本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種白色有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光器件是一種自發(fā)光器件，當(dāng)電荷被注入到電子注入電極(陽極)和空穴注入電極(陰極)之間的有機膜時，電子和空穴結(jié)合并隨后湮滅，因而產(chǎn)生光。與其他平面顯示技術(shù)如液晶顯示器、等離子體顯示器件、場發(fā)射顯示器相比，有機電致發(fā)光顯示具有發(fā)光顏色可調(diào)、主動發(fā)光、高亮度、高效率、寬視角、低能耗、制備工藝簡單、可制備彎曲柔性顯示屏等一系列優(yōu)異特性，而且在大平面平板全色顯示器領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景，被普遍認(rèn)為是最具競爭力的新一代顯示技術(shù)。因此，有機電致發(fā)光技術(shù)的研究吸引了科學(xué)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注和積極參與，使得有機電致發(fā)光器件的性能在過去的十多年中得到了迅速的發(fā)展。其中，白色有機電致發(fā)光器件由于在全彩顯示、高端照明等方面的應(yīng)用前景，已經(jīng)成為目前的研究熱點。

一直以來，高性能、高品質(zhì)白色有機電致發(fā)光器件的研發(fā)設(shè)計始終是該領(lǐng)域的重點及熱點。因為過渡金屬配合物因為具有發(fā)光效率高和發(fā)光顏色可調(diào)等優(yōu)點而被學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界視為理想的有機電致發(fā)光材料。國內(nèi)外的許多研究團隊從材料合成和器件優(yōu)化方面著手，努力提高白色有機電致發(fā)光器件的綜合性能，以期滿足產(chǎn)業(yè)化的需要。然而，基于過渡金屬配合物所得的白色有機電致發(fā)光器件通常伴隨著較低的工作壽命、較低的色穩(wěn)定性或者較高的制作成本。因此，越來越多的研究團隊傾向于采用熒光發(fā)光材料取代過渡金屬配合物，獲得全熒光白色有機電致發(fā)光器件。然而，熒光材料普遍具有較低的發(fā)光效率；另外，熒光材料的導(dǎo)電性能和熱穩(wěn)定性普遍較差，最終導(dǎo)致載流子注入、傳輸及分布的不均衡，因而使得所制得白色熒光器件具有較低的發(fā)光效率、較高的工作電壓和較低的工作穩(wěn)定性。

為了解決這些問題，國內(nèi)外的研發(fā)團隊紛紛致力于新型熒光材料的設(shè)計和白色器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化。例如，2009年中國科學(xué)院長春應(yīng)用化學(xué)研究所馬東閣等人在Organic Electronics雜志發(fā)表研究論文，通過將紅、綠、藍三種顏色的有機熒光材料摻雜到不同的發(fā)光層中，獲得了優(yōu)越的全熒光白光器件。所得器件具有較高的效率、亮度和色恢復(fù)系數(shù)，然而復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)不僅導(dǎo)致復(fù)雜的制備工藝流程，還導(dǎo)致器件的光譜穩(wěn)定性較差；另外，器件的工作電壓較高，不利于器件工作穩(wěn)定性的提高。2014年，香港城市大學(xué)Chun-Sing Lee等人在Organic Electronics雜志發(fā)表研究論文，通過將橙光材料摻雜到天藍色發(fā)光材料中形成發(fā)光層，極大地簡化了器件的結(jié)構(gòu)，獲得了白光器件。雖然所得白光器件具有較低的工作電壓，有利于提高工作穩(wěn)定性；然而，器件過于簡單的發(fā)光層設(shè)計導(dǎo)致其色恢復(fù)系數(shù)較低并且光譜穩(wěn)定性較差。由此可見，白色有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率、亮度、色恢復(fù)系數(shù)、光譜穩(wěn)定性和工作穩(wěn)定性等綜合性能仍然沒有得到實質(zhì)性改善。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種白色有機電致發(fā)光器件及其制備方法，該白色有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)簡單且具有較高的效率、亮度與工作穩(wěn)定性。

本發(fā)明提供了一種白色有機電致發(fā)光器件，包括：

襯底；

設(shè)置在所述襯底上的陽極層；

設(shè)置在所述陽極層上的第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層由紅色有機熒光材料、第一有機能量敏化材料與第一空穴型有機主體材料形成；所述紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％；所述第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第一有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

設(shè)置在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層由綠色有機熒光材料、第二有機能量敏化材料與第二空穴型有機主體材料形成；所述綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～2.0％；所述第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第二有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

與設(shè)置在所述第二發(fā)光層上的陰極層。

優(yōu)選的，所述紅色有機熒光材料為紅熒烯和/或4-二氰甲烯基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-乙烯基)-4H-吡喃；

所述綠色有機熒光材料為N,N'-二甲基-喹吖啶酮和/或2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素。

優(yōu)選的，所述第一有機能量敏化材料與第二有機能量敏化材料為2,2'-(9,10-蒽二基二-4,1-亞苯基)二[6-甲基-苯并噻唑]。

優(yōu)選的，所述第一空穴型有機主體材料與第二空穴型有機主體材料各自獨立地為4，4'-N，N'-二咔唑二苯基、1,3-二咔唑-9-基苯、9,9'-(5-(三苯基硅烷基)-1,3-苯基)二-9H-咔唑、1,3,5-三(9-咔唑基)苯、4,4',4”–三(咔唑-9-基)三苯胺與1,4-雙(三苯基硅烷基)聯(lián)苯中的一種或多種。

