本申請要求享有于2015年11月30日提交的韓國專利申請第10-2015-0169418號的優(yōu)先權(quán)，通過引用將該申請并入本申請，如同在此完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

隨著信息化社會的發(fā)展，具有輕便、纖薄和低功耗的良好性質(zhì)的平板顯示裝置(FPD)的重要性不斷增加。平板顯示裝置可包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機發(fā)光顯示器(OLED)等。最近，電泳顯示裝置(EPD)也被廣泛使用。

在前述平板顯示裝置中，具有薄膜晶體管的OLED和LCD具有優(yōu)良的分辨率、出色的彩色顯示質(zhì)量、和優(yōu)良的圖像質(zhì)量的優(yōu)點，因此，它們被廣泛地用于電視、筆記本電腦、平板電腦、或臺式計算機的顯示裝置。

尤其是，作為自發(fā)光顯示裝置的OLED裝置具有功耗低、響應(yīng)速度快、發(fā)光效率高、亮度高和視角寬的優(yōu)點。因此，OLED裝置作為下一代平面顯示裝置吸引了很大的關(guān)注。

現(xiàn)有技術(shù)的有機發(fā)光顯示面板可包括基膜、緩沖層、薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管?；け恢苽溆谳o助基板上，其中基膜可以是柔性塑料膜。緩沖層制備于基膜上，薄膜晶體管制備于緩沖層上。有機發(fā)光二極管制備于薄膜晶體管上，并且有機發(fā)光二極管與薄膜晶體管電連接?，F(xiàn)有技術(shù)的有機發(fā)光顯示面板可通過在輔助基板上依序設(shè)置基膜、緩沖層、薄膜晶體管和有機發(fā)光二極管，并且通過使用激光將基膜從輔助基板分離而制造。

通過在基膜上沉積多個無機膜來獲得緩沖層，以便保護薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。薄膜晶體管制備于半導(dǎo)體層上。制造薄膜晶體管的工藝可包括數(shù)個熱處理。在該情形中，基膜的熱膨脹系數(shù)與這些無機膜的熱膨脹系數(shù)不同，由此可能導(dǎo)致基膜與無基膜之間的應(yīng)力增大。因此，在從輔助基板分離基膜后，基膜的焊盤區(qū)域會卷曲。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的實施方式涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的有機發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法。

本發(fā)明的實施方式的一方面是提供一種能夠防止有機發(fā)光顯示面板的焊盤區(qū)域卷曲的有機發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法。

在下面的描述中將部分列出本發(fā)明實施方式的附加優(yōu)點和特征，這些優(yōu)點和特征的一部分根據(jù)下面的描述對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得顯而易見或者可通過本發(fā)明實施方式的實踐領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明實施方式的這些目的和其他優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明實施方式的目的，如在此具體和概括描述的，提供了一種有機發(fā)光顯示(OLED)裝置，可包括：基膜，所述基膜具有顯示區(qū)域和第一焊盤區(qū)域，所述第一焊盤區(qū)域設(shè)置有第一焊盤，其中所述第一焊盤區(qū)域從所述顯示區(qū)域的第一側(cè)延伸并突出；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管制備于所述基膜上；以及有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管制備于所述薄膜晶體管上。

在本發(fā)明實施方式的另一方面中，提供了一種OLED裝置的制造方法，可包括：在輔助基板上設(shè)置基膜；在所述基膜上設(shè)置薄膜晶體管和第一焊盤；設(shè)置與所述薄膜晶體管連接的有機發(fā)光二極管，并設(shè)置封裝層以覆蓋所述有機發(fā)光二極管；將源極柔性膜附接到所述第一焊盤上；將所述基膜從所述輔助基板分離；以及通過使用激光切割設(shè)置在每個源極柔性膜之間的所述基膜的切割部分。

應(yīng)當理解，本發(fā)明的前述一般性描述和下面的詳細描述都是示例性的和解釋性的，意在對要求保護的本發(fā)明的實施方式提供進一步的解釋。

附圖說明

被包括來給本發(fā)明的實施方式提供進一步理解并且并入本申請組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明實施方式的原理。在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的OLED裝置的示例圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的基膜的平面圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的基膜的平面圖；

