本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置封裝，特別涉及一種應(yīng)用于以無(wú)線(xiàn)方式進(jìn)行充電的半導(dǎo)體裝置封裝。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置被用于多種電子應(yīng)用，例如個(gè)人電腦、移動(dòng)電話(huà)、數(shù)字相機(jī)以及其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體裝置的制造通常是通過(guò)在半導(dǎo)體基板上按序沉積絕緣或介電層材料、導(dǎo)電層材料以及半導(dǎo)體層材料，接著使用微影制程圖案化所形成的各種材料層，以形成電路組件和零件于此半導(dǎo)體基板之上。通常數(shù)十個(gè)或數(shù)百個(gè)集成電路是在一個(gè)半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行制造。各個(gè)晶粒是通過(guò)沿著劃線(xiàn)對(duì)集成電路進(jìn)行切割而分離。接著，各個(gè)晶粒個(gè)別例如在多個(gè)芯片模塊中進(jìn)行封裝，或者在其他種類(lèi)的封裝中進(jìn)行封裝。

當(dāng)半導(dǎo)體裝置應(yīng)用至電子設(shè)備時(shí)，一個(gè)電源供應(yīng)元件通常連結(jié)至晶粒以供應(yīng)電力并且以無(wú)線(xiàn)充電系統(tǒng)進(jìn)行充電。在無(wú)線(xiàn)充電系統(tǒng)中，能量在充電站進(jìn)行轉(zhuǎn)換并產(chǎn)生電磁場(chǎng)至電子設(shè)備。在電子設(shè)備內(nèi)的一感應(yīng)線(xiàn)圈接收來(lái)自電磁場(chǎng)的能量并轉(zhuǎn)換回電流，以對(duì)電池進(jìn)行充電。

然而，該方法的一個(gè)缺點(diǎn)是，電子設(shè)備和充電站之間的能量損失的可能性造成充電效能降低。因此，需要一種方法以增強(qiáng)無(wú)線(xiàn)充電的效能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明部分實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置封裝。半導(dǎo)體裝置封裝包括一半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置封裝還包括配置用于在磁流通過(guò)該線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生電流的一線(xiàn)圈。半導(dǎo)體裝置封裝也包括環(huán)繞半導(dǎo)體裝置以及線(xiàn)圈的一成型材料。另外，半導(dǎo)體裝置封裝包括位于成型材料之上的一導(dǎo)電金屬件，一開(kāi)口形成于導(dǎo)電金屬件之上。

本發(fā)明部分實(shí)施例提供一種電子設(shè)備。電子設(shè)備包括一殼體。電子設(shè)備還包括放置于殼體內(nèi)的一半導(dǎo)體裝置。電子設(shè)備也包括放置于殼體并配置相鄰半導(dǎo)體裝置的一線(xiàn)圈。線(xiàn)圈是配置用于在磁流通過(guò)線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生一電流。另外，電子設(shè)備包括放置于殼體并與線(xiàn)圈沿一軸線(xiàn)配置的導(dǎo)電金屬件一開(kāi)口形成于導(dǎo)電金屬件，并且至少一通道形成于導(dǎo)電金屬件之上，通道連結(jié)開(kāi)口至導(dǎo)電金屬件的邊緣。

本發(fā)明部分實(shí)施例提供一種封裝一半導(dǎo)體裝置的方法。上述方法包括連接一半導(dǎo)體裝置至重布層上方。上述方法還包括形成一成型材料在半導(dǎo)體裝置與線(xiàn)圈上方。上述方法也包括形成一導(dǎo)電金屬件在成型材料上方。重布層以及導(dǎo)電金屬件位于成型材料的兩側(cè)。一開(kāi)口形成于導(dǎo)電金屬件之上以允許磁流通過(guò)。

