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一種基于鍵合密封技術(shù)的硅振蕩器的制作方法

文檔序號:12725263閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
一種基于鍵合密封技術(shù)的硅振蕩器,包括頂層硅、結(jié)構(gòu)層硅、氧化層和底層硅。振蕩器結(jié)構(gòu)利用結(jié)構(gòu)層硅制作,頂層硅上制作有硅柱結(jié)構(gòu)。制作過程中結(jié)構(gòu)層硅與底層硅通過鍵合結(jié)合在一起,頂層硅與結(jié)構(gòu)層硅也通過鍵合結(jié)合在一起。振蕩器結(jié)構(gòu)密封在鍵合形成的真空腔內(nèi)。振蕩器結(jié)構(gòu)包含兩個質(zhì)量塊,每個質(zhì)量塊上包含一組驅(qū)動梳齒和兩組檢測梳齒。驅(qū)動和檢測梳齒的動齒與質(zhì)量塊相連,定齒與相應(yīng)電極相連,電極通過硅柱連接到外部焊盤。振蕩器工作時,兩個質(zhì)量塊運動方向為同時背離結(jié)構(gòu)中心或者同時朝向結(jié)構(gòu)中心。

技術(shù)研發(fā)人員:孫明
受保護的技術(shù)使用者:西安賽創(chuàng)半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼:201710080015
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.15
技術(shù)公布日:2017.06.23

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