本發(fā)明涉及元件芯片及其制造方法，尤其涉及抗彎強度優(yōu)異的元件芯片的制造方法。

背景技術(shù)：

如圖5a～c所示，元件芯片通過切割包括作為半導體層的第1層31和包含絕緣膜的第2層32的基板30來制造?；?0具備對基板30進行區(qū)劃的分割區(qū)域r11和由分割區(qū)域r11劃定的多個元件區(qū)域r12(圖5a)。通過除去基板30的分割區(qū)域r11，從而基板30被切割，形成多個元件芯片130。專利文獻1教導了利用激光l劃刻了分割區(qū)域則1之后(圖5b)，利用等離子體p進行蝕刻(圖5c)，從而切割基板30。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：jp特表2013-535114號公報

在激光劃片工序(圖5b)中，通常由于熱效應(yīng)而會在基板30形成損傷區(qū)域dr。損傷區(qū)域dr由于熱傳播而形成得比照射激光的分割區(qū)域r11寬。因此，之后，即使通過等離子體蝕刻除去分割區(qū)域r11，在元件區(qū)域r12，即，在被切割的元件芯片130的端面也會殘留損傷區(qū)域dr(圖5c)。在損傷區(qū)域dr中，在結(jié)晶紊亂或多結(jié)晶的情況下，會發(fā)生晶粒的粗大化。因此，尤其是殘留在第1層31的損傷區(qū)域dr，易成為第1層31解理的起點，會成為元件芯片130損傷的原因。也就是說，在該方法中，元件芯片130的抗彎強度容易降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開所涉及的發(fā)明的一方面涉及一種元件芯片的制造方法，包括以下工序。即，元件芯片的制造方法包括：準備基板的工序、激光劃片工序、激光劃片工序之后進行的各向異性蝕刻工序、各向異性蝕刻工序之后進行的保護膜沉積工序、保護膜沉積工序之后進行的保護膜蝕刻工序、保護膜蝕刻工序之后進行的等離子體切割工序。

在準備基板的工序中，準備具備第1主面以及第2主面，并且具備作為半導體層的第1層和包含形成在第1層的第1主面?zhèn)鹊慕^緣膜的第2層，并且具備多個元件區(qū)域和劃定元件區(qū)域的分割區(qū)域的基板。

在激光劃片工序中，對分割區(qū)域從第1主面?zhèn)日丈浼す?，從而在分割區(qū)域形成具備露出第1層的露出部的開口，并且在露出部形成第1損傷區(qū)域，在第1損傷區(qū)域的附近且第1層的被第2層覆蓋的部分形成第2損傷區(qū)域。

在各向異性蝕刻工序中，通過使基板暴露于第1等離子體來各向異性地蝕刻第1損傷區(qū)域，從而除去第1損傷區(qū)域，并且使第2損傷區(qū)域的一部分露出。

保護膜沉積工序，使保護膜沉積在元件區(qū)域、分割區(qū)域和露出的第2損傷區(qū)域的一部分。

保護膜蝕刻工序，使基板暴露于第2等離子體來各向異性地蝕刻保護膜，從而除去沉積在分割區(qū)域的保護膜的一部分以及沉積在元件區(qū)域的保護膜，并且使覆蓋第2損傷區(qū)域的一部分的保護膜殘留。

等離子體切割工序，在用支承構(gòu)件支承了第2主面的狀態(tài)下，將基板暴露于第3等離子體來各向異性地蝕刻分割區(qū)域，從而將基板分割為具備元件區(qū)域的多個元件芯片。

本公開所涉及的發(fā)明的另一方面涉及一種元件芯片。該元件芯片具備第1層和第2層，第1層是半導體層且具備層疊面和與層疊面相反的一側(cè)的面，第2層包含層疊在層疊面上的絕緣膜。而且，元件芯片具備：階梯，其形成在第1層的層疊面?zhèn)鹊闹芫壊?；和保護膜，其覆蓋第2層的端面、階梯的臺階面和從臺階面上升的上升面。而且，元件芯片的第1層具備在階梯的所述上升面由保護膜被覆的損傷區(qū)域。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開所涉及的發(fā)明，因為用保護膜被覆會成為解理的起點的損傷區(qū)域，所以元件芯片的抗彎強度提高。