圖4是沿圖1的I-I’的截面圖；

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的OLED裝置的制造方法的流程圖；

圖6A至6F是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的OLED裝置的制造方法的截面圖；

圖7A至7D是示出圖5的步驟S103、S104和S106的平面圖。

具體實施方式

本說明書中公開的術(shù)語應(yīng)當如下理解。

單數(shù)的術(shù)語在上下文沒有特殊定義的時候，應(yīng)理解為既包括單數(shù)也包括多數(shù)的表達。諸如“第一”和“第二”之類的術(shù)語僅是用于區(qū)分一個要素與其他要素。因而，權(quán)利要求書的范圍不受這些術(shù)語限制。此外，應(yīng)當理解，諸如“包括”或“具有”之類的術(shù)語不排除一個或多個特征、數(shù)量、步驟、操作、要素、部件或它們組合的存在或可能性。應(yīng)當理解，術(shù)語“至少一個”包括與任何一個項目相關(guān)的所有組合。例如，“第一要素、第二要素和第三要素中的至少一個”可包括選自第一要素、第二要素和第三要素中的兩個或更多個要素的所有組合以及第一要素、第二要素和第三要素的每一個。此外，如果提到第一要素位于第二要素“上或上方”，則應(yīng)當理解，第一要素和第二要素可彼此接觸，或者在第一要素和第二要素之間可插入第三要素。

下面，將參照附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法。盡可能在整個附圖中使用相同的參考標記表示相同或相似的部件。此外，在本發(fā)明下面的描述中，如果對關(guān)于本發(fā)明已知的要素或功能的詳細描述被確定為會不必要地使本發(fā)明的主題模糊不清，則將省略該詳細描述。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的OLED裝置的示例圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的基膜的平面圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的基膜的平面圖。圖4是沿圖1的I-I’的截面圖。

在圖1中，X軸表示與柵極線平行的方向，Y軸表示與數(shù)據(jù)線平行的方向，Z軸表示OLED裝置的厚度方向。在圖1中，虛線表示被柵極柔性膜、源極柔性膜和電路板覆蓋而未示出的結(jié)構(gòu)。

參照圖1至圖4，根據(jù)本發(fā)明實施方式的OLED裝置可包括有機發(fā)光顯示面板100、柵極驅(qū)動電路210、柵極柔性膜230、源極驅(qū)動電路310、源極柔性膜330、電路板350和時序控制器400。

有機發(fā)光顯示面板100可包括基膜110、緩沖層130、薄膜晶體管(T)、鈍化層(PAS)、平坦化層(PAC)、有機發(fā)光二極管(OLED)和封裝層180。

基膜110可包括顯示區(qū)域(DA)、連接線區(qū)域(LA)、第一焊盤區(qū)域(PA1)、柵極連接線區(qū)域(GLA)和第二焊盤區(qū)域(PA2)。在顯示區(qū)域(DA)中具有薄膜晶體管(T)和有機發(fā)光二極管(OLED)。連接線區(qū)域(LA)設(shè)置于顯示區(qū)域(DA)與第一焊盤區(qū)域(PA1)之間。如圖2和圖3中所示，連接線區(qū)域(LA)可形成為梯形形狀。連接線區(qū)域(LA)可包括與第一線電連接的連接線。連接線與制備于顯示區(qū)域(DA)中的第一線電連接。通過連接線區(qū)域(LA)的連接線，制備于第一焊盤區(qū)域(PA1)中的第一焊盤160與顯示區(qū)域(DA)的第一線電連接。在該情形中，第一線可以是源極線或數(shù)據(jù)線。

