110與第二基底210之間的密封劑650。

例如，第一基底110和第二基底210可由諸如玻璃、石英、陶瓷或塑料的絕緣材料制成。

第一基底110包括設(shè)置有屏幕并顯示圖像的顯示區(qū)da以及設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)da的驅(qū)動(dòng)器的非顯示區(qū)na。非顯示區(qū)na圍繞顯示區(qū)da。例如，顯示區(qū)da鄰近第一基底110的中央設(shè)置，非顯示區(qū)na鄰近第一基底110的邊緣設(shè)置。薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管可設(shè)置在顯示區(qū)da中。有機(jī)發(fā)光二極管可針對(duì)相應(yīng)的像素發(fā)射光以顯示圖像。傳輸用于驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)da的預(yù)設(shè)信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器設(shè)置在非顯示區(qū)na中。

虛設(shè)金屬層500設(shè)置在第一基底110的非顯示區(qū)na中。虛設(shè)金屬層500圍繞第一基底110的邊緣的一部分。第一基底110可基本形成矩形，虛設(shè)金屬層500可形成在形成矩形的四條邊中的三條邊上。扇出部129可形成在未設(shè)置虛設(shè)金屬層500的邊上。虛設(shè)金屬層500可使用與扇出部129相同的金屬材料與扇出部129設(shè)置在同一層上。因此，虛設(shè)金屬層500和扇出部129設(shè)置在不同的位置處，使得它們不短路。

第二基底210附著到第一基底110。第二基底210可用作用于防止?jié)駳鉂B透到第一基底110與第二基底210之間的空間中的包封基底。第二基底210可具有與第一基底110的形狀相似的形狀，并可比第一基底110小。因此，第一基底110的一部分可不被第二基底210覆蓋。例如，第一基底110的其上設(shè)置有扇出部129的一部分的部分可以是不被第二基底210覆蓋的部分，如圖1所示。

虛設(shè)金屬層500可延伸到第一基底110的鄰近扇出部129的端部。即，虛設(shè)金屬層500可延伸到第一基底110的在第一基底110不被第二基底210覆蓋的部分中的端部。

密封劑650設(shè)置在第一基底110的非顯示區(qū)na中并與虛設(shè)金屬層500疊置。密封劑650可圍繞第一基底110的邊緣(例如，全部邊緣)。即，當(dāng)?shù)谝换?10形成矩形時(shí)，密封劑650可設(shè)置在矩形的全部四條邊上。

密封劑650可由玻璃料制成。當(dāng)在高溫下加熱玻璃材料并且將溫度操作成急劇下降時(shí)，形成玻璃粉末型的玻璃料。當(dāng)對(duì)此粉末型玻璃料添加氧化物粉末并對(duì)其添加有機(jī)材料時(shí)，形成凝膠狀態(tài)的膏。當(dāng)對(duì)第二基底210的邊緣施加此膏并在預(yù)設(shè)的溫度下加熱時(shí)，有機(jī)材料消散到空氣中，凝膠狀態(tài)的膏變硬，并且現(xiàn)在是固體玻璃料的密封劑650附著到第二基底210。當(dāng)設(shè)置第二基底210的附著有密封劑650的邊使得該邊接觸第一基底110并對(duì)其照射激光束或紅外線時(shí)，密封劑650融化并附著到第一基底110，第一基底110結(jié)合到第二基底210。當(dāng)?shù)谝换?10通過密封劑650結(jié)合到第二基底210時(shí)，可防止氧或濕氣滲透到第一基底110與第二基底210之間的空間中。因此，可防止設(shè)置在第一基底110的顯示區(qū)da中的有機(jī)發(fā)光二極管暴露于氧或濕氣，因此防止有機(jī)發(fā)光二極管受損。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D2和圖3描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的非顯示區(qū)na的構(gòu)造。

圖2示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的圖1的放大的a部分的俯視平面圖。圖3示出根據(jù)示例性實(shí)施例的相對(duì)于圖2的線iii-iii的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。圖1中的a部分對(duì)應(yīng)于非顯示區(qū)na。

如圖2和圖3所示，緩沖層120可設(shè)置在第一基底110上，柵極絕緣層140可設(shè)置在緩沖層120上。

例如，緩沖層120可由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料制成。緩沖層120可由單層或多層形成。例如，緩沖層120可防止諸如雜質(zhì)或濕氣的不必要的成分的滲透，并同時(shí)使表面基本平坦。緩沖層120可設(shè)置在第一基底110的顯示區(qū)da和非顯示區(qū)na中。因此，緩沖層120可設(shè)置在第一基底110的整個(gè)面上。

例如，柵極絕緣層140可由諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料制成。柵極絕緣層140可由單層或多層形成。例如，柵極絕緣層140可包括第一柵極絕緣層141和設(shè)置在第一柵極絕緣層141上的第二柵極絕緣層142。柵極絕緣層140可設(shè)置在第一基底110的顯示區(qū)da和非顯示區(qū)na中。因此，柵極絕緣層140可設(shè)置在第一基底110的整個(gè)面上。

盡管緩沖層120和柵極絕緣層140已在上面描述為設(shè)置在第一基底110的整個(gè)面上，但本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，緩沖層120和柵極絕緣層140不形成在第一基底110的非顯示區(qū)na中。

虛設(shè)金屬層500設(shè)置在柵極絕緣層140上。虛設(shè)金屬層500可設(shè)置在第二柵極絕緣層142上。虛設(shè)金屬層500可包括第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520。第一虛設(shè)金屬層510可與第二虛設(shè)金屬層520疊置。層間絕緣層160可設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510與第二虛設(shè)金屬層520之間。