附圖說(shuō)明

圖1顯示根據(jù)部分實(shí)施例的一電子設(shè)備以及一充電站的示意圖。

圖2顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的導(dǎo)電金屬件的上視圖。

圖3顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的導(dǎo)電金屬件的上視圖。

圖4顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的導(dǎo)電金屬件的上視圖。

圖5顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的導(dǎo)電金屬件的上視圖。

圖6顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的導(dǎo)電金屬件的上視圖。

圖7顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的剖視圖。

圖8為部分實(shí)施例制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法的流程圖。

圖9顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的一電子設(shè)備的示意圖。

圖10顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的一電子設(shè)備的示意圖。

圖11顯示根據(jù)本公開(kāi)的部分實(shí)施例的一電子設(shè)備的示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10、10e、10f、10g～電子設(shè)備

11、11e、11f～殼體

111、111e、111f～蓋板

113e、113f～穿孔

114f～通道

13～半導(dǎo)體裝置封裝

131～半導(dǎo)體裝置

133～線(xiàn)圈

135、135a、135b、135c、135d、135g～導(dǎo)電金屬件

1350、1350a、1350b、1350c、1350d～邊緣

1351a、1351b、1351c、1351d～子部件

136、136d～開(kāi)口

137、137d～通道

137c1～通道

137c2～通道

1371～內(nèi)側(cè)緣

140～重布層

141～絕緣材料

142～第一群接點(diǎn)

143～線(xiàn)結(jié)構(gòu)

144～第二群接點(diǎn)

146～成型材料

147～介電層

148～介電層

149～鐵氧磁體材料

15～電源供應(yīng)件

20～充電站

211～交流電

212～傳導(dǎo)線(xiàn)圈

213～主線(xiàn)圈

30～方法

31、32、33、34、35～程序

b1～磁流

b2～磁流

c1、c2～中心

i1～電流

i2～電流

i3～渦電流

s～軸線(xiàn)

具體實(shí)施方式

以下的公開(kāi)內(nèi)容提供許多不同的實(shí)施例或范例，以實(shí)施本發(fā)明的不同特征。而本說(shuō)明書(shū)以下的公開(kāi)內(nèi)容是敘述各個(gè)構(gòu)件及其排列方式的特定范例，以求簡(jiǎn)化發(fā)明的說(shuō)明。當(dāng)然，這些特定的范例并非用以限定本發(fā)明。例如，若是本說(shuō)明書(shū)以下的公開(kāi)內(nèi)容敘述了將一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征與上述第二特征是直接接觸的實(shí)施例，亦包含了尚可將附加的特征形成于上述第一特征與上述第二特征之間，而使上述第一特征與上述第二特征可能未直接接觸的實(shí)施例。另外，本發(fā)明的說(shuō)明中不同范例可能使用重復(fù)的參考符號(hào)及/或用字。這些重復(fù)符號(hào)或用字為了簡(jiǎn)化與清晰的目的，并非用以限定各個(gè)實(shí)施例及/或所述外觀(guān)結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。

再者，為了方便描述附圖中一元件或特征部件與另一(多)元件或(多)特征部件的關(guān)系，可使用空間相關(guān)用語(yǔ)，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類(lèi)似的用語(yǔ)等?？梢岳斫獾氖?，除了附圖所示出的的方位之外，空間相關(guān)用語(yǔ)涵蓋使用或操作中的裝置的不同方位。所述裝置也可被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者位于其他方位)，并對(duì)應(yīng)地解讀所使用的空間相關(guān)用語(yǔ)的描述?？梢岳斫獾氖牵谒龇椒ㄖ?、期間及之后，可提供額外的操作步驟，且在某些方法實(shí)施例中，所述的某些操作步驟可被替代或省略。

應(yīng)注意的是，此處所討論的實(shí)施例可能未必?cái)⑹龀隹赡艽嬖谟诮Y(jié)構(gòu)內(nèi)的每一個(gè)部件或特征。舉例來(lái)說(shuō)，附圖中可能省略一個(gè)或多個(gè)部件，例如當(dāng)部件的討論說(shuō)明可能足以傳達(dá)實(shí)施例的各個(gè)樣態(tài)時(shí)可能將其從附圖中省略。再者，此處所討論的方法實(shí)施例可能以特定的進(jìn)行順序來(lái)討論，然而在其他方法實(shí)施例中，可以以任何合理的順序進(jìn)行。