設(shè)置在第一焊盤區(qū)域(PA1)之間的基膜110可被切除，使得第一焊盤區(qū)域(PA1)可從顯示區(qū)域(DA)的第一側(cè)延伸且突出。在第一焊盤區(qū)域(PA1)與顯示區(qū)域(DA)之間存在前述的連接線區(qū)域(LA)。如圖2和圖3中所示，第一焊盤區(qū)域(PA1)可具有梯形形狀或矩形形狀，但并不限于這些形狀。第一焊盤區(qū)域(PA1)可具有三角形形狀。第一焊盤區(qū)域(PA1)的矩形形狀的尺寸比第一焊盤區(qū)域(PA1)的梯形形狀的尺寸相對較大。因此，如果第一焊盤區(qū)域(PA1)具有矩形形狀，則可確保用于第一焊盤160的充足空間。優(yōu)選地，第一焊盤區(qū)域(PA1)具有矩形形狀。在第一焊盤區(qū)域(PA1)上存在附接至源極柔性膜330的第一焊盤160?？赏ㄟ^制造薄膜晶體管(T)的源極電極(SE)和漏極電極(DE)的工藝同時制備第一焊盤160。因此，第一焊盤160、源極電極(SE)和漏極電極(DE)可由同一材料形成，由此簡化制造工藝。

柵極連接線區(qū)域(GLA)設(shè)置于顯示區(qū)域(DA)與第二焊盤區(qū)域(PA2)之間。在柵極連接線區(qū)域(GLA)中具有柵極連接線。柵極連接線和柵極電極(GE)可同時制備并且可由同一材料形成。制備于顯示區(qū)域(DA)中的第二線可通過柵極連接線與第二焊盤170連接。在該情形中，第二線可以是柵極線。

設(shè)置在第二焊盤區(qū)域(PA2)之間的基膜110可被切除，使得第二焊盤區(qū)域(PA2)可從顯示區(qū)域(DA)的第二側(cè)延伸且突出。在第二焊盤區(qū)域(PA2)與顯示區(qū)域(DA)之間存在前述的柵極連接線區(qū)域(GLA)。在該情形中，如圖2和圖3中所示，第二焊盤區(qū)域(PA2)可具有梯形形狀或矩形形狀，但并不限于這些形狀。第二焊盤區(qū)域(PA2)可具有三角形形狀。第二焊盤區(qū)域(PA2)的矩形形狀的尺寸比第二焊盤區(qū)域(PA2)的梯形形狀的尺寸相對較大。因此，如果第二焊盤區(qū)域(PA2)具有矩形形狀，則可確保用于第二焊盤170的充足的空間。優(yōu)選地，第二焊盤區(qū)域(PA2)具有矩形形狀。在第二焊盤區(qū)域(PA2)上存在附接至柵極柔性膜230的第二焊盤170?？赏ㄟ^制造薄膜晶體管(T)的柵極電極(GE)的工藝同時制備第二焊盤170。因此，第二焊盤170和柵極電極(GE)可由同一材料形成，由此簡化制造工藝。

基膜110可以是柔性塑料膜。例如，基膜110可以是包括下述材料的片或膜：諸如TAC(三乙酰纖維素)或DAC(二乙酰纖維素)之類的纖維素樹脂；諸如降冰片烯衍生物之類的COP(環(huán)烯烴聚合物)；COC(環(huán)烯烴共聚物)；諸如PMMA(聚(甲基丙烯酸甲酯))之類的丙烯酸類樹脂；諸如PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)或PP(聚丙烯)之類的聚烯烴；諸如PVA(聚乙烯醇)、PES(聚醚砜)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亞胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)等之類的聚酯；PI(聚酰亞胺)；PSF(聚砜)；或氟化樹脂，但并不限于這些材料。

緩沖層130制備于基膜110上。緩沖層130防止薄膜晶體管(T)的特性被從基膜110滲入到有機發(fā)光顯示面板100內(nèi)部的濕氣降低，其中基膜110易受濕氣滲入的影響。此外，緩沖層130防止基膜110的諸如金屬離子之類的雜質(zhì)擴散并滲入到有源層(ACT)中。為了實現(xiàn)緩沖層130的以上功能，緩沖層130可包括至少一個無機膜。例如，緩沖層130可以以SiO₂(二氧化硅)、SiN_x(氮化硅)或SiON(氮氧化硅)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些結(jié)構(gòu)。

