本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的急速進(jìn)步，作為顯示裝置核心的半導(dǎo)體元件技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。對于現(xiàn)有的顯示裝置而言，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角以及便于制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。

在OLED顯示裝置的設(shè)計(jì)中，為了減少強(qiáng)光條件下，反射造成視覺質(zhì)量降低，現(xiàn)有技術(shù)一般利用顯示端貼附圓偏光板，外部光線經(jīng)過圓偏光板后會形成偏振光。偏振光再經(jīng)OLED的反射電極反射后，形成反向偏振，因而無法從圓偏光板穿出進(jìn)入人眼。借此，反射率可大幅下降，進(jìn)而確保室內(nèi)外強(qiáng)光下的顯示性能。同時，為了具有觸摸操控功能，現(xiàn)有技術(shù)一般在器件封裝外掛觸摸屏(Touch Sensor Panel，TSP)，從而達(dá)到觸摸操控功能的目的。

然而，現(xiàn)有圓偏光板的穿透率約僅42％，這意味著有將近60％的OLED出光量被圓偏光板阻擋，此問題造成OLED的功耗過高。同時，OLED需以2.5倍的電流密度來發(fā)出需求的光強(qiáng)度，這也會導(dǎo)致OLED壽命過短，還伴隨著集成電路(IC)電流過大發(fā)熱、元器件易毀損等副作用。此外，外掛觸摸屏對顯示屏輕薄化有較大影響，且會一定程度上影響顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的外掛觸摸屏影響輕薄化和顯示效果的問題。

本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，包括：提供一基板，并在基板出光面的一側(cè)形成第一導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成絕緣偏振層，所述絕緣偏振層中包括具有偏振特性的顆粒；在所述絕緣偏振層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的一側(cè)形成第二導(dǎo)電層。

可選地，在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成絕緣偏振層的步驟包括：在第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層的一側(cè)設(shè)置偏振層，所述偏振層中包括具有偏振特性的顆粒；在所述偏振層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)形成第二絕緣層。

可選地，在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成絕緣偏振層的步驟包括：將具有偏振特性的顆粒與絕緣材料混合形成絕緣偏振組合物；在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置所述絕緣偏振組合物，以形成絕緣偏振層。

可選地，所述具有偏振特性的顆粒包括納米顆粒。

可選地，所述在基板出光面的一側(cè)形成第一導(dǎo)電層的步驟包括：在基板出光面的一側(cè)形成第一導(dǎo)電材料層；通過構(gòu)圖工藝在所述第一導(dǎo)電材料層形成包括第一特定圖案的第一導(dǎo)電層；所述在所述絕緣偏振層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的一側(cè)形成第二導(dǎo)電層的步驟包括：在所述絕緣偏振層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的一側(cè)形成第二導(dǎo)電材料層；通過構(gòu)圖工藝在所述第二導(dǎo)電材料層形成包括第二特定圖案的第二導(dǎo)電層；所述第一特定圖案與第二特定圖案構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)，所述網(wǎng)絡(luò)用于確定特定位置的坐標(biāo)；所述第一導(dǎo)電層包括第一組電極，所述第二導(dǎo)電層包括第二組電極，使得當(dāng)某一電極加上電壓時，所述網(wǎng)絡(luò)上形成電壓梯度。

根據(jù)另一方面本發(fā)明還公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括基板、第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及絕緣偏振層；所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層位于所述基板出光面的一側(cè)上方，所述絕緣偏振層位于所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間，所述絕緣偏振層中包括具有偏振特性的顆粒。

可選地，所述絕緣偏振層包括第一絕緣層、第二絕緣層以及分布在所述第一絕緣層與第二絕緣層之間的具有偏振特性的顆粒。

可選地，所述絕緣偏振層包括將具有偏振特性的顆粒與絕緣材料混合形成的絕緣偏振組合物。

可選地，所述具有偏振特性的顆粒包括納米顆粒。

可選地，所述第一導(dǎo)電層包括具有第一特定圖案的第一導(dǎo)電材料層以及第一組電極；所述第二導(dǎo)電層包括具有第二特定圖案的第二導(dǎo)電材料層以及第二組電極；所述第一組電極與第二組電極形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少包括以下優(yōu)點(diǎn)：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的外掛觸摸屏對顯示屏輕薄化有較大影響，且會一定程度上影響顯示效果的問題，本發(fā)明提出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法可以取代現(xiàn)有技術(shù)中的外掛觸摸屏以及偏光片，通過分層形成導(dǎo)電層-絕緣層-導(dǎo)電層，實(shí)現(xiàn)偏振功能，從而在一定程度上降低制造成本，并可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)輕薄化功能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)實(shí)施例一的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的示意性流程圖；