圖1顯示根據(jù)部分實(shí)施例的一電子設(shè)備10以及一充電站的示意圖。在部分實(shí)施例中，電子設(shè)備10舉例而言可為個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、以及其他電子裝備。充電站20配置用于對(duì)在電子設(shè)備10內(nèi)部的一電源供應(yīng)件15以無(wú)線(xiàn)(無(wú)接觸)的技術(shù)進(jìn)行充電。

在部分實(shí)施例中，充電站20為一電磁感應(yīng)形式(electromagneticinductiontype)的一種無(wú)接觸充電設(shè)備，并且包括一傳導(dǎo)線(xiàn)圈212以及一主線(xiàn)圈213。傳導(dǎo)線(xiàn)圈212通過(guò)接收交流電211而作動(dòng)。主線(xiàn)圈213用于電磁感應(yīng)。當(dāng)電子設(shè)備10放置于一個(gè)既定位置并且交流電供應(yīng)至主線(xiàn)圈213，電源供應(yīng)件15通過(guò)電磁感應(yīng)而充電。

在部分實(shí)施例中，電子設(shè)備10包括一殼體11、一半導(dǎo)體裝置封裝13、以及一電源供應(yīng)件15。電子設(shè)備10的元件可以增加或減少，并不以此實(shí)施例為限。

殼體11定義一空間以用于接收半導(dǎo)體裝置封裝13以及電源供應(yīng)件15。殼體11可通過(guò)模制(molded)或鑄造(cast)的塑膠材料所制成。半導(dǎo)體裝置封裝13通過(guò)線(xiàn)路電性連結(jié)于電源供應(yīng)件15。在部分實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝13以及電源供應(yīng)件15設(shè)置于電路板(未圖示于圖1)，并且半導(dǎo)體裝置封裝13通過(guò)在電路板內(nèi)的線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)電性連結(jié)于電源供應(yīng)件15。

在部分實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝13為三維基體電路封裝(3dicpackage)，上述三維基體電路封裝包括一或多個(gè)裝置或半導(dǎo)體裝置垂直堆迭。舉例而言，半導(dǎo)體裝置封裝13包括一半導(dǎo)體裝置131、一線(xiàn)圈133、以及一導(dǎo)電金屬件135。

半導(dǎo)體裝置131可為一晶?；蛞环庋b體。半導(dǎo)體裝置131可包括數(shù)字系統(tǒng)級(jí)封裝(digitalsip's)、射頻(rf)系統(tǒng)級(jí)封裝、感測(cè)器系統(tǒng)級(jí)封裝(sensorsip's)、混合信號(hào)系統(tǒng)級(jí)封裝(mixedsignalsip's)、集成電路、驅(qū)動(dòng)器、靜電放電(esd)以及/或者電磁干擾(emi)保護(hù)電路、直流電/交流電轉(zhuǎn)換器、具有內(nèi)嵌芯片技術(shù)的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip'swithchipembeddedtechnology)、分離無(wú)源元件(discretepassivedevices)、bluetoothtm模塊、電視模塊、放大器以及/或者調(diào)頻(am以及/或者fm)模塊、全球定位系統(tǒng)(gps)模塊、基頻模塊、相機(jī)模塊、小區(qū)電臺(tái)模塊、音頻模塊、電源管理模塊、中央處理單元(cpu)模塊、無(wú)線(xiàn)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(wlan)模塊、整合式無(wú)源元件(ipd)模塊、ipd網(wǎng)絡(luò)模塊、發(fā)光二極管(led)閃光模塊、圖形處理單元(gpu)模塊、以及/或者視覺(jué)處理單元(vpu)模塊?；蛘撸雽?dǎo)體裝置131根據(jù)半導(dǎo)體裝置封裝13的末端應(yīng)用而可包括其他種類(lèi)的功能、電路或封裝。