優(yōu)選的，所述第一發(fā)光層的厚度為5～10nm；所述第二發(fā)光層的厚度為2～5nm。

優(yōu)選的，所述陽極層與第一發(fā)光層之間還設(shè)置有陽極界面層；所述陽極界面層的厚度為2～10nm。

優(yōu)選的，所述陽極層與第一發(fā)光層之間還設(shè)置有空穴傳輸層或電子阻擋層；所述空穴傳輸層或電子阻擋層的厚度為40～60nm。

優(yōu)選的，所述第二發(fā)光層與陰極層之間還設(shè)置有空穴阻擋層或電子傳輸層；所述空穴阻擋層或電子傳輸層的厚度為40～60nm。

優(yōu)選的，所述空穴阻擋層或電子傳輸層與陰極層之間還設(shè)置有緩沖層；所述緩沖層的厚度為0.8～1.2nm。

本發(fā)明還提供了一種白色有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在襯底上形成陽極層；

在所述陽極層上形成第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層由紅色有機熒光材料、第一有機能量敏化材料與第一空穴型有機主體材料形成；所述紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％；所述第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第一有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

在所述第一發(fā)光層上形成第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層由綠色有機熒光材料、第二有機能量敏化材料與第二空穴型有機主體材料形成；所述綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.2％～2.0％；所述第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第二有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

在所述第二發(fā)光層上形成陰極，得到白色有機電致發(fā)光器件。

本發(fā)明提供了一種白色有機電致發(fā)光器件，包括：襯底；設(shè)置在所述襯底上的陽極層；設(shè)置在所述陽極層上的第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層由紅色有機熒光材料、第一有機能量敏化材料與第一空穴型有機主體材料形成；所述紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％；所述第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第一有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；設(shè)置在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層由綠色有機熒光材料、第二有機能量敏化材料與第二空穴型有機主體材料形成；所述綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.2％～2.0％；所述第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第二有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；與設(shè)置在所述第二發(fā)光層上的陰極層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用藍色有機熒光材料作為發(fā)光材料與能量敏化材料，能夠有效地將光子能量傳遞給紅色有機熒光材料或綠色有機熒光材料，同時藍色有機熒光材料也具有優(yōu)越電子傳輸能力，在發(fā)光層中摻雜濃度較高，可以起到電子型主體材料的功能，有利于平衡空穴和電子在發(fā)光區(qū)間的分布，也能夠?qū)⒖昭ê碗娮拥膹?fù)合限制在發(fā)光層的狹窄區(qū)域，能夠有效平衡載流子在發(fā)光層的分布；另外，本發(fā)明提供的器件結(jié)構(gòu)簡單，成本較低，且材料均具有良好的熱穩(wěn)定性，有利于提高器件的壽命。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的白色有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電壓-電流密度-亮度特性曲線圖；器件的亮度隨著電流密度和驅(qū)動電壓的升高而升高，器件的起亮電壓為3.3伏，在電壓為10.9伏、電流密度為557.86毫安每平方厘米(mA/cm²)時器件獲得最大亮度11315坎德拉每平方米(cd/m²)；

圖3是本發(fā)明實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電流密度-功率效率-電流效率特性曲線圖；器件的最大電流效率為13.17坎德拉每安培(cd/A)，最大功率效率為11.82流明每瓦特(lm/W)；

圖4是本發(fā)明實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件在亮度為1000cd/m²時的光譜圖，器件色坐標(biāo)為(0.366,0.413)；

圖5是本發(fā)明實施例2中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電壓-電流密度-亮度特性曲線圖；器件的亮度隨著電流密度和驅(qū)動電壓的升高而升高，器件的起亮電壓為3.2伏，在電壓為10.2伏、電流密度為559.44mA/cm²時器件獲得最大亮度8738cd/m²；

圖6是本發(fā)明實施例2中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電流密度-功率效率-電流效率特性曲線圖；器件的最大電流效率為12.80cd/A，最大功率效率為11.80lm/W。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明提供了一種白色有機電致發(fā)光器件，包括：

襯底；

設(shè)置在所述襯底上的陽極層；

設(shè)置在所述陽極層上的第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層由紅色有機熒光材料、第一有機能量敏化材料與第一空穴型有機主體材料形成；所述紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％；所述第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第一有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

設(shè)置在所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層由綠色有機熒光材料、第二有機能量敏化材料與第二空穴型有機主體材料形成；所述綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.2％～2.0％；所述第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第二有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

與設(shè)置在所述第二發(fā)光層上的陰極層。

本發(fā)明對所述襯底沒有特殊的要求，為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的襯底即可，優(yōu)選為塑料襯底、聚合物襯底、硅基襯底或玻璃襯底，更優(yōu)選玻璃襯底。