圖2是根據(jù)實(shí)施例一的另一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的示意性流程圖；

圖3是根據(jù)實(shí)施例二的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的優(yōu)選實(shí)施方式。雖然附圖中顯示了本公開的優(yōu)選實(shí)施方式，然而應(yīng)該理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施方式所限制。相反，提供這些實(shí)施方式是為了使本公開更加透徹和完整，并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

本發(fā)明所解決的技術(shù)問題是提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，通過在既有基礎(chǔ)上對封裝玻璃的工藝的改進(jìn)，能實(shí)現(xiàn)偏振和外掛觸摸屏的雙重功能從而在一定程度上降低制造成本，并可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)輕薄化功能。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置例如包括主動有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。參照圖1所示，該方法包括以下步驟：

步驟S100，提供一基板，并在基板出光面的一側(cè)形成第一導(dǎo)電層；

在這一步驟中，首先提供基板，并在基板的上方(出光面一側(cè))形成第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層例如可以為圖形化后的金屬層或者ITO層等。上述“基板的上方”包括直接接觸基板的情形，也包括位于基板的上方但不與基板接觸的情況，例如是與基板上方的某一功能層接觸。

該第一導(dǎo)電層例如是通過在基板出光面一側(cè)形成第一導(dǎo)電材料層，并通過構(gòu)圖工藝形成圖形化的第一導(dǎo)電層。

例如，參照圖2所示，所述提供一基板，并在基板上形成第一導(dǎo)電層的步驟包括：

子步驟S101，提供一基板，并在基板出光面的一側(cè)形成第一導(dǎo)電材料層。

在這一步驟中，例如在基板上沉積第一導(dǎo)電材料層，可以將導(dǎo)電材料沉積在基板的上方。

子步驟S102，通過構(gòu)圖工藝在所述第一導(dǎo)電材料層形成包括第一特定圖案的第一導(dǎo)電層。

其中，構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。

具體地，對于上述子步驟，所述基板例如為封裝玻璃，所述第一導(dǎo)電材料層例如為金屬層或者為ITO(氧化銦錫)層，在封裝玻璃上進(jìn)行第一導(dǎo)電材料層沉積后，經(jīng)過光刻及蝕刻工藝，在第一導(dǎo)電材料層的像素區(qū)域形成走線(第一特定圖案)。這一過程負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)圖案，簡而言之，即留下有用的導(dǎo)電層，去除無用的導(dǎo)電層，得到與設(shè)計(jì)圖案一致的圖形。其中，所述光刻與蝕刻工藝是液晶顯示器制造過程中的關(guān)鍵工藝之一。例如，對于ITO層，光刻就是在導(dǎo)電玻璃上涂覆感光膠，并進(jìn)行曝光，然后利用光刻膠的保護(hù)作用，對ITO層進(jìn)行選擇性化學(xué)腐蝕，從而在ITO層上得到與掩摸板完全對應(yīng)的圖形。

另外，蝕刻技術(shù)，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。對于ITO層，例如光刻過程結(jié)束后，蝕刻是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻膠保護(hù)的ITO膜腐蝕掉，而將有光刻膠保護(hù)的ITO膜保存下來，最終形成ITO圖形。選用的腐蝕液必須是能腐蝕掉ITO膜又不能損傷玻璃表面和光刻膠，一般選用低溫ITO，一般腐蝕液采用一定比例的HNO₃、H₃PO₄和水的混合液。因?yàn)闈袷轿g刻是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的去除，而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性，因此濕式蝕刻過程為等向性。在微電子制作過程中采用濕式蝕刻具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的蝕刻選擇比等優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)際應(yīng)用中，所述光刻及蝕刻過程結(jié)束后，還包括去膠與清洗步驟。具體地，去膠就是把蝕刻后ITO導(dǎo)電玻璃上剩余的光刻膠去掉，清洗是沖洗干凈玻璃表面的殘膠、雜質(zhì)等。去膜液是用堿液配制而成的，它的堿濃度要高于顯影濃度。清洗是用高純水沖洗玻璃上殘留堿液同時沖洗殘膠。