薄膜晶體管(T)制備于基膜110的顯示區(qū)域(DA)中。薄膜晶體管(T)可包括有源層(ACT)、柵極絕緣體(GI)、柵極電極(GE)、層間電介質(zhì)(ILD)、源極電極(SE)和漏極電極(DE)。有源層(ACT)制備于緩沖層130上。有源層(ACT)可包括位于源極電極(SE)一側(cè)的一個端部區(qū)域(A1)、位于漏極電極(DE)一側(cè)的另一個端部區(qū)域(A2)、以及位于一個端部區(qū)域(A1)與另一個端部區(qū)域(A2)之間的中間區(qū)域(A3)。中間區(qū)域(A3)可由未被摻雜劑摻雜的半導(dǎo)體材料形成，一個端部區(qū)域(A1)和另一個端部區(qū)域(A2)可由被摻雜劑摻雜的半導(dǎo)體材料形成。

柵極絕緣體(GI)制備于有源層(ACT)上。柵極絕緣體(GI)將有源層(ACT)與柵極電極(GE)彼此絕緣。覆蓋有源層(ACT)的柵極絕緣體(GI)設(shè)置在顯示區(qū)域(DA)的整個表面上。例如，柵極絕緣體(GI)可以以SiO₂(二氧化硅)、SiN_x(氮化硅)或SiON(氮氧化硅)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些結(jié)構(gòu)。

柵極電極(GE)制備于柵極絕緣體(GI)上。柵極電極(GE)與有源層(ACT)的中間區(qū)域(A3)重疊，其中柵極絕緣體(GI)插入彼此重疊的柵極電極(GE)與中間區(qū)域(A3)之間。例如，柵極電極(GE)可以以下述材料中的任意一種的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成：鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或它們的合金，但并不限于這些結(jié)構(gòu)。

層間電介質(zhì)(ILD)制備于柵極電極(GE)上。覆蓋柵極電極(GE)的層間電介質(zhì)(ILD)制備于顯示區(qū)域(DA)的整個表面上。例如，層間電介質(zhì)(ILD)由與柵極絕緣體(GI)相同的無機材料膜形成，例如，層間電介質(zhì)(ILD)以SiO₂(二氧化硅)、SiN_x(氮化硅)或SiON(氮氧化硅)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些結(jié)構(gòu)。

源極電極(SE)和漏極電極(DE)設(shè)置于層間電介質(zhì)(ILD)上，其中源極電極(SE)和漏極電極(DE)彼此之間提供有預(yù)定間隔。在前述的柵極絕緣體(GI)和層間電介質(zhì)(ILD)中具有用于暴露有源層(ACT)的一個端部區(qū)域(A1)的預(yù)定部分的第一接觸孔(CNT1)、以及用于暴露有源層(ACT)的另一個端部區(qū)域(A2)的預(yù)定部分的第二接觸孔(CNT2)。源極電極(SE)經(jīng)由第一接觸孔(CNT1)與有源層(ACT)的一個端部區(qū)域(A1)連接，并且漏極電極(DE)經(jīng)由第二接觸孔(CNT2)與有源層(ACT)的另一個端部區(qū)域(A2)連接。

薄膜晶體管(T)的結(jié)構(gòu)并不限于以上結(jié)構(gòu)，也就是說，薄膜晶體管(T)的結(jié)構(gòu)可變?yōu)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員周知的各種形狀。

鈍化層(PAS)制備于薄膜晶體管(T)上。鈍化層(PAS)保護薄膜晶體管(T)。例如，鈍化層(PAS)可以以SiO₂(二氧化硅)、SiN_x(氮化硅)或SiON(氮氧化硅)的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)形成，但并不限于這些結(jié)構(gòu)。

平坦化層(PAC)制備于顯示區(qū)域(DA)的鈍化層(PAS)上。提供平坦化層(PAC)是為了使具有薄膜晶體管(T)的基膜110的上表面平坦。例如，平坦化層(PAC)可由壓克力樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但并不限于這些材料。在顯示區(qū)域(DA)中的鈍化層(PAS)和平坦化層(PAC)中具有用于暴露薄膜晶體管(T)的漏極電極(DE)的第三接觸孔(CNT3)。漏極電極(DE)和陽極電極(AND)經(jīng)由第三接觸孔(CNT3)彼此連接。