線(xiàn)圈133與充電站20的主線(xiàn)圈213產(chǎn)生電磁感應(yīng)。在部分實(shí)施例中，線(xiàn)圈133相鄰半導(dǎo)體裝置131配置。線(xiàn)圈133與半導(dǎo)體裝置131位于兩個(gè)不相互重疊的位置。線(xiàn)圈133可根據(jù)期望的圖案而被提供，舉例而言，回路形式(loop-form)。線(xiàn)圈133可通過(guò)導(dǎo)電材料，例如厚度介于約0.070mm至約0.105mm的銅。線(xiàn)圈133制造的一個(gè)示范例描述于關(guān)于第7、8圖的說(shuō)明中。

導(dǎo)電金屬件135配置于通過(guò)成型由充電站20產(chǎn)生的磁流而強(qiáng)化充電效率。導(dǎo)電金屬件135可利用選自于銅、銅合金、鋁、鋁合金、銀、銀合金、金、金合金、以及上述混合物的導(dǎo)電材料所制成。

在部分實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬件135相鄰殼體11的蓋板111配置。另外，導(dǎo)電金屬件135放置在線(xiàn)圈133與蓋板111之間，或者導(dǎo)電金屬件135放置在半導(dǎo)體裝置131與蓋板111之間。在部分實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬件135在蓋板111的投影重疊于線(xiàn)圈133在蓋板11上的部分投影?；蛘?，導(dǎo)電金屬件135在蓋板111的投影重疊于半導(dǎo)體裝置131在蓋板11上的投影。

圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施例的導(dǎo)電金屬件135的上視圖。在部分實(shí)施例中，導(dǎo)電金屬件135具有一矩形，且一開(kāi)口136形成于導(dǎo)電金屬件135的中心。開(kāi)口136具有一圓形。然而，應(yīng)當(dāng)理解多種改變及變化可應(yīng)用至本發(fā)明的實(shí)施例中。導(dǎo)電金屬件135以及開(kāi)口136的形狀可為圓形、矩形、方形、橢圓形或者梯形。

在部分實(shí)施例中，一通道137形成于導(dǎo)電金屬件135上。通道137連結(jié)開(kāi)口136至導(dǎo)電金屬件135的邊緣1350。在部分實(shí)施例中，通道137沿著垂直于導(dǎo)電金屬件135的邊緣1350的一直線(xiàn)延伸，并且在開(kāi)口136的徑向方向上等寬度分布。亦即，通道137的內(nèi)側(cè)緣1371垂直于導(dǎo)電金屬件135的邊緣1350。然而，應(yīng)當(dāng)理解多種改變及變化可應(yīng)用至本發(fā)明的實(shí)施例中。

在部分實(shí)施例中，通道137沿著傾斜于導(dǎo)電金屬件135的邊緣1350的方向延伸。通道137的內(nèi)側(cè)緣1371與導(dǎo)電金屬件135的邊緣1350間夾設(shè)一傾斜角。上述傾斜角可介于0度至180度之間。如圖2所示，邊緣1350的周長(zhǎng)大于開(kāi)口136的邊緣的周長(zhǎng)。邊緣1350的周長(zhǎng)與開(kāi)口136的邊緣的周長(zhǎng)的比例介于約1.27至約3.54之間。

在部分實(shí)施例中，如圖1所示，導(dǎo)電金屬件135以及線(xiàn)圈133沿著軸線(xiàn)s配置。在部分實(shí)施例中，開(kāi)口136的中心c2與線(xiàn)圈133的中心c1重合，藉此大部分通過(guò)開(kāi)口136的磁流傳遞至線(xiàn)圈133的中心。然而，應(yīng)當(dāng)理解多種改變及變化可應(yīng)用至本發(fā)明的實(shí)施例中。

在部分實(shí)施例中，開(kāi)口136的中心c2與線(xiàn)圈133的中心c1是不重合的。在部分實(shí)施例中，開(kāi)口136部分重疊于線(xiàn)圈133的邊緣的最內(nèi)部所定義的面積。在部分實(shí)施例中，開(kāi)口136并未與線(xiàn)圈133的邊緣的最內(nèi)部所定義的面積所重疊。開(kāi)口136的面積可小于線(xiàn)圈133的邊緣的最內(nèi)部所定義的面積。

