本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)液晶顯示屏具有亮度高、功耗低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域。TFT通常包括用于提供載流子的有源層。在TFT的柵極接收電壓信號(hào)時(shí)，載流子在有源層的溝道內(nèi)發(fā)生遷移。

現(xiàn)有的一種TFT采用氧化物半導(dǎo)體(例如銦鎵鋅氧化物)作為有源層材料，這種材料具有較高的載流子遷移率。但由于氧化物半導(dǎo)體對(duì)可見(jiàn)光波段的藍(lán)紫光較為敏感，當(dāng)藍(lán)紫光由背光源提供的射入TFT的有源層時(shí)，TFT的穩(wěn)定性下降，從而影響了顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述背景技術(shù)部分提到的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝吮∧ぞw管、陣列基板及顯示面板。

一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜晶體管，包括：柵極、有源層、源極和漏極；其中，柵極形成于柵極金屬層，有源層形成于氧化物半導(dǎo)體層，源極和漏極形成于源漏金屬層，源漏金屬層位于氧化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離柵極金屬層的一側(cè)，且源極和漏極與有源層相接觸；柵極與有源層之間設(shè)有柵極絕緣層；柵極絕緣層對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過(guò)率低于對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₂的光的透過(guò)率；其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。

第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板，包括上述薄膜晶體管。

第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示面板，包括上述陣列基板。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋∧ぞw管、陣列基板和顯示面板，柵極絕緣層對(duì)藍(lán)紫光波段的光的透過(guò)率低于對(duì)其他波段可見(jiàn)光的透過(guò)率，使得入射至薄膜晶體管的有源層的藍(lán)紫光的光強(qiáng)下降，從而提升了薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1是根據(jù)本申請(qǐng)的薄膜晶體管的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是光線傳輸至圖1所示薄膜晶體管中的有源層的路徑示意圖；

圖3是根據(jù)本申請(qǐng)的薄膜晶體管的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是光線傳輸至圖3所示薄膜晶體管中的有源層的路徑示意圖；

圖5是本申請(qǐng)實(shí)施例的一種薄膜晶體管的透過(guò)率頻譜仿真曲線；

圖6是根據(jù)本申請(qǐng)的陣列基板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是根據(jù)本申請(qǐng)的顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。

請(qǐng)參考圖1，其示出了根據(jù)本申請(qǐng)的薄膜晶體管的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示，薄膜晶體管100包括柵極101、有源層102、源極103以及漏極104。其中，柵極101形成于柵極金屬層11，有源層102形成于氧化物半導(dǎo)體層12，源極103和漏極104形成于源漏金屬層13。上述柵極金屬層11可以形成于襯底10的一側(cè)，源漏金屬層13位于氧化物半導(dǎo)體層12遠(yuǎn)離柵極金屬層11的一側(cè)，且源極103和漏極104與有源層102相接觸。

柵極101與有源層102之間設(shè)有柵極絕緣層14，該柵極絕緣層14可以由硅氮化物材料、硅氧化物材料或者由硅氮化物和硅氧化物的混合物形成。柵極絕緣層14對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過(guò)率低于對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₂的光的透過(guò)率；其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。400nm至480nm為可見(jiàn)光的藍(lán)紫光波段，通常在液晶顯示面板中，背光源發(fā)出的光線由襯底10向薄膜晶體管的柵極方向入射，上述柵極絕緣層14對(duì)藍(lán)紫光波段的透過(guò)率低于對(duì)其他波段可見(jiàn)光的透過(guò)率，則各波段的光線經(jīng)過(guò)柵極絕緣層14后，藍(lán)紫光強(qiáng)度的衰減程度較其他波段光強(qiáng)度的衰減程度大，從而削弱了藍(lán)紫光對(duì)薄膜晶體管有源層的氧化物半導(dǎo)體的穩(wěn)定性的影響。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，上述柵極絕緣層14可以由對(duì)藍(lán)紫光吸收率高于對(duì)其他波段光的吸收率的材料形成，或者由對(duì)藍(lán)紫光的反射率高于對(duì)其他波段光的反射率的材料形成。