附圖說明

圖1a是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1b是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1c是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1d是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1e是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖1f是表示本公開的實施方式所涉及的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖2a是表示本公開的實施方式所涉及的元件芯片的剖視圖。

圖2b是表示本公開的其他實施方式所涉及的元件芯片的剖視圖。

圖3a是表示本公開的實施方式所涉及的運輸載體的俯視圖。

圖3b是相同運輸載體的圖3a的3b-3b剖視圖。

圖4是用剖面表示本公開的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的概略構(gòu)造的概念圖。

圖5a是表示現(xiàn)有元件芯片的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖5b是表示現(xiàn)有元件芯片的制造方法的一個工序的剖視圖。

圖5c是表示現(xiàn)有元件芯片的制造方法的一個工序的剖視圖。

符號說明

10：基板

10a：開口

10x：第1主面

10y：第2主面

11：第1層

111：第1分割區(qū)域

111a：露出部

112：第1元件區(qū)域

112b：階梯

112ba：臺階面

112bb：上升面

112x：層疊面

112y：與層疊面相反的一側(cè)的面

12：第2層

121：第2分割區(qū)域

122：第2元件區(qū)域

13：保護膜

110：元件芯片

20：運輸載體

21：框架

21a：凹口

21b：切角

22：支承構(gòu)件

22a：粘合面

22b：非粘合面

200：等離子體處理裝置

203：真空腔

203a：氣體導入口

203b：排氣口

208：電介質(zhì)構(gòu)件

209：天線

210a：第1高頻電源

210b：第2高頻電源

211：載置臺

212：工藝氣體源

213：灰化氣體源

214：減壓機構(gòu)

215：電極層

216：金屬層

217：基臺

218：外周部

219：esc電極

220：高頻電極部

221：升降桿

222：支承部

223a、223b：升降機構(gòu)

224：蓋

224w：窗部

225：冷媒循環(huán)裝置

226：直流電源

227：冷媒流路

228：控制裝置

229：外周環(huán)

30：基板

31：第1層

32：第2層

130：元件芯片

具體實施方式

在本實施方式中，通過由激光形成的損傷區(qū)域不從被切割的元件芯片露出的方法，也就是說，使元件芯片內(nèi)存在損傷區(qū)域的方法，來切割基板。其包括：準備基板的工序、激光劃片工序、激光劃片工序之后進行的各向異性蝕刻工序、各向異性蝕刻工序之后進行的保護膜沉積工序、保護膜沉積工序之后進行的保護膜蝕刻工序、保護膜蝕刻工序之后進行的等離子體切割工序。

在準備基板的工序中，準備具備第1主面以及第2主面、具備作為半導體層的第1層和包含形成在第1層的第1主面?zhèn)鹊慕^緣膜的第2層，并且具備多個元件區(qū)域和劃定元件區(qū)域的分割區(qū)域的基板。

激光劃片工序，對分割區(qū)域從第1主面?zhèn)日丈浼す猓瑥亩诜指顓^(qū)域形成具備露出第1層的露出部的開口，并且在露出部形成第1損傷區(qū)域，在第1損傷區(qū)域的附近且第1層的被第2層覆蓋的部分形成第2損傷區(qū)域。

各向異性蝕刻工序，在激光劃片工序之后，使基板暴露于第1等離子體來各向異性地蝕刻第1損傷區(qū)域，從而除去第1損傷區(qū)域，并且使第2損傷區(qū)域的一部分露出。

保護膜沉積工序，在各向異性蝕刻工序之后，使保護膜沉積在元件區(qū)域、分割區(qū)域和露出的第2損傷區(qū)域的一部分。

保護膜蝕刻工序，在保護膜沉積工序之后，使基板暴露于第2等離子體來各向異性地蝕刻保護膜，從而除去沉積在分割區(qū)域的保護膜的一部分以及沉積在元件區(qū)域的保護膜，并且使覆蓋第2損傷區(qū)域的一部分的保護膜殘留。

等離子體切割工序，在保護膜蝕刻工序之后，在用支承構(gòu)件支承了第2主面的狀態(tài)下，將基板暴露于第3等離子體來各向異性地蝕刻分割區(qū)域，從而將基板分割為具備元件區(qū)域的多個元件芯片。通過這些方法，來制造元件芯片。

