技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種元件芯片及其制造方法，用保護(hù)膜被覆解理起點(diǎn)來提高元件芯片的抗彎強(qiáng)度。該制造方法包括：準(zhǔn)備基板的工序；激光劃片工序，對基板的分割區(qū)域照射激光而形成第1及第2損傷區(qū)域；各向異性蝕刻工序，將基板暴露于第1等離子體來除去第1損傷區(qū)域，并使第2損傷區(qū)域的一部分露出。還包括：保護(hù)膜沉積工序，使保護(hù)膜沉積在元件區(qū)域、分割區(qū)域和露出的第2損傷區(qū)域的一部分；保護(hù)膜蝕刻工序，將基板暴露于第2等離子體來除去沉積在分割區(qū)域的保護(hù)膜的一部分及沉積在元件區(qū)域的保護(hù)膜，并使覆蓋第2損傷區(qū)域的一部分的保護(hù)膜殘留。還包括等離子體切割工序，在用支承構(gòu)件支承了第2主面的狀態(tài)下將基板暴露于第3等離子體來將基板分割為元件芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：水野文二;廣島滿;置田尚吾;松原功幸;針貝篤史
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.17
技術(shù)公布日：2017.09.19