技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板。薄膜晶體管的一具體實(shí)施方式包括：柵極、有源層、源極和漏極；其中，柵極形成于柵極金屬層，有源層形成于氧化物半導(dǎo)體層，源極和漏極形成于源漏金屬層，源漏金屬層位于氧化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離柵極金屬層的一側(cè)，且源極和漏極與有源層相接觸；柵極與有源層之間設(shè)有柵極絕緣層；柵極絕緣層對(duì)任意波長(zhǎng)為λ1的光的透過(guò)率低于對(duì)任意波長(zhǎng)為λ2的光的透過(guò)率；其中400nm≤λ1≤480nm，480nm＜λ2≤780nm。采用本申請(qǐng)的方案，可以提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：應(yīng)變;符鞠建;何澤尚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海天馬微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201710172101
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.22
技術(shù)公布日：2017.06.27