本發(fā)明涉及多個(gè)電子部件按照電子設(shè)備的功能、用途進(jìn)行匯集的電子部件模塊及其制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，電子設(shè)備的多功能化有了顯著進(jìn)展，伴隨著小型化和生產(chǎn)效率的提升，模塊化正加速進(jìn)行。模塊化是指，將電子設(shè)備作為具有功能性的統(tǒng)一的“模塊”按元件進(jìn)行分割，使各個(gè)元件之間的接口簡(jiǎn)單化、規(guī)則化。具有功能性的統(tǒng)一而匯集的多個(gè)電子部件被稱作電子部件模塊，存在例如bluetooth(注冊(cè)商標(biāo))、wi-fi等無線模塊、將電源電路作為一個(gè)元件的電源管理模塊、將傳感器和傳感器啟動(dòng)電路作為一個(gè)元件的傳感器模塊等各種電子部件模塊。

另一方面，在電子設(shè)備中，如果多功能化得到發(fā)展，則在各個(gè)模塊中產(chǎn)生的無用輻射和干涉波有可能對(duì)其他模塊造成不良影響。因此，在以往的電子設(shè)備中，常常在內(nèi)部設(shè)置屏蔽構(gòu)件來減小無用輻射和干涉波的影響。例如，在專利文獻(xiàn)1中公開了如下所述的移動(dòng)電話終端。在該移動(dòng)電話終端中，在基板一方配置有磁屏蔽片，使之覆蓋幾乎所有安裝于基板一方的多個(gè)電子部件，在基板的另一方也配置有磁屏蔽片，使之覆蓋基板的另一方的至少配置有電源線的部分。

另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了如下所述的半導(dǎo)體裝置封裝結(jié)構(gòu)。在該半導(dǎo)體裝置封裝結(jié)構(gòu)中，在覆蓋形成于基板上的半導(dǎo)體芯片等多個(gè)元件的樹脂封裝體的表面上，形成有具備晶種層(seedlayer)、第一屏蔽層、第二屏蔽層以及保護(hù)層的電磁干擾屏蔽層。

而且，在專利文獻(xiàn)3中，公開了一種在收納線圈單元的線圈盒的內(nèi)面粘貼有銅屏蔽體和含有磁片的屏蔽體的車輛。另外，在專利文獻(xiàn)4中，公開了一種半導(dǎo)體裝置，上述半導(dǎo)體裝置具備由多個(gè)含有磁屏蔽膜和緩沖膜的結(jié)構(gòu)體層壓而成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)磁屏蔽體。

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-104049號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：美國(guó)專利第9,269,673b1號(hào)說明書

專利文獻(xiàn)3：日本特開2014-75975號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本特開2010-278418號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

通過上述專利文獻(xiàn)1中公開的技術(shù)，可減小對(duì)調(diào)幅波接收功能產(chǎn)生影響的噪聲。另外，通過上述專利文獻(xiàn)2中公開的技術(shù)，可減小引起電磁干擾的電磁噪聲。

但是，在專利文獻(xiàn)1中公開的移動(dòng)電話終端中，在一個(gè)基板上安裝有多個(gè)按照功能分組的電子部件，該各組分別被分體的金屬制屏蔽罩覆蓋。因此，在專利文獻(xiàn)1的現(xiàn)有技術(shù)中，一塊基板必須被形狀不同的多個(gè)金屬制屏蔽罩覆蓋，因而移動(dòng)電話終端的組裝工作要花費(fèi)工夫，難以簡(jiǎn)化制造。另外，分組后的多個(gè)電子部件被安裝于一個(gè)基板上，并在該基板整體形成一個(gè)磁屏蔽片。因?yàn)槎鄠€(gè)電子部件未以小組單位進(jìn)行劃分(未模塊化)，所以即使只對(duì)一組進(jìn)行變更、交換，也必須對(duì)基板上所有的組進(jìn)行變更、交換，因此，專利文獻(xiàn)1中公開的移動(dòng)電話終端存在缺乏通用性的問題。

而且，因?yàn)榇牌帘纹仨毰渲糜诨宓膬擅妫源牌帘误w的存在對(duì)終端內(nèi)部的低高度化產(chǎn)生影響，而存在難以減小移動(dòng)電話終端的厚度的問題。

另一方面，當(dāng)電子部件模塊包含像感應(yīng)體一樣會(huì)產(chǎn)生電流磁場(chǎng)的電子部件時(shí)，為了能夠有效減弱該電流磁場(chǎng)，期望使大量的磁通以穿透磁屏蔽體的截面的方式通過該磁屏蔽體的內(nèi)側(cè)，即，期望使磁通穿透磁屏蔽體。

但是，例如，如果增加專利文獻(xiàn)2的第二屏蔽層的厚度，使大量的磁通穿透第二屏蔽層，則存在伴隨厚度的增加，第二屏蔽層的內(nèi)部應(yīng)力累積，使第二屏蔽層變得容易剝離的問題。

因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，難以使磁屏蔽層在對(duì)磁噪聲具備有效的屏蔽效果的同時(shí)不發(fā)生剝離。

本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種電子部件模塊及其制造方法，上述電子部件模塊具有在對(duì)磁噪聲具備有效的屏蔽效果的同時(shí)不會(huì)發(fā)生剝離的磁屏蔽層，且具備對(duì)電子設(shè)備的組裝和制造的簡(jiǎn)化、低高度化的影響較小、通用性較高的結(jié)構(gòu)。

為了解決上述問題，本發(fā)明的特征在于，電子部件模塊具有基板、至少一個(gè)電子部件、樹脂模制層以及薄膜磁屏蔽層，上述電子部件形成于該基板一側(cè)的主表面，上述樹脂模制層以使用密封樹脂密封該電子部件的方式形成，上述薄膜屏蔽層形成于該樹脂模制層的與主表面相對(duì)的樹脂表面，該薄膜磁屏蔽層具有薄膜多重屏蔽層，薄膜多重屏蔽層具有由多個(gè)薄膜單位屏蔽層層壓而成的屏蔽體多重結(jié)構(gòu)，薄膜單位屏蔽層具有軟磁性層和應(yīng)力差異金屬層的層壓結(jié)構(gòu)，軟磁性層由軟磁性材料構(gòu)成，應(yīng)力差異金屬層由可與該軟磁性層應(yīng)力方向不同的應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成。