參照圖1a～圖1f來說明本實施方式所涉及的制造方法。圖1a～圖1f是表示本實施方式所涉及的制造方法的各工序的剖視圖。

(1)準備工序

首先，準備成為切割對象的基板10(圖1a)。基板10具備第1主面10x以及第2主面10y，并且具備作為半導體層的第1層11和包含形成在第1層11的第1主面10x側(cè)的絕緣膜的第2層12。此外，基板10被區(qū)劃為分割區(qū)域r1和由分割區(qū)域r1劃定的多個元件區(qū)域r2。因此，第1層11具備與分割區(qū)域r1對應(yīng)的第1分割區(qū)域111和與元件區(qū)域r2對應(yīng)的多個第1元件區(qū)域112。第2層12具備與分割區(qū)域r1對應(yīng)的第2分割區(qū)域121和與元件區(qū)域r2對應(yīng)的多個第2元件區(qū)域122。在基板10的元件區(qū)域r2(第1元件區(qū)域112以及第2元件區(qū)域122)中，可以形成半導體電路、電子部件元件、mems等的電路層(均未圖示)。

第1層11是例如由硅(si)、砷化鎵(gaas)、氮化鎵(gan)、碳化硅(sic)等構(gòu)成的半導體層。第2層12至少包含絕緣膜。絕緣膜例如包括二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、鉭酸鋰(litao3)、鈮酸鋰(linbo3)等。第2層12除了包含絕緣膜之外，還可以包含多層布線層(例如，low-k(低介電常數(shù))材料和銅(cu)布線層的層疊體)、金屬材料、樹脂保護層(例如，聚酰亞胺)、抗蝕劑等。

(2)激光劃片工序

在激光劃片工序中，從第1主面10x側(cè)向第2分割區(qū)域121照射激光l，從而除去第2分割區(qū)域121的一部分，形成露出了一部分第1分割區(qū)域111的開口10a(圖1b)。換言之，在激光劃片工序中，使第1分割區(qū)域111的一部分露出而形成露出部111a。激光l的中心波長沒有特別限定，例如是350～600nm。

由于激光l的照射，在開口10a的周圍形成受到激光l的熱效應(yīng)的損傷區(qū)域dr。因此，在露出部111a的下方形成第1損傷區(qū)域dr1，并且在第1損傷區(qū)域dr1的附近且被第2層12覆蓋的第1層11也形成第2損傷區(qū)域dr2。第2損傷區(qū)域dr2例如形成為夾著或者包圍第1損傷區(qū)域dr1。此外，在第2元件區(qū)域122的端面還形成第3損傷區(qū)域dr3。在圖1b～圖1f中，用虛線表示損傷區(qū)域dr與其以外的區(qū)域的邊界面s。損傷區(qū)域dr1、dr2、dr3的厚度根據(jù)激光l的照射條件、照射激光l的部分的材質(zhì)而變化，例如是0.1～10μm左右。

在圖1b中，在激光劃片工序中，在第1分割區(qū)域111的表面形成了露出部111a，但不限定于此。例如，在激光劃片工序中，也可以將第1分割區(qū)域111劃片到第2主面10y附近。第1分割區(qū)域111被激光劃片的量越多，元件芯片110內(nèi)存在的損傷區(qū)域dr變得越大，越容易發(fā)揮損傷區(qū)域dr的效果(參照后述)。

根據(jù)操作性的觀點，優(yōu)選在用支承構(gòu)件22(參照圖1f)支承了第2主面10y的狀態(tài)下進行激光劃片工序以后的工序。支承構(gòu)件22的材質(zhì)沒有特別限定。其中，若考慮在用支承構(gòu)件22支承了基板10的狀態(tài)下進行切割，則基于容易拾取所得到的元件芯片110的觀點，優(yōu)選支承構(gòu)件22是具有柔韌性的樹脂膜。在該情況下，根據(jù)操作性的觀點，如圖3所示，支承構(gòu)件22固定于框架21。以下，將框架21和固定于框架21的支承構(gòu)件22一起稱為運輸載體20。圖3a是表示運輸載體20的俯視圖，圖3b是圖3a所涉及的運輸載體20的3b-3b剖視圖。

