本發(fā)明涉新材料領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于相變記憶體芯片的薄膜、開關(guān)材料及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著新一代相變非揮發(fā)性記憶體芯片(repcm，或者簡稱pcm)的研究和開發(fā)，各種新的開關(guān)材料在該領(lǐng)域得到了高度的關(guān)注和廣泛的應(yīng)用。這些材料所呈現(xiàn)出來的非線性電流-電壓(i-vcurve)性能非常適合應(yīng)用于以相變材料為基礎(chǔ)的非揮發(fā)性記憶體(non-volatilememory)芯片中。

在電壓的驅(qū)動下，這種材料的薄膜能夠在10～100ns之間發(fā)生極其快速的從幾乎不導(dǎo)電到導(dǎo)電的轉(zhuǎn)換。將導(dǎo)電狀態(tài)和不導(dǎo)電狀態(tài)可以數(shù)字0或者1為代表，從而達(dá)到二進(jìn)制的信息儲存讀/寫的目的。上述的材料在極端時間內(nèi)的導(dǎo)電和不導(dǎo)電狀態(tài)的變化，可以實現(xiàn)類似的電源開關(guān)的功能，而這個高速的開-關(guān)被稱為ovonicthresholdswitch(簡稱ots)。

然而，現(xiàn)有的開關(guān)材料存在諸多缺點，導(dǎo)致對其進(jìn)行深加工以制備pcm芯片器件的加工和制備工藝復(fù)雜度提高，難以大規(guī)模的進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)，或者說在利用這些開關(guān)材料制造pcm芯片時，其良率頗低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料，其具有較好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱以及納秒級的開關(guān)特性。

本發(fā)明的第二方面，提供了一種上述用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料的制備方法，其有利于地將碳納米管整合入硫族元素化合物中，并且制備工藝簡單，可改善硫族元素化合物的電學(xué)以及導(dǎo)熱的物理性能。

本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于相變記憶體芯片的薄膜，其具有上述開關(guān)材料的納秒級開關(guān)特性，以及所需的薄膜質(zhì)量，且制作周期因為碳納米管材料的摻雜而顯著地縮短。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料，包括摻雜有碳納米管的硫族元素化合物。

一種上述開關(guān)材料的制備方法。制備方法包括：在真空條件下，對混合物進(jìn)行制粉、熱壓燒結(jié)、冷卻。其中，混合物含有混合的硫族元素化合物和碳納米管。

一種用于相變記憶體芯片的薄膜，由上述的開關(guān)材料制備的靶材經(jīng)過濺射鍍膜制備而成。

本發(fā)明實施例的有益效果：本發(fā)明實施例提供的開關(guān)材料，通過在硫族元素化合物中摻雜一種嶄新的材料——碳納米管(carbonnanotube：簡稱cnt)，從而改變了硫族元素化合物的物理性能。摻雜后的開關(guān)材料具有更高的導(dǎo)電率和導(dǎo)熱率，同時由其制備的靶材經(jīng)過濺射形成的開關(guān)薄膜材料能夠保留具有閥值電壓(vth)的開關(guān)性能。本發(fā)明提供的開關(guān)材料改善甚至解決了傳統(tǒng)的開關(guān)材料在制造工藝的過程中出現(xiàn)的各種問題。例如，(1)在開關(guān)材料作為靶材進(jìn)行深度加工過程中，靶材綁定工藝，可以使用較高的加熱工藝而不至于產(chǎn)生很高的熱應(yīng)力而出現(xiàn)靶材斷裂的問題，大大地提高這道工序的生產(chǎn)率和良率；(2)在靶材濺射的過程中，可以使用較高的濺射功率而不至于產(chǎn)生很高的熱應(yīng)力而出現(xiàn)靶材斷裂，從而提高整個濺射過程的生產(chǎn)率和效率；(3)因為開關(guān)材料導(dǎo)電率的改善，其靶材的濺射可以使用直流(dc)或者脈沖直流(pulseddc)濺射，極大地提高濺射速率和開關(guān)薄膜材料的質(zhì)量。現(xiàn)有未摻雜的傳統(tǒng)開關(guān)材料的濺射只能夠通過射頻就(rf)濺射完成。