層間絕緣層160可由無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料制成。層間絕緣層160可構(gòu)造有單層或多層。層間絕緣層160可通過堆疊由有機(jī)絕緣材料制成的層和由無機(jī)絕緣材料制成的層來設(shè)置。層間絕緣層160可設(shè)置在第一基底110的顯示區(qū)da和非顯示區(qū)na中。因此，層間絕緣層160可設(shè)置在第一基底110的整個(gè)面上。

第一虛設(shè)金屬層510可設(shè)置在第二柵極絕緣層142上，層間絕緣層160可設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510上。與第一虛設(shè)金屬層510的至少一部分疊置的第一接觸孔161設(shè)置在層間絕緣層160中。第一接觸孔161可以在平面上沿水平方向和豎直方向以矩陣形式設(shè)置。例如，如圖2所示，在示例性實(shí)施例中，以4x4矩陣設(shè)置的十六個(gè)第一接觸孔161可形成一個(gè)集合，多個(gè)第一接觸孔161的集合可以設(shè)置在列方向上并在它們之間具有預(yù)設(shè)的間隙。然而，形成每個(gè)集合且包括在有機(jī)發(fā)光裝置中的第一接觸孔161的形式和第一接觸孔161的數(shù)量不限于此。

第二虛設(shè)金屬層520可設(shè)置在層間絕緣層160上。第二虛設(shè)金屬層520設(shè)置在第一接觸孔161中并通過第一接觸孔161連接到第一虛設(shè)金屬層510。因此，第一虛設(shè)金屬層510電連接到第二虛設(shè)金屬層520。第二虛設(shè)金屬層520的電阻率可小于第一虛設(shè)金屬層510的電阻率。例如，第一虛設(shè)金屬層510可包括鉬，第二虛設(shè)金屬層520可包括鈦或鋁。第一虛設(shè)金屬層510可由單層的鉬形成。第二虛設(shè)金屬層520可由包括鈦、鋁和鈦的三層形成。

密封劑650設(shè)置在第二虛設(shè)金屬層520上，第二虛設(shè)金屬層520接觸(例如，直接接觸)密封劑650。當(dāng)對(duì)密封劑650施加靜電時(shí)，因?yàn)槊芊鈩?50接觸由金屬材料制成的虛設(shè)金屬層500，所以大部分電荷可分散到虛設(shè)金屬層500。虛設(shè)金屬層500包括彼此電連接的第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520。因此，虛設(shè)金屬層500的電阻在其包括彼此連接的第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520時(shí)可比在虛設(shè)金屬層500形成為單層的情況下低。例如，與虛設(shè)金屬層500由具有相對(duì)較大的電阻率的第一虛設(shè)金屬層510形成的情況相比，虛設(shè)金屬層500還包括具有相對(duì)較小的電阻率的第二虛設(shè)金屬層520進(jìn)一步使電阻降低。如描述的，當(dāng)接觸密封劑650的虛設(shè)金屬層500的電阻減小時(shí)，電荷的分散效果變得更大，可防止密封劑650因靜電而從第一基底110分開。

第二基底210設(shè)置在密封劑650上。密封劑650沿第一基底110與第二基底210之間的邊緣形成。因此，可防止?jié)駳鉂B透到第一基底110與第二基底210之間的空間。

在示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520可具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形。例如，第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520可沿與第一基底110的邊緣延伸的方向基本平行的方向縱向地延伸。第二虛設(shè)金屬層520的寬度可小于第一虛設(shè)金屬層510的寬度(例如，在平面圖中，第二虛設(shè)金屬層520的寬度可以比第一虛設(shè)金屬層510的寬度窄，如圖2所示)。在示例性實(shí)施例中，整個(gè)第二虛設(shè)金屬層520可與第一虛設(shè)金屬層510的一部分疊置。第二虛設(shè)金屬層520可與第一虛設(shè)金屬層510的邊緣部疊置。例如，第二虛設(shè)金屬層520可與第一虛設(shè)金屬層510的鄰近第一基底110的邊緣設(shè)置的邊緣部疊置。靜電可通過密封劑650的外部傳輸。因此，當(dāng)靜電分散時(shí)，第二虛設(shè)金屬層520可設(shè)置在最鄰近第一基底110的邊緣的位置處。

盡管示例性實(shí)施例已被描述為第二虛設(shè)金屬層520的寬度小于第一虛設(shè)金屬層510的寬度，導(dǎo)致第二虛設(shè)金屬層520與第一虛設(shè)金屬層510的一部分疊置，但是本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520的寬度可與第一虛設(shè)金屬層510的寬度基本對(duì)應(yīng)(例如，第一虛設(shè)金屬層510的寬度與第二虛設(shè)金屬層520的寬度可基本相等)，第二虛設(shè)金屬層520可與整個(gè)第一虛設(shè)金屬層510疊置。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D4至圖8描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖4示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的一個(gè)像素的等效電路圖。

如圖4所示，有機(jī)發(fā)光裝置包括多條信號(hào)線151、152、153、171、172和192以及連接到信號(hào)線并基本以矩陣形式布置的多個(gè)像素px。

各像素px包括連接到多條信號(hào)線151、152、153、171、172和192的多個(gè)晶體管t1、t2、t3、t4、t5和t6、存儲(chǔ)電容器cst和有機(jī)發(fā)光二極管old。