經(jīng)過光刻和蝕刻步驟之后，第一導(dǎo)電層形成為圖形化的導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層上可以包括第一對位標(biāo)記，用于與后續(xù)的導(dǎo)電層進(jìn)行對位。

步驟S200，在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成絕緣偏振層，所述絕緣偏振層中包括具有偏振特性的顆粒。

對于上述步驟，絕緣偏振層例如為具有偏振特性的顆粒的有機(jī)聚合物層，絕緣偏振層可以通過調(diào)節(jié)加入的納米顆粒的大小、密度等對絕緣層的偏振特性進(jìn)行調(diào)節(jié)。實(shí)際應(yīng)用中對于不同工藝水平包括以下兩種實(shí)現(xiàn)方式：

第一種方式，采用的是將納米顆粒當(dāng)作一層單獨(dú)設(shè)置的思路，具體包括以下步驟：

步驟S201a，在第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成第一絕緣層；

步驟S201b，在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層的一側(cè)設(shè)置偏振層，所述偏振層中包括具有偏振特性的顆粒；

步驟S201c，在所述偏振層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)形成第二絕緣層。

對于上述步驟，先在第一導(dǎo)電層上形成一層有機(jī)聚合物，然后再在第一導(dǎo)電層上設(shè)置一層具有偏振特性的顆粒，例如為納米顆粒，具體地，可以包括碘顆?；蚴╊w粒；之后再在納米顆粒上形成一層有機(jī)聚合物；其中所述設(shè)置納米顆粒層的過程例如可以通過注入或噴灑的方式，在所述第一絕緣層上涂布所述具有偏振特性的顆粒，形成所述偏振層。

采用上述方式，對工藝控制水平要求不高，實(shí)施方式比較直觀；此外，該方式是在注入或者噴灑納米顆粒的過程中，通過調(diào)節(jié)加入的納米顆粒的大小、密度等對絕緣層的偏振特性進(jìn)行調(diào)節(jié)的。

第二種方式包括：

步驟S202a，將具有偏振特性的顆粒與絕緣材料混合形成絕緣偏振組合物；

步驟S202b，在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置所述絕緣偏振組合物，以形成絕緣偏振層。

例如，通過在形成有機(jī)聚合物之前，先直接將納米顆?；烊胗袡C(jī)聚合物內(nèi)，制作成混有納米顆粒的混合有機(jī)聚合物，然后將該混合有機(jī)聚合物當(dāng)作涂料一樣，涂布在第一導(dǎo)電層上即可；第二種實(shí)現(xiàn)方式對混合有機(jī)聚合物及納米顆粒的工藝控制的穩(wěn)定性要求較高，但是一旦混合成功，涂布過程簡單可以一步到位；此外，該方式在混合過程中就可以實(shí)現(xiàn)通過調(diào)節(jié)加入的納米顆粒的大小、密度等對絕緣層的偏振特性進(jìn)行調(diào)節(jié)。

對于有機(jī)聚合物形成的絕緣偏振層，在所述第一導(dǎo)電層上形成絕緣偏振層的步驟分為兩步即涂布和固化。由有機(jī)聚合物構(gòu)成的絕緣偏振層在進(jìn)行下一步操作即涂布第二導(dǎo)電層之前，需要一定時間進(jìn)行固化使其硬度達(dá)到工藝需求，以避免因絕緣偏振層的硬度不夠?qū)е碌暮笮蚬に嚦鲥e的問題。

步驟S300，在所述絕緣偏振層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的一側(cè)形成第二導(dǎo)電層。