具體實施方式

下面將結(jié)合實施例對本發(fā)明的實施方案進(jìn)行詳細(xì)描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，下列實施例僅用于說明本發(fā)明，而不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍。實施例中未注明具體條件者，按照常規(guī)條件或制造商建議的條件進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過市售購買獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

以下針對本發(fā)明實施例的薄膜、開關(guān)材料及其制備方法進(jìn)行具體說明：

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料，其包括摻雜有碳納米管的硫族元素化合物。

其中，硫族元素化合物可以是含有元素周期表第六主族(ⅵa)元素的多元化合物。進(jìn)一步地，硫族元素化合物可以是元素周期表第六主族元素(ⅵa)與第四主族(ⅳa)元素組合的多元化合物。更進(jìn)一步地，硫族元素化合物可以是元素周期表第六主族元素(ⅵa)與第五主族(ⅴa)元素組合的多元化合物。

上述的第六主族(ⅵa)元素例如可以是硒(se)、碲(te)中的一種或多種。第四主族(ⅳa)元素例如可以是硅(si)、鍺(ge)中的一種或多種。第五主族(ⅴa)元素例如可以是砷(as)、銻(sb)、鉍(bi)中的一種或多種。

作為一種可選的示例，硫族元素化合物包括geasse三元化合物、geassesi四元化合物、geassete四元化合物、geassein四元化合物中的任一種。

geasse三元化合物是指由鍺元素(ge)、砷元素(as)以及硒元素(se)三種元素按照各種適合的原子百分比例組合而成的三元化合物。優(yōu)選地，geasse三元化合物包括ge33as12se55。

geassesi四元化合物是指由鍺元素(ge)、砷元素(as)、硒元素(se)以及硅元素(si)四種元素按照各種適合的原子百分比例組合而成的四元化合物。

geassete四元化合物是指由鍺元素(ge)、砷元素(as)、硒元素(se)以及碲元素(te)四種元素按照各種適合的原子百分比例組合而成的四元化合物。優(yōu)選地，geassete四元化合物包括ge30as13se32te25。

geassein四元化合物是指由鍺元素(ge)、砷元素(as)、硒元素(se)以及銦元素(in)四種元素按照各種適合的原子百分比例組合而成的四元化合物。

在前述的示例中，列舉了一些含有第六主族(ⅵa)元素的三元化合物、四元化合物，即硫族元素化合物。在本發(fā)明的其他一些實施例中，硫族元素化合物還可以含有是第六主族(ⅵa)元素的二元化合物，例如gese2，gese4，ges2，ges4，as2se3，as2te3中的任一種。，可以理解的是，本發(fā)明中的硫族元素化合物還可以適當(dāng)?shù)奈逶衔铮蛘吒喾N元素組成的化合物。

其中，“元”指的元素周期表中的任一個元素，在具體的示例中，元被指定為具體的元素，或者其同位素。

硫族元素化合物可以是純的化合物，也可以是含有適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)原子，其中，雜質(zhì)元素是以不會不利地影響開關(guān)材料的目標(biāo)性能(如期望的非線性i-v性能)而存在的?；蛘?，雜質(zhì)元素還可以是以有目的地引入的方式存在。即，通過引入雜質(zhì)元素以改善開關(guān)材料的其他性能，諸如導(dǎo)電或者導(dǎo)熱性能。

本發(fā)明實施例中的硫族元素化合物可以是通過真空熔煉而得，或者采用發(fā)明人已知的方法制備而成。真空熔煉制備硫族元素化合物的方法例如可以是：采用構(gòu)成硫族元素化合物的各元素單質(zhì)(粉末狀)按照所需比例混合于高純度的石英管內(nèi)。將石英管抽成真空(如1×10^-2到1×10^-3pa)，然后再密封石英管。將石英管放置于加熱體系中進(jìn)行加熱(例如530℃±20℃)，在各元素充分接觸反應(yīng)后，降溫至室溫。

