本申請(qǐng)涉及電連接器領(lǐng)域，尤指一種大電流的非常規(guī)USB插座。

背景技術(shù)：

在智能手機(jī)領(lǐng)域，隨著電池容量的增大，充電時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)，用戶對(duì)于充電時(shí)間改善的期待也越來(lái)越大。由此，人們?cè)诔Ｒ?guī)Micro USB的基礎(chǔ)上開發(fā)出了與常規(guī)Micro USB兼容的非常規(guī)Micro USB，如中華人民共和國(guó)第CN103811889B號(hào)專利申請(qǐng)，其具備第一對(duì)接舌板與第二對(duì)接舌板，所述第一對(duì)接舌板與常規(guī)Micro USB公頭對(duì)接，第二對(duì)接舌板與配套的非常規(guī)Micro USB公頭對(duì)接以提供大電流的支持。在所述第二對(duì)接舌板上加寬電源端子的寬度以支持大電流。

通常，鑒于Micro USB的對(duì)接舌板的尺寸較小，塑膠體強(qiáng)度不夠，會(huì)在對(duì)接舌板的頂面嵌入金屬件以加強(qiáng)對(duì)接舌板的力量，而所述導(dǎo)電端子不能與所述金屬嵌件導(dǎo)通而短路。如此，使所述導(dǎo)電端子的厚度變薄，減小了截面積，使導(dǎo)電端子的電流承載能力下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，有必要提供一種同時(shí)兼顧強(qiáng)度與電流承載能力的大電流USB連接器。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N大電流USB連接器，包括絕緣本體、一體成型于所述絕緣本體內(nèi)的導(dǎo)電端子、內(nèi)嵌于所述絕緣本體內(nèi)的金屬嵌件，所述絕緣本體包括基部及自所述基部前向延伸形成的對(duì)接舌部，所述導(dǎo)電端子包括固持部、自所述固持部前向延伸并露出于對(duì)接舌部底面，所述金屬嵌件內(nèi)嵌于所述對(duì)接舌部的頂面并與所述導(dǎo)電端子的一側(cè)表面直接接觸，所述金屬嵌件朝向所述導(dǎo)電端子的一側(cè)表面或者所述導(dǎo)電端子朝向所述金屬嵌件的一側(cè)表面設(shè)有絕緣層。

優(yōu)選地，所述金屬嵌件整體進(jìn)行表面絕緣處理。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電端子先將板材的一側(cè)表面進(jìn)行絕緣處理，而后再進(jìn)行沖壓工藝形成所述導(dǎo)電端子。

優(yōu)選地，所述金屬嵌件采用鋁或鋁合金制成，在所述金屬嵌件表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理形成絕緣的氧化膜作為絕緣層。

優(yōu)選地，所述金屬嵌件采用鋼鐵材質(zhì)制成，對(duì)所述金屬嵌件表面進(jìn)行磷化處理形成絕緣的磷酸鹽膜作為絕緣層。

優(yōu)選地，所述對(duì)接舌部包括第一對(duì)接舌部、及第二對(duì)接舌部，所述第二對(duì)接舌部位于所述第一對(duì)接舌部與所述基部之間，所述第二對(duì)接舌部的橫向?qū)挾却笥谒龅谝粚?duì)接舌部的橫向?qū)挾取?/p>

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電端子最外側(cè)的兩個(gè)為電源端子，所述電源端子的接觸部包括貫穿所述第二對(duì)接舌部并延伸至第一對(duì)接舌部的第一接觸部、及位于所述第二對(duì)接舌部外側(cè)的第二接觸部。

優(yōu)選地，所述第一接觸部與所述第二接觸部為一體結(jié)構(gòu)。

本申請(qǐng)的USB插座在所述金屬嵌件的朝向所述導(dǎo)電端子的一側(cè)表面處理形成絕緣層或者在所述導(dǎo)電端子朝向所述金屬嵌件的一側(cè)表面處理形成絕緣層。使得所述導(dǎo)電端子可以直接接觸貼緊所述金屬嵌件，在兼顧所述對(duì)接舌部強(qiáng)度的同時(shí)，增大了所述導(dǎo)電端子的厚度，增強(qiáng)了電流承載能力。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。