有機發(fā)光二極管(OLED)制備于薄膜晶體管(T)上。有機發(fā)光二極管(OLED)可包括陽極電極(AND)、有機層(EL)和陰極電極(CAT)。陽極電極(AND)經(jīng)由制備于鈍化層(PAS)和平坦化層(PAC)中的第三接觸孔(CNT3)與薄膜晶體管(T)的漏極電極(DE)連接。此外，在相鄰的陽極電極(AND)之間制備堤部(W)，由此相鄰的陽極電極(AND)通過制備于其間的堤部(W)而彼此電絕緣。例如，堤部(W)可由聚酰亞胺樹脂、壓克力樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等的有機膜形成，但并不限于這些材料。

有機層(EL)制備于陽極電極(AND)上。有機層(EL)可包括空穴傳輸層、有機發(fā)光層和電子傳輸層。此外，有機層(EL)可包括用于提高發(fā)光效率和/或發(fā)光層的壽命的至少一個功能層。

陰極電極(CAT)制備于有機層(EL)和堤部(W)上。當施加電壓至陽極電極(AND)和陰極電極(CAT)時，空穴和電子經(jīng)由空穴傳輸層和電子傳輸層傳輸至有機發(fā)光層，然后在有機發(fā)光層中彼此組合，由此發(fā)射光。

封裝層180制備于薄膜晶體管(T)和有機發(fā)光二極管(OLED)上。在該情形中，連接線區(qū)域(LA)、第一焊盤區(qū)域(PA1)、柵極連接線區(qū)域(GLA)和第二焊盤區(qū)域(PA2)未被封裝層180覆蓋。封裝層180保護薄膜晶體管(T)和有機發(fā)光二極管(OLED)免受外部沖擊，并且防止?jié)駳鉂B入有機發(fā)光顯示面板100的內(nèi)部。

另外，前黏性層190可制備于封裝層180上。前黏性層190保護薄膜晶體管(T)和有機發(fā)光二極管(OLED)免受外部沖擊，并且防止?jié)駳鉂B入。在該情形中，連接線區(qū)域(LA)、第一焊盤區(qū)域(PA1)、柵極連接線區(qū)域(GLA)和第二焊盤區(qū)域(PA2)未被前黏性層190覆蓋。前黏性層190可以是金屬層或阻擋膜，但并不必須的。

柵極驅(qū)動電路210根據(jù)從時序控制器400輸入的柵極控制信號將柵極信號提供至柵極線。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，柵極驅(qū)動電路210是驅(qū)動芯片，其中該驅(qū)動芯片的柵極驅(qū)動電路210安裝在柵極柔性膜230上并且以TAB(帶式自動焊接)方法附接至基膜110的第二焊盤區(qū)域(PA2)，但并不限于此方法。例如，可以以GIP(面板內(nèi)柵極驅(qū)動器)方法將柵極驅(qū)動電路210形成在有機發(fā)光顯示面板100的顯示區(qū)域(DA)的一個外側(cè)或兩個外側(cè)處。

基膜110的第二焊盤區(qū)域(PA2)可被暴露而不被封裝層180覆蓋。在未被封裝層180覆蓋而暴露于外部的第二焊盤區(qū)域(PA2)中具有第二焊盤170。第二焊盤170可以是柵極焊盤。柵極柔性膜230附接至第二焊盤區(qū)域(PA2)。在柵極柔性膜230中可具有用于連接第二焊盤170與柵極驅(qū)動電路210的線。柵極柔性膜230通過使用各向異性導(dǎo)電膜附接到第二焊盤170上，由此第二焊盤170可與柵極柔性膜230的線連接。