所述襯底上設(shè)置有陽極層；所述陽極層由易于空穴注入的材料形成，優(yōu)選為導(dǎo)電金屬、導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯，更優(yōu)選為銦錫氧化物、金電極、鉑電極或石墨烯電極，再優(yōu)選為銦錫氧化物；所述銦錫氧化物的面阻優(yōu)選為8～25歐姆。

按照本發(fā)明，所述陽極層上優(yōu)選還設(shè)置有陽極界面層；所述陽極界面層的厚度優(yōu)選為2～10nm，更優(yōu)選為2～8nm，再優(yōu)選為2～5nm，最優(yōu)選為3nm；所述陽極界面層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的陽極界面層即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為三氧化鉬、氟化鋰或氯化鈉。

為提高空穴的傳輸能力，同時阻隔電子的傳輸，進而減小器件的損耗，提高器件的效率，所述陽極界面層上優(yōu)選設(shè)置有空穴傳輸層或電子阻擋層；所述空穴傳輸層或電子阻擋層的厚度優(yōu)選為40～60nm，更優(yōu)選為50～60nm，再優(yōu)選為50nm；所述空穴傳輸層或電子阻擋層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的空穴傳輸層或電子阻擋層即可，并無特殊的限制，本發(fā)明優(yōu)選由4,4'–環(huán)己基二[N,N–二(4–甲基苯基)苯胺](簡稱TAPC)、4，4'-二[N-(對-甲苯基)-N-苯基-氨基]二苯基(簡稱TPD)與N，N'-雙(1-萘基)-N，N'-二苯基-1，1'-二苯基-4，4'-二胺(簡稱NPB)中的一種或多種形成，其分子結(jié)構(gòu)式如下所示：

所述空穴傳輸層或電子阻擋層上設(shè)置有第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層由紅色有機熒光材料、第一有機能量敏化材料與第一空穴型有機主體材料形成；所述第一發(fā)光層的厚度優(yōu)選為5～10nm，更優(yōu)選為7～10nm；所述紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％，優(yōu)選為0.1％～0.8％，更優(yōu)選為0.1％～0.5％，再優(yōu)選為0.1％～0.2％；所述紅色有機熒光材料為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的紅色有機熒光材料即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為紅熒烯(Rubrene，分子式如式I所示)和/或4-二氰甲烯基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定-4-乙烯基)-4H-吡喃(簡稱DCJTB，分子式如式II所示)；所述第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％，優(yōu)選為10.0％～25.0％，更優(yōu)選為15.0％～20.0％，再優(yōu)選為16.0％～18.0％；所述第一有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料，其為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的能級能量匹配的藍色有機熒光材料即可，并無特殊的限制，只要能量及能級匹配即可。能量與能級匹配的有機能量敏化材料，能夠有效將光子能量傳遞給綠色及紅色有機熒光材料，并且具有優(yōu)越的電子傳輸能力。其中，能量匹配的一個基本原則是：從主體材料到敏化材料，再從敏化材料到發(fā)光材料，能量能夠有效傳遞，這就要求主體材料的激發(fā)態(tài)能量>敏化材料的激發(fā)態(tài)能量>發(fā)光材料的激發(fā)態(tài)能量；能級匹配的一個基本原則是：主體材料的能隙較寬，能夠有效地將發(fā)光材料的能隙包含在內(nèi)，以便促進載流子的俘獲。而本發(fā)明中敏化材料的能級應(yīng)該有利于電子注入發(fā)光區(qū)間，同時起到電子型輔助主體材料的作用，因此，在本發(fā)明中所述第一有機能量敏化材料優(yōu)選2,2'-(9,10-蒽二基二-4,1-亞苯基)二[6-甲基-苯并噻唑](簡稱DBzA，分子式如式III所示)。DBzA具有高的發(fā)光效率和色純度，熱穩(wěn)定性能好，并且兼具能量敏化材料的功能，能夠有效地將光子能量傳遞給紅色有機發(fā)光材料Rubrene、DCJTB或者綠色有機發(fā)光材料C545T、DMQA。所述第一空穴有機主體材料為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的空穴有機主體材料即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為4，4'-N，N'-二咔唑二苯基(簡稱CBP，分子式如式IV所示)、1,3-二咔唑-9-基苯(簡稱mCP，分子式如式V所示)、9,9'-(5-(三苯基硅烷基)-1,3-苯基)二-9H-咔唑(簡稱SimCP，分子式如式VI所示)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(簡稱TCP，分子式如式VII所示)、4,4',4”–三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱TcTa，分子式如式VIII所示)與1,4-雙(三苯基硅烷基)聯(lián)苯(簡稱BSB，分子式如式IX所示)。