可選地，上述柵極絕緣層14的材料為二氧化硅。

光線在入射至上述柵極絕緣層表面時(shí)，會(huì)發(fā)生反射和透射。在另一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，柵極絕緣層14可以按照如下方式設(shè)計(jì)：柵極絕緣層的厚度為d，柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₀，柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₀；對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

其中，[a]表示不大于a的正整數(shù)，或

在本實(shí)施例中，可以選擇柵極絕緣層的厚度d以及其折射率n₁₀和n₂₀，使其滿足上式(1)、(2)、(3)，這樣，在入射至柵極絕緣層的各波段光的強(qiáng)度相同時(shí)，藍(lán)紫光(波長(zhǎng)為λ₁)的反射光強(qiáng)度大于其他波段光(波長(zhǎng)為λ₂)的反射光強(qiáng)度，根據(jù)能量守恒定律，藍(lán)紫光的透射光的強(qiáng)度小于其他波段光的透射光強(qiáng)度，即柵極絕緣層對(duì)藍(lán)紫光的透射率小于對(duì)其他波段光的透射率。

以下結(jié)合圖2進(jìn)一步解釋滿足上式(1)、(2)、(3)的柵極絕緣層中藍(lán)紫光透射率小于其他波段光的透射率的原理。圖2是光線傳輸至圖1所示薄膜晶體管中的有源層的路徑示意圖。

如圖2所示，背光源發(fā)出的光線20以垂直入射角入射至柵極絕緣層14，并在柵極絕緣層14的兩個(gè)表面201和202發(fā)生反射和透射，其中201可以為與柵極接觸的表面，202可以為與有源層接觸的表面。光線在表面201的反射光21與經(jīng)過(guò)柵極絕緣層之后在表面202的反射光22為相同頻率、具有恒定相位差的兩束光線，這兩束光線可以發(fā)生干涉，干涉光的強(qiáng)度與兩束反射光的相位差δ的余弦值cosδ正相關(guān)。假設(shè)入射至柵極絕緣層的表面201的各波段光線的強(qiáng)度相同，則各波段的光線經(jīng)過(guò)兩次反射后的干涉光的強(qiáng)度只與相位差正相關(guān)。

對(duì)于波長(zhǎng)為λ₁的光，兩束反射光的相位差對(duì)于波長(zhǎng)為λ₂的光，兩束反射光的相位差

根據(jù)cos函數(shù)的特性，當(dāng)滿足上式(1)、(2)、(3)時(shí)，cosδ1＞cosδ2，則波長(zhǎng)為λ₁的兩束反射光的干涉強(qiáng)度大于波長(zhǎng)為λ₂的兩束反射光的干涉強(qiáng)度，也即波長(zhǎng)為λ₁的光線的反射光強(qiáng)度大于波長(zhǎng)為λ₂的光線的反射光強(qiáng)度，從而使得波長(zhǎng)為λ₁的光線的透過(guò)率小于波長(zhǎng)為λ₂的光線的透過(guò)率。

可選地，在滿足上式(1)、(2)、(3)的前提下，δ2的值越大，則cosδ2越小，反射光的干涉光強(qiáng)度越小，則相應(yīng)地透射光強(qiáng)度越大。為了保證包含上述薄膜晶體管的顯示面板的透過(guò)率，可以在滿足上式(1)、(2)、(3)的前提下，盡量增大δ2(例如增大n₂₀和/或增大d)，以降低柵極絕緣層對(duì)除藍(lán)紫光外的其他顏色可見(jiàn)光的透過(guò)率的影響。

同理，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)柵極絕緣層的厚度和折射率滿足如下公式(4)、(5)、(6)時(shí)，cosδ1＞cosδ2，柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ1的藍(lán)紫光的透射率小于對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的其他波段可見(jiàn)光的透射率：