所述在絕緣偏振層上形成第二導(dǎo)電層的步驟包括：

子步驟S301，在所述絕緣偏振層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層的一側(cè)形成第二導(dǎo)電材料層；

子步驟S302，通過構(gòu)圖工藝在所述第二導(dǎo)電材料層形成包括第二特定圖案的第二導(dǎo)電層。

上述子步驟可以參照子步驟S101至S102，此處不再贅述。

類似的，經(jīng)過光刻和蝕刻步驟之后，第二導(dǎo)電層形成為圖形化的導(dǎo)電層即在第二導(dǎo)電材料層的像素區(qū)域形成不同于第一導(dǎo)電層中的走線的另一走線(第二特定圖案)。第二導(dǎo)電層上可以包括第二對位標(biāo)記，用于與其他的導(dǎo)電層進(jìn)行對位。

值得注意的是，所述第一特定圖案與第二特定圖案構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)，所述網(wǎng)絡(luò)用于確定特定位置的坐標(biāo)；所述第一導(dǎo)電層包括第一組電極，所述第二導(dǎo)電層包括第二組電極，使得當(dāng)某一電極加上電壓時，所述網(wǎng)絡(luò)上形成電壓梯度。其中，電極選用導(dǎo)電性能極好的材料(如銀粉墨)，其導(dǎo)電性能大約為ITO的1000倍。

如此一來，通過位于第一和第二導(dǎo)電層上的走線形成的網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)觸控功能，具體實(shí)現(xiàn)過程例如為：觸摸屏工作時，上下導(dǎo)體層相當(dāng)于電阻網(wǎng)絡(luò)，當(dāng)某一電極加上電壓時，會在該網(wǎng)絡(luò)上形成電壓梯度。如有外力使得第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層在某一點(diǎn)接觸，則在電極未加電壓的另一層可以測得接觸點(diǎn)處的電壓，從而知道接觸點(diǎn)處的坐標(biāo)。比如，在第二導(dǎo)電層的第一組電極上加上電壓，則在第二導(dǎo)電層上形成電壓梯度，當(dāng)有外力使得第一和第二導(dǎo)電層在某一點(diǎn)接觸，在第一導(dǎo)電層就可以測得接觸點(diǎn)處的電壓，再根據(jù)該電壓與電極直接的距離關(guān)系，獲得該處的第一方向的坐標(biāo)。然后將電壓切換到第一組電極上，并在第二導(dǎo)電層測量接觸點(diǎn)處的電壓，從而獲得第二方向的坐標(biāo)。在平面直角坐標(biāo)系中，通過第一方向的坐標(biāo)以及第二方向的坐標(biāo)即可確定接觸點(diǎn)的具體位置。

值得說明的是，本領(lǐng)域有多種實(shí)現(xiàn)觸摸屏結(jié)構(gòu)的方式，以上僅是一種一種實(shí)施方式，用于舉例說明，并不特別限制。

此外，由于OLED按驅(qū)動方式可分為PMOLED(Passive Matrix Driving OLED，無源矩陣驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED，有源矩陣驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管/主動有機(jī)發(fā)光二極管)兩種。因此，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法至少可以應(yīng)用于主動有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明至少包括以下優(yōu)點(diǎn)：

首先，本發(fā)明提出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法中，導(dǎo)電層-絕緣偏振層-導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)形成了觸摸屏結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)觸控功能，從而在一定程度上降低制造成本，并可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)輕薄化功能。

其次，在絕緣層中加入偏振顆粒并將該顆粒固化，例如在聚合物絕緣層中加入納米級碘、石墨烯等顆粒，通過例如涂覆-固化的方式將納米顆粒固化于聚合物絕緣層中，并通過加入的納米顆粒的大小、密度等對偏振能力進(jìn)行調(diào)節(jié)。

第三，在第一導(dǎo)電層上設(shè)置第一絕緣層(一層有機(jī)聚合物)，其上通過注入或噴灑工藝形成一層偏振層(碘或石墨烯等具有偏振特性的納米顆粒)，再在偏振層上形成第二絕緣層(另一層有機(jī)聚合物)。在分層形成絕緣層的過程中，將納米顆粒作為一層噴灑或注入已形成的絕緣層，之后再在納米顆粒層上部繼續(xù)形成絕緣層。實(shí)現(xiàn)過程對工藝要求不高、成本低。