所述第一發(fā)光層上設(shè)置有第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層的厚度優(yōu)選為2～5nm，更優(yōu)選為2～4nm，再優(yōu)選為2～3nm；所述第二發(fā)光層由綠色有機熒光材料、第二有機能量敏化材料與第二空穴型有機主體材料形成；所述綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～2.0％，優(yōu)選為0.1％～1.5％，再優(yōu)選為0.1％～1.0％，再優(yōu)選為0.1％～0.5％，最優(yōu)選為0.1％～0.2％；所述綠色有機熒光材料為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的綠色有機熒光材料即可，并無特殊限制，本發(fā)明中優(yōu)選為N,N'-二甲基-喹吖啶酮(簡稱DMQA，分子式如式X所示)和/或2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(簡稱C545T，分子式如式XI所示)；所述第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％，優(yōu)選為10.0％～25.0％，更優(yōu)選為15.0％～20.0％，再優(yōu)選為18.0％～20.0％；所述第二有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料，其為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的能級能量匹配的藍色有機熒光材料即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為2,2'-(9,10-蒽二基二-4,1-亞苯基)二[6-甲基-苯并噻唑](簡稱DBzA，分子式如式III所示)；藍色有機熒光材料DBzA具有高的發(fā)光效率和色純度，熱穩(wěn)定性能好，并且兼具能量敏化材料的功能，能夠有效地將光子能量傳遞給紅色有機熒光材料或綠色有機熒光材料；藍色藍色有機熒光材料DBzA兼具優(yōu)越的電子傳輸能力，其摻雜濃度較大兼具電子型主體材料的作用，能夠有效平衡載流子在發(fā)光層的分布。所述第二空穴有機主體材料為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的空穴有機主體材料即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為4，4'-N，N'-二咔唑二苯基(簡稱CBP，分子式如式IV所示)、1,3-二咔唑-9-基苯(簡稱mCP，分子式如式V所示)、9,9'-(5-(三苯基硅烷基)-1,3-苯基)二-9H-咔唑(簡稱SimCP，分子式如式VI所示)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(簡稱TCP，分子式如式VII所示)、4,4',4”–三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱TcTa，分子式如式VIII所示)與1,4-雙(三苯基硅烷基)聯(lián)苯(簡稱BSB，分子式如式IX所示)。

為了提高電子的傳輸能力，同時阻隔空穴的傳輸，進而減少器件的損耗，提高器件的效率，所述第二發(fā)光層上優(yōu)選還設(shè)置有空穴阻擋層或電子傳輸層；所述空穴阻擋層或電子傳輸層的厚度優(yōu)選為40～60nm，更優(yōu)選為45～55nm，再優(yōu)選為50nm；所述空穴阻擋層或電子傳輸層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的空穴阻擋層或電子傳輸層即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選由三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(簡稱3TPYMB)、1，3，5-三[(3-吡啶)-3-苯基]苯(簡稱TmPyPB)、1,3-雙[3,5-二(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱BmPyPhB)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(簡稱TPBi)與1,3,5-三{6-[3-(吡啶-3-基)苯基]吡啶-2-基}苯(簡稱Tm3PyP26PyB)中的一種或多種，其分子式如式XII、XIII、XIV、XV與XVI所示。

為了增進電子的注入效率，進而提高器件的效率，所述空穴阻擋層或電子傳輸層上優(yōu)選還設(shè)置有緩沖層；所述緩沖層的厚度優(yōu)選為0.8～1.2nm，更優(yōu)選為0.9～1.1nm，再優(yōu)選為1nm；所述緩沖層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的緩沖層即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選由氟化鋰、氯化鈉或碳酸鈉形成。

所述緩沖層上設(shè)置有陰極層；所述陰極層的厚度優(yōu)選為90～150nm，更優(yōu)選為100～140nm，再優(yōu)選為110～130nm，最優(yōu)選為120nm；所述陰極層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的陰極層即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選由金屬鋁、鎂銀合金或銀形成。

本發(fā)明提供的白色有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，其中1為襯底，2為陽極層，3為陽極界面層，4為空穴傳輸層/電子阻擋層，5為第一發(fā)光層，6為第二發(fā)光層，7為空穴阻擋層/電子傳輸層，8為緩沖層，9為陰極層。白色有機電致發(fā)光器件陽極與陰極相互交叉形成其發(fā)光區(qū)，當(dāng)在兩個電極之間施加正向電壓時，該器件就會發(fā)出覆蓋410～650nm的白色光。

本發(fā)明采用藍色有機熒光材料作為發(fā)光材料與能量敏化材料，能夠有效地將光子能量傳遞給紅色有機熒光材料或綠色有機熒光材料，同時藍色有機熒光材料也具有優(yōu)越電子傳輸能力，在發(fā)光層中摻雜濃度較高，可以起到電子型主體材料的功能，有利于平衡空穴和電子在發(fā)光區(qū)間的分布，也能夠?qū)⒖昭ê碗娮拥膹?fù)合限制在發(fā)光層的狹窄區(qū)域，能夠有效平衡載流子在發(fā)光層的分布；另外，本發(fā)明提供的器件結(jié)構(gòu)簡單，成本較低，且材料均具有良好的熱穩(wěn)定性，有利于提高器件的壽命。

本發(fā)明還提供了一種上述白色有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在襯底上形成陽極層；

在所述陽極層上形成第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層由紅色有機熒光材料、第一有機能量敏化材料與第一空穴型有機主體材料形成；所述紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％；所述第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第一有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

在所述第一發(fā)光層上形成第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層由綠色有機熒光材料、第二有機能量敏化材料與第二空穴型有機主體材料形成；所述綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.2％～2.0％；所述第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％；所述第二有機能量敏化材料為能級能量匹配的藍色有機熒光材料；