其中，[b]表示不大于b的正整數(shù)，或

可選地，在滿足上式(4)、(5)、(6)的前提下，δ2的值越小，則cosδ2越小，反射光的干涉光強(qiáng)度越小，則相應(yīng)地透射光強(qiáng)度越大。為了保證包含上述薄膜晶體管的顯示面板的透過(guò)率，可以在滿足上式(4)、(5)、(6)的前提下，盡量減小δ2(例如減小n₂₀和/或減小d)，以降低柵極絕緣層對(duì)除藍(lán)紫光外的其他顏色可見(jiàn)光的透過(guò)率的影響。

請(qǐng)參考圖3，其示出了根據(jù)本申請(qǐng)的薄膜晶體管的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

與圖1類似，圖3所示薄膜晶體管300包括柵極301、有源層302、源極303以及漏極304。其中，柵極301形成于柵極金屬層31，有源層302形成于氧化物半導(dǎo)體層32，源極303和漏極304形成于源漏金屬層33。上述柵極金屬層31可以形成于襯底30的一側(cè)，源漏金屬層33位于氧化物半導(dǎo)體層32遠(yuǎn)離柵極金屬層31的一側(cè)，且源極303和漏極304與有源層302相接觸。

柵極301與有源層302之間設(shè)有柵極絕緣層34，該柵極絕緣層34包括第一柵極絕緣層341和第二柵極絕緣層342。其中，第二柵極絕緣層342位于第一柵極絕緣層341遠(yuǎn)離柵極金屬層31的一側(cè)。也就是說(shuō)，第一柵極絕緣層341與柵極金屬層31相接觸，第二柵極絕緣層342與氧化物半導(dǎo)體層32相接觸。

在本實(shí)施例中，第一柵極絕緣層341對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率大于第二柵極絕緣層342對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率；并且第一柵極絕緣層341對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率大于第二柵極絕緣層342對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率，其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。

在這里，第一柵極絕緣層341的材料可以為氮化硅，第二柵極絕緣層342的材料可以為二氧化硅。第一柵極絕緣層341對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₃的光的折射率為n₁，第二柵極絕緣層342對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₃的光的折射率為n₂，1.88≤n₁≤2.15，1.45≤n₂≤1.60；其中，400nm≤λ₃≤780nm。也就是說(shuō)，在可見(jiàn)光波段內(nèi)，第一柵極絕緣層341的折射率大于第二柵極絕緣層342的折射率。并且，隨著波長(zhǎng)增大，第一柵極絕緣層341的折射率逐漸減小，第二柵極絕緣層341的折射率逐漸減小。

進(jìn)一步地，上述第一柵極絕緣層341對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過(guò)率高于對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₂的光的透過(guò)率；上述第二柵極絕緣層342對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過(guò)率高于對(duì)任意波長(zhǎng)為的λ₂的光的透過(guò)率。這樣，各波段光強(qiáng)一致的光線在經(jīng)過(guò)第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層入射至薄膜晶體管的有源層時(shí)，透過(guò)的藍(lán)紫光的光強(qiáng)低于其他可見(jiàn)光波段的光的光強(qiáng)，使得入射至有源層的藍(lán)紫光的光強(qiáng)下降，能夠?qū)τ性磳拥难趸锇雽?dǎo)體形成保護(hù)，從而提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

繼續(xù)參考圖4，其示出了光線傳輸至圖3所示薄膜晶體管中的有源層的路徑示意圖。

如圖4所示，光線40以垂直入射角入射至柵極絕緣層，并在第一柵極絕緣層341的第一表面401和第二表面402發(fā)生反射和透射，其中第一表面401可以為與柵極金屬層31接觸的表面，第二表面402可以為與第二柵極絕緣層342接觸的表面。光線在第一表面401發(fā)生反射后的產(chǎn)生的反射光41和在第二表面402發(fā)生反射后產(chǎn)生的反射光42發(fā)生干涉，干涉光的強(qiáng)度與兩束反射光41和42的相位差δ’的余弦值cosδ’正相關(guān)。