在上述電子部件模塊中，由于薄膜單位屏蔽層具有軟磁性層和應(yīng)力差異金屬層的層壓結(jié)構(gòu)，軟磁性層的內(nèi)部應(yīng)力被應(yīng)力差異金屬層的內(nèi)部應(yīng)力抵消。由于薄膜磁屏蔽層具有這樣的由多個(gè)薄膜單位屏蔽層層壓而成的屏蔽體多重結(jié)構(gòu)，內(nèi)部應(yīng)力得到緩和，而且，由于軟磁性層層疊，可以確保對(duì)磁噪聲有效的磁性層整體的膜厚較大。

另外，在上述電子部件模塊的情況下，優(yōu)選地，薄膜單位屏蔽層為以如下方式形成的濺射薄膜或蒸鍍薄膜：軟磁性層的膜厚被設(shè)定為大于應(yīng)力差異金屬層的膜厚，其大小至少為應(yīng)力差異金屬層的膜厚的20倍至60倍，并且軟磁性層顯示拉伸應(yīng)力且應(yīng)力差異金屬層顯示壓縮應(yīng)力，或者軟磁性層顯示壓縮應(yīng)力且應(yīng)力差異金屬層顯示拉伸應(yīng)力。

進(jìn)一步優(yōu)選地，薄膜磁屏蔽層進(jìn)一步具有粘合晶種層、電磁波屏蔽層以及保護(hù)層，上述粘合晶種層直接形成于樹脂模制層的樹脂表面，上述電磁波屏蔽層層壓于該粘合晶種層和薄膜多重屏蔽層之間，上述保護(hù)層直接形成于薄膜多重屏蔽層，該粘合晶種層、保護(hù)層使用與應(yīng)力差異金屬材料相同的金屬材料而形成，且電磁波屏蔽層使用銅、銀、鋁以及其他導(dǎo)電性金屬材料而形成。

能夠使薄膜磁屏蔽層也形成于樹脂模制層的與樹脂表面相交的樹脂側(cè)面。

另外，優(yōu)選地，樹脂模制層優(yōu)選為在樹脂表面和與該樹脂表面相交的樹脂側(cè)面之間形成彎曲面或連接端面，該連接端面和樹脂表面所構(gòu)成的角以及該連接端面和樹脂側(cè)面所構(gòu)成的角均設(shè)定為鈍角，樹脂模制層的樹脂側(cè)面以及彎曲面或連接端面均形成有薄膜磁屏蔽層。

進(jìn)一步優(yōu)選地，樹脂模制層在與所述樹脂表面的各所述電子部件之間相對(duì)應(yīng)的部件間對(duì)應(yīng)位置形成有凹部，所述薄膜磁屏蔽層也形成于該凹部的內(nèi)表面。

作為軟磁性層的軟磁性材料，可使用鐵鎳系合金、鐵和鐵系合金、fecrsi合金以及其他含有ni或fe的金屬材料。

另外，作為應(yīng)力差異金屬材料，可使用cr或w、ag、au、cu、aln。

作為應(yīng)力差異金屬材料，可使用cr或w、ag、au、cu、aln，作為粘合晶種層和保護(hù)層的材料，可使用cr。

而且，本發(fā)明提供一種電子部件模塊的制造方法，其包括：

樹脂模制層形成工序以及薄膜磁屏蔽層形成工序，上述樹脂模制層形成工序?yàn)椋允褂妹芊鈽渲瑢⑿纬捎诨宓囊粋?cè)的主表面的至少一個(gè)電子部件密封的方式形成樹脂模制層；上述薄膜屏蔽層形成工序?yàn)?，在該樹脂模制層的與上述主表面相對(duì)的樹脂表面形成薄膜磁屏蔽層，該薄膜磁屏蔽層形成工序具有薄膜多重屏蔽層形成工序，上述薄膜多重屏蔽層形成工序?yàn)?，通過反復(fù)進(jìn)行形成具有軟磁性層和應(yīng)力差異金屬層的層壓結(jié)構(gòu)的薄膜單位屏蔽層的薄膜單位屏蔽層形成工序，來形成具有由多個(gè)薄膜單位屏蔽層層壓而成的屏蔽體多重結(jié)構(gòu)的薄膜多重屏蔽層，軟磁性層由軟磁性材料構(gòu)成，應(yīng)力差異金屬層由可與該軟磁性層的應(yīng)力方向不同的應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成。

在上述制造方法中，優(yōu)選地，薄膜單位屏蔽層形成工序?yàn)椋褂糜绍洿判圆牧蠘?gòu)成的靶材，通過濺射或蒸鍍形成顯示拉伸應(yīng)力的薄膜作為軟磁性層，并且使用由應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成的靶材，通過濺射或蒸鍍形成以顯示壓縮應(yīng)力的方式形成的薄膜作為應(yīng)力差異金屬層，或者，通過濺射或蒸鍍形成顯示壓縮應(yīng)力的薄膜作為軟磁性層，并且使用由應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成的靶材，通過濺射或蒸鍍形成以顯示拉伸應(yīng)力的方式形成的薄膜作為應(yīng)力差異金屬層。

另外，優(yōu)選地，所述薄膜磁屏蔽層形成工序進(jìn)一步具有：

粘合晶種層形成工序以及保護(hù)層形成工序，上述粘合晶種層形成工序?yàn)?，在上述樹脂表面形成粘合晶種層；上述保護(hù)層形成工序?yàn)?，在薄膜多重屏蔽層形成保護(hù)層，使用cr或w、ag、au、cu、aln作為應(yīng)力差異金屬材料來進(jìn)行薄膜單位屏蔽層形成工序，并且使用cr作為粘合晶種層和保護(hù)層的材料來進(jìn)行粘合晶種層形成工序和保護(hù)層形成工序。

進(jìn)一步優(yōu)選地，薄膜磁屏蔽層形成工序進(jìn)一步具有電磁波屏蔽層形成工序，上述電磁波屏蔽層形成工序?yàn)槭褂勉~、銀、鋁以及其他導(dǎo)電性金屬材料在粘合晶種層形成電磁波屏蔽層。

