技術特征：

技術總結
本申請公開了一種陣列基板和陣列基板的制作方法。陣列基板包括設置在襯底基板上的柵極、像素電極、柵絕緣層、鈍化層和公共電極；柵極包括第一透明電極和第一金屬電極，像素電極包括第三透明電極，第一金屬電極位于第一透明電極遠離襯底基板的一側，第一透明電極和第三透明電極位于同一層，柵絕緣層覆蓋柵極，柵極與像素電極彼此絕緣；鈍化層覆蓋像素電極，公共電極位于鈍化層遠離襯底基板的一側，公共電極和像素電極在彼此交疊的區(qū)域與柵絕緣層不相交疊；漏極與像素電極電連接。按照本申請的方案，通過設置公共電極和像素電極在交疊的區(qū)域與柵絕緣層不交疊，從而減少了兩電極之間的絕緣層數量，增強了兩電極之間的橫向電場強度。

技術研發(fā)人員：莫英華;曹兆鏗
受保護的技術使用者：上海天馬微電子有限公司
技術研發(fā)日：2017.03.28
技術公布日：2017.08.18