假設(shè)第一柵極絕緣層的厚度為d₁，第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₁，第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₁₂，對(duì)于波長(zhǎng)為λ₁的光，在第一表面401發(fā)生反射后的產(chǎn)生的反射光41和在第二表面402發(fā)生反射后從第一柵極絕緣層341的第一表面出射的反射光42的相位差對(duì)于波長(zhǎng)為λ₂的光，在第一表面401發(fā)生反射后的產(chǎn)生的反射光41和在第二表面402發(fā)生反射后產(chǎn)生的反射光42的相位差

對(duì)于任意的λ₁，λ₂，當(dāng)滿足如下式(7)、(8)、(9)時(shí)，第一表面401發(fā)生反射后的產(chǎn)生的反射光41和在第二表面402發(fā)生反射后產(chǎn)生的反射光42發(fā)生干涉后的干涉光中，藍(lán)紫光的干涉光強(qiáng)度大于其他波段可見(jiàn)光的干涉光強(qiáng)度：

其中，[x]表示不大于x的正整數(shù)，或

則可以按照式(7)、(8)、(9)確定上述第一柵極絕緣層341的折射率參數(shù)n₁₁、n₁₂和厚度參數(shù)d₁，使得入射至第二絕緣層342的光線中藍(lán)紫光的強(qiáng)度小于其他波段可見(jiàn)光的強(qiáng)度。

可選地，在滿足上式(7)、(8)、(9)的前提下，可以選擇較小的折射率n₁₂和較小的厚度d₁，從而增大δ2’，以降低第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)在480nm至780nm之間的可見(jiàn)光波段的光的反射光強(qiáng)度，從而增大除藍(lán)紫光外的其他可見(jiàn)光波段的透射光強(qiáng)度，提升背光的利用率。

同理，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谝粬艠O絕緣層341的厚度和折射率滿足如下公式(10)、(11)、(12)時(shí)，cosδ1’＞cosδ2’，第一柵極絕緣層341對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的藍(lán)紫光的透射率小于對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的其他波段可見(jiàn)光的透射率：

其中，[x]表示不大于x的正整數(shù)，或

可選地，在滿足上式(10)、(11)、(12)的前提下，可以選擇較大的折射率n₁₂和較大的厚度d₁，從而減小δ2’，以降低第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)在480nm至780nm之間的可見(jiàn)光波段的光的反射光強(qiáng)度，從而增大除藍(lán)紫光外的其他可見(jiàn)光波段的透射光強(qiáng)度，提升背光的利用率。

光線在由第一柵極絕緣層341的第二表面402入射至第二柵極絕緣層342之后，在第二柵極絕緣層342與有源層接觸的第三表面403處發(fā)生反射，反射光由第二柵極絕緣層342入射至第一柵極絕緣層341，該反射光44與在第二表面內(nèi)發(fā)生反射并在第一柵極絕緣層內(nèi)傳播的反射光43發(fā)生干涉，干涉光強(qiáng)度與兩束反射光43和44的相位差δ”的余弦值cosδ”正相關(guān)。

假設(shè)第二柵極絕緣層的厚度為d₂，第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₂₁，第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₂，對(duì)于波長(zhǎng)為λ₁的光，反射光43和反射光44的相位差對(duì)于波長(zhǎng)為λ₂的光，反射光43和反射光44的相位差

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，對(duì)于任意的λ₁，λ₂，當(dāng)滿足如下式(13)、(14)、(15)時(shí)，在第二表面402處發(fā)生反射且在第一柵極絕緣層內(nèi)傳播的反射光43和由第三表面403反射并傳輸至第一柵極絕緣層內(nèi)的反射光44發(fā)生干涉后的干涉光中，藍(lán)紫光的干涉光強(qiáng)度大于其他波段可見(jiàn)光的干涉光強(qiáng)度：