本發(fā)明的其他側(cè)面、特點(diǎn)以及優(yōu)點(diǎn)，通過結(jié)合附圖的以下詳細(xì)說明會(huì)更加明確。附圖為本文件公開范圍的一部分，也為作為圖示本發(fā)明的原理原則的一個(gè)示例。

如上詳述，根據(jù)本發(fā)明可得到一種電子部件模塊及其制造方法，上述電子部件模塊具有在對(duì)磁噪聲具備有效的屏蔽效果的同時(shí)不會(huì)發(fā)生剝離的磁屏蔽層，且具備對(duì)電子設(shè)備的組裝和制造的簡(jiǎn)化、低高度化的影響較小、通用性較高的結(jié)構(gòu)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子部件模塊的圖7中沿1-1線橫截的截面圖。

圖2為被圖1的虛線包圍的部分q2的放大截面圖。

圖3為被圖1的虛線包圍的部分q3的放大截面圖。

圖4為變形例所涉及的電子部件模塊的圖3所對(duì)應(yīng)的截面圖。

圖5為其他變形例所涉及的電子部件模塊的圖3所對(duì)應(yīng)的截面圖。

圖6(a)為模式性地表示通過如圖1所示薄膜磁屏蔽層的磁噪聲的圖，(b)為模式性地表示通過如圖4所示變形例所涉及的薄膜磁屏蔽層的磁噪聲的圖，(c)為模式性地表示通過如圖5所示其他變形例所涉及的薄膜磁屏蔽層的磁噪聲的圖。

圖7為表示安裝有含有圖1的電子部件模塊的多個(gè)電子部件模塊的電子設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要部分。

圖8為表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子部件模塊的制造工序的平面圖。

圖9為表示圖8的后續(xù)工序的平面圖。

圖10為表示圖9的后續(xù)工序的平面圖。

圖11為表示電子部件模塊的變形例所涉及的制造工序，表示圖8的后續(xù)工序的平面圖。

圖12為沿圖9的12-12線橫截的截面圖。

圖13為沿圖10的13-13線橫截的截面圖。

圖14為沿圖11的14-14線橫截的截面圖。

圖15為圖14的后續(xù)工序的截面圖。

圖16為形成于變形例所涉及的形成于電子部件模塊的薄膜多重屏蔽層的圖2所對(duì)應(yīng)的截面圖。

圖17為表示薄膜磁屏蔽層形成工序的執(zhí)行順序的圖。

圖18為其他變形例所涉及的電子部件模塊的圖1所對(duì)應(yīng)的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。應(yīng)予說明，對(duì)同一元件使用同一符號(hào)，并省略重復(fù)說明。

(電子部件模塊的結(jié)構(gòu))

首先，參照?qǐng)D1～圖3、圖7，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式所涉及的電子部件模塊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。其中，圖1為本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子部件模塊100的沿圖7中的1-1線的截面圖，圖2為將圖1的被虛線包圍的部分q2放大后的截面圖，圖3為將圖1的被虛線包圍的部分q3放大后的截面圖。圖7為表示安裝有含有電子部件模塊100的多個(gè)電子部件模塊100b、100c、100d的電子設(shè)備200的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的主要部分的平面圖。

如圖1所示，電子部件模塊100具有基板101、形成于基板101上的多個(gè)電子部件102、樹脂模制層110和薄膜磁屏蔽層170。在電子部件模塊100中，多個(gè)電子部件102具有功能性的統(tǒng)一地被匯集。如圖7所示，電子部件模塊100與其他電子部件模塊100b、100c、100d一同收容于電子設(shè)備200(如圖7所示的電子設(shè)備200為多功能移動(dòng)電話)的內(nèi)部。在電子設(shè)備200的情況下，其內(nèi)部收容有電池102b，在電池102b的鄰接的區(qū)域安裝有電子部件模塊100、100b、100c、100d。

基板101可以為使用樹脂等形成的印刷電路基板(pcb)。多個(gè)電子部件102形成于基板101的一側(cè)的主表面101a上。在多個(gè)電子部件102中，至少含有可產(chǎn)生磁噪聲的電子部件(例如，感應(yīng)體)。如圖7所示，在電子部件模塊100中，作為多個(gè)電子部件102，含有感應(yīng)體l1、l2和電容器c1、c2。應(yīng)予說明，雖未圖示，但作為電子部件102，也可含有具備集成電路的ic芯片、電源裝置、電阻元件。

樹脂模制層110以使用密封樹脂密封電子部件102的方式形成。例如，密封樹脂使用填充有通過二氧化硅(sio2)形成的填充物(未圖示)的環(huán)氧樹脂而形成。如圖1、圖3所示，樹脂模制層110具有樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b。樹脂表面110a為樹脂模制層110的表面中的與主表面101a相對(duì)的表面。樹脂側(cè)面110b為樹脂模制層110的側(cè)面，為與樹脂表面110a相交的表面。

如圖3所詳示，薄膜磁屏蔽層170形成于樹脂模制層110的樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b。薄膜磁屏蔽層170的在樹脂表面110a上直接形成的部分為磁屏蔽層170a，在樹脂側(cè)面110b上直接形成的部分為磁屏蔽體170b。薄膜磁屏蔽層170形成為與基板101的尺寸(縱橫均為幾mm左右的大小)相比，厚度極小的薄膜狀(薄膜磁屏蔽層170的膜厚是基板101的尺寸的1/500到1/50左右的大小)。

如圖2所示，薄膜磁屏蔽層170具有薄膜多重屏蔽層119、粘合晶種層161、電磁波屏蔽層162和保護(hù)層163。

薄膜多重屏蔽層199具有屏蔽體多重結(jié)構(gòu)。屏蔽體多重結(jié)構(gòu)是指多個(gè)薄膜單位屏蔽層層壓而成的結(jié)構(gòu)。在圖2中，通過層壓從薄膜單位屏蔽層121、122、123至158、159、160為止的40層(為了方便圖示，省略123至158)，形成薄膜多重屏蔽層119。至少層壓10層左右的薄膜單位屏蔽層121即可，也可層壓41層以上。