圖1為本申請(qǐng)大電流USB連接器的立體組合圖；

圖2為本申請(qǐng)大電流USB連接器另一角度的立體組合圖；

圖3為本申請(qǐng)大電流USB連接器的導(dǎo)電端子的立體圖；

圖4為本申請(qǐng)沿圖1所示A-A虛線的剖視圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本申請(qǐng)具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1至圖4所示，本申請(qǐng)大電流USB連接器為非常規(guī)型USB插座，也可以是常規(guī)Micro USB、標(biāo)準(zhǔn)USB插座等，包括絕緣本體10、一體成型于所述絕緣本體10內(nèi)的導(dǎo)電端子20、內(nèi)嵌于所述絕緣本體10的一側(cè)表面的金屬嵌件40、及連接于所述導(dǎo)電端子20一端的料帶30。

所述絕緣本體10包括基部11、及自所述基部11前向延伸形成的對(duì)接舌部12。所述對(duì)接舌部12包括第一對(duì)接舌部121、及第二對(duì)接舌部122，所述第二對(duì)接舌部122位于所述第一對(duì)接舌部121與所述基部11之間，所述第二對(duì)接舌部122的橫向?qū)挾却笥谒龅谝粚?duì)接舌部121的橫向?qū)挾取?/p>

所述導(dǎo)電端子20包括固持部21、自所述固持部21前端延伸形成的露出于所述對(duì)接舌部12一側(cè)表面的接觸部22、及自所述固持部21后端延伸形成的焊腳23。所述導(dǎo)電端子20最外側(cè)的兩個(gè)為電源端子，所述電源端子的接觸部22包括貫穿第二對(duì)接舌部122并延伸至第一對(duì)接舌部121的第一接觸部221、及位于所述第二對(duì)接舌部121外側(cè)的第二接觸部222，所述第一接觸部221與所述第二接觸部222為一體結(jié)構(gòu)。

所述金屬嵌件40一體成型于所述絕緣本體10的對(duì)接舌部12的頂面，所述導(dǎo)電端子20的接觸部22露出于所述對(duì)接舌部12的底面，所述金屬嵌件40直接與所述導(dǎo)電端子20接觸，所述金屬嵌件40面對(duì)所述導(dǎo)電端子20的一側(cè)表面形成有絕緣層，或者所述導(dǎo)電端子20朝向所述金屬嵌件40的一側(cè)表面形成有絕緣層，或者所述導(dǎo)電端子20與所述金屬嵌件40同時(shí)設(shè)置絕緣層，以使所述導(dǎo)電端子20與所述金屬嵌件40在直接接觸的情況下電性隔離。

所述絕緣層可以采用多種方法實(shí)現(xiàn)，如若所述金屬嵌件40采用鋁或鋁合金的情況，可以在所述金屬嵌件40表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理形成絕緣的氧化膜。若所述金屬嵌件40采用鋼鐵材質(zhì)，則可以對(duì)所述金屬嵌件40表面進(jìn)行磷化處理形成絕緣的磷酸鹽膜。除上述辦法之外，還可以采用電鍍、化學(xué)鍍、氣相鍍等方式在所述金屬嵌件40表面形成絕緣層。同理，所述導(dǎo)電端子20朝向所述金屬嵌件40一側(cè)表面采用同樣技術(shù)可形成絕緣層。

所述金屬嵌件40可以整體進(jìn)行表面絕緣處理，即上下面都進(jìn)行了絕緣處理以降低加工難度。而所述導(dǎo)電端子20可以先將板材的一側(cè)表面進(jìn)行絕緣處理，而后再進(jìn)行沖壓工藝形成所述導(dǎo)電端子20。

本申請(qǐng)的USB插座在所述金屬嵌件40的朝向所述導(dǎo)電端子20的一側(cè)表面處理形成絕緣層或者在所述導(dǎo)電端子20朝向所述金屬嵌件40的一側(cè)表面處理形成絕緣層。使得所述導(dǎo)電端子20可以直接接觸貼緊所述金屬嵌件40，在兼顧所述對(duì)接舌部12強(qiáng)度的同時(shí)，增大了所述導(dǎo)電端子20的厚度，增強(qiáng)了電流承載能力。

還需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本申請(qǐng)的實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。