如圖1所示，在無(wú)線(xiàn)充電的程序中，電流i1由交流電111供應(yīng)至充電站20以產(chǎn)生磁流b1。磁流b1通過(guò)開(kāi)口136并受屏蔽效應(yīng)影響而受導(dǎo)電金屬件135所阻擋。接著，磁流b1感應(yīng)出電流i2，且電源供應(yīng)件15以電流i2進(jìn)行充電。

在此同時(shí)，導(dǎo)電金屬件135感應(yīng)出渦流電流i3并沿如圖2箭頭所示的電流路徑流動(dòng)。由于邊緣1350的周長(zhǎng)大于開(kāi)口136的邊緣的周長(zhǎng)，因此由電流環(huán)繞邊緣1350流動(dòng)所產(chǎn)生的磁流大于電流環(huán)繞開(kāi)口136流動(dòng)所產(chǎn)生的磁流。于是，渦流電流i3產(chǎn)生另一軸向磁流b2，并且增加電流i2以增加充電效率。

導(dǎo)電金屬件135的形式并不受上述實(shí)施例所限制。下方說(shuō)明提出導(dǎo)電金屬件的一些示范性實(shí)施例。

參照?qǐng)D3，在部分實(shí)施例中，兩個(gè)通道137形成于導(dǎo)電金屬件135a之上。兩個(gè)通道137形成于導(dǎo)電金屬件135a的相對(duì)二側(cè)。每一兩個(gè)通道137連結(jié)開(kāi)口136至導(dǎo)電金屬件135a的邊緣1350a，并且在開(kāi)口136的徑向方向上等寬度分布。導(dǎo)電金屬件135a均等地被兩個(gè)通道137分割為兩個(gè)子部件1351a。導(dǎo)電金屬件135a的配置對(duì)稱(chēng)于軸線(xiàn)s。

參照?qǐng)D4，在部分實(shí)施例中，四個(gè)通道137形成于導(dǎo)電金屬件135b之上。四個(gè)通道137形成于導(dǎo)電金屬件135b的四邊并且每一通道137連結(jié)開(kāi)口136至導(dǎo)電金屬件135b的邊緣1350b。導(dǎo)電金屬件135b均等地被四個(gè)通道137分割為四個(gè)子部件1351b。導(dǎo)電金屬件135b的配置對(duì)稱(chēng)于軸線(xiàn)s而構(gòu)成。

參照?qǐng)D5，在部分實(shí)施例中，四個(gè)通道137c1以及四個(gè)通道137c2形成于導(dǎo)電金屬件135c之上。四個(gè)通道137c1形成于導(dǎo)電金屬件135c的四邊，并且每一通道137c1連結(jié)開(kāi)口136至導(dǎo)電金屬件135c的邊緣1350c。四個(gè)通道137c2形成于導(dǎo)電金屬件135c的四個(gè)角落，并且每一通道137c2連結(jié)開(kāi)口136至導(dǎo)電金屬件135c的邊緣1350c。通道137c1以及通道137c2交替繞開(kāi)口136排列，并且在開(kāi)口136的徑向方向上等寬度分布。導(dǎo)電金屬件135c均等地被通道137c1以及通道137c2分割為八個(gè)子部件1351a。導(dǎo)電金屬件135a的配置對(duì)稱(chēng)于軸線(xiàn)s。

參照?qǐng)D6，在部分實(shí)施例中，一個(gè)鉆石形狀的開(kāi)口136d形成于導(dǎo)電金屬件135d之上，并且四個(gè)通道137d形成于導(dǎo)電金屬件135d之上。四個(gè)通道137d形成于導(dǎo)電金屬件135d的四邊，并且每一通道137d連結(jié)開(kāi)口136d至導(dǎo)電金屬件135d的邊緣1350d。導(dǎo)電金屬件135d均等地被通道137d分割為四個(gè)子部件1351a。導(dǎo)電金屬件135d的配置對(duì)稱(chēng)于軸線(xiàn)s。

