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一種用于相變記憶體芯片的薄膜、開關材料及其制備方法與流程

文檔序號:12307990閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種用于相變記憶體芯片的薄膜、開關材料及其制備方法,屬于材料領域。開關材料包括摻雜有碳納米管的硫族元素化合物。通過引入碳納米管,使得該材料的導熱性能和導電性能明顯改善,但又不改變其作為開關材料的I?V曲線的特征。因此在該混合材料制成的靶材后續(xù)加工的過程中,其可加工性得到了極大的改進,良率和生產(chǎn)率得到了很大的提高,同時,由該種靶材濺射成的薄膜還保持著納秒級開關材料的性能,用于制作以相變材料為基礎的記憶體芯片。

技術(shù)研發(fā)人員:李宗雨;丘立安
受保護的技術(shù)使用者:成都先鋒材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.19
技術(shù)公布日:2017.10.27
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