晶體管t1、t2、t3、t4、t5和t6包括驅(qū)動(dòng)晶體管t1、開關(guān)晶體管t2、補(bǔ)償晶體管t3、初始化晶體管t4、操作控制晶體管t5和光發(fā)射控制晶體管t6。信號(hào)線151、152、153、171、172和192包括用于傳輸掃描信號(hào)sn的掃描線151、用于將前階段掃描信號(hào)sn-1傳輸?shù)匠跏蓟w管t4的前階段掃描線152，用于將光發(fā)射控制信號(hào)em傳輸?shù)讲僮骺刂凭w管t5和光發(fā)射控制晶體管t6的光發(fā)射控制線153、與掃描線151交叉并傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)dm的數(shù)據(jù)線171、傳輸驅(qū)動(dòng)電壓elvdd并與數(shù)據(jù)線171基本平行設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電壓線172以及用于傳輸用于使驅(qū)動(dòng)晶體管t1初始化的初始化電壓vint的初始化電壓線192。

驅(qū)動(dòng)晶體管t1包括柵電極g1、源電極s1和漏電極d1，柵電極g1連接到存儲(chǔ)電容器cst的第一端cst1，源電極s1經(jīng)由操作控制晶體管t5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172，漏電極d1經(jīng)由光發(fā)射控制晶體管t6電連接到有機(jī)發(fā)光二極管old的陽極。驅(qū)動(dòng)晶體管t1根據(jù)開關(guān)晶體管t2的開關(guān)接收數(shù)據(jù)信號(hào)dm，并將驅(qū)動(dòng)電流id提供到有機(jī)發(fā)光二極管old。

開關(guān)晶體管t2包括柵電極g2、源電極s2和漏電極d2，柵電極g2連接到掃描線151，源電極s2連接到數(shù)據(jù)線171，漏電極d2連接到驅(qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1并且經(jīng)由操作控制晶體管t5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172。開關(guān)晶體管t2通過由掃描線151提供的掃描信號(hào)sn導(dǎo)通，以執(zhí)行用于將通過數(shù)據(jù)線171提供的數(shù)據(jù)信號(hào)dm傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1的開關(guān)操作。

補(bǔ)償晶體管t3包括柵電極g3、源電極s3和漏電極d3，柵電極g3連接到掃描線151，源電極s3連接到驅(qū)動(dòng)晶體管t1的漏電極d1并且經(jīng)由光發(fā)射控制晶體管t6連接到有機(jī)發(fā)光二極管old的陽極，漏電極d3連接到初始化晶體管t4的漏電極d4、存儲(chǔ)電容器cst的第一端cst1和驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1。補(bǔ)償晶體管t3通過由掃描線151提供的掃描信號(hào)sn導(dǎo)通，以連接驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1和漏電極d1，結(jié)果二極管方式連接驅(qū)動(dòng)晶體管t1。

初始化晶體管t4包括柵電極g4、源電極s4和漏電極d4，柵電極g4連接到前階段掃描線152，源電極s4連接到初始化電壓線192，漏電極d4連接到存儲(chǔ)電容器cst的第一端cst1和驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1和補(bǔ)償晶體管t3的漏電極d3。初始化晶體管t4通過由前階段掃描線152提供的前階段掃描信號(hào)sn-1導(dǎo)通，以將初始化電壓vint傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1，并執(zhí)行用于使驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1處的柵極電壓vg初始化的初始化操作。

操作控制晶體管t5包括柵電極g5、源電極s5和漏電極d5，柵電極g5連接到光發(fā)射控制線153，源電極s5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172，漏電極d5連接到驅(qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1和開關(guān)晶體管t2的漏電極d2。

光發(fā)射控制晶體管t6包括柵電極g6、源電極s6和漏電極d6，柵電極g6連接到光發(fā)射控制線153，源電極s6連接到驅(qū)動(dòng)晶體管t1的漏電極d1和補(bǔ)償晶體管t3的源電極s3，漏電極d6電連接到有機(jī)發(fā)光二極管old的陽極。操作控制晶體管t5和光發(fā)射控制晶體管t6通過由光發(fā)射控制線153提供的光發(fā)射控制信號(hào)em基本同時(shí)導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電壓elvdd通過二極管方式連接的驅(qū)動(dòng)晶體管t1獲得補(bǔ)償，并被傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光二極管old。

存儲(chǔ)電容器cst包括連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172的第二端cst2，有機(jī)發(fā)光二極管old包括連接到用于傳輸共電壓elvss的共電壓線741的陰極。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D5、圖6、圖7和圖8描述在圖4中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的詳細(xì)構(gòu)造。

圖5示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的多個(gè)晶體管和電容器的布局圖。圖6示出根據(jù)示例性實(shí)施例的圖5的詳細(xì)的布局圖。圖7示出根據(jù)示例性實(shí)施例的相對(duì)于線vii-vii的圖6的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。圖8示出根據(jù)示例性實(shí)施例的相對(duì)于線viii-viii的圖6的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D5和圖6描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的詳細(xì)俯視平面圖構(gòu)造，將參照?qǐng)D7和圖8描述其截面構(gòu)造。