在所述第二發(fā)光層上形成陰極，得到白色有機電致發(fā)光器件。

按照本發(fā)明，首先在襯底上形成陽極層；所述襯底與陽極層均同上所述，在此不再贅述。在本發(fā)明中，優(yōu)選將襯底上的導(dǎo)電金屬、導(dǎo)電金屬氧化物或石墨烯腐蝕得到電極，本發(fā)明對腐蝕的電極的形狀和大小沒有特殊的限制，如可以腐蝕成10mm寬、30mm長的條狀電極。

然后優(yōu)選在陽極層上形成陽極界面層；所述陽極界面層同上所述，在此不再贅述。本發(fā)明優(yōu)選將形成陽極層的襯底清洗烘干后，再在陽極層上形成陽極界面層；所述形成陽極界面層的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為將烘干后的形成陽極層的襯底先在真空條件下進行低壓氧等離子處理后，再蒸鍍上陽極界面層；所述真空條件的真空度優(yōu)選為8～15帕；所述低壓氧等離子處理的電壓為350～500伏；所述低壓氧等離子處理的時間優(yōu)選為5～15min；所述蒸鍍的真空度優(yōu)選為5～8×10^-5帕。

然后優(yōu)選在陽極界面層上形成空穴傳輸層或電子阻擋層；所述空穴傳輸層或電子阻擋層同上所述，在此不再贅述。所述形成的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并沒有特殊的限制，本發(fā)明優(yōu)選為真空蒸鍍；所述蒸鍍的真空度優(yōu)選為1～3×10^-5帕；所述真空蒸鍍中有機物的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.05～0.1nm/s。

然后在空穴傳輸層或電子阻擋層上形成第一發(fā)光層；所述第一發(fā)光層同上所述，在此不再贅述。所述形成的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并無特殊的限制，本發(fā)明優(yōu)選為真空蒸鍍；所述蒸鍍的真空度優(yōu)選為1～3×10^-5帕；所述真空蒸鍍中紅色有機熒光材料的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.00005～0.001nm/s；第一有機敏化能量材料的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.004～0.025nm/s；所述第一空穴型有機主體材料的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.05～0.1nm/s。有機混合材料中的紅色有機熒光材料、第一有機敏化能量材料與第一空穴型有機主體材料在不同的蒸發(fā)源中同時蒸發(fā)，通過調(diào)控三種材料的蒸發(fā)速率使得紅色有機熒光材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～1.0％，第一有機能量敏化材料的質(zhì)量為第一空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％。

在第一發(fā)光層上形成第二發(fā)光層；所述第二發(fā)光層同上所述，在此不再贅述。所述形成的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并無特殊的限制，本發(fā)明優(yōu)選為真空蒸鍍；所述蒸鍍的真空度優(yōu)選為1～3×10^-5帕。所述真空蒸鍍中綠色有機熒光材料的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.0001～0.002nm/s；第二有機敏化能量材料的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.004～0.025nm/s；所述第二空穴型有機主體材料的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.05～0.1nm/s。有機混合材料中的綠色有機熒光材料、第二有機敏化能量材料與第二空穴型有機主體材料在不同的蒸發(fā)源中同時蒸發(fā)，通過調(diào)控三種材料的蒸發(fā)速率使得綠色有機熒光材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的0.1％～2.0％，第二有機能量敏化材料的質(zhì)量為第二空穴型有機主體材料質(zhì)量的8.0％～25.0％。

按照本發(fā)明，優(yōu)選在第二發(fā)光層上形成空穴阻擋層或電子傳輸層；所述空穴阻擋層或電子傳輸層同上所述，在此不再贅述；所述形成的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并無特殊的限制，本發(fā)明優(yōu)選為真空蒸鍍；所述蒸鍍的真空度優(yōu)選為1～3×10^-5帕。所述真空蒸鍍中有機物的蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.05～0.1nm/s。

再優(yōu)選在空穴阻擋層或電子傳輸層上形成緩沖層；所述緩沖層同上所述，在此不再贅述；所述形成的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為真空蒸鍍；所述真空蒸鍍的真空度優(yōu)選為5～8×10^-5帕；蒸發(fā)速率優(yōu)選為0.5～1.5nm/s。

最后在所述緩沖層上形成陰極層，得到白色有機電致發(fā)光器件。所述陰極層同上所述，在此不再贅述；所述形成的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法即可，并無特殊的限制，本發(fā)明中優(yōu)選為真空蒸鍍；所述真空蒸鍍的真空度優(yōu)選為5～8×10^-5帕。

本發(fā)明所提供的白色有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)簡單，有利于簡化器件的制備過程，同時所選用的各種功能材料普遍具有相對低廉的價格，有利于降低器件的制作成本；另外所選用的材料都具有良好的熱穩(wěn)定性，有利于提高器件的壽命。

本發(fā)明通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計，簡化器件結(jié)構(gòu)及制備流程，在保證器件光譜穩(wěn)定性不降低的前提下，提高器件的效率、亮度和工作穩(wěn)定性，降低器件的制作成本。

