技術(shù)編號：12680935
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種寬禁帶III-VCMOS應(yīng)變場效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種寬禁帶III-VCMOS應(yīng)變場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)根據(jù)摩爾定律，“集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍”。大抵而言，若在相同面積的晶圓下生產(chǎn)同樣規(guī)格的IC，隨著制程技術(shù)的進(jìn)步，每隔一年半，IC產(chǎn)出量就可增加一倍，換算為成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。就摩爾定律延伸，IC技術(shù)每隔一年半推進(jìn)一個世代。國際上半導(dǎo)體廠商基本都遵循著該...
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