源極驅(qū)動電路310被提供來自時序控制器400的源極控制信號和數(shù)字視頻數(shù)據(jù)。源極驅(qū)動電路310根據(jù)源極控制信號將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)電壓，然后將模擬數(shù)據(jù)電壓提供至第一線，即數(shù)據(jù)線。如果源極驅(qū)動電路310是驅(qū)動芯片，則可通過COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)方法將源極驅(qū)動電路310安裝于源極柔性膜330上。

基膜110的第一焊盤區(qū)域(PA1)可被暴露而不被封裝層180覆蓋。在未被封裝層180覆蓋而暴露于外部的第一焊盤區(qū)域(PA1)中具有第一焊盤160，比如數(shù)據(jù)焊盤。源極柔性膜330附接至第一焊盤160。在源極柔性膜330中可具有用于連接第一焊盤160與源極驅(qū)動電路310的線，即，用于將第一焊盤160和電路板350的線連接起來的線。源極柔性膜330通過使用各向異性導(dǎo)電膜附接到第一焊盤160上，由此第一焊盤160可與源極柔性膜330的線連接。

電路板350可附接至源極柔性膜330。在電路板350上可安裝以驅(qū)動芯片形成的多個電路。例如，時序控制器400可安裝在電路板350上。電路板350可以是印刷電路板或柔性印刷電路板。

時序控制器被提供來自外部系統(tǒng)板(未圖示)的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)和時序信號。時序控制器400基于時序信號產(chǎn)生用于控制柵極驅(qū)動電路210的操作時序的柵極控制信號，并且基于時序信號產(chǎn)生用于控制源極驅(qū)動電路310的操作時序的源極控制信號。時序控制器400將柵極控制信號提供至柵極驅(qū)動電路210，并將源極控制信號提供至源極驅(qū)動電路310。

根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置設(shè)置有第一焊盤區(qū)域(PA1)，該第一焊盤區(qū)域(PA1)從顯示區(qū)域(DA)的第一側(cè)延伸并突出，使得可減小在進行熱處理從而形成薄膜晶體管(T)時基膜與無機膜之間的應(yīng)力。因此，在基膜從輔助基板分離之后，可防止基膜的焊盤區(qū)域卷曲。

圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。圖6A至6F是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的截面圖。圖7A至7D是示出圖5的步驟S103、S104和S106的平面圖。

第一，如圖6A中所示，在輔助基板115上設(shè)置基膜110。例如，可用狹縫涂布法制造基膜110。狹縫涂布法是通過使用噴嘴在輔助基板115上均勻地涂布基膜110的液體材料，然后固化涂布的液體材料來制造薄柔性膜的方法，但并不限于此方法?？捎幂佂糠ɑ蛐糠ㄖ圃旎?10。(圖5的S101)。

第二，如圖6B中所示，在基膜110上設(shè)置薄膜晶體管(T)、第一焊盤160和第二焊盤170。在基膜110上按順序設(shè)置緩沖層130、有源層(ACT)和柵極絕緣體(GI)，在顯示區(qū)域(DA)中的柵極絕緣體(GI)上設(shè)置與有源層(ACT)重疊的柵極電極(GE)，然后在第二焊盤區(qū)域(PA2)中設(shè)置第二焊盤170。在該情形中，柵極電極(GE)和第二焊盤170通過同一工藝被同時制造并且由同一材料形成。然后，在柵極電極(GE)上設(shè)置層間電介質(zhì)(ILD)。之后，在層間電介質(zhì)(ILD)上設(shè)置經(jīng)由第一接觸孔(CNT1)和第二接觸孔(CNT2)與有源層(ACT)連接的源極電極(SE)和漏極電極(DE)，然后在第一焊盤區(qū)域(PA1)中設(shè)置第一焊盤160。在該情形中，源極電極(SE)、漏極電極(DE)和第一焊盤160通過同一工藝被同時制造并且由同一材料形成。(圖5的S102)。