其中，[y]表示不大于y的正整數(shù)，或

則可以按照式(13)、(14)、(15)確定上述第二柵極絕緣層342的折射率參數(shù)n₂₁、n₂₂和厚度參數(shù)d₂，使得入射至有源層的光線中藍(lán)紫光的強(qiáng)度小于其他波段可見(jiàn)光的強(qiáng)度。

可選地，在滿足上式(13)、(14)、(15)的前提下，可以選擇較小的折射率n₂₂和較小的厚度d₂，從而增大δ2”，以降低第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)在480nm至780nm之間的可見(jiàn)光波段的光的反射光強(qiáng)度，從而增大除藍(lán)紫光外的其他可見(jiàn)光波段的透射光強(qiáng)度，提升背光的利用率

同理，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)诙艠O絕緣層342的厚度和折射率滿足如下公式(16)、(17)、(18)時(shí)，cosδ1”＞cosδ2”，第二柵極絕緣層342對(duì)波長(zhǎng)為λ1的藍(lán)紫光的透射率小于對(duì)波長(zhǎng)為λ2的其他波段可見(jiàn)光的透射率：

其中，[y]表示不大于y的正整數(shù)，或

可選地，在滿足上式(16)、(17)、(18)的前提下，可以選擇較大的折射率n₂₂和較大的厚度d₂，從而減小δ2”，以降低第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)在480nm至780nm之間的可見(jiàn)光波段的光的反射光強(qiáng)度，從而增大除藍(lán)紫光外的其他可見(jiàn)光波段的透射光強(qiáng)度，提升背光的利用率。

在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，第一柵極絕緣層341和第二柵極絕緣層342的折射率參數(shù)n₁₁、n₁₂、n₂₁、n₂₂和厚度參數(shù)d₁、d₂可以滿足：

其中，[z]表示不大于z的正整數(shù)，或

這時(shí)，垂直入射光40在第一表面401發(fā)生反射產(chǎn)生的反射光41與經(jīng)第三表面403反射后由第一表面401出射的反射光45的干涉光中，波長(zhǎng)為λ₁的光的干涉光強(qiáng)度高于波長(zhǎng)為λ₂的光的干涉光強(qiáng)度，則可見(jiàn)光在經(jīng)過(guò)整個(gè)柵極絕緣層34之后，藍(lán)紫光的透過(guò)率低于其他可見(jiàn)光波段的光的透過(guò)率，從而提升了薄膜晶體管的有源層的氧化物半導(dǎo)體的穩(wěn)定性。

同理，在一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，當(dāng)?shù)谝粬艠O絕緣層341和第二柵極絕緣層342的折射率參數(shù)n₁₁、n₁₂、n₂₁、n₂₂和厚度參數(shù)d₁、d₂滿足如下(22)、(23)、(24)的條件時(shí)，也可以使藍(lán)紫光的透過(guò)率低于其他可見(jiàn)光波段的光的透過(guò)率：

其中，[z]表示不大于z的正整數(shù)，或

在這里，對(duì)于波長(zhǎng)為λ₁的光，反射光41和反射光45的相位差對(duì)于波長(zhǎng)為λ₂的光，反射光41和反射光45的相位差

上述各實(shí)現(xiàn)方式均可以使可見(jiàn)光經(jīng)過(guò)柵極絕緣層傳輸后，藍(lán)紫光透過(guò)率低于其他波段可見(jiàn)光的透過(guò)率，實(shí)現(xiàn)了對(duì)入射至薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體材料的頻譜范圍的選擇，使對(duì)氧化物半導(dǎo)體材料的穩(wěn)定性影響較大的藍(lán)紫光強(qiáng)度下降，提升了薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