另外，將納米顆?；烊胗袡C(jī)聚合物中直接作為一層涂布的實(shí)現(xiàn)方式，對工藝控制穩(wěn)定性要求高，但是涂布工藝簡單、操作方便。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，參照圖3所示，該顯示裝置可以包括基板5、第一導(dǎo)電層1、第二導(dǎo)電層3以及絕緣偏振層2。其中，所述絕緣偏振層2中包括具有偏振特性的顆粒4，所述第一導(dǎo)電層1和所述第二導(dǎo)電層3位于所述基板5上方，所述絕緣偏振層2位于所述第一導(dǎo)電層1與第二導(dǎo)電層3之間。

其中，所述第一導(dǎo)電層1、所述第二導(dǎo)電層3以及所述絕緣層形成的結(jié)構(gòu)具有觸摸操控功能。

可選地，所述絕緣偏振層2包括第一絕緣層、第二絕緣層以及分布在所述第一絕緣層與第二絕緣層之間的具有偏振特性的顆粒4。該結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方式，參照實(shí)施例一中的第一種實(shí)現(xiàn)方式，此處不再贅述。

可選地，所述絕緣偏振層2包括有機(jī)聚合物以及混合入有機(jī)聚合物的具有偏振特性的顆粒4。該結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方式，參照實(shí)施例一中的第二種實(shí)現(xiàn)方式，此處也不再贅述。

對于本發(fā)明實(shí)施例的，需要注意的是，所述絕緣偏振層2包括有機(jī)聚合物以及混合入有機(jī)聚合物的具有偏振特性的顆粒4；例如為納米顆粒，優(yōu)選地，碘顆?；蚴╊w粒。

另外，值得說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提出的顯示裝置，可以為顯示面板或者其他顯示結(jié)構(gòu)，例如包括顯示面板以及與顯示面板配合工作的電路模塊、顯示面板以及與顯示面板配合工作的電路板等，還可以包括其他周邊元件，例如邊框、背板等。只要能夠單獨(dú)或者與其他元件配合實(shí)現(xiàn)顯示功能即可，本發(fā)明并不特別限制顯示裝置的范圍。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：

首先，本發(fā)明提出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，導(dǎo)電層-絕緣偏振層2-導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)形成了觸摸屏結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)觸控功能，從而在一定程度上降低制造成本，并可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)輕薄化功能；

其次，具有偏振特性的顆粒，例如碘、石墨烯等納米顆粒，在外界強(qiáng)光入射時，入射光線收到納米顆粒的作用轉(zhuǎn)換為偏振光，再一次經(jīng)過陽極的反射后，由于其相位與入射時相反，則會被納米顆粒組成的偏振系統(tǒng)屏蔽掉從而無法減少出射量乃至無法出射。

綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，具體地，需要注意以下幾點(diǎn)：

首先，本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同或相似的部分互相參見即可。

其次，需要說明的是，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，術(shù)語“第一”、“第二”、“內(nèi)”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的順序、方位或者位置關(guān)系為人為定義的順序或基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明或使描述更加清晰、有條理，而不是指示或者暗示所指的結(jié)構(gòu)或部件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

第三，在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細(xì)節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實(shí)施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在一些實(shí)例中，并未詳細(xì)示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對本說明書的理解。

第四，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡本公開并幫助理解各個發(fā)明方面中的一個或多個，在上面對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的各個特征有時被一起分組到單個實(shí)施例、圖、或者對其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本發(fā)明要求比在每個權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說，如下面的權(quán)利要求書所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開的單個實(shí)施例的所有特征。因此，遵循具體實(shí)施方式的權(quán)利要求書由此明確地并入該具體實(shí)施方式，其中每個權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。

最后，應(yīng)該注意的是上述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行說明而不是對本發(fā)明進(jìn)行限制，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下可設(shè)計(jì)出替換實(shí)施例。在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號之間的任何參考符號構(gòu)造成對權(quán)利要求的限制。