樹脂膜的材質(zhì)沒有特別限定，例如可以列舉，聚乙烯以及聚丙烯等聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯等的熱可塑性樹脂。在樹脂膜中，可以混合用于附加伸縮性的橡膠成分(例如，乙烯-丙烯橡膠(epm)、乙烯-丙烯-二烯橡膠(epdm)等)、增塑劑、軟化劑、抗氧化劑、導電性材料等的各種添加劑。此外，上述熱可塑性樹脂也可以具有丙烯酸基等表現(xiàn)光聚合反應(yīng)的官能基。

支承構(gòu)件22具備例如具有粘合劑的面(粘合面22a)和沒有粘合劑的面(非粘合面22b)。粘合面22a的外周緣粘接在框架21的一個面上，覆蓋框架21的開口。在粘合面22a的從框架21的開口露出的部分粘接并支承基板10。等離子體處理時，支承構(gòu)件22載置在等離子體處理載置臺(以下僅稱為載置臺)上，使得載置臺和非粘合面22b相接。

優(yōu)選粘合面22a由通過紫外線(uv)的照射而粘合力減小的粘合成分構(gòu)成。據(jù)此，在等離子體切割后拾取元件芯片110時，通過進行uv照射，從而元件芯片110容易從粘合面22a剝離，從而變得易于拾取。例如，支承構(gòu)件22通過在樹脂膜的單面涂敷5～20μm厚度的uv固化型丙烯酸粘合劑而得到。

框架21是具有與基板10的整體相同或其以上的面積的開口的框體，具有規(guī)定寬度以及基本恒定的較薄的厚度?？蚣?1具有能夠在保持了支承構(gòu)件22以及基板10的狀態(tài)下運輸?shù)某潭鹊膭傂浴？蚣?1的開口的形狀沒有特別限定，例如，可以是圓形、矩形、六邊形等多邊形。在框架21上可以設(shè)置用于定位的凹口21a、切角21b。作為框架21的材質(zhì)，例如可以列舉鋁、不銹鋼等金屬、樹脂等。

(3)各向異性蝕刻工序

在激光劃片工序之后，將基板10暴露于第1等離子體p1，實施各向異性蝕刻(圖1c)。據(jù)此，除去從開口10a露出的第1損傷區(qū)域dr1。此時，在激光劃片工序所形成的第2損傷區(qū)域dr2的一部分從第1元件區(qū)域112的端面露出。

參照圖4來具體說明等離子體蝕刻、后述的等離子體cvd以及等離子體切割中所使用的等離子體處理裝置200，但是等離子體處理裝置不限定于此。圖4概略地示出本實施方式中使用的等離子體處理裝置200的構(gòu)造的剖面。

等離子體處理裝置200具備載置臺211。運輸載體20搭載在載置臺211上，使得支承構(gòu)件22的保持了基板10的面朝向上方。在載置臺211的上方，配置了覆蓋框架21以及支承構(gòu)件22的至少一部分并且具有用于使基板10的至少一部分露出的窗部224w的蓋224。

載置臺211以及蓋224配置在反應(yīng)室(真空腔203)內(nèi)。真空腔203呈上部開口了的大概圓筒狀，上部開口由作為蓋體的電介質(zhì)構(gòu)件208封閉。作為構(gòu)成真空腔203的材料，可以例示鋁、不銹鋼(sus)、對表面進行了防蝕鋁處理的鋁等。作為構(gòu)成電介質(zhì)構(gòu)件208的材料，可以例示氧化釔(y2o3)、氮化鋁(aln)、氧化鋁(al2o3)、石英(sio2)等電介質(zhì)材料。在電介質(zhì)構(gòu)件208的上方，配置了作為上部電極的天線209。天線209與第1高頻電源210a電連接。載置臺211配置在真空腔203內(nèi)的底部側(cè)。

在真空腔203連接了氣體導入口203a。在氣體導入口203a分別通過配管連接了作為工藝氣體的供給源的工藝氣體源212以及灰化氣體源213。此外，在真空腔203設(shè)置了排氣口203b，在排氣口203b連接了包含用于排放真空腔203內(nèi)的氣體從而減壓的真空泵的減壓機構(gòu)214。