可選地，上述第一柵極絕緣層的厚度d1和第二柵極絕緣層的厚度d2可以在如下范圍中選擇：當(dāng)70nm≤d1≤90nm時(shí)，90nm≤d2≤110nm；當(dāng)200nm≤d1≤220nm時(shí)，100nm≤d2≤150nm，或270nm≤d2≤300nm；當(dāng)75nm≤d1≤85nm時(shí)，105nm≤d2≤115nm；當(dāng)200nm≤d1≤210nm時(shí)，105nm≤d2≤115nm，或270nm≤d2≤280nm。

請(qǐng)參考圖5，其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例的一種薄膜晶體管的透過(guò)率頻譜仿真曲線。其中以上述實(shí)施例中的第一柵極絕緣層的材料為氮化硅，厚度為80nm，第二柵極絕緣層的材料為二氧化硅，厚度為110nm為例，利用仿真軟件測(cè)試出相同強(qiáng)度的各波段可見(jiàn)光由柵極金屬層入射至柵極絕緣層后出射至有源層的光強(qiáng)曲線。橫坐標(biāo)為波長(zhǎng)(λ)，縱坐標(biāo)為經(jīng)過(guò)第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層之后的透過(guò)率(Tr)?？梢钥闯?，在藍(lán)紫光波段(400nm-480nm)，透過(guò)率小于92％，平均透過(guò)率為89.1％；在其他波段，透過(guò)率大于92％，平均透過(guò)率為97.6％。可見(jiàn)，上述第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層在降低藍(lán)紫光透過(guò)率的同時(shí)，對(duì)其他波段光的透過(guò)率具有微小的影響，從而在提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性的同時(shí)可以避免顯示的整體亮度受到影響。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括上述實(shí)施例的薄膜晶體管。圖6所示為根據(jù)本申請(qǐng)的陣列基板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖6所示，陣列基板600包括多條沿第一方向延伸的掃描線601、多條沿第二方向延伸、與掃描線601交叉的數(shù)據(jù)線602，以及位于由掃描線601和數(shù)據(jù)線602交叉形成的多個(gè)像素區(qū)域中的多個(gè)像素電極603。陣列基板600還包括呈陣列排布的多個(gè)薄膜晶體管604，各薄膜晶體管604可以為上述實(shí)施例的薄膜晶體管。每個(gè)薄膜晶體管604的柵極與一條掃描線601電連接，每個(gè)薄膜晶體管604的源極與一條數(shù)據(jù)線602電連接，每個(gè)薄膜晶體管604的漏極與對(duì)應(yīng)的像素電極603電連接。

在顯示時(shí)，各掃描線601依次向各行薄膜晶體管604提供導(dǎo)通信號(hào)，各行薄膜晶體管604依次導(dǎo)通。在一行薄膜晶體管604導(dǎo)通時(shí)，每條數(shù)據(jù)線602分別傳輸該行薄膜晶體管連接的像素電極的顯示驅(qū)動(dòng)信號(hào)，薄膜晶體管604將對(duì)應(yīng)的顯示驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸至對(duì)應(yīng)的像素電極，從而實(shí)現(xiàn)了陣列基板的掃描顯示。

本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述陣列基板。該顯示面板可以例如為圖7所示的液晶顯示面板700，包括如上面的實(shí)施例所描述的陣列基板71，與陣列基板71對(duì)向設(shè)置的彩膜基板72以及位于陣列基板71和彩膜見(jiàn)72之間的液晶73。圖7中的箭頭方向表示液晶顯示面板700的背光源提供的光線入射的方向。背光源提供的光線在入射至陣列基板71上的薄膜晶體管的有源層之前，藍(lán)紫光的強(qiáng)度下降，從而可以保護(hù)薄膜晶體管的有源層材料，提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性，進(jìn)而提升顯示面板工作的穩(wěn)定性。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說(shuō)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開(kāi)的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。