而且，薄膜單位屏蔽層121、122、123至158、159、160分別具有應(yīng)力差異金屬層121a、122a、123a至158a、159a、160a和軟磁性層121b、122b、123b至158b、159b、160b(為了方便圖示，省略123a至158a、123b至158b)。

軟磁性層121b、122b、123b至158b、159b、160b使用軟磁性材料通過濺射(或者也可以是蒸鍍)形成為薄膜狀。例如，可使用鐵鎳系合金(坡莫合金：nife、超坡莫合金、鎳鐵銅系高磁導(dǎo)率合金(mu-metal)、鎳鐵鈮系高磁導(dǎo)率合金(hardperm)等)、鐵及鐵系合金(電磁軟鐵、硅鋼、鐵硅鋁磁性合金、鋁鐵高導(dǎo)磁合金、珀明德鐵鈷系高導(dǎo)磁率合金等)、鐵氧體化合物、fecrsi合金以及其他含有ni或fe的金屬材料。軟磁性層121b～160b可形成為例如0.25μm至0.5μm左右的膜厚。或者也可形成為0.01μm至0.25μm左右的膜厚。圖2表示軟磁性層121b～160b使用坡莫合金(nife)作為軟磁性材料并形成相同的膜厚的情況。應(yīng)予說明，在本實(shí)施方式中，蒸鍍是指使金屬、氧化物等蒸發(fā)，并使之附著在材料的表面的表面處理或形成薄膜的方法。蒸鍍中存在物理蒸鍍(pvd：physicalvapordeposition)和化學(xué)蒸鍍(cvd：chemicalvapordeposition)。

應(yīng)力差異金屬層121a、122a、123a至158a、159a、160a使用應(yīng)力差異金屬材料通過濺射(或者也可以是蒸鍍)形成為薄膜狀。應(yīng)力差異金屬材料是指，可與軟磁性層應(yīng)力方向不同的金屬材料(可具有與軟磁性層方向不同的內(nèi)部應(yīng)力的金屬材料)。作為應(yīng)力差異金屬材料，例如，可使用cr。此外，也可使用w(鎢)或ag、au、cu、aln。應(yīng)力差異金屬層121a～160a可形成為例如0.01μm左右的膜厚，或者0.001μm至0.01μm左右的膜厚。如圖2所示的應(yīng)力差異金屬層121a～160a形成為相同的膜厚。

詳細(xì)情況后述，應(yīng)力差異金屬層121a～160a分別通過濺射(或者也可以是蒸鍍)，以應(yīng)力圖p1的方式形成。應(yīng)力差異金屬層121a～160a在以應(yīng)力圖p1的方式形成的情況下，顯示壓縮應(yīng)力。另外，應(yīng)力差異金屬層121a～160a也可以應(yīng)力圖p2的方式形成。此時(shí)，應(yīng)力差異金屬層121a～160a形成為顯示拉伸應(yīng)力。

而且，軟磁性層121b～160b的膜厚設(shè)定為大于應(yīng)力差異金屬層121a～160a的膜厚。在本實(shí)施方式中，軟磁性層121b～160b的膜厚設(shè)定為至少為應(yīng)力差異金屬層121a～160a的膜厚的20倍至60倍的大小。

軟磁性層121b～160b和應(yīng)力差異金屬層121a～160a各自的內(nèi)部應(yīng)力朝向相反的方向，應(yīng)力的方向不同。軟磁性層121b～160b和應(yīng)力差異金屬層121a～160a為分別通過濺射(或者也可以是蒸鍍)，以應(yīng)力圖p1或應(yīng)力圖p2的方式形成的薄膜(以蒸鍍的方式形成的薄膜為蒸鍍薄膜)。

應(yīng)力圖是指軟磁性層121b～160b和應(yīng)力差異金屬層121a～160a各自的應(yīng)力的組合方式，在本實(shí)例方式中為p1或p2。在應(yīng)力圖p1的情況下，軟磁性層121b～160b顯示拉伸應(yīng)力，應(yīng)力差異金屬層121a～160a顯示壓縮應(yīng)力。在應(yīng)力圖p2的情況下，軟磁性層121b～160b顯示壓縮應(yīng)力，應(yīng)力差異金屬層121a～160a顯示拉伸應(yīng)力(詳細(xì)情況后述)。

粘合晶種層161直接形成于樹脂模制層110的樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b上。粘合晶種層161為電磁波屏蔽層162通過電鍍形成時(shí)的基底層，具有將該電磁波屏蔽層162粘合于樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b上的效果(粘合作用)。在本實(shí)施方式中，粘合晶種層161使用與應(yīng)力差異金屬材料相同的cr而形成。粘合晶種層161可以形成為例如0.01μm至0.1μm左右的膜厚。

如圖3所詳示，磁波屏蔽層162直接形成于粘合晶種層161上。電磁波屏蔽層162層壓于薄膜多重屏蔽層119和粘合晶種層161之間。電磁波屏蔽層162使用銅(cu)、銀(ag)等導(dǎo)電性良好的金屬材料而形成。電磁波屏蔽層162可以形成例如0.5μm至5μm左右的膜厚。

保護(hù)層163直接形成于薄膜多重屏蔽層119的表面。保護(hù)層163配置于薄膜磁屏蔽層170的最外側(cè)，具有保護(hù)薄膜多重屏蔽層119的作用。保護(hù)層163與粘合晶種層161同樣地，使用與應(yīng)力差異金屬材料相同的cr而形成。保護(hù)層163可以形成為例如0.01μm至5μm左右的膜厚。

(電子部件模塊的制造方法)

然后，參照?qǐng)D8、9、10、12、13，對(duì)電子部件模塊100的制造方法進(jìn)行說明。電子部件模塊以如下的方式制造。

首先，在基板101的主表面101a上，含有感應(yīng)體l1、l2、電容器c1、c2的多個(gè)電子部件102安裝于各模塊區(qū)域99。各模塊區(qū)域99分別為之后成為電子部件模塊100的區(qū)域。