有機(jī)發(fā)光裝置包括用于分別施加掃描信號(hào)sn、前階段掃描信號(hào)sn-1和光發(fā)射控制信號(hào)em的掃描線151、前階段掃描線152和光發(fā)射控制線153。掃描線151、前階段掃描線152和光發(fā)射控制線153沿行方向設(shè)置。有機(jī)發(fā)光裝置包括數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172與掃描線151、前階段掃描線152和光發(fā)射控制線153交叉并分別將數(shù)據(jù)信號(hào)dm和驅(qū)動(dòng)電壓elvdd施加到像素px。初始化電壓vint從初始化電壓線192經(jīng)由初始化晶體管t4傳輸?shù)窖a(bǔ)償晶體管t3。初始化電壓線192包括交替布置的線性部分和傾斜部分。例如，初始化電壓線192可包括以不同角度從彼此延伸的多個(gè)部分。

另外，像素px包括驅(qū)動(dòng)晶體管t1、開關(guān)晶體管t2、補(bǔ)償晶體管t3、初始化晶體管t4、操作控制晶體管t5、光發(fā)射控制晶體管t6、存儲(chǔ)電容器cst和有機(jī)發(fā)光二極管old。

有機(jī)發(fā)光二極管old包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和共電極270。

驅(qū)動(dòng)晶體管t1、開關(guān)晶體管t2、補(bǔ)償晶體管t3、初始化晶體管t4、操作控制晶體管t5和光發(fā)射控制晶體管t6的各自的溝道形成在一個(gè)連接的半導(dǎo)體130中。半導(dǎo)體130可以以各種形狀彎曲。半導(dǎo)體130可由例如多晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成。

溝道131包括用于驅(qū)動(dòng)晶體管t1的驅(qū)動(dòng)溝道131a、用于開關(guān)晶體管t2的開關(guān)溝道131b、用于補(bǔ)償晶體管t3的補(bǔ)償溝道131c、用于初始化晶體管t4的初始化溝道131d、用于操作控制晶體管t5的操作控制溝道131e以及用于光發(fā)射控制晶體管t6的光發(fā)射控制溝道131f。

驅(qū)動(dòng)晶體管t1包括驅(qū)動(dòng)溝道131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a與驅(qū)動(dòng)溝道131a疊置，驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a設(shè)置在驅(qū)動(dòng)溝道131a的相應(yīng)的鄰近側(cè)上。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a通過接觸孔61連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174。

開關(guān)晶體管t2包括開關(guān)溝道131b、開關(guān)柵電極155b、開關(guān)源電極136b和開關(guān)漏電極137b。作為從掃描線151向下延伸的部分的一部分的開關(guān)柵電極155b與開關(guān)溝道131b疊置。開關(guān)源電極136b和開關(guān)漏電極137b形成在開關(guān)溝道131b的相應(yīng)的鄰近側(cè)上。開關(guān)源電極136b通過接觸孔62連接到數(shù)據(jù)線171。

補(bǔ)償晶體管t3包括補(bǔ)償溝道131c、補(bǔ)償柵電極155c、補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c。作為掃描線151的一部分的補(bǔ)償柵電極155c與補(bǔ)償溝道131c疊置。補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c設(shè)置在補(bǔ)償溝道131c的相應(yīng)的鄰近側(cè)上。補(bǔ)償漏電極137c通過接觸孔63連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174。

初始化晶體管t4包括初始化溝道131d、初始化柵電極155d、初始化源電極136d和初始化漏電極137d。兩個(gè)初始化柵電極155d(例如，前階段掃描線152的一部分)可防止泄漏電流并與初始化溝道131d疊置。初始化源電極136d和初始化漏電極137d設(shè)置在初始化溝道131d的相應(yīng)的鄰近側(cè)上。初始化源電極136d通過接觸孔64連接到第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175。

操作控制晶體管t5包括操作控制溝道131e、操作控制柵電極155e、操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e。作為光發(fā)射控制線153的一部分的操作控制柵電極155e與操作控制溝道131e疊置。操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e設(shè)置在操作控制溝道131e的相應(yīng)的鄰近側(cè)上。操作控制源電極136e通過接觸孔65連接到從驅(qū)動(dòng)電壓線172延伸的一部分。

光發(fā)射控制晶體管t6包括光發(fā)射控制溝道131f、光發(fā)射控制柵電極155f、光發(fā)射控制源電極136f和光發(fā)射控制漏電極137f。作為光發(fā)射控制線153的一部分的光發(fā)射控制柵電極155f與光發(fā)射控制溝道131f疊置。光發(fā)射控制源電極136f和光發(fā)射控制漏電極137f形成在光發(fā)射控制溝道131f的相應(yīng)的鄰近側(cè)上。光發(fā)射控制漏電極137f通過接觸孔66連接到第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179。

驅(qū)動(dòng)晶體管t1的驅(qū)動(dòng)溝道131a包括第一端和第二端，第一端連接到開關(guān)漏電極137b和操作控制漏電極137e，第二端連接到補(bǔ)償源電極136c和光發(fā)射控制源電極136f。

存儲(chǔ)電容器cst包括第一存儲(chǔ)電極155a和第二存儲(chǔ)電極156，它們之間設(shè)置有第二柵極絕緣層142。第一存儲(chǔ)電極155a對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a。第二存儲(chǔ)電極156從存儲(chǔ)線157延伸，比驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a大，并覆蓋整個(gè)驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a。

這里，第二柵極絕緣層142成為介電材料，存儲(chǔ)電容由儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容器cst中的電荷之間的電壓以及電容板155a和156確定。通過將驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a用作第一存儲(chǔ)電極155a，可在因在像素中占據(jù)大面積的驅(qū)動(dòng)溝道131a而變窄的空間中獲得用于設(shè)置存儲(chǔ)電容器cst的空間。