載置臺211具備分別呈大致圓形的電極層215、金屬層216、支承電極層215以及金屬層216的基臺217和包圍電極層215、金屬層216以及基臺217的外周部218。外周部218由具有導電性以及耐蝕刻性的金屬構(gòu)成，從等離子體保護電極層215、金屬層216以及基臺217。在外周部218的上表面配置了圓環(huán)狀的外周環(huán)229。外周環(huán)229具有從等離子體保護外周部218的上表面的作用。電極層215以及外周環(huán)229例如由上述電介質(zhì)材料構(gòu)成。

在電極層215的內(nèi)部配置了構(gòu)成靜電吸附機構(gòu)的電極部(以下稱為esc電極219)和電連接于第2高頻電源210b的高頻電極部220。在esc電極219電連接了直流電源226。靜電吸附機構(gòu)由esc電極219以及直流電源226構(gòu)成。

金屬層216例如由在表面形成了防蝕鋁被覆的鋁等構(gòu)成。在金屬層216內(nèi)形成了冷媒流路227。冷媒流路227對載置臺211進行冷卻。通過冷卻載置臺211，從而冷卻搭載在載置臺211上的支承構(gòu)件22，并且還冷卻其一部分與載置臺211接觸的蓋224。據(jù)此，抑制基板10、支承構(gòu)件22由于在等離子體處理中被加熱而被損傷。冷媒流路227內(nèi)的冷媒通過冷媒循環(huán)裝置225而循環(huán)。

在載置臺211的外周附近配置了貫通載置臺211的多個支承部222。支承部222由升降機構(gòu)223a進行升降驅(qū)動。若運輸載體20被運輸?shù)秸婵涨?03內(nèi)，則交接給上升到規(guī)定位置的支承部222。支承部222支承運輸載體20的框架21。通過支承部22的上端面下降到與載置臺211相同的水平以下，從而運輸載體20搭載到載置臺211的規(guī)定位置。

在蓋224的端部聯(lián)結(jié)了多個升降桿221，使蓋224能夠升降。升降桿221通過升降機構(gòu)223b進行升降驅(qū)動。基于升降機構(gòu)223b的蓋224的升降動作，能夠與升降機構(gòu)223a獨立地進行。

控制裝置228控制構(gòu)成包括第1高頻電源210a、第2高頻電源210b、工藝氣體源212、灰化氣體源213、減壓機構(gòu)214、冷媒循環(huán)裝置225、升降機構(gòu)223a、升降機構(gòu)223b以及靜電吸附機構(gòu)的等離子體處理裝置200的要素的動作。

各向異性蝕刻工序的條件沒有特別限定。其中，根據(jù)第1分割區(qū)域111被蝕刻，并且蝕刻易于各向異性地進展的觀點，例如，優(yōu)選使用六氟化硫(sf6)等包含氟的工藝氣體，并且對高頻電極部220施加高頻電力，從而施加偏置電壓，同時進行蝕刻。

各向異性蝕刻，例如可以以如下條件進行，即：作為原料氣體以80sccm供給sf6、以70sccm供給氧氣(o2)、以700sccm供給氬氣(ar)，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為15pa，并且將第1高頻電源210a對天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對高頻電極部220的投入功率設(shè)為50～200w。另外，sccm是流量的單位，1sccm是指一分鐘流過1cm³的標準狀態(tài)(0℃、一個大氣壓)的氣體的量。

(4)保護膜沉積工序

在各向異性蝕刻工序之后，使保護膜13沉積在第2元件區(qū)域122、第1分割區(qū)域111、第2元件區(qū)域122的端面和第1元件區(qū)域112的端面(圖1d)。保護膜13的沉積，例如，可以通過使基板10暴露于第4等離子體p4來進行。該方法被稱為等離子體cvd，在能夠以比較低的溫度且較快的速度形成薄膜的方面優(yōu)異。通過保護膜13，從第1元件區(qū)域112的端面露出的第2損傷區(qū)域dr2也被被覆。

