技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于硅襯底的、結(jié)合了n溝道晶體管和p溝道晶體管的寬禁帶III?V?CMOS應(yīng)變場效應(yīng)晶體管，采用MOCVD或MBE設(shè)備外延生長，由在硅襯底上依次外延生長的第一多層晶格應(yīng)變緩沖層、GaSb溝道層、AlGaSb勢壘層、GaSb帽層、第二多層晶格應(yīng)變緩沖層、In0.53Ga0.47As溝道層、In0.52Al0.48As勢壘層及In0.53Ga0.47As帽層構(gòu)成。本發(fā)明可有效地提升p溝道晶體管遷移率，以改進(jìn)III?V中n溝道晶體管和p溝道晶體管遷移率巨大差別的問題，并提供高載流子速度與高驅(qū)動(dòng)電流的寬禁帶III?V族晶體管通道，有效的改善晶體管等比例縮小過程中帶來短溝道效應(yīng)，降低功耗，克服摩爾定律，打破極限，維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)等比例縮小進(jìn)程。

技術(shù)研發(fā)人員：黎明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710192955
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.06.13