作為驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的第一存儲(chǔ)電極155a通過接觸孔61和存儲(chǔ)開口51連接到第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的第一端。存儲(chǔ)開口51是形成在第二存儲(chǔ)電極156中的開口。因此，將第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的第一端與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a連接的接觸孔61設(shè)置在存儲(chǔ)開口51中。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174與數(shù)據(jù)線171設(shè)置在同一層上，并沿與數(shù)據(jù)線171延伸的方向基本平行的方向延伸。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174的第二端通過接觸孔63連接到補(bǔ)償晶體管t3的補(bǔ)償漏電極137c和初始化晶體管t4的初始化漏電極137d。因此，第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174連接驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a、補(bǔ)償晶體管t3的補(bǔ)償漏電極137c和初始化晶體管t4的初始化漏電極137d。

因此，存儲(chǔ)電容器cst儲(chǔ)存與通過驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸?shù)降诙鎯?chǔ)電極156的驅(qū)動(dòng)電壓elvdd和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電壓vg之間的差對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容。

第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179通過接觸孔81連接到像素電極191。第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175通過接觸孔82連接到初始化電壓線192。

現(xiàn)在將針對(duì)堆疊次序描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的截面構(gòu)造。

緩沖層120形成在第一基底110上。

包括包含驅(qū)動(dòng)溝道131a、開關(guān)溝道131b、補(bǔ)償溝道131c、初始化溝道131d、操作控制溝道131e和光發(fā)射控制溝道131f的溝道131的半導(dǎo)體130形成在緩沖層120上。驅(qū)動(dòng)源電極136a和驅(qū)動(dòng)漏電極137a設(shè)置在半導(dǎo)體130的驅(qū)動(dòng)溝道131a的相應(yīng)的側(cè)上。開關(guān)源電極136b和開關(guān)漏電極137b設(shè)置在開關(guān)溝道131b的相應(yīng)的側(cè)上。補(bǔ)償源電極136c和補(bǔ)償漏電極137c設(shè)置在補(bǔ)償溝道131c的相應(yīng)的側(cè)上。初始化源電極136d和初始化漏電極137d設(shè)置在初始化溝道131d的相應(yīng)的側(cè)上。操作控制源電極136e和操作控制漏電極137e設(shè)置在操作控制溝道131e的相應(yīng)的側(cè)上。光發(fā)射控制源電極136f和光發(fā)射控制漏電極137f設(shè)置在光發(fā)射控制溝道131f的相應(yīng)的側(cè)上。

覆蓋半導(dǎo)體130的第一柵極絕緣層141形成在半導(dǎo)體130上。包括包含開關(guān)柵電極155b和補(bǔ)償柵電極155c的掃描線151、包含初始化柵電極155d的前階段掃描線152、包含操作控制柵電極155e和光發(fā)射控制柵電極155f的光發(fā)射控制線153以及驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O(例如，第一存儲(chǔ)電極)155a的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f形成在第一柵極絕緣層141上。

覆蓋第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f以及第一柵極絕緣層141的第二柵極絕緣層142形成在第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f以及第一柵極絕緣層141上。

包括存儲(chǔ)線157和第二存儲(chǔ)電極156的第二柵極布線157和156形成在第二柵極絕緣層142上，存儲(chǔ)線157基本平行于掃描線151設(shè)置，第二存儲(chǔ)電極156是從存儲(chǔ)線157延伸的部分。設(shè)置在非顯示區(qū)na中的第一虛設(shè)金屬層510可與設(shè)置在顯示區(qū)da中的第二柵極布線157和156由相同的材料制成。此外，第一虛設(shè)金屬層510可與第二柵極布線157和156設(shè)置在同一層中。第二柵極布線157和156以及第一虛設(shè)金屬層510可通過在第二柵極絕緣層142上沉積金屬材料并將其圖案化而基本同時(shí)形成。

層間絕緣層160形成在第二柵極絕緣層142以及第二柵極布線157和156上。

暴露半導(dǎo)體130的上側(cè)的至少一部分的接觸孔61、62、63、64、65和66形成在層間絕緣層160中。

包括數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174、第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175和第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179的數(shù)據(jù)布線171、172、174、175和179形成在層間絕緣層160上。設(shè)置在非顯示區(qū)na中的第二虛設(shè)金屬層520可與設(shè)置在顯示區(qū)da中的數(shù)據(jù)布線171、172、174、175和179由相同的材料制成。另外，第二虛設(shè)金屬層520可與數(shù)據(jù)布線171、172、174、175和179設(shè)置在同一層中。數(shù)據(jù)布線171、172、174、175和179以及第二虛設(shè)金屬層520可通過在層間絕緣層160上沉積金屬材料并將其圖案化而基本同時(shí)形成。

數(shù)據(jù)線171通過接觸孔62連接到開關(guān)源電極136b。第一數(shù)據(jù)連接構(gòu)件174包括第一端和第二端，第一端通過接觸孔61連接到第一存儲(chǔ)電極155a，第二端通過接觸孔63連接到補(bǔ)償漏電極137c和初始化漏電極137d。沿與數(shù)據(jù)線171的方向基本平行的方向延伸的第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175通過接觸孔64連接到初始化源電極136d。第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179通過接觸孔66連接到光發(fā)射控制漏電極137f。

覆蓋數(shù)據(jù)布線171、172、174、175和179以及層間絕緣層160的鈍化層180形成在數(shù)據(jù)布線171、172、174、175和179以及層間絕緣層160上。