在部分實(shí)施例中，形成于導(dǎo)電金屬件的開(kāi)口為封閉，并且沒(méi)有通道形成于開(kāi)口與導(dǎo)電金屬件的邊緣之間。磁流由開(kāi)口塑型并傳導(dǎo)至線(xiàn)圈133。

圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝13的剖視圖。圖8為本發(fā)明的部分實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法30的流程圖。為了舉例，該流程以圖7的示意圖來(lái)說(shuō)明。在不同的實(shí)施例中，部分階段可以替換或是消去。可加入額外的特性至半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)中。在不同的實(shí)施例中，部分上述特性可以替換或是消去。

方法30起始于程序31，形成一重布層140。在部分實(shí)施例中，重布層140是由扇出型晶圓級(jí)(infowaferlevel)封裝技術(shù)制成。線(xiàn)結(jié)構(gòu)143形成于絕緣材料141內(nèi)，并且第一群接點(diǎn)(groupofcontacts)142以及第二群接點(diǎn)144分別形成于重布層140的底側(cè)與頂側(cè)。

接著，方法30進(jìn)行至程序32，設(shè)置半導(dǎo)體裝置131至重布層140上方。在一些實(shí)施例中，多個(gè)電性連接器形成在半導(dǎo)體裝置131。電性連接器可包括金屬柱。半導(dǎo)體裝置131通過(guò)金屬柱連結(jié)至第二群接點(diǎn)144

在部分實(shí)施例中，多個(gè)介電層形成于半導(dǎo)體裝置131的表面，其中至少下方部分或整體的金屬柱位于介電層內(nèi)。介電層的頂表面可與金屬柱的頂端實(shí)質(zhì)等高。介電層可包括聚酰亞胺、化成聚苯惡唑(pbo)、氧化物層、氮化物層或多個(gè)上述層體?；蛘?，介電層省略設(shè)置。

接著，方法30進(jìn)行至程序33，形成線(xiàn)圈133于重布層140的頂側(cè)。在部分實(shí)施例中，線(xiàn)圈133可通過(guò)圖樣化形成于重布層140頂側(cè)的一導(dǎo)電層而制成，線(xiàn)圈133是根據(jù)期望的形狀(回路形式)而制成。或者，線(xiàn)圈133可形成于絕緣材料141當(dāng)中，并且線(xiàn)結(jié)構(gòu)143以及線(xiàn)圈133在同時(shí)間制成。

接著，方法30進(jìn)行至程序34，形成成型材料(moldingmaterial)146在半導(dǎo)體裝置131上方并且形成線(xiàn)圈133在重布層140暴露的部分上方。成型材料146可為壓縮成型并且可以包括環(huán)氧樹(shù)脂，橡膠或聚酰亞胺(pi)。在一些實(shí)施例中，成型材料146可以其他材料取代。成型材料146填充半導(dǎo)體裝置131與線(xiàn)圈133之間的空間。在成型材料146設(shè)置之后，固化成型材料146。在一些實(shí)施例中，執(zhí)行一平坦化制程以減少成型材料146的厚度。

接著，方法30進(jìn)行至程序35，形成導(dǎo)電金屬件135在成型材料146上方。在部分實(shí)施例中，重布層140以及導(dǎo)電金屬件135位于成型材料146的相對(duì)二側(cè)。成型材料146分離重布層140以及導(dǎo)電金屬件135。導(dǎo)電金屬件135的面積可介于約10*10mm²至約70*70mm²之間。

在部分實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置131的頂端以及線(xiàn)圈133與成型材料146的頂表面等高。在此狀況下，在形成導(dǎo)電金屬件135的制程之前，一介電層147形成于成型材料146的頂表面。接著，導(dǎo)電金屬件135形成于介電層147之上。然而，若成型材料146覆蓋半導(dǎo)體裝置131以及線(xiàn)圈133的頂端，使半導(dǎo)體裝置131以及線(xiàn)圈133的頂端并未暴露，導(dǎo)電金屬件135可直接形成于成型材料146的頂表面之上。