碳納米管是以碳為原子基礎(chǔ)的納米材料。基于原子的結(jié)合形狀分析，碳納米管近似為是石墨烯的片層卷曲結(jié)構(gòu)。

由于cnt的碳原子分布結(jié)構(gòu)的獨特性，因此cnt具備有許多獨特和優(yōu)異的材料物理特征。cnt具備有許多異常性能，諸如力學(xué)、電學(xué)和化學(xué)的性能等等。其重量輕、導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能在特定的晶軸方向異常優(yōu)異。

本發(fā)明實施例提供的用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料，充分地利用cnt優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，通過將其摻雜到含有硫族元素化合物中，從而改變了開關(guān)材料的整體導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能。

碳納米管可以選用具有金屬特性類型。碳納米管可以是單壁碳納米管(single-walledcarbonnanotubes，swcnt)，也可以是多壁碳納米管(multi-walledcarbonnanotubes,mwcnt)。優(yōu)選采用單壁cnt。作為一種可選的方案，碳納米管是多壁碳納米管和單壁碳納米管的混合物。例如，碳納米管中含有至少20％的swcnt。具體地，碳納米管中單壁碳納米管含量可以是至少33％，至少45％，至少43％，至少48％，至少51％，至少60％，至少65％，至少70％，至少80％或至少98％。

碳納米管可以具有任何適當(dāng)?shù)拈L度和直徑。原子力顯微鏡(afm)和/或拉曼散射光譜可用于測定在本發(fā)明方法中形成的碳納米管的尺寸。

碳納米管，尤其是單壁碳納米管的內(nèi)管徑通常小于6納米為佳，例如，5nm，4nm，3nm等等。碳納米管的長度以在500～30000nm范圍內(nèi)為宜。例如，600nm、700nm，800nm，1000nm，3000nm，6000nm，10000nm，1400nm，18000nm，20000nm，28000nm，30000nm。

在本發(fā)明的更佳示例中，碳納米管為100％或接近100％的純度的單壁碳納米管。其中，接近100％可以是90～99％，如98％，97％，96％等等。并且，單壁碳納米管具有以下尺寸限定:

管徑：<6nm；

長度：500nm～30000nm；

cnt表面的原子取向：手性指數(shù)(n，m)滿足等式n＝m。

采用上述更佳示例中的碳納米管可以更好地改善開關(guān)材料的電學(xué)性能和熱力學(xué)性能，還能夠極大地改善開關(guān)材料后續(xù)的優(yōu)異加工性能，同時不會影響其在相變記憶體芯片中的應(yīng)用。

應(yīng)該注意的是，在本發(fā)明的一些示例中，上述尺寸(管徑、長度)可以是作為原料被提供的碳納米管的原始尺寸。開關(guān)材料通過將具有前述原始尺寸的碳納米管進(jìn)行加工處理而成。

在本發(fā)明的另一些示例中，上述尺寸(管徑、長度)也可以是被制備成靶材后的開關(guān)材料中的碳納米管的產(chǎn)品尺寸。

由于cnt本身是各向異性的材料，其管壁上的原子分布和方向會影響到其導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能。

在本發(fā)明的一些實施例中，碳納米管的手性指數(shù)(n，m)滿足等式n-m＝3k，其中，k為正整數(shù)，m、n均為正整數(shù)。優(yōu)選地，碳納米管的手性指數(shù)(n，m)滿足等式n-m＝0，其中，m、n均為正整數(shù)。例如。

在本發(fā)明的一些示例中，碳納米管為單壁碳納米管，且其手性指數(shù)可以是(6，5)、(9，8)、(7，6)、(8，4)和(7，6)中任一種。單壁碳納米管的手性指數(shù)還可以是(9，7)、(10，6)和(10，9)中的任一種。

碳納米管在硫族元素化合物中的摻雜量，可以根據(jù)開關(guān)材料的具體性能參數(shù)要求進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇，本發(fā)明不對其具體含量進(jìn)行限定。但是，在本發(fā)明的較佳示例中，碳納米管(單壁碳納米管、或多壁碳納米管、或兩者的混合物)的摻雜量為3～10at％，或4～9at％，或5～8at％，或6～7at％，或4～7at％，或5～9at％等等。

本發(fā)明還提供了一種上述用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料的制備方法。制備方法包括：在真空條件下，對混合物進(jìn)行制粉、熱壓燒結(jié)、冷卻，混合物含有混合的硫族元素化合物和碳納米管。