像素電極191和初始化電壓線192形成在鈍化層180上。第三數(shù)據(jù)連接構(gòu)件179通過形成在鈍化層180中的接觸孔81連接到像素電極191，第二數(shù)據(jù)連接構(gòu)件175通過形成在鈍化層180中的接觸孔82連接到初始化電壓線192。

覆蓋鈍化層180、初始化電壓線192和像素電極191的像素限定層pdl350形成在鈍化層180、初始化電壓線192和像素電極191上。例如，像素限定層350可形成在鈍化層180、初始化電壓線192和像素電極191的邊緣上。像素限定層350包括暴露像素電極191的像素開口351。

有機(jī)發(fā)射層370設(shè)置在通過像素開口351暴露的像素電極191上，共電極270設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層370上。共電極270形成在像素限定層350上并遍及多個(gè)像素px形成。這樣，形成包括像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和共電極270的有機(jī)發(fā)光二極管old。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法包括：在非顯示區(qū)na中，在第一基底110上設(shè)置第一虛設(shè)金屬層510，在第一虛設(shè)金屬層510上設(shè)置層間絕緣層160，以及在層間絕緣層160中形成第一接觸孔161。第一接觸孔161與第一虛設(shè)金屬層510的一部分疊置。該方法還包括在層間絕緣層160上并在第一接觸孔161內(nèi)設(shè)置第二虛設(shè)金屬層520。第二虛設(shè)金屬層520與第一虛設(shè)金屬層510疊置并通過第一接觸孔161電連接到第一虛設(shè)金屬層510。該方法還包括使用密封劑650將第二基底210附著到第一基底110。密封劑650設(shè)置在第一基底110與第二基底210之間，密封劑650與第二虛設(shè)金屬層520疊置并與之接觸。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D9描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖9中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D1至圖8中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。在參照?qǐng)D9描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層的形成位置與之前描述的示例性實(shí)施例不同?，F(xiàn)在將描述根據(jù)圖9的示例性實(shí)施例。

圖9示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。與圖3相似，圖9示出在圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

在之前描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510設(shè)置在第二柵極絕緣層142上方。在圖9示出的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510設(shè)置在第二柵極絕緣層142下方。第一虛設(shè)金屬層510設(shè)置在第一柵極絕緣層141與第二柵極絕緣層142之間。

設(shè)置在非顯示區(qū)na中的第一虛設(shè)金屬層510可與圖5至圖8的設(shè)置在顯示區(qū)da中的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f由相同的材料制成。第一虛設(shè)金屬層510可與第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f設(shè)置在同一層中。圖5至圖8的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f以及第一虛設(shè)金屬層510可通過在第一柵極絕緣層141上沉積金屬材料并將其圖案化而基本同時(shí)形成。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D10描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖10中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D1至圖8中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。在參照?qǐng)D9描述的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的邊緣的形狀與之前描述的示例性實(shí)施例的形狀不同。現(xiàn)在將描述根據(jù)圖10的示例性實(shí)施例。

圖10示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。與圖2相似，圖10示出在圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

如圖10所示，與之前的示例性實(shí)施例相似，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的虛設(shè)金屬層500、覆蓋第一基底110的第二基底210以及使第一基底110和第二基底210結(jié)合的密封劑650。

虛設(shè)金屬層500包括第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520。在之前描述的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣具有線性形狀(例如，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣沿基本上直線延伸)(見圖2)。在圖10的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形(例如，第二虛設(shè)金屬層520沿與第一基底110的邊緣基本平行的方向縱向延伸)，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣具有包括多個(gè)突起和凹部的形狀。例如，如圖10所示，可在第二虛設(shè)金屬層520的邊緣處交替包括突起和凹部。因此，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有沿與第一基底110的邊緣基本平行的第一方向延伸的條形以及沿與第一方向交叉(例如，與第一方向基本垂直)的第二方向延伸的多個(gè)突起和凹部。

如圖10所示，第二虛設(shè)金屬層520的鄰近第一基底110的邊緣設(shè)置的第一邊緣以及第二虛設(shè)金屬層520的設(shè)置在第一邊緣的相對(duì)側(cè)上的第二邊緣具有包括突起和凹部的形狀。即，第二虛設(shè)金屬層520的與第一基底110的邊緣基本平行的各邊緣具有包括突起和凹部的形狀。因此，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣的總長度長于之前的示例性實(shí)施例的第二虛設(shè)金屬層的邊緣的總長度。因此，當(dāng)外部氧或濕氣的滲透路徑增加時(shí)，可有效地防止或減少該滲透，并且可有效地分散靜電。

已在上面描述了在示例性實(shí)施例中第二虛設(shè)金屬層520的各邊緣具有包括突起和凹部的形狀。然而，本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520的一個(gè)邊緣可具有包括突起和凹部的形狀，在相對(duì)側(cè)上的邊緣可具有線性形狀(例如，該邊緣可沿基本上直線延伸，而沒有任何突起和凹部)。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D11和圖12描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖11和圖12中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D1至圖8中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。圖11和圖12中示出的示例性實(shí)施例與之前的示例性實(shí)施例的不同之處在于現(xiàn)在將描述的孔圖案產(chǎn)生在第一虛設(shè)金屬層中。

圖11示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。圖12示出相對(duì)于圖11的線xii-xii的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。圖11和圖12示出根據(jù)示例性實(shí)施例的位于圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

如圖11和圖12所示，與之前的示例性實(shí)施例相似，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的虛設(shè)金屬層500、覆蓋第一基底110的第二基底210以及使第一基底110和第二基底210結(jié)合的密封劑650。