導(dǎo)電金屬件135可通過(guò)形成一導(dǎo)電層于成型材料146或介電層147的上方，并且上述導(dǎo)電層根據(jù)所需圖案進(jìn)行圖案化。在部分實(shí)施例中，形成另一介電層148于導(dǎo)電金屬件135的上方以保護(hù)導(dǎo)電金屬件135。

在部分實(shí)施例中，方法30還包括形成一鐵氧磁體材料149在重布層140連結(jié)半導(dǎo)體裝置的一側(cè)。鐵氧磁體材料對(duì)于磁場(chǎng)具有高穿透性(u’>50)并且可聚集磁場(chǎng)。通過(guò)設(shè)置鐵氧磁體材料149以聚集磁場(chǎng)。在部分實(shí)施例中，lm性能(互感效應(yīng))增加5個(gè)百分比或者更多。

圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施例的一電子設(shè)備10e的示意圖。在圖9的實(shí)施例中，與圖1所示的實(shí)施例相同或相似的特征將施予相同的標(biāo)號(hào)，且其特征將不再說(shuō)明，以簡(jiǎn)化說(shuō)明內(nèi)容。

在部分實(shí)施例中，電子設(shè)備10e包括以金屬材料所制成的一殼體11e。為協(xié)助無(wú)線(xiàn)充電，一穿孔113e形成于殼體11e的蓋板111e之上。導(dǎo)電金屬件135的開(kāi)口136重合于穿孔113e的中心。磁流通過(guò)穿孔113e及開(kāi)口136以對(duì)在殼體11e內(nèi)的電池(未顯示于圖9)進(jìn)行充電。蓋板111e的寬度可介于約55mm至約250mm之間，并且蓋板111e的長(zhǎng)度可介于約130mm至約300mm之間。導(dǎo)電金屬件135可與蓋板111e間隔約1mm至約3mm的距離。

在部分實(shí)施例中，一相機(jī)模塊(未顯示于圖9)相對(duì)于穿孔113e放置殼體內(nèi)。相機(jī)模塊接收通過(guò)穿孔的光線(xiàn)并產(chǎn)生影像。

圖10顯示根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施例的一電子設(shè)備的示意圖。在圖10的實(shí)施例中，與圖1所示的實(shí)施例相同或相似的特征將施予相同的標(biāo)號(hào)，且其特征將不再說(shuō)明，以簡(jiǎn)化說(shuō)明內(nèi)容。

在部分實(shí)施例中，電子設(shè)備10f包括以金屬材料所制成的一殼體11f。為協(xié)助無(wú)線(xiàn)充電，一穿孔113f形成于殼體11f的蓋板111f之上。導(dǎo)電金屬件135的開(kāi)口136重合于穿孔113f的中心。磁流通過(guò)穿孔113f及開(kāi)口136以對(duì)在殼體11f內(nèi)的電池(未顯示于圖10)進(jìn)行充電。

另一方面，一通道114f形成于蓋板111f之上并且在穿孔113f的徑向方向上等寬度分布。通道114f連接穿孔113f至蓋板111f的邊緣。渦流電流在無(wú)線(xiàn)充電的過(guò)程當(dāng)中因?yàn)榇帕鞯纳淙攵a(chǎn)生，此誘導(dǎo)而出的渦流電流產(chǎn)生另一輔助磁流以增強(qiáng)充電效能。蓋板111f的寬度可介于約55mm至約250mm之間，并且蓋板111f的長(zhǎng)度可介于約130mm至約300mm之間。導(dǎo)電金屬件135可與蓋板111f間隔約1mm至約3mm的距離。

在部分實(shí)施例中，一相機(jī)模塊(未顯示于圖10)相對(duì)于穿孔113f放置殼體11f內(nèi)。相機(jī)模塊接收通過(guò)穿孔113f的光線(xiàn)并產(chǎn)生影像。