為了進一步說明本發(fā)明，以下結(jié)合實施例對本發(fā)明提供的一種白色有機電致發(fā)光器件及其制備方法進行詳細描述。

以下實施例中所用的試劑均為市售。

實施例1

先將ITO玻璃上的ITO陽極層激光刻蝕成圖案化的電極，然后依次用清洗液、去離子水超聲清洗15分鐘并放入烘箱烘干。接著將烘干后的襯底放入預(yù)處理真空室，在真空度為10帕的氛圍下用400伏的電壓對ITO陽極進行10分鐘的低壓氧等離子處理后將其轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍3納米MoO₃陽極界面層3。然后，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到有機蒸鍍室，在真空度為1～3×10^-5帕的真空氛圍下，在陽極界面層3上依次蒸鍍50納米厚的TAPC空穴傳輸層/電子阻擋層4、8納米厚的DCJTB、DBzA摻雜TcTa第一發(fā)光層5、2納米厚的C545T、DBzA摻雜TcTa第二發(fā)光層6、50納米厚的Tm3PyP26PyB空穴阻擋層/電子傳輸層7。接下來，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍1.0納米厚的LiF緩沖層，最后通過特制的掩模版在LiF層上蒸鍍120納米厚的金屬Al電極，制備成結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/TAPC/DCJTB(0.1％)：DBzA(16wt％)：TcTa/C545T(0.2％)：DBzA(20wt％)：TcTa/Tm3PyP26PyB/LiF/Al的白色有機電致發(fā)光器件。第一發(fā)光層5中DCJTB、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.008納米/秒和0.05納米/秒，第二發(fā)光層6中C545T、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.0001納米/秒、0.01納米/秒和0.05納米/秒，TAPC和Tm3PyP26PyB的蒸發(fā)速率控制在0.05納米/秒，MoO₃的蒸發(fā)速率控制在0.01納米/秒，LiF的蒸發(fā)速率控制在0.005納米/秒，Al的蒸發(fā)速率控制在0.5納米/秒。

實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件在直流電壓驅(qū)動下，顯示覆蓋從410納米到650納米的白光發(fā)射；隨著工作電壓的變化，器件色坐標(biāo)穩(wěn)定在從(0.307,0.316)到(0.425,0.454)的范圍內(nèi)。當(dāng)亮度為1000cd/m²時，器件色坐標(biāo)為(0.366,0.413)。

圖2為實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電壓-電流密度-亮度特性曲線圖，由圖2可知器件的起亮電壓為3.3V，在電壓為10.9伏、電流密度為557.86mA/m²時，器件的最大亮度為11315cd/m²。

圖3為實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電流密度-功率效率-電流效率特性曲線圖。由圖3可知，器件的最大電流效率為13.17cd/A，最大功率效率為11.82lm/W。

圖4為實施例1中得到的白色有機電致發(fā)光器件在亮度為1000cd/m²時的光譜圖。由圖4可知，器件色坐標(biāo)為(0.366,0.413)。

實施例2

先將ITO玻璃上的ITO陽極層激光刻蝕成圖案化的電極，然后依次用清洗液、去離子水超聲清洗15分鐘并放入烘箱烘干。接著將烘干后的襯底放入預(yù)處理真空室，在真空度為10帕的氛圍下用400伏的電壓對ITO陽極進行10分鐘的低壓氧等離子處理后將其轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3－5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍3納米MoO₃陽極界面層3。然后，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到有機蒸鍍室，在真空度為1～3×10^-5帕的真空氛圍下，在陽極界面層3上依次蒸鍍50納米厚的TAPC空穴傳輸層/電子阻擋層4、7納米厚的DCJTB、DBzA摻雜TcTa第一發(fā)光層5、3納米厚的C545T、DBzA摻雜TcTa第二發(fā)光層6、50納米厚的Tm3PyP26PyB空穴阻擋層/電子傳輸層7。接下來，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍1.0納米厚的LiF緩沖層，最后通過特制的掩模版在LiF層上蒸鍍120納米厚的金屬Al電極，制備成結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/TAPC/DCJTB(0.2％)：DBzA(16wt％)：TcTa/C545T(0.1％)：DBzA(20wt％)：TcTa/Tm3PyP26PyB/LiF/Al的白色有機電致發(fā)光器件。第一發(fā)光層5中DCJTB、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.008納米/秒和0.05納米/秒，第二發(fā)光層6中C545T、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.01納米/秒和0.05納米/秒，TAPC和Tm3PyP26PyB的蒸發(fā)速率控制在0.05納米/秒，MoO₃的蒸發(fā)速率控制在0.01納米/秒，LiF的蒸發(fā)速率控制在0.005納米/秒，Al的蒸發(fā)速率控制在0.5納米/秒。

實施例2中得到的白色有機電致發(fā)光器件在直流電壓驅(qū)動下，顯示覆蓋從410納米到650納米的白光發(fā)射；隨著工作電壓的變化，器件色坐標(biāo)穩(wěn)定在從(0.285,0.301)到(0.409,0.413)的范圍內(nèi)。當(dāng)亮度為1000cd/m²時，器件色坐標(biāo)為(0.323,0.365)。