所沉積的保護膜13只要具有絕緣性即可，其組成沒有特別限定。保護膜13可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等無機材料，也可以包含聚合物等有機材料，還可以包含無機材料與有機材料的復合材料。其中，若考慮保護膜13的一部分成為構(gòu)成切割后的元件芯片110(參照圖2a以及圖2b)的要素的觀點，則優(yōu)選疏水性高、吸濕性低的材料。作為這樣的材料，例如可以列舉氟化碳。

使包含氟化碳的保護膜13沉積時，可以使用以包含cf4、c4f8等氟化碳的工藝氣體為原料的等離子體。所沉積的保護膜13的厚度沒有特別限定，例如是0.5～10μm。保護膜13例如通過如下條件來沉積，即：作為原料氣體以150sccm供給c4f8、以50sccm供給氦氣(he)，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為15～25pa，并且將第1高頻電源210a對天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對高頻電極部220的投入功率設(shè)為50～150w。若以該條件處理300秒，則可以形成厚度3μm的保護膜13。在本實施方式中，使用c4f8與he的混合氣體作為原料氣體。通過使用he，從而在等離子體中促進c4f8的離解，其結(jié)果，能夠形成致密且粘著性高的保護膜13。

另外，作為保護膜13的沉積方法，除了上述等離子體cvd法之外，還可以使用熱cvd法、濺射法等。

(5)保護膜蝕刻工序

在保護膜沉積工序之后，通過使基板10暴露于第2等離子體p2，從而各向異性地蝕刻保護膜13(圖1e)。通過各向異性蝕刻，除去第1分割區(qū)域111中所沉積的保護膜13的一部分以及第2元件區(qū)域122的表面(第1主面10x)所沉積的保護膜13。另一方面，形成在第1元件區(qū)域112的端面的第2損傷區(qū)域dr2以及形成在第2元件區(qū)域122的端面的第3損傷區(qū)域dr3保持被保護膜13被覆。

根據(jù)蝕刻易于各向異性地進展的觀點，優(yōu)選對高頻電極部220施加高頻電力，從而施加偏置電壓，同時進行蝕刻。保護膜蝕刻例如通過如下條件來進行，即：作為原料氣體以150～300sccm供給ar、以0～150sccm供給o2，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為0.2～1.5pa，并且將第1高頻電源210a對天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對高頻電極部220的投入功率設(shè)為150～300w。在該條件下，能夠以0.5μm/分鐘左右的速度蝕刻保護膜13。

(6)等離子體切割工序

接下來，將基板10暴露于第3等離子體p3(圖1f)。根據(jù)第1分割區(qū)域111被各向異性地蝕刻的條件來產(chǎn)生第3等離子體p3。例如，使用六氟化硫(sf6)等包含氟的工藝氣體，并且對高頻電極部220施加高頻電力，從而施加偏置電壓。據(jù)此，在與基材10的厚度平行的方向上各向異性地進行蝕刻。上述蝕刻條件，能夠根據(jù)第1層11的材質(zhì)來適當?shù)剡M行選擇。在第1層11為si的情況下，第1分割區(qū)域111的蝕刻能夠使用所謂的波希法(boschprocess)。在波希法中，依次重復沉積膜沉積步驟、沉積膜蝕刻步驟和si蝕刻步驟，從而對第1分割區(qū)域111在深度方向上進行挖入。

沉積膜沉積步驟例如可以以如下條件進行，即：作為原料氣體以150～250sccm供給c4f8，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為15～25pa，并且將第1高頻電源210a對天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對高頻電極部220的投入功率設(shè)為0w，處理5～15秒。

沉積膜蝕刻步驟例如可以以如下條件進行，即：作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為5～15pa，并且將第1高頻電源210a對天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對高頻電極部220的投入功率設(shè)為100～300w，處理2～10秒。

si蝕刻步驟例如可以以如下條件進行，即：作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，并且將真空腔203內(nèi)的壓力調(diào)整為5～15pa，并且將第1高頻電源210a對天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第2高頻電源210b對高頻電極部220的投入功率設(shè)為50～200w，處理10～20秒。

通過以上述那樣的條件重復沉積膜沉積步驟、沉積膜蝕刻步驟以及si蝕刻步驟，從而能夠?qū)Φ?分割區(qū)域111以10μm/分鐘的速度在深度方向上垂直地進行蝕刻。

