技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種碳自摻雜氮化碳納米薄膜電極的簡單制備方法，該方法以三聚氰酸和三聚氰氯為前驅(qū)體、乙腈為溶劑，采用簡單溶劑熱法在表面羥基化的普通玻璃、石英玻璃、FTO導(dǎo)電玻璃或TiO2/FTO等基底上可控生長不同厚度的由自敏化氮化碳納米顆粒組成的薄膜，然后采用后熱處理使表面自敏化氮化碳碳化得到不同厚度和致密度的碳自摻雜氮化碳納米薄膜。本發(fā)明制備過程簡單，通過改變?nèi)軇岱磻?yīng)時間和后熱處理溫度等可調(diào)控碳自摻雜氮化碳納米薄膜的厚度和致密度，所得薄膜面積大且與基底接觸緊密，碳摻雜增強(qiáng)了氮化碳的導(dǎo)電性，用于光電水分解表現(xiàn)出更優(yōu)異的光電流響應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：顧泉;劉建妮;賈巧慧;高子偉;張偉強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：陜西師范大學(xué)
文檔號碼：201710092671
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.21
技術(shù)公布日：2017.06.13