之后，執(zhí)行樹脂模制層形成工序。如圖8所示，在此工序中，在基板101的主表面101a上涂布密封樹脂108從而形成樹脂模制層110。

接著，如圖9、12所示，使用未圖示的切割鋸等在基板101和樹脂模制層110上沿縱向和橫向分別形成多條切割線cl，從而將基板101和樹脂模制層110劃分為多個(gè)模塊區(qū)域99。應(yīng)予說明，在基板101的背面(與主表面101a相對(duì)的表面)上，粘貼有具有與基板101相同程度的大小的未圖示的切割片187(參照?qǐng)D12)。而且，使得切割鋸雖然將到達(dá)切割片187，但切割片187不會(huì)被切割，從而形成切割線cl。如圖12所示，此時(shí)，沿著切割線cl的槽部103形成于各模塊區(qū)域99之間。圖12表示模塊區(qū)域99a、99b和它們之間的槽部103。

然后，執(zhí)行薄膜磁屏蔽層形成工序。如圖10、圖13所示，在薄膜磁屏蔽層形成工序中，薄膜磁屏蔽層170形成于樹脂模制層110。此時(shí)，在執(zhí)行薄膜磁屏蔽層形成工序之前，由于槽部103形成于各模塊區(qū)域99之間，因此薄膜磁屏蔽層170也進(jìn)入槽部103的內(nèi)側(cè)，不僅形成于樹脂表面110a，還形成于樹脂側(cè)面110b。進(jìn)而，由于槽部103也形成于基板101，所以薄膜磁屏蔽層170也形成于基板101的側(cè)面。

應(yīng)予說明，在該工序之前，多個(gè)模塊區(qū)域99從切割片187轉(zhuǎn)移到磁屏蔽形成用片材188(參照?qǐng)D13)。圖10、圖13表示進(jìn)行了該轉(zhuǎn)移之后。此時(shí)，調(diào)整各模塊區(qū)域99的位置，使各模塊區(qū)域99之間的間隔大于形成切割線cl時(shí)的間隔(這點(diǎn)未圖示)。由此，在樹脂側(cè)面110b和基板101的側(cè)面形成薄膜磁屏蔽層170。

而且，如圖17所示，薄膜磁屏蔽層形成工序包括：粘合晶種層形成工序s1、電磁波屏蔽層形成工序s2、薄膜多重屏蔽層形成工序s3和保護(hù)層形成工序s4。在薄膜磁屏蔽層形成工序中，粘合晶種層形成工序s1、電磁波屏蔽層形成工序s2、薄膜多重屏蔽層形成工序s3和保護(hù)層形成工序s4如圖17所示順序執(zhí)行。

在粘合晶種層形成工序s1中，上述粘合晶種層161形成于樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b。在粘合晶種層形成工序s1中，使用cr制造的靶材，通過濺射形成粘合晶種層161。

在電磁波屏蔽層形成工序s2中，上述電磁波屏蔽層162形成于粘合晶種層161。在電磁波屏蔽層形成工序s2中，使用由銅、銀、鋁及其他導(dǎo)電性良好的金屬材料制造的靶材，通過濺射形成電磁波屏蔽層162。

在薄膜多重屏蔽層形成工序s3中，通過在同樣的條件下反復(fù)執(zhí)行薄膜單位屏蔽層形成工序，從而形成具有上述屏蔽體多重結(jié)構(gòu)的薄膜多重屏蔽層119。在每次執(zhí)行薄膜單位屏蔽層形成工序時(shí)依次層壓從薄膜單位屏蔽層121至薄膜單位屏蔽層160的40層。

而且，薄膜單位屏蔽層形成工序包括軟磁性層形成工序和應(yīng)力差異金屬層形成工序。在軟磁性層形成工序中，使用由坡莫合金等上述軟磁性材料構(gòu)成的靶材(未圖示)。而且，在軟磁性層形成工序中，通過濺射(或蒸鍍)，以應(yīng)力圖p1或p2的方式形成薄膜。該薄膜作為軟磁性層121b～160b直接形成于應(yīng)力差異金屬層121a～160a上。

在應(yīng)力差異金屬層形成工序中，使用由cr等應(yīng)力差異金屬材料構(gòu)成的靶材(未圖示)。而且，在應(yīng)力差異金屬層形成工序中，通過濺射(或蒸鍍)，以應(yīng)力圖p1或p2的方式形成薄膜。該薄膜作為應(yīng)力差異金屬層121a～160a直接形成于電磁波屏蔽層162、軟磁性層121b～159b上。

在保護(hù)層形成工序s4中，上述保護(hù)層163形成于薄膜多重屏蔽層119的軟磁性層160b上。在保護(hù)層形成工序s4中，與粘合晶種層形成工序s1和應(yīng)力差異金屬層形成工序相同，使用cr制造的靶材，通過濺射形成保護(hù)層163。

(電子部件模塊的作用效果)

如以上說明所述，電子部件模塊100具有薄膜磁屏蔽層170，因此具有以下的作用效果。薄膜磁屏蔽層170具有薄膜多重屏蔽層119，該薄膜多重屏蔽層119具有屏蔽體多重結(jié)構(gòu)。

薄膜磁屏蔽層170形成為與基板101的尺寸相比厚度極小的薄膜狀，并直接形成于樹脂模制層110的樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b上，而不形成于基板101的背面?zhèn)?。因此，即使電子部件模塊100收容于電子設(shè)備200的內(nèi)部，該薄膜磁屏蔽層170對(duì)電子設(shè)備200的低高度化產(chǎn)生的影響也極小。

另一方面，為了有效阻隔電子部件102產(chǎn)生的磁噪聲，優(yōu)選通過導(dǎo)磁率高的材料，即軟磁性材料來形成薄膜磁屏蔽層170，以使磁通容易穿透薄膜磁屏蔽層170的內(nèi)部。不僅如此，還優(yōu)選使得穿透薄膜磁屏蔽層170內(nèi)部的磁通不會(huì)發(fā)生飽和。因此，優(yōu)選增加薄膜磁屏蔽層170的厚度，使得更多的磁通穿透薄膜磁屏蔽層170。