虛設(shè)金屬層500包括第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520。在之前描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形，在條形的內(nèi)部不設(shè)置有附加的圖案。在圖11和圖12中示出的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形，孔圖案512形成在第一虛設(shè)金屬層510中。孔圖案512可在通過在柵極絕緣層140上沉積金屬材料并將其圖案化而形成第一虛設(shè)金屬層510的工藝期間基本同時(shí)形成。盡管孔圖案512示出為具有基本四邊形形狀，但本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，可各種地修改孔圖案512以形成多個(gè)不同的形狀。

孔圖案512形成在第一虛設(shè)金屬層510不與第二虛設(shè)金屬層520疊置的位置處。因此，孔圖案512不與第二虛設(shè)金屬層520疊置。

層間絕緣層160設(shè)置在彼此疊置的第一虛設(shè)金屬層510與第二虛設(shè)金屬層520之間。第一接觸孔161與第一虛設(shè)金屬層510的至少一部分疊置并產(chǎn)生在層間絕緣層160中。第二接觸孔162也形成在層間絕緣層160中。第二接觸孔162設(shè)置在孔圖案512中。第二接觸孔162可在平面圖中沿水平方向和豎直方向以矩陣形式設(shè)置。例如，在示例性實(shí)施例中，以4x4矩陣形式設(shè)置的十六個(gè)第二接觸孔162可構(gòu)成一個(gè)集合，一個(gè)集合的第二接觸孔162可設(shè)置在一個(gè)孔圖案512中。多個(gè)孔圖案512可以以矩陣形式設(shè)置。因此，第二接觸孔162的集合可以以矩陣形式設(shè)置。第二接觸孔162和孔圖案512的上述設(shè)置是示例性的，并以多種方式是可修改的。

第二接觸孔162形成在設(shè)置在層間絕緣層160下方的柵極絕緣層140和緩沖層120中。因此，密封劑650可通過第二接觸孔162接觸第一基底110。然而，本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，第二接觸孔162可形成在層間絕緣層160中。另外，第二接觸孔162可形成在層間絕緣層160和設(shè)置在層間絕緣層160下方的柵極絕緣層140中。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D13描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖13中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D11和圖12中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。在參照?qǐng)D13描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層的形成位置與之前描述的示例性實(shí)施例不同。現(xiàn)在將描述根據(jù)圖13的示例性實(shí)施例。

圖13示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。與圖12相似，圖13示出在圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

在之前描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510設(shè)置在第二柵極絕緣層142上方。在圖13示出的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510可設(shè)置在第二柵極絕緣層142下方。第一虛設(shè)金屬層510可設(shè)置在第一柵極絕緣層141與第二柵極絕緣層142之間。

設(shè)置在非顯示區(qū)na中的第一虛設(shè)金屬層510可與圖5至圖8的設(shè)置在顯示區(qū)da中的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f由相同的材料制成，并可與第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f設(shè)置在同一層中。圖5至圖8的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f以及第一虛設(shè)金屬層510可通過在第一柵極絕緣層141上沉積金屬材料并將其圖案化而基本同時(shí)形成。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D14描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖14中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D11和圖12中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。在參照?qǐng)D14描述的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的邊緣的形狀與之前描述的示例性實(shí)施例不同?，F(xiàn)在將描述根據(jù)圖14的示例性實(shí)施例。

圖14示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。圖14示出在圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

如圖14所示，與之前描述的示例性實(shí)施例相似，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的虛設(shè)金屬層500、覆蓋第一基底110的第二基底210以及使第一基底110和第二基底210結(jié)合的密封劑650。第一接觸孔161和第二接觸孔162形成在設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510與第二虛設(shè)金屬層520之間的層間絕緣層160中。與之前描述的示例性實(shí)施例相似，第二接觸孔162設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510的孔圖案512中。

在之前描述的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣具有線性形狀(例如，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣沿基本上直線延伸)。在圖14中示出的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形(例如，第二虛設(shè)金屬層520沿與第一基底110的邊緣基本平行的方向縱向延伸)，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣具有包括多個(gè)突起和凹部的形狀。例如，如圖14所示，可在第二虛設(shè)金屬層520的邊緣處交替包括突起和凹部。因此，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有沿與第一基底110的邊緣基本平行的第一方向延伸的條形以及沿與第一方向交叉(例如，與第一方向基本垂直)的第二方向延伸的多個(gè)突起和凹部。

第二虛設(shè)金屬層520的鄰近第一基底110的邊緣設(shè)置的第一邊緣以及與第一邊緣相對(duì)設(shè)置的第二邊緣具有包括突起和凹部的形狀。即，第二虛設(shè)金屬層520的與第一基底110的邊緣基本平行的各邊緣具有包括突起和凹部的形狀。因此，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣比之前描述的示例性實(shí)施例的第二虛設(shè)金屬層的邊緣長。因此，當(dāng)外部氧或濕氣的滲透路徑增加時(shí)，可有效地防止或減少該滲透，并且可有效地分散靜電。

已描述了第二虛設(shè)金屬層520的各邊緣具有包括突起和凹部的形狀。然而，本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520的一個(gè)邊緣可具有包括突起和凹部的形狀，在相對(duì)側(cè)上的邊緣可具有線性形狀。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D15和圖16描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖15和圖16中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D1至圖8中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。參照?qǐng)D15和圖16描述的示例性實(shí)施例與之前描述的示例性實(shí)施例的不同之處在于在層間絕緣層中還形成第三接觸孔。