進(jìn)一步地，作為可選的方案，在混合物中，硫族元素化合物和碳納米管是以粉末的形式混合。較佳地，粉末狀的硫元素化合物是通過在保護(hù)性氣體(如氮氣+氫氣)環(huán)境中通過研磨而得。

作為一種可選的實現(xiàn)方式，制備混合物的方法可以是：在保護(hù)性氣體(非氧化性氣氛，如氮氣+氫氣)的密閉環(huán)境中，球磨硫族元素化合物以制第一粉料。然后，充入氬氣至常壓，加入碳納米管繼續(xù)球磨粉碎。粉碎后摻雜了碳納米管的硫族元素化合物尺寸優(yōu)選為200～300目，以被用于制作該開關(guān)材料的濺射靶材。

較佳地，在制備混合物的過程中，優(yōu)選對前述的封閉環(huán)境中的溫度和濕度進(jìn)行限定。例如，濕度可以是20％以下，溫度可以是室溫。其中，室溫的一種可選方案是10～27℃，或13～25℃，或10～25℃，或16～26℃，或24℃，或20℃。

前述之真空條件是用于對各原料(至少包括硫族元素化合物和碳納米管)混合后形成的混合物進(jìn)行真空燒結(jié)。具體是指在封閉的環(huán)境中，通過抽真空形成的適當(dāng)壓強(qiáng)。其封閉環(huán)境的壓強(qiáng)例如，可以是1.0×10^-3pa～5.0×10^-3pa，或1.5×10^-3pa，或2×10^-3pa，或2.4×10^-3pa，或3×10^-3pa，或4×10^-3pa。

熱壓燒結(jié)的條件如下：

溫度例如可以是，280℃～400℃，或300℃～400℃，或320℃～360℃，或340℃，或380℃。

壓力例如可以為400～600噸，如，440噸、或460噸、或480噸、或500噸、或540噸、或580噸。

燒結(jié)時間例如可以為120～180分鐘，或130分鐘，或140分鐘，或160分鐘。

為了制備各種需要的用于相變記憶體芯片的薄膜材料，可以將開關(guān)材料制作為各種期望形狀的濺射靶材，以便進(jìn)行后續(xù)的加工處理。將其只作為目標(biāo)形狀的方式可以是通過將碳納米管和硫族元素化合物的混合粉末置于具有目標(biāo)形狀的模具(石墨模具)，于真空條件下進(jìn)行熱壓燒結(jié)形成具有目標(biāo)形狀的坯料?；蛘撸M(jìn)一步地，對坯料進(jìn)行機(jī)械加工獲得修整形狀的靶材。

由于前述的靶材中摻雜有碳納米管，而碳納米管具有優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，靶材也獲得適當(dāng)?shù)膶?dǎo)熱和導(dǎo)電性能。

由于靶材具有恰當(dāng)?shù)膶?dǎo)熱性能，對其進(jìn)行后續(xù)的熱加工，尤其是進(jìn)行靶材綁定和濺射鍍膜加工時，工藝得到了簡化，效率也相應(yīng)地提升。例如，高的導(dǎo)熱性能使靶材溫度很容易均勻，在綁定的過程中熱應(yīng)力導(dǎo)致斷裂的問題以及產(chǎn)品良率下降的問題都得到了很好的解決，甚至完全消除。其次，高的導(dǎo)熱性能使得在對靶材進(jìn)行濺射鍍膜加工時，可以采用功率密度更高的方式進(jìn)行濺射，而不至于產(chǎn)生很高的熱應(yīng)力，從而使濺射過程中鍍膜的速率得到了極大的改善。

由于靶材具有較優(yōu)異的導(dǎo)電性能，在對其進(jìn)行濺射鍍膜加工時，可以采用直流或脈沖直流濺射等方式，從而使濺射形成的薄膜質(zhì)量——諸如密度和缺陷——都得到了改善，且比現(xiàn)有用射頻濺射形成的薄膜更優(yōu)。

基于前述討論，本發(fā)明還提供了一種用于相變記憶體芯片的薄膜，由前述的開關(guān)材料制備的靶材經(jīng)過濺射鍍膜制備而成。其中，所述的濺射靶材的方法包括直流濺射或脈沖直流濺射。