對(duì)于這點(diǎn)，例如，在專利文獻(xiàn)2中公開的現(xiàn)有技術(shù)中，加大了其磁屏蔽片(第二屏蔽層)的厚度。此時(shí)，隨著厚度的增加，磁屏蔽片的內(nèi)部應(yīng)力也增大。于是，磁屏蔽片與基板的粘合力減弱，磁屏蔽片變得容易剝離。如果磁屏蔽片剝離，就可能無法有效阻隔磁噪聲。

另一方面，薄膜磁屏蔽層170的薄膜多重屏蔽層119中，各薄膜單位屏蔽層121～160具有應(yīng)力差異金屬層121a～160a和軟磁性層121b～160b的層壓結(jié)構(gòu)。應(yīng)力差異金屬層121a～160a和軟磁性層121b～160b以上述應(yīng)力圖p1的方式形成。因此，應(yīng)力差異金屬層121a～160a形成為顯示壓縮應(yīng)力，并且，軟磁性層121b～160b形成為顯示拉伸應(yīng)力。

而且，由于薄膜單位屏蔽層121～160具有這樣的層壓結(jié)構(gòu)，因此在軟磁性層121b～160b的內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力分別與在應(yīng)力差異金屬層121a～160a內(nèi)部產(chǎn)生的應(yīng)力相抵消。這是由于軟磁性層121b～160b的內(nèi)部應(yīng)力和應(yīng)力差異金屬層121a～160a的內(nèi)部應(yīng)力朝著大致相反(逆)的方向。

于是，具有屏蔽體多重結(jié)構(gòu)的薄膜多重屏蔽層119的整體的內(nèi)部應(yīng)力得到緩和，所以將不會(huì)產(chǎn)生薄膜多重屏蔽層119剝離的問題。

另一方面，由濺射形成的薄膜(濺射薄膜)顯示壓縮應(yīng)力。然而，已知使用由cr構(gòu)成的靶材制造的濺射薄膜在特定條件下形成時(shí)，內(nèi)部應(yīng)力從壓縮應(yīng)力變?yōu)槔鞈?yīng)力，從而形成為具有拉伸應(yīng)力。已知除cr外，由w(鎢)或ag、au、cu、通過反應(yīng)濺射形成的aln薄膜在特定條件下形成時(shí)也會(huì)顯示拉伸應(yīng)力。

特定條件(在本實(shí)施方式中，因?yàn)槭莾?nèi)部應(yīng)力發(fā)生變化時(shí)的條件，所以也稱作“應(yīng)力變化條件”)是指，例如，濺射薄膜的膜厚、用于濺射的氬氣(ar)等稀有氣體的壓力、蒸鍍速度等。例如，當(dāng)使用由cr構(gòu)成的靶材制造濺射薄膜時(shí)，可將膜厚為0.3μm以下，ar氣的壓力為0.67pa～1.67pa左右作為應(yīng)力變化條件。在按照應(yīng)力變化條件形成的濺射薄膜的情況下，內(nèi)部應(yīng)力呈拉伸應(yīng)力。應(yīng)力差異金屬層121a～160a可按照這樣的應(yīng)力變化條件，形成為顯示拉伸應(yīng)力。

對(duì)此，由于軟磁性層121b～160b為濺射薄膜，所以也可形成為顯示壓縮應(yīng)力。由于這相當(dāng)于應(yīng)力圖p2，所以薄膜單位屏蔽層121～160也可以上述應(yīng)力圖p2的方式形成。因此，薄膜多重屏蔽層119也可具有按照這樣的應(yīng)力變化條件形成為顯示拉伸應(yīng)力的應(yīng)力差異金屬層121a～160a和顯示壓縮應(yīng)力的軟磁性層121b～160b的層壓結(jié)構(gòu)。

通常在以濺射、蒸鍍、電鍍的方式形成磁性層的情況下，因?yàn)榇判詫訉⒈恢瞥杀∧?，所以?duì)電子部件模塊的低高度化較為有效。為了提高這些磁性層的導(dǎo)磁率，優(yōu)選在成膜后進(jìn)行磁性退火處理。

但是，在電子部件模塊中，從安裝的電子部件、連接部分的材料來看，在磁性層成膜后，對(duì)該磁性層進(jìn)行磁性退火處理較為困難。

另外，如上所述，如果為使更多的磁通穿透而增加磁性層的膜厚(例如1μm～1.5μm左右)，則會(huì)產(chǎn)生磁性層剝離的問題。

因此，在電子部件模塊100中，各軟磁性層121b～160b形成為不產(chǎn)生剝離問題的程度的膜厚。但即使如此，由于各軟磁性層121b～160b具有拉伸張力，因此在各軟磁性層121b～160b之間設(shè)有形成為具有壓縮應(yīng)力的應(yīng)力差異金屬層121a～160a。這是為了利用應(yīng)力差異金屬層121a～160a的壓縮應(yīng)力來抵消各軟磁性層121b～160b的拉伸應(yīng)力，從而緩和磁屏蔽層整體的內(nèi)部應(yīng)力，并通過軟磁性層121b～160b的多重化，盡可能增大磁性層整體的膜厚。

由此，可得到對(duì)磁噪聲具有有效的屏蔽效果并且不會(huì)發(fā)生剝離的薄膜磁屏蔽層170。在電子部件模塊100中，這樣的薄膜磁屏蔽層170不進(jìn)行磁性退火處理便可形成。

在薄膜磁屏蔽層170中，由于層壓多個(gè)薄膜單位屏蔽層121，因此可確保軟磁性層所占的區(qū)域較大。因此，在薄膜磁屏蔽層170中，可確保磁通穿透的部分較大，所以更多的磁通將穿透薄膜磁屏蔽層170。薄膜磁屏蔽層170的內(nèi)部比其他部分更容易通過磁噪聲。因此，從其他電子部件模塊產(chǎn)生的磁噪聲比起其他部分，更容易通過薄膜磁屏蔽層170的內(nèi)部，從而在電子部件102中迂回。另外，磁噪聲從電子部件102產(chǎn)生后，通過薄膜磁屏蔽層170的內(nèi)部，而不易泄漏至薄膜磁屏蔽層170的外部。于是，不會(huì)發(fā)生從其他電子部件模塊產(chǎn)生的磁噪聲到達(dá)電子部件102和從電子部件102產(chǎn)生的磁噪聲泄漏至電子部件模塊100的外部的情況，因此，對(duì)于磁噪聲可得到有效的屏蔽效果。

