1.一種寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括P溝道晶體管和n溝道晶體管；P溝道晶體管在硅襯底上依次外延生長(zhǎng)第一多層晶格應(yīng)變緩沖層、GaSb溝道層及AlGaSb勢(shì)壘層，AlGaSb勢(shì)壘層上方生長(zhǎng)第一GaSb帽層和第二GaSb帽層，所述GaSb溝道層與AlGaSb勢(shì)壘層形成二維空穴氣；所述第一GaSb帽層上形成有第一漏極，且AlGaSb勢(shì)壘層上形成有第一柵極，第二GaSb帽層上形成有第一源極；n溝道晶體管在所述第二GaSb帽層上依次外延生長(zhǎng)第二多層晶格應(yīng)變緩沖層、In0.53Ga0.47As溝道層及In0.52Al0.48As勢(shì)壘層，In0.52Al0.48As勢(shì)壘層上方生長(zhǎng)第一In0.53Ga0.47As帽層和第二In0.53Ga0.47As帽層，所述In0.53Ga0.47As溝道層與In0.52Al0.48As勢(shì)壘層形成二維空穴氣，且第一In0.53Ga0.47As帽層上形成有第二源極，In0.52Al0.48As勢(shì)壘層上形成有第二柵極，第二In0.53Ga0.47As帽層上形成有第二漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述硅襯底為p型Si襯底，其材料為Si、SiC、GaN、藍(lán)寶石或金剛石。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一多層晶格應(yīng)變緩沖層不摻雜，厚度為800～1800nm，從下至上先低溫生長(zhǎng)GaAs緩沖層，再高溫生長(zhǎng)GaAs/AlGaAs超晶格緩沖層，再采用梯度結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)GaAsySb1-y緩沖層，再生長(zhǎng)GaSb/AlGaSb超晶格緩沖層；y的值從1逐步降為0；GaSb/AlGaSb超晶格緩沖層中Al含量小于30％。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述GaSb溝道層不摻雜，厚度為50～100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述AlGaSb勢(shì)壘層厚度為15～40nm，Al含量小于30％，采用p型摻雜，體摻雜材料為Be、C或Mg，摻雜劑量為1×1018cm-3～3×1018cm-3。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一GaSb帽層和第二GaSb帽層的厚度為15～40nm，采用p型摻雜，體摻雜材料為Be、C或Mg，摻雜劑量為5×1018cm-3～2×1019cm-3。
7.根據(jù)權(quán)利要3所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第二多層晶格應(yīng)變緩沖層不摻雜，厚度600～1500nm，從下至上先采用梯度結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)GaAsySb1-y緩沖層，再生長(zhǎng)In0.53Ga0.47As/InP超晶格緩沖層；y的值從0逐步升為0.42。
8.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一權(quán)項(xiàng)所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述In0.53Ga0.47As溝道層不摻雜，厚度為50～100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一權(quán)項(xiàng)所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述In0.52Al0.48As勢(shì)壘層的厚度為15～40nm，采用n型摻雜，體摻雜Si的劑量為2×1018cm-3～6×1018cm-3。
10.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一權(quán)項(xiàng)所述的寬禁帶III-V CMOS應(yīng)變場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一In0.53Ga0.47As帽層和第二In0.53Ga0.47As帽層的厚度為15～40nm，采用n型摻雜，體摻雜Si的劑量為5×1018cm-3～2×1019cm-3。