圖5為實施例2中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電壓-電流密度-亮度特性曲線圖，由圖5可知器件的亮度隨著電流密度和驅(qū)動電壓的升高而升高，器件的起亮電壓為3.2V，在電壓為10.2V、電流密度為559.44mA/m²時器件的最大亮度為8738cd/m²。

圖6為實施例2中得到的白色有機電致發(fā)光器件的電流密度-功率效率-電流效率特性曲線圖。由圖6可知，器件的最大電流效率為12.80cd/A，最大功率效率為11.80lm/W。

實施例3

先將ITO玻璃上的ITO陽極層激光刻蝕成圖案化的電極，然后依次用清洗液、去離子水超聲清洗15分鐘并放入烘箱烘干。接著將烘干后的襯底放入預(yù)處理真空室，在真空度為10帕的氛圍下用400伏的電壓對ITO陽極進行10分鐘的低壓氧等離子處理后將其轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍3納米MoO₃陽極界面層3。然后，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到有機蒸鍍室，在真空度為1～3×10^-5帕的真空氛圍下，在陽極界面層3上依次蒸鍍50納米厚的TAPC空穴傳輸層/電子阻擋層4、8納米厚的DCJTB、DBzA摻雜TcTa第一發(fā)光層5、2納米厚的C545T、DBzA摻雜TcTa第二發(fā)光層6、50納米厚的Tm3PyP26PyB空穴阻擋層/電子傳輸層7。接下來，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍1.0納米厚的LiF緩沖層，最后通過特制的掩模版在LiF層上蒸鍍120納米厚的金屬Al電極，制備成結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/TAPC/DCJTB(0.1％)：DBzA(18wt％)：TcTa/C545T(0.2％)：DBzA(18wt％)：TcTa/Tm3PyP26PyB/LiF/Al的白色有機電致發(fā)光器件。第一發(fā)光層5中DCJTB、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.009納米/秒和0.05納米/秒，第二發(fā)光層6中C545T、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.0001納米/秒、0.009納米/秒和0.05納米/秒，TAPC和Tm3PyP26PyB的蒸發(fā)速率控制在0.05納米/秒，MoO₃的蒸發(fā)速率控制在0.01納米/秒，LiF的蒸發(fā)速率控制在0.005納米/秒，Al的蒸發(fā)速率控制在0.5納米/秒。

實施例3中得到的白色有機電致發(fā)光器件在直流電壓驅(qū)動下，顯示覆蓋從410納米到650納米的白光發(fā)射；隨著工作電壓的變化，器件色坐標(biāo)穩(wěn)定在從(0.303,0.319)到(0.432,0.461)的范圍內(nèi)。當(dāng)亮度為1000cd/m²時，器件色坐標(biāo)為(0.358,0.411)。器件的起亮電壓為3.3V，器件的最大亮度為11002cd/m²。器件的最大電流效率為12.27cd/A，最大功率效率為11.16lm/W。

實施例4

先將ITO玻璃上的ITO陽極層激光刻蝕成圖案化的電極，然后依次用清洗液、去離子水超聲清洗15分鐘并放入烘箱烘干。接著將烘干后的襯底放入預(yù)處理真空室，在真空度為10帕的氛圍下用400伏的電壓對ITO陽極進行10分鐘的低壓氧等離子處理后將其轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3－5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍3納米MoO₃陽極界面層3。然后，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到有機蒸鍍室，在真空度為1～3×10^-5帕的真空氛圍下，在陽極界面層3上依次蒸鍍50納米厚的TAPC空穴傳輸層/電子阻擋層4、10納米厚的DCJTB、DBzA摻雜TcTa第一發(fā)光層5、2納米厚的C545T、DBzA摻雜TcTa第二發(fā)光層6、50納米厚的Tm3PyP26PyB空穴阻擋層/電子傳輸層7。接下來，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍1.0納米厚的LiF緩沖層，最后通過特制的掩模版在LiF層上蒸鍍120納米厚的金屬Al電極，制備成結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/TAPC/DCJTB(0.1％)：DBzA(16wt％)：TcTa/C545T(0.2％)：DBzA(20wt％)：TcTa/Tm3PyP26PyB/LiF/Al的白色有機電致發(fā)光器件。第一發(fā)光層5中DCJTB、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.008納米/秒和0.05納米/秒，第二發(fā)光層6中C545T、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.0001納米/秒、0.01納米/秒和0.05納米/秒，TAPC和Tm3PyP26PyB的蒸發(fā)速率控制在0.05納米/秒，MoO₃的蒸發(fā)速率控制在0.01納米/秒，LiF的蒸發(fā)速率控制在0.005納米/秒，Al的蒸發(fā)速率控制在0.5納米/秒。

實施例4中得到的白色有機電致發(fā)光器件在直流電壓驅(qū)動下，顯示覆蓋從410納米到650納米的白光發(fā)射；隨著工作電壓的變化，器件色坐標(biāo)穩(wěn)定在從(0.315,0.322)到(0.440,0.462)的范圍內(nèi)。當(dāng)亮度為1000cd/m²時，器件色坐標(biāo)為(0.369,0.421)。器件的起亮電壓為3.3V，器件的最大亮度為11996cd/m²。器件的最大電流效率為13.35cd/A，最大功率效率為12.17lm/W。