而且，將軟磁性層121b～160b的膜厚設(shè)定為大于應(yīng)力差異金屬層121a～160a，為20倍到60倍。即，將應(yīng)力差異金屬層121a～160a的膜厚控制為軟磁性層121b～160b的膜厚的1/20至1/60的大小。因此，在薄膜磁屏蔽層170中，盡可能地增大對(duì)磁通的通過有效的軟磁性層121b～160b所占的比例，并盡可能地減小對(duì)磁通的通過無用的應(yīng)力差異金屬層121a～160a所占的比例。這樣，可以在不增加薄膜磁屏蔽層170整體的膜厚的同時(shí)，使更多的磁通穿透薄膜磁屏蔽層170。因而，在減小電子部件模塊100對(duì)電子設(shè)備200的低高度化的影響的同時(shí)確保有效的屏蔽效果。

另外，由于薄膜磁屏蔽層170為由薄膜狀的軟磁性層121b～160b重疊形成，所以可減小各軟磁性層121b～160b的結(jié)晶大小。因此，在各軟磁性層121b～160b中，穿透內(nèi)部的磁通的方向形成為大致平面方向(沿著基板101的方向)。因此，磁噪聲在薄膜磁屏蔽層170的內(nèi)部朝沿著樹脂模制層110的樹脂表面110a和樹脂側(cè)面110b的方向傳播，所以可得到更有效的屏蔽效果。

而且，由于薄膜磁屏蔽層170不僅形成于沿著樹脂表面110a的部分，還形成于沿著樹脂側(cè)面110b的部分，所以可有效阻隔將從側(cè)面部分侵入的磁噪聲和從側(cè)面部分放射(泄漏)的磁噪聲。因而，電子部件模塊100具備較高的屏蔽效果。

另一方面，在電子部件模塊100中，在一個(gè)基板101上形成具有功能性的統(tǒng)一的多個(gè)電子部件102。不在基板101上形成不需要功能性的統(tǒng)一的電子部件。在基板101中，由于不需要通過形狀不同的多個(gè)金屬制屏蔽罩進(jìn)行覆蓋，因此對(duì)電子設(shè)備200的組裝工作不需要花費(fèi)必要量以上的工夫，可簡(jiǎn)化制造。另外，由于在每個(gè)基板101形成具有功能性的統(tǒng)一的電子部件102，因此電子部件模塊100在其他的電子設(shè)備上的安裝、更換方面的制約較小，因此通用性較高。

進(jìn)而，薄膜磁屏蔽層170由于具有粘合晶種層161，其形成于樹脂模制層110，因此薄膜磁屏蔽層170牢固地粘合于樹脂模制層110。而且，薄膜磁屏蔽層170具有保護(hù)層163，因此也具有薄膜多重屏蔽層119的保護(hù)效果。由于具有電磁波屏蔽層162，所以電子部件模塊100具有電磁波的屏蔽效果。

而且，這些粘合晶種層161、保護(hù)層163使用與應(yīng)力差異金屬層121a相同的cr而形成，因此，它們的材料可與應(yīng)力差異金屬層121a共用。因此，可削減電子部件模塊100的制造階段的工夫，能夠使電子部件模塊100易于制造。

[變形例1]

如圖3所示，上述電子部件模塊100在樹脂模制層110的角部，樹脂表面110a與樹脂側(cè)面110b垂直相交。而且，薄膜磁屏蔽層170形成為覆蓋該垂直相交部分。電子部件模塊100也可具有如圖4所示的樹脂模制層111和薄膜磁屏蔽層171，來替代樹脂模制層110和薄膜磁屏蔽層170。

樹脂模制層111與樹脂模制層110相比不同點(diǎn)在于，其具有樹脂表面111a和樹脂側(cè)面111b以及彎曲面111r。薄膜磁屏蔽層171與薄膜磁屏蔽層170相比不同點(diǎn)在于，其具有磁屏蔽層171a、171b、171r。在磁屏蔽層171a、171b、171r中，磁屏蔽層171r配置于磁屏蔽層171a和171b之間。

彎曲面111r配置于樹脂表面111a和樹脂側(cè)面111b之間。彎曲面111r為平滑地連接樹脂表面111a與樹脂側(cè)面111b的彎曲的曲面。形成于該彎曲面111r上的部分為磁屏蔽層171r。

另外，電子部件模塊100也可具有如圖5所示的樹脂模制層112和薄膜磁屏蔽層172，來替代樹脂模制層110和薄膜磁屏蔽層170。

樹脂模制層112與樹脂模制層110相比不同點(diǎn)在于，其具有樹脂表面112a和樹脂側(cè)面112b以及連接端面112c。薄膜磁屏蔽層172與薄膜磁屏蔽層170相比不同點(diǎn)在于，其具有磁屏蔽層172a、172b、172c。在磁屏蔽層172a、172b、172c中，磁屏蔽層172c配置于磁屏蔽層172a和172b之間。

連接端面112c配置于樹脂表面112a和樹脂側(cè)面112b之間。雖然連接端面112c平坦地形成，但樹脂表面112a和連接端面112c所成的角β1與樹脂表面112b和連接端面112c所成的角β2均設(shè)定為鈍角(130度到140度左右)。形成于該連接端面112c上的部分為磁屏蔽層172c。

而且，如圖6(a)所示，在薄膜磁屏蔽層170的情況下，在角部附近垂直相交。電子部件形成為，通過流過的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)描繪圓形。因此，可能會(huì)產(chǎn)生，穿透薄膜磁屏蔽層170內(nèi)部的磁通ms1，在彎曲成垂直相交狀的角部附近泄漏至薄膜磁屏蔽層170的外部的問題。