此時，第2元件區(qū)域122以及保護膜13作為掩模發(fā)揮功能。因此，在等離子體切割工序中，由保護膜蝕刻工序露出的第1分割區(qū)域111被蝕刻。據(jù)此，基板10被切割為具備元件區(qū)域r2的多個元件芯片110。

在圖2a中示出如此得到的元件芯片110的剖面。元件芯片110具備第1層(第1元件區(qū)域112)和第2層(第2元件區(qū)域122)，第1層是半導體層且具備層疊面112x和與層疊面相反的一側(cè)的面112y，第2層包含層疊在層疊面112x上的絕緣膜。第1元件區(qū)域112具備階梯112b。因此，層疊面112x比面112y小。而且，元件芯片110具備保護膜13，保護膜13包圍層疊面112x以及第2元件區(qū)域122，并且覆蓋階梯112b的臺階面112ba以及從臺階面112ba上升的上升面112bb。保護膜13形成為包圍元件芯片110的外周。

保護膜13被覆形成在上升面112bb的第2損傷區(qū)域dr2以及形成在第2元件區(qū)域122的端面的第3損傷區(qū)域dr3。即，元件芯片110具備第2損傷區(qū)域dr2以及第3損傷區(qū)域dr3，但這些損傷區(qū)域dr沒有露出，被包含在元件芯片110內(nèi)。因此，在使用元件芯片110時，即使在施加外力(彎曲、沖擊等)的情況下，也可以抑制元件芯片110的破裂、碎裂等損傷。此外，因為第1元件區(qū)域112與第2元件區(qū)域122的交界(層疊面112x)的端部被保護膜13被覆，所以也可以抑制層疊面112x處的第1元件區(qū)域112與第2元件區(qū)域122的剝離。

在本實施方式中，基板10在被支承構(gòu)件22支承的狀態(tài)下進行切割。因此，切割后所得到的元件芯片110從支承構(gòu)件22剝離的同時被拾取。在該情況下，也沒有露出損傷區(qū)域dr，所以能夠不使其損傷地拾取元件芯片110。而且，在等離子體切割后，在元件芯片110彼此密接而被保持在支承構(gòu)件22的情況下，雖然保護膜13彼此會碰撞，但可以避免第1元件區(qū)域112中的碰撞。因此，第1元件區(qū)域112的損傷進一步被抑制。

此外，由于激光l的熱效應(yīng)而形成的損傷區(qū)域dr結(jié)晶性紊亂。因此，損傷區(qū)域dr的表面具備細微的凹凸。通過該凹凸的錨定效果，損傷區(qū)域dr與保護膜13較強地粘著。也就是說，保護膜13分別與第1元件區(qū)域112以及第2元件區(qū)域122較強地粘著。因此，能夠抑制保護膜13的剝離，保護元件芯片110的內(nèi)部。而且，損傷區(qū)域dr的半導體，反應(yīng)性較高，易于吸收雜質(zhì)。即，從外部進入的雜質(zhì)(例如，水分、附著在第2元件區(qū)域122的表面的焊料成分等)，擴散到損傷區(qū)域內(nèi)，被損傷區(qū)域捕獲(吸收或者吸附)。據(jù)此，抑制雜質(zhì)進一步向元件芯片110的內(nèi)部的擴散。因此，抑制元件芯片110的性能劣化。

另外，在切割基板10的等離子體切割工序(各向異性蝕刻)之前，還可以進行各向同性的蝕刻，以蝕刻由保護膜13掩模的第1元件區(qū)域112的一部分。據(jù)此，第1元件區(qū)域112的端面相較于保護膜13的表面向內(nèi)側(cè)后退。通過在該狀態(tài)下執(zhí)行等離子體切割工序，從而如圖2b所示，在所得到的元件芯片110的端面形成保護膜13形成的突出部p。因此，在等離子體切割后，在元件芯片110彼此密接而被保持在支承構(gòu)件22的情況下，也可以避免相鄰的第1元件區(qū)域112彼此的碰撞，第1元件區(qū)域112的損傷進一步被抑制。

(產(chǎn)業(yè)上的可利用性)

根據(jù)本公開的發(fā)明所涉及的方法，能夠得到抗彎強度優(yōu)異的元件芯片，所以作為由各種基板制造元件芯片的方法是有用的。