進(jìn)一步地，本發(fā)明還提出了一種基于上述硫族元素化合物混合有碳納米管的開關(guān)材料薄膜，或者更具體而言是基于前述的開關(guān)材料濺射而成的薄膜的相變記憶體(phase-changememory，pcm)芯片。相變記憶體芯片主要利用相變材料的在不同溫度下的相變特性。具體而言，相變材料在晶態(tài)與非晶態(tài)之間，存在著4到5個數(shù)量級的電阻率的差異，因此可以通過不同的導(dǎo)電特性來代表二進(jìn)制的0和1。而用以控制前述的相變材料的晶態(tài)與非晶態(tài)的轉(zhuǎn)換，是通過焦耳熱效應(yīng)實現(xiàn)的。即通過使相變材料處于高溫或者低溫狀態(tài)而進(jìn)行晶態(tài)和非晶態(tài)的轉(zhuǎn)變，進(jìn)而改變其導(dǎo)電性。其中，在記憶體芯片中控制熱效應(yīng)是通過開關(guān)材料來實現(xiàn)。當(dāng)給予相變記憶體芯片低于閾值電壓(vth)時，通過開關(guān)材料的電流非常??；但輸入的電壓高于閾值電壓(vth)時，開關(guān)材料的電阻率突然急劇下降，使得施加的電流立刻通過開關(guān)材料，對相變材料區(qū)域進(jìn)行焦耳加熱(jouleheating)，使該材料發(fā)生相變，并改變芯片中存儲的狀態(tài)。通常在開關(guān)材料中施加的電場強(qiáng)度適宜地10～100v/μm，轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的相變記憶體芯片內(nèi)部的電路電壓為1～2v。

值得指出的是，在開關(guān)材料的靶材中，被摻雜的碳納米管仍然以有序碳原子排列的方式存在，其保持有優(yōu)異的熱性能和電學(xué)性能。當(dāng)開關(guān)材料制作的靶材濺射而成的薄膜中，碳原子已經(jīng)就不再是cnt的有序碳原子排列結(jié)構(gòu)，而僅僅是一種摻雜碳元素被引入薄膜中。

以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的薄膜、開關(guān)材料及其制備方法作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

實施例1

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料。其通過在ge、as、se的三元硫族元素化合物中摻雜有5at％碳納米管形成。其中，三元硫族元素化合物為ge33as12se55，其導(dǎo)熱系數(shù)為0.23w/mk，電阻率為10³～10⁴(ω.cm)。經(jīng)過碳納米管摻雜后的開關(guān)材料為ge31.4as11.4se52.2cnt5。cnt為單壁碳納米管，內(nèi)徑5nm，長度約為2000nm，其類型為電導(dǎo)體。其制備方法如下：將三元硫族元素化合物和碳納米管在保護(hù)性氣體氛圍的封閉環(huán)境中球磨為粉料，將粉料裝入石墨模具中，然后在石墨模具中于1.0×10^-3pa的真空度下，280℃、400噸壓力小燒結(jié)120分鐘，冷卻至室溫。本實施例提供的開關(guān)材料的導(dǎo)熱系數(shù)為120w/mk，電阻率為0.9～90(ω.cm)，使得這種開關(guān)材料制成的靶材在后續(xù)的綁定和濺射過程中，良率大為提高，而且可以用直流或者脈沖直流濺射該靶材成膜。不摻雜碳納米管的硫族元素化合物開關(guān)材料因為其很差的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能必須選擇射頻濺射(rfsputtering)，而且在生產(chǎn)其相應(yīng)的靶材和濺射過程中良率頗低。

實施例2

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料。其通過在ge、as、se的三元硫族元素化合物中摻雜有8at％碳納米管形成。其中，三元硫族元素化合物為ge13as37se50，其導(dǎo)熱系數(shù)為0.18w/mk，電阻率為7×10³～8×10⁴(ω.cm)。經(jīng)過碳納米管摻雜后的開關(guān)材料為ge12as34se46cnt8。cnt為單壁碳納米管，內(nèi)徑6nm，長度約為2000nm，其類型為電導(dǎo)體。其制備方法如下：將三元硫族元素化合物和碳納米管在保護(hù)性氣體氛圍的封閉環(huán)境中球磨為粉料，將粉料裝入石墨模具中，然后在石墨模具中于1.5×10^-3pa的真空度下，300℃、500噸壓力小燒結(jié)140分鐘，冷卻至室溫。本實施例提供的開關(guān)材料的導(dǎo)熱系數(shù)為130w/mk，電阻率為50～200(ω.cm)