對(duì)此，如圖6(b)所示，在薄膜磁屏蔽層171的情況下，由于彎曲面111r配置于角部附近，穿透其內(nèi)部的磁通ms2能夠比較順暢地通過內(nèi)部，降低泄漏至外部風(fēng)險(xiǎn)。另外，如圖6(c)所示，在薄膜磁屏蔽層172的情況下，由于彎曲面112c配置于角部附近，穿透其內(nèi)部的磁通ms3能夠比較順暢地通過內(nèi)部，降低泄漏至外部風(fēng)險(xiǎn)。

因此，電子部件模塊100通過具備薄膜磁屏蔽層171、172，對(duì)磁噪聲可得到更有效的效果。

在形成如上所述的薄膜磁屏蔽層171、172時(shí)，樹脂模制層111、112也可形成于基板101。因此，如圖9所示，也可通過形成切割線cl，改變槽部103形成時(shí)的切割鋸，執(zhí)行加工角部的加工工序，使槽部103的截面上出現(xiàn)彎曲面111r或連接端面112c。另外，除切割鋸以外，也可使用實(shí)施預(yù)先角部加工的模具(未圖示)。切割線cl形成后，可使用切削夾具切割角部，也可在角部實(shí)施噴砂來研磨角部。

[變形例2]

在電子部件模塊100中，構(gòu)成薄膜多重屏蔽層119的各薄膜單位屏蔽層121～160的軟磁性層121b～160b和應(yīng)力差異金屬層121a～160a分別形成相同的膜厚。本發(fā)明中的“薄膜單位屏蔽層”是指構(gòu)成屏蔽體多重結(jié)構(gòu)的一個(gè)匯總的層，不僅包含各層的膜厚相等的情況，還包含各層膜厚不等的情況。

例如，電子部件模塊100也可具有如圖16所示的薄膜多重屏蔽層219。薄膜多重屏蔽層219與薄膜多重屏蔽層119相比不同點(diǎn)在于，其具有薄膜單位屏蔽層222、223，來替代薄膜單位屏蔽層122、123。薄膜單位屏蔽層222、223分別與薄膜單位屏蔽層122、123相比不同點(diǎn)在于，分別具有應(yīng)力差異金屬層122a、123a和軟磁性層222b、223b。軟磁性層222b、223b與軟磁性層122b、123b相比，其膜厚不同，軟磁性層按121b>222b>223b的順序膜厚逐漸減小。

像薄膜多重屏蔽層119一樣，在各薄膜單位屏蔽層121～160中，在軟磁性層121b～160b的膜厚一定的情況下，有可能出現(xiàn)各薄膜單位屏蔽層121～160對(duì)某種特定的磁噪聲共振，屏蔽效果降低的問題。

但是，即使是這種情況，像薄膜多重屏蔽層219一樣，由于其具有膜厚不同的薄膜單位屏蔽層222、223，可減小各薄膜單位屏蔽層121、222、223～160對(duì)某種特定的磁噪聲共振的風(fēng)險(xiǎn)。這樣，可減小屏蔽效果降低的風(fēng)險(xiǎn)。

[變形例3]

在上述實(shí)施方式中，如圖9、圖10所示，槽部形成后，薄膜磁屏蔽層170形成。此外，如圖11、圖14、圖15所示，薄膜磁屏蔽層170先于槽部103形成，之后形成槽部103，也可形成電子部件模塊100e、100f。這樣，如圖15所示，至少在樹脂表面上形成有薄膜磁屏蔽層170。

薄膜單位屏蔽層121、222、223～160具有軟磁性層121b～160b直接形成于應(yīng)力差異金屬層121a～160a上的2層結(jié)構(gòu)，也可具有應(yīng)力差異金屬層121a～160a直接形成于軟磁性層121b～160b上的2層結(jié)構(gòu)。即，若對(duì)圖2進(jìn)行描述，則軟磁性層121b和應(yīng)力差異金屬層122a形成薄膜單位屏蔽層121，電子部件模塊100也可具有含有與之相同的2層結(jié)構(gòu)的薄膜單位屏蔽層的多重結(jié)構(gòu)。

[變形例4]

如圖18所示，電子部件模塊100也可具有如圖5所示的樹脂模制層112和薄膜磁屏蔽層172，來替代樹脂模制層113和薄膜磁屏蔽層173。樹脂模制層113與樹脂模制層112相比不同點(diǎn)在于，其具有v字凹部113a、113b、113c。v字凹部113a、113b、113c的截面均為大致呈v字的槽狀槽部，分別形成于樹脂表面112a的感應(yīng)體l1、l2、電容器c1、c2之間對(duì)應(yīng)的位置(也稱作部件間對(duì)應(yīng)位置)。例如，v字凹部113a形成于感應(yīng)體l1、l2之間對(duì)應(yīng)的位置。另外，薄膜磁屏蔽層173與薄膜磁屏蔽層172相比不同點(diǎn)在于，其也形成于v字凹部113a、113b、113c的內(nèi)表面。

例如，從感應(yīng)體l1產(chǎn)生的磁通以感應(yīng)體l1為中心形成為圓環(huán)狀。由于v字凹部113a、113b、113c的截面大致呈v字，薄膜磁屏蔽層173的v字槽部113a附近的形狀，相比薄膜磁屏蔽層172更以感應(yīng)體l1為中心呈近似于圓環(huán)狀的形狀。因此，從感應(yīng)體l1產(chǎn)生的磁通通過v字槽部113a附近時(shí)，順利通過，可減小泄漏部的風(fēng)險(xiǎn)。

因此，電子部件模塊100通過具備薄膜磁屏蔽層173，可得到對(duì)磁噪聲更有效的效果。

以上說明是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行的說明，并不限制該發(fā)明的裝置和方法，可以容易地實(shí)施各種變形例。另外，將各實(shí)施方式中的構(gòu)成元件、功能、特征或方法步驟適當(dāng)組合構(gòu)成的裝置或方法也包含在本發(fā)明中。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

通過應(yīng)用本發(fā)明，可得到一種電子部件模塊及其制造方法，上述電子部件模塊具有在具備對(duì)磁噪聲的有效屏蔽效果的同時(shí)不剝離的磁屏蔽層，且具備簡(jiǎn)化電子設(shè)備的組裝和制造、對(duì)低高度化的影響較小、通用性較高的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可利用于電子部件模塊及其制造方法。