第三，如圖6C和7A中所示，在設(shè)置了與薄膜晶體管(T)連接的有機發(fā)光二極管(OLED)之后，設(shè)置封裝層180以覆蓋有機發(fā)光二極管(OLED)。在薄膜晶體管(T)上按順序設(shè)置鈍化層(PAS)和平坦化層(PAC)。在薄膜晶體管(T)上方設(shè)置陽極電極(AND)，陽極電極(AND)經(jīng)由制備于鈍化層(PAS)和平坦化層(PAC)中的第三接觸孔(CNT3)與漏極電極(DE)連接。在相鄰的陽極電極(AND)之間設(shè)置堤部(W)。在陽極電極(AND)上設(shè)置有機層(EL)，并且在有機層(EL)和堤部(W)上設(shè)置陰極電極(CAT)。

封裝層180設(shè)置成覆蓋薄膜晶體管(T)和有機發(fā)光二極管(OLED)。在該情形中，在連接線區(qū)域(LA)、第一焊盤區(qū)域(PA1)和第二焊盤區(qū)域(PA2)中未設(shè)置封裝層180?？稍诜庋b層180上另外設(shè)置前黏性層190。(圖5的S103)。

第四，如圖6D和7B中所示，將源極柔性膜330附接到第一焊盤160上，并且將柵極柔性膜230附接到第二焊盤170上。在源極柔性膜330中具有用于連接第一焊盤160與源極驅(qū)動電路310的線、以及用于將第一焊盤160與電路板350的線連接起來的線。通過使用各向異性導(dǎo)電膜將源極柔性膜330附接到第一焊盤160上，由此第一焊盤160與源極柔性膜330的線連接。在柵極柔性膜230中具有用于連接第二焊盤170與柵極驅(qū)動電路210的線。通過使用各向異性導(dǎo)電膜將柵極柔性膜230附接到第二焊盤170上，由此第二焊盤170與柵極柔性膜230的線連接。(圖5的S104)。

第五，如圖6E中所示，將基膜110與輔助基板115分離。在該情形中，可通過使用激光將基膜110與輔助基板115彼此分離。(圖5的S105)。

最后，如圖6F、7C和7D中所示，通過使用激光切割設(shè)置在每個源極柔性膜330之間的基膜110，并且通過使用激光切割設(shè)置在每個柵極柔性膜230之間的基膜110。因此，基膜110被劃分成顯示區(qū)域(DA)、連接線區(qū)域(LA)、第一焊盤區(qū)域(PA1)、柵極連接線區(qū)域(GLA)和第二焊盤區(qū)域(PA2)。參照圖2詳細描述了連接線區(qū)域(LA)、第一焊盤區(qū)域(PA1)、柵極連接線區(qū)域(GLA)和第二焊盤區(qū)域(PA2)。

詳細而言，如圖7C中所示，如果設(shè)置在每個源極柔性膜330之間的基膜110的切割部分(CUT)通過使用激光而被切除，則可提供從顯示區(qū)域(DA)的第一側(cè)延伸且突出的第一焊盤區(qū)域(PA1)。在該情形中，基膜110的切割部分(CUT)對應(yīng)于未設(shè)置連接線的區(qū)域。因此，可提供具有梯形形狀而對連接線沒有損壞的連接線區(qū)域(LA)。

此外，如果設(shè)置在每個柵極柔性膜230之間的基膜110的切割部分(CUT)通過使用激光而被切除，則可提供從顯示區(qū)域(DA)的第二側(cè)延伸且突出的第二焊盤區(qū)域(PA2)。在該情形中，基膜110的切割部分(CUT)對應(yīng)于未設(shè)置柵極連接線的區(qū)域。因此，可提供具有梯形形狀而對連接線沒有損壞的柵極連接線區(qū)域(GLA)。(圖5的S106)。

在根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置中，通過切割基膜110來提供第一焊盤區(qū)域(PA1)，從而使第一焊盤區(qū)域(PA1)具有從顯示區(qū)域(DA)的第一側(cè)延伸并突出的形狀，使得在為制造薄膜晶體管(T)而進行熱處理時可減小基膜110與無機膜之間的應(yīng)力。結(jié)果，即使在基膜110從輔助基板115分離之后，也可防止基膜110的焊盤區(qū)域卷曲。

在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明進行各種修改和變化，這對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在涵蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。