圖15示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。圖16示出相對(duì)于圖15的線xvi-xvi的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。圖15和圖16示出位于圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

如圖15和圖16所示，與之前描述的示例性實(shí)施例相似，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的虛設(shè)金屬層500、覆蓋第一基底110的第二基底210以及使第一基底110和第二基底210結(jié)合的密封劑650。

虛設(shè)金屬層500包括第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520。層間絕緣層160設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510上。與第一虛設(shè)金屬層510的至少一部分疊置的第一接觸孔161和第三接觸孔163形成在層間絕緣層160中。第一接觸孔161設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510與第二虛設(shè)金屬層520疊置的部分處。第一虛設(shè)金屬層510通過第一接觸孔161連接到第二虛設(shè)金屬層520。第三接觸孔163設(shè)置在第一虛設(shè)金屬層510不與第二虛設(shè)金屬層520疊置的部分處。第一虛設(shè)金屬層510通過第三接觸孔163接觸密封劑650。

與第一接觸孔161相似，第三接觸孔163可在平面上沿水平方向和豎直方向以矩陣形式設(shè)置。例如，在示例性實(shí)施例中，以4x4矩陣形式設(shè)置的十六個(gè)第三接觸孔163可構(gòu)成一個(gè)集合。多個(gè)第三接觸孔163的集合可以以矩陣形成設(shè)置。然而，本發(fā)明不限于此。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D17描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖17中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D15和圖16中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。在參照?qǐng)D17描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層的形成位置與之前描述的示例性實(shí)施例不同。現(xiàn)在將描述根據(jù)圖17的示例性實(shí)施例。

圖17示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。與圖16相似，圖17示出在圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

在之前描述的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510設(shè)置在第二柵極絕緣層142上方。在圖17示出的示例性實(shí)施例中，第一虛設(shè)金屬層510可設(shè)置在第二柵極絕緣層142下方。另外，第一虛設(shè)金屬層510可設(shè)置在第一柵極絕緣層141與第二柵極絕緣層142之間。

設(shè)置在非顯示區(qū)na中的第一虛設(shè)金屬層510可與圖5至圖8的設(shè)置在顯示區(qū)da中的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f由相同的材料制成，并可與第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f設(shè)置在同一層中。圖5至圖8的第一柵極布線151、152、153、155a、155b、155c、155d、155e和155f以及第一虛設(shè)金屬層510可通過在第一柵極絕緣層141上沉積金屬材料并將其圖案化而基本同時(shí)形成。

現(xiàn)在將參照?qǐng)D18描述根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。

圖18中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括與參照?qǐng)D15和圖16中示出的根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置描述的元件和構(gòu)造相似的元件和構(gòu)造。為了便于解釋，可在這里省略之前描述的元件和構(gòu)造的進(jìn)一步描述。在參照?qǐng)D18描述的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層的邊緣的形狀與之前描述的示例性實(shí)施例不同。現(xiàn)在將描述根據(jù)圖18的示例性實(shí)施例。

圖18示出根據(jù)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的俯視平面圖。與圖15相似，圖18示出在圖1的非顯示區(qū)na中的a部分。

如圖18所示，與之前描述的示例性實(shí)施例相似，有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基底110、設(shè)置在第一基底110上的虛設(shè)金屬層500、覆蓋第一基底110的第二基底210以及使第一基底110和第二基底210結(jié)合的密封劑650。

虛設(shè)金屬層500包括第一虛設(shè)金屬層510和第二虛設(shè)金屬層520。在之前描述的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣具有線性形狀。在圖18中示出的示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有與第一基底110的邊緣基本平行延伸的條形(例如，第二虛設(shè)金屬層520沿與第一基底110的邊緣基本平行的方向縱向延伸)，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣具有包括突起和凹部的形狀。例如，如圖18所示，可在第二虛設(shè)金屬層520的邊緣處交替包括突起和凹部。因此，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520具有沿與第一基底110的邊緣基本平行的第一方向延伸的條形以及沿與第一方向交叉(例如，與第一方向基本垂直)的第二方向延伸的多個(gè)突起和凹部。

第二虛設(shè)金屬層520的鄰近第一基底110的邊緣設(shè)置的第一邊緣以及第二虛設(shè)金屬層520的設(shè)置在第一邊緣的相對(duì)側(cè)上的第二邊緣具有包括突起和凹部的形狀。即，第二虛設(shè)金屬層520的與第一基底110的邊緣基本平行的各邊緣具有包括突起和凹部的形狀。因此，第二虛設(shè)金屬層520的邊緣比之前描述的示例性實(shí)施例的第二虛設(shè)金屬層的邊緣長。因此，當(dāng)外部氧或濕氣的滲透路徑增加時(shí)，可有效地防止或減少該滲透，并且可有效地分散靜電。

盡管已在這里描述了第二虛設(shè)金屬層520的各邊緣具有包括突起和凹部的形狀，但本發(fā)明不限于此。例如，在示例性實(shí)施例中，第二虛設(shè)金屬層520的一個(gè)邊緣可具有包括突起和凹部的形狀，在相對(duì)側(cè)上的邊緣可具有線性形狀。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種防止密封劑從基底剝落的有機(jī)發(fā)光裝置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，虛設(shè)金屬層包括彼此電連接的多個(gè)層，從而降低電阻并防止由靜電導(dǎo)致的密封劑剝落。

盡管已參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的如權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。