技術(shù)特征：

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：柵極、有源層、源極和漏極；

其中，所述柵極形成于柵極金屬層，所述有源層形成于氧化物半導(dǎo)體層，所述源極和所述漏極形成于源漏金屬層，所述源漏金屬層位于所述氧化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述柵極金屬層的一側(cè)，且所述源極和所述漏極與所述有源層相接觸；

所述柵極與所述有源層之間設(shè)有柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過率低于對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₂的光的透過率；

其中400nm≤λ₁≤480nm，480nm＜λ₂≤780nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層的厚度為d，所述柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₀，所述柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₀；

對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×n_{10}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<0.5,$

$\frac{2\×n_{20}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\<0.5,$

$\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[a]表示不大于a的正整數(shù)，或

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層的厚度為d，所述柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₀，所述柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₀；

對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>0.5,$

$\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\>0.5,$

$\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{10}\×d}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{20}\×d}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[b]表示不大于b的正整數(shù)，或

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料為二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；

所述第二柵極絕緣層位于所述第一柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極金屬層的一側(cè)；

所述第一柵極絕緣層對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率大于所述第二柵極絕緣層對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率；

所述第一柵極絕緣層對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率大于所述第二柵極絕緣層對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過率高于對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₂的光的透過率；

所述第二柵極絕緣層對(duì)任意波長(zhǎng)為λ₁的光的透過率高于對(duì)任意波長(zhǎng)為的λ₂的光的透過率。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₃的光的折射率為n₁，所述第二柵極絕緣層對(duì)于任意波長(zhǎng)為λ₃的光的折射率為n₂，1.88≤n₁≤2.15，1.45≤n₂≤1.60；

其中，400nm≤λ₃≤780nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層的厚度為d₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₁₂；

對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<0.5,$

$\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\<0.5,$

$\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[x]表示不大于x的正整數(shù)，或

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層的厚度為d₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₁₂；

對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>0.5,$

$\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\>0.5,$

$\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{11}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{12}\×d_1}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[x]表示不大于x的正整數(shù)，或

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二柵極絕緣層的厚度為d₂，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₂₁，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₂；對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<0.5,$

$\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\<0.5,$

$\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[y]表示不大于y的正整數(shù)，或

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二柵極絕緣層的厚度為d₂，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₂₁，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₂；對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>0.5,$

$\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\>0.5,$

$\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×n_{21}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×n_{22}\×d_2}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[y]表示不大于y的正整數(shù)，或

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層的厚度為d₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₁₂；所述第二柵極絕緣層的厚度為d₂，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₂₁，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₂；對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<0.5,$

$\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\<0.5,$

$\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\<\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[z]表示不大于z的正整數(shù)，或

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層的厚度為d₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₁₁，所述第一柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₁₂；所述第二柵極絕緣層的厚度為d₂，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₁的光的折射率為n₂₁，所述第二柵極絕緣層對(duì)波長(zhǎng)為λ₂的光的折射率為n₂₂；對(duì)于任意的λ₁，λ₂，滿足：

$\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>0.5,$

$\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}\]\>0.5,$

$\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}-\[\frac{2\×(n_{11}\×d_1+n_{21}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_1}\]\>\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}-\[\frac{2\×(n_{12}\×d_1+n_{22}\×d_2)}{{\mathrm{\λ}}_2}\];$

其中，[z]表示不大于z的正整數(shù)，或

14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層的厚度為d1，所述第二柵極絕緣層的厚度為d2；

當(dāng)70nm≤d1≤90nm時(shí)，90nm≤d2≤110nm；

當(dāng)200nm≤d1≤220nm時(shí)，100nm≤d2≤150nm，或270nm≤d2≤300nm；

當(dāng)75nm≤d1≤85nm時(shí)，105nm≤d2≤115nm；

當(dāng)200nm≤d1≤210nm時(shí)，105nm≤d2≤115nm，或270nm≤d2≤280nm。

15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極絕緣層的材料為氮化硅，所述第二柵極絕緣層的材料為二氧化硅。

16.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

17.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求16所述的陣列基板。