陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯不器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱TFFIXD)陣列基板包括位于中心區(qū)域的有效顯示區(qū)(Active Area)和位于邊緣區(qū)域的周邊電路區(qū)(Peripheral Circuit Area)。有效顯示區(qū)域設(shè)有多條數(shù)據(jù)線，周邊電路區(qū)包括布線區(qū)，布線區(qū)設(shè)有將數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)芯片連接的多條引線。
[0003]布線區(qū)的引線通常采用如下方式實(shí)現(xiàn):在金屬層上涂覆光刻膠；利用掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，在光刻膠上形成掩膜版圖案；對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影，留下掩膜版圖案的光刻膠；在顯影后的光刻膠的保護(hù)下，對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕，形成掩膜版圖案的金屬層，即多條引線。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，TFTLCD朝著窄邊框、高像素的方向發(fā)展，布線區(qū)引線的線寬和線距需要減小，但是利用掩膜版進(jìn)行曝光的分辨率是有限的，如果單純減小掩膜版圖案中的線寬和線距，會(huì)造成形成的引線斷路或短路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)會(huì)造成形成的引線斷路或短路的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的布線區(qū)，所述制作方法用于制作位于所述布線區(qū)中的線路，所述制作方法包括:
[0008]形成第一金屬層；
[0009]在所述第一金屬層上形成第一光刻膠圖形；
[0010]在所述第一金屬層上形成第二光刻膠圖形，所述第二光刻膠圖形與所述第一光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)；
[0011]在所述第一光刻膠圖形和所述第二光刻膠圖形的保護(hù)下，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行刻蝕，形成位于所述布線區(qū)中的線路。
[0012]在本發(fā)明一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述陣列基板還包括源漏金屬層，所述第一金屬層為所述源漏金屬層。
[0013]在本發(fā)明另一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述陣列基板還包括柵金屬層，所述第一金屬層為所述柵金屬層。
[0014]在本發(fā)明又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一光刻膠圖形由正性光刻膠形成，所述第二光刻膠圖形由負(fù)性光刻膠形成；
[0015]或者，所述第一光刻膠圖形由負(fù)性光刻膠形成，所述第二光刻膠圖形由正性光刻膠形成；
[0016]或者，所述第一光刻膠圖形由負(fù)性光刻膠形成，所述第二光刻膠圖形由負(fù)性光刻膠形成。
[0017]在本發(fā)明又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述制作方法還包括:
[0018]形成第二金屬層，所述第二金屬層與所述第一金屬層非同一金屬層；
[0019]在所述第二金屬層上形成位于所述布線區(qū)中的線路。
[0020]可選地，所述在所述第二金屬層上形成位于所述布線區(qū)中的線路，包括:
[0021]在所述第二金屬層上形成第三光刻膠圖形；
[0022]在所述第二金屬層上形成第四光刻膠圖形，所述第四光刻膠圖形與所述第三光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)；
[0023]在所述第三光刻膠圖形和所述第四光刻膠圖形的保護(hù)下，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行刻蝕，形成位于所述布線區(qū)中的線路。
[0024]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括源漏金屬層，所述第二金屬層為所述源漏金屬層。
[0025]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括柵金屬層，所述第二金屬層為所述柵金屬層。
[0026]在本發(fā)明又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述制作方法還包括:
[0027]在所述對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行刻蝕之前，檢測(cè)所述第一光刻膠圖形和所述第二光刻膠圖形的對(duì)位精度是否在設(shè)定范圍內(nèi)；
[0028]當(dāng)所述第一光刻膠圖形和所述第二光刻膠圖形的對(duì)位精度超出所述設(shè)定范圍時(shí)，剝離所述第一光刻膠圖形和所述第二光刻膠圖形，并重新形成所述第一光刻膠圖形和所述第二光刻膠圖形。
[0029]在本發(fā)明又一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述制作方法還包括:
[0030]在所述對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行刻蝕之后，剝離所述第一光刻膠圖形和所述第二光刻膠圖形。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0032]通過分別在第一金屬層上形成第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形，第二光刻膠圖形與第一光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)，分別形成的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形比一次形成的光刻膠圖形的圖形密度低，采用同樣的曝光設(shè)備，形成的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形的圖形質(zhì)量較好，避免了形成的布線區(qū)引線短路或斷路，實(shí)現(xiàn)了布線區(qū)引線的線寬和線距的減小。