實施例5

先將ITO玻璃上的ITO陽極層激光刻蝕成圖案化的電極，然后依次用清洗液、去離子水超聲清洗15分鐘并放入烘箱烘干。接著將烘干后的襯底放入預(yù)處理真空室，在真空度為10帕的氛圍下用400伏的電壓對ITO陽極進行10分鐘的低壓氧等離子處理后將其轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3－5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍3納米MoO₃陽極界面層3。然后，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到有機蒸鍍室，在真空度為1～3×10^-5帕的真空氛圍下，在陽極界面層3上依次蒸鍍50納米厚的TAPC空穴傳輸層/電子阻擋層4、8納米厚的DCJTB、DBzA摻雜TcTa第一發(fā)光層5、3納米厚的C545T、DBzA摻雜TcTa第二發(fā)光層6、50納米厚的Tm3PyP26PyB空穴阻擋層/電子傳輸層7。接下來，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍1.0納米厚的LiF緩沖層，最后通過特制的掩模版在LiF層上蒸鍍120納米厚的金屬Al電極，制備成結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/TAPC/DCJTB(0.1％)：DBzA(18wt％)：TcTa/C545T(0.2％)：DBzA(18wt％)：TcTa/Tm3PyP26PyB/LiF/Al的白色有機電致發(fā)光器件。第一發(fā)光層5中DCJTB、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.009納米/秒和0.05納米/秒，第二發(fā)光層6中C545T、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.0001納米/秒、0.009納米/秒和0.05納米/秒，TAPC和Tm3PyP26PyB的蒸發(fā)速率控制在0.05納米/秒，MoO₃的蒸發(fā)速率控制在0.01納米/秒，LiF的蒸發(fā)速率控制在0.005納米/秒，Al的蒸發(fā)速率控制在0.5納米/秒。

實施例5中得到的白色有機電致發(fā)光器件在直流電壓驅(qū)動下，顯示覆蓋從410納米到650納米的白光發(fā)射；隨著工作電壓的變化，器件色坐標(biāo)穩(wěn)定在從(0.311,0.318)到(0.433,0.465)的范圍內(nèi)。當(dāng)亮度為1000cd/m²時，器件色坐標(biāo)為(0.349,0.421)。器件的起亮電壓為3.2V，器件的最大亮度為12618cd/m²。器件的最大電流效率為12.78cd/A，最大功率效率為11.45lm/W。

實施例6

先將ITO玻璃上的ITO陽極層激光刻蝕成圖案化的電極，然后依次用清洗液、去離子水超聲清洗15分鐘并放入烘箱烘干。接著將烘干后的襯底放入預(yù)處理真空室，在真空度為10帕的氛圍下用400伏的電壓對ITO陽極進行10分鐘的低壓氧等離子處理后將其轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3－5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍3納米MoO₃陽極界面層3。然后，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到有機蒸鍍室，在真空度為1～3×10^-5帕的真空氛圍下，在陽極界面層3上依次蒸鍍50納米厚的TAPC空穴傳輸層/電子阻擋層4、10納米厚的DCJTB、DBzA摻雜TcTa第一發(fā)光層5、2納米厚的C545T、DBzA摻雜TcTa第二發(fā)光層6、50納米厚的Tm3PyP26PyB空穴阻擋層/電子傳輸層7。接下來，未完成的器件被轉(zhuǎn)移到金屬蒸鍍室，在3～5×10^-5帕的真空氛圍下蒸鍍1.0納米厚的LiF緩沖層，最后通過特制的掩模版在LiF層上蒸鍍120納米厚的金屬Al電極，制備成結(jié)構(gòu)為ITO/MoO₃/TAPC/DCJTB(0.1％)：DBzA(18wt％)：TcTa/C545T(0.2％)：DBzA(20wt％)：TcTa/Tm3PyP26PyB/LiF/Al的白色有機電致發(fā)光器件。第一發(fā)光層5中DCJTB、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.00005納米/秒、0.008納米/秒和0.05納米/秒，第二發(fā)光層6中C545T、DBzA和TcTa的蒸發(fā)速率控制在0.0001納米/秒、0.01納米/秒和0.05納米/秒，TAPC和Tm3PyP26PyB的蒸發(fā)速率控制在0.05納米/秒，MoO₃的蒸發(fā)速率控制在0.01納米/秒，LiF的蒸發(fā)速率控制在0.005納米/秒，Al的蒸發(fā)速率控制在0.5納米/秒。

實施例6中得到的白色有機電致發(fā)光器件在直流電壓驅(qū)動下，顯示覆蓋從410納米到650納米的白光發(fā)射；隨著工作電壓的變化，器件色坐標(biāo)穩(wěn)定在從(0.316,0.334)到(0.455,0.465)的范圍內(nèi)。當(dāng)亮度為1000cd/m²時，器件色坐標(biāo)為(0.377,0.432)。器件的起亮電壓為3.3V，器件的最大亮度為12963cd/m²。器件的最大電流效率為13.02cd/A，最大功率效率為11.70lm/W。