圖11顯示根據(jù)本發(fā)明的部分實(shí)施例的一電子設(shè)備10g以及充電站20的示意圖。在圖11的實(shí)施例中，與圖1所示的實(shí)施例相同或相似的特征將施予相同的標(biāo)號(hào)，且其特征將不再說(shuō)明，以簡(jiǎn)化說(shuō)明內(nèi)容。電子設(shè)備10g與電子設(shè)備10的差異包括，電子設(shè)備10g包括設(shè)置于殼體11的蓋板111的導(dǎo)電金屬件135g。導(dǎo)電金屬件135g與半導(dǎo)體裝置封裝13g間隔設(shè)置。導(dǎo)電金屬件135g可為上述任一實(shí)施的導(dǎo)電金屬件的形式。導(dǎo)電金屬件135g可通過(guò)粘膠材料連結(jié)至蓋板111。

上述具有無(wú)線(xiàn)充電功能的電子設(shè)備的實(shí)施例采用一導(dǎo)電金屬件以強(qiáng)化充電效能。來(lái)自充電站的磁流在形成在導(dǎo)電金屬件上的開(kāi)口進(jìn)行匯聚，藉此增加充電效能。在部分實(shí)施例中，lm效能增強(qiáng)百分之30或者更多。另外，導(dǎo)電效能也通過(guò)在導(dǎo)電金屬件的邊緣流動(dòng)的電流所誘發(fā)的輔助磁流而獲得強(qiáng)化。在導(dǎo)電效能提升之際，也可減少不必要的電力消耗以及充電過(guò)程中所產(chǎn)生的熱輻射。

本發(fā)明部分實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置封裝。半導(dǎo)體裝置封裝包括一半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置封裝還包括配置用于在磁流通過(guò)線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生電流的一線(xiàn)圈。半導(dǎo)體裝置封裝也包括環(huán)繞半導(dǎo)體裝置以及線(xiàn)圈的一成型材料。另外，半導(dǎo)體裝置封裝包括位于成型材料之上的一導(dǎo)電金屬件，一開(kāi)口形成于導(dǎo)電金屬件之上。

本發(fā)明部分實(shí)施例提供一種電子設(shè)備。電子設(shè)備包括一殼體。電子設(shè)備還包括放置于殼體內(nèi)的一半導(dǎo)體裝置。電子設(shè)備也包括放置于殼體并配置相鄰半導(dǎo)體裝置的一線(xiàn)圈。線(xiàn)圈配置用于在磁流通過(guò)線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生一電流。另外，電子設(shè)備包括放置于殼體并與線(xiàn)圈沿一軸線(xiàn)配置的導(dǎo)電金屬件一開(kāi)口形成于導(dǎo)電金屬件，并且至少一通道形成于導(dǎo)電金屬件之上，通道連結(jié)開(kāi)口至導(dǎo)電金屬件的邊緣。

本發(fā)明部分實(shí)施例提供一種封裝一半導(dǎo)體裝置的方法。上述方法包括連接一半導(dǎo)體裝置至重布層上方。上述方法還包括形成一成型材料在半導(dǎo)體裝置與線(xiàn)圈上方。上述方法也包括形成一導(dǎo)電金屬件在成型材料上方。重布層以及導(dǎo)電金屬件位于成型材料的兩側(cè)。一開(kāi)口形成于導(dǎo)電金屬件之上以允許磁流通過(guò)。

以上概略說(shuō)明了本發(fā)明數(shù)個(gè)實(shí)施例的特征，使所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員對(duì)于后續(xù)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明更為容易理解。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)了解到本說(shuō)明書(shū)可輕易作為其它結(jié)構(gòu)或制程的變更或設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，以進(jìn)行相同于本發(fā)明實(shí)施例的目的及/或獲得相同的優(yōu)點(diǎn)。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員也可理解與上述等同的結(jié)構(gòu)或制程并未脫離本發(fā)明的構(gòu)思和保護(hù)范圍內(nèi)，且可在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍內(nèi)，當(dāng)可作變動(dòng)、替代與潤(rùn)飾。