實施例3

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料。其通過在ge、as、se、te的四元硫族元素化合物中摻雜有6at％碳納米管形成。其中，四元硫族元素化合物為ge30as13se32te25，其導(dǎo)熱系數(shù)為0.22w/mk，電阻率為5×10³～6×10⁴(ω.cm)。經(jīng)過碳納米管摻雜后的開關(guān)材料為ge28.2as12.2se30.1te23cnt6。cnt為多壁碳納米管，內(nèi)徑6nm，長度約為1500nm，其類型為電導(dǎo)體。其制備方法如下：將四元硫族元素化合物和碳納米管在保護(hù)性氣體氛圍的封閉環(huán)境中球磨為粉料，將粉料裝入石墨模具中，然后在石墨模具中于2.0×10^-3pa的真空度下，380℃、500噸壓力小燒結(jié)130分鐘，冷卻至室溫。本實施例提供的開關(guān)材料的導(dǎo)熱系數(shù)為90w/mk，電阻率為0.8～60(ω.cm)

實施例4

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料。其通過在ge、as、se的三元硫族元素化合物中摻雜有3at％碳納米管形成。其中，三元硫族元素化合物為ge16as32se52，其導(dǎo)熱系數(shù)為0.19w/mk，電阻率為9×10³～8×10⁴(ω.cm)。經(jīng)過碳納米管摻雜后的開關(guān)材料為ge15.5as31.0se50.5cnt3。cnt為多壁碳納米管，內(nèi)徑6nm，長度約為2500nm，其類型為電導(dǎo)體。其制備方法如下：將三元硫族元素化合物和碳納米管在保護(hù)性氣體氛圍的封閉環(huán)境中球磨為粉料，將粉料裝入石墨模具中，然后在石墨模具中于3.0×10^-3pa的真空度下，400℃、520噸壓力小燒結(jié)180分鐘，冷卻至室溫。本實施例提供的開關(guān)材料的導(dǎo)熱系數(shù)為75w/mk，電阻率為70～300(ω.cm)

實施例5

一種用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料。其通過在ge、as、se的三元硫族元素化合物中摻雜有10at％碳納米管形成。其中，三元硫族元素化合物為ge18as32se50，其導(dǎo)熱系數(shù)為0.19w/mk，電阻率為8×10³～6×10⁴(ω.cm)。經(jīng)過碳納米管摻雜后的開關(guān)材料為ge16.2as28.8se45cnt10。cnt為多壁碳納米管，內(nèi)徑6nm，長度約為3000nm，其類型為電導(dǎo)體。其制備方法如下：將三元硫族元素化合物和碳納米管在保護(hù)性氣體氛圍的封閉環(huán)境中球磨為粉料，將粉料裝入石墨模具中，然后在石墨模具中于5.0×10^-3pa的真空度下，380℃、600噸壓力小燒結(jié)150分鐘，冷卻至室溫。本實施例提供的開關(guān)材料的導(dǎo)熱系數(shù)為140w/mk，電阻率為50～200(ω.cm)

實施例6～10

分別采用實施例1～5提供的用于相變記憶體芯片的開關(guān)材料為原料制作的靶材，通過直流濺射制備用于相變記憶體芯片的薄膜。具體的參數(shù)如表1所示。

表1

對比例1～5

分別采用不摻雜碳納米管的相同硫族元素化合物為原料制作的靶材，因為其很差的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，只能夠通過射頻濺射制備薄膜。具體的參數(shù)如表2所示。

表2

盡管已用具體實施例來說明和描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識到，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出許多其它的更改和修改。因此，這意味著在所附權(quán)利要求中包括屬于本發(fā)明范圍內(nèi)的所有這些變化和修改。