【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0035]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0036]圖3a_圖3f是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，參見圖1，該制作方法包括:
[0039]步驟S11:形成第一金屬層。
[0040]步驟S12:在第一金屬層上形成第一光刻膠圖形。
[0041]步驟S13:在第一金屬層上形成第二光刻膠圖形。
[0042]在本實(shí)施例中，第二光刻膠圖形與第一光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)。
[0043]步驟S14:在第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形的保護(hù)下，對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕，形成位于布線區(qū)中的線路。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例通過分別在第一金屬層上形成第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形，第二光刻膠圖形與第一光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)，分別形成的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形比一次形成的光刻膠圖形的圖形密度低，采用同樣的曝光設(shè)備，形成的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形的圖形質(zhì)量較好，避免了形成的布線區(qū)引線短路或斷路，實(shí)現(xiàn)了布線區(qū)引線的線寬和線距的減小。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，參見圖2，該制作方法包括:
[0046]步驟S21:形成第一金屬層。
[0047]步驟S22:在第一金屬層上形成第一光刻膠圖形。
[0048]具體地，該步驟S22可以包括:
[0049]在第一金屬層上形成第一光刻膠層；
[0050]利用第一掩膜版對(duì)第一光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0051]對(duì)曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影，得到第一光刻膠圖形。
[0052]圖3a為步驟S22中在第一金屬層上形成第一光刻膠層之后的陣列基板，圖3b為步驟S22中對(duì)曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影之后的陣列基板，其中，1為基板，2a為第一金屬層，3a為第一光刻膠層，3b為第一光刻膠圖形。
[0053]在實(shí)際應(yīng)用中，有效顯示區(qū)除了設(shè)有多條平行的數(shù)據(jù)線，還設(shè)有呈陣列排列的像素單元、以及多條平行的柵線。每?jī)闪邢噜彽南袼貑卧g設(shè)有數(shù)據(jù)線，每?jī)尚邢噜彽南袼貑卧g設(shè)有柵線，柵線和數(shù)據(jù)線相互交叉且絕緣。其中，各個(gè)像素單元包括薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)和像素電極。
[0054]在具體實(shí)現(xiàn)中，有效顯示區(qū)先形成柵金屬層(包括柵極和柵線，柵線與柵極連接)；再形成絕緣層；然后形成有源層，有源層和柵極之間通過絕緣層絕緣；接著形成源漏金屬層(包括源極、漏極、以及數(shù)據(jù)線，源極和漏極分別與有源層連接，數(shù)據(jù)線與源極連接)、透明導(dǎo)電層(即像素電極，像素電極與漏極連接)。其中，柵極、絕緣層、源極、漏極和有源層形成TFT。需要說明的是，上述實(shí)現(xiàn)過程僅為舉例，并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0055]在本實(shí)施例中，當(dāng)陣列基板還包括源漏金屬層時(shí)，第一金屬層可以為源漏金屬層，引線與源極和漏極采用同一金屬層制成，降低了實(shí)現(xiàn)成本。而且在實(shí)際應(yīng)用中，源極和數(shù)據(jù)線通常是同層形成的，若第一金屬層為源漏金屬層，則引線和數(shù)據(jù)線可以直接連接，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單方便。
[0056]步驟S23:在第一金屬層上形成第二光刻膠圖形。
[0057]在本實(shí)施例中，第二光刻膠圖形與第一光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)。
[0058]可以理解地，通過分別在第一金屬層上形成第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形，第二光刻膠圖形與第一光刻膠圖形至少部分交錯(cuò)，分別形成的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形比一次形成的光刻膠圖形的圖形密度低，采用同樣的曝光設(shè)備，形成的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形的圖形質(zhì)量較好，避免了形成的布線區(qū)引線短路或斷路，實(shí)現(xiàn)了布線區(qū)引線的線寬和線距的減小。而且，通過形成至少部分交錯(cuò)的第一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形，只需一次刻蝕即可在布線區(qū)形成線寬和線距均較小的引線，與每次形成光刻膠圖形之后都進(jìn)行刻蝕相比，減少了一次刻蝕，簡(jiǎn)化了流程，降低了實(shí)現(xiàn)成本。
[0059]具體地，該步驟S23可以包括:
[0060]在第一金屬層上形成第二光刻膠層；
[0061]利用第二掩膜版對(duì)第二光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0062]對(duì)曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影，得到第二光刻膠圖形。
[0063]圖3c為步驟S23中在第一金屬層上形成第二光刻膠層之后的陣列基板，圖3d為步驟S23中對(duì)曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影之后的陣列基板，其中，1為基板，2a為第