專利名稱：采用多孔soi硅硅鍵合的mems硅麥克風及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電容式硅麥克風及其制備方法，特別是公開ー種采用多孔SOI硅娃鍵合的MEMS娃麥克風,屬于娃麥克風的技術領域。
背景技術：
麥克風能把人的語音信號轉化為相應的電信號，廣泛應用于手機，電腦，電話機，照相機及攝像機等。傳統(tǒng)的駐極體電容式麥克風采用特氟龍作為振動薄膜，不能承受在印刷電路板回流焊接エ藝近300度的高溫，從而只能與集成電路的組裝分開，単獨手工裝配，大大增加了生產成本。近三十年的MEMS (Microelectromechanical Systems)技術與エ藝的發(fā)展，特別是基于硅芯片MEMS技術的發(fā)展，實現(xiàn)了許多傳感器(如壓カ傳感器，加速度計，陀螺儀等)的微型化和低成本。MEMS硅麥克風已開始產業(yè)化，在高端手機的應用上，逐漸取代傳統(tǒng)的駐極體電容式麥克風。MEMS麥克風主要還是采用電容式的原理，由一個振動薄膜和背極板組成,振動薄膜與背極板之間有ー個幾微米的間距，形成電容結構。高靈敏的振動薄膜感受到外部的音頻聲壓信號后，改變振動薄膜與背極板間的距離，從而形成電容變化。MEMS麥克風后接CMOS放大器把電容變化轉化成電壓信號的變化,再放大后變成電輸出。人的語音聲壓信號非常微弱，振動薄膜必須非常靈敏。振動膜通常采用常規(guī)的半導體加工エ藝ー淀積得到，材料可采用多種或多層材料得到(比如摻雜多晶硅，金屬與氮化硅復合膜等)。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同和高溫エ藝，制備后的振動薄膜會有不同程度的殘留應力，大大影響了振動薄膜的靈敏度。所以，用多晶硅作為振動薄膜時，在制備后一般會采用附加退火エ藝，來調節(jié)殘留應カ降到最低；若用氮化硅作為振動薄膜，在制備時通過調節(jié)反應氣體間的比例來降低殘留應力。但采用這種方法對減小殘余應カ的效果不大，而且重復性不好，實現(xiàn)也較為復雜。另外，也可以采用改變振動薄膜的機械結構，把一般的平板型振動薄膜改為紋膜，浮膜，或在振動薄膜上切割微小的槽，從而達到減少殘留應カ、增加靈敏度的目的。但改變振動薄膜結構的方法會造成制備エ藝復雜化，增加成本，降低良率。背極板除了與振動薄膜形成電容以外，還具有控制麥克風的頻帶，降低聲學噪聲等功能。它需要具有一定的剛度，不會因外部的振動或聲壓而形變。除此以外，一般的設計還需在背極板上制備數(shù)百至上千個直徑為幾微米的穿孔，用來調節(jié)麥克風的頻帶和降低聲
學噪聲。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風及其制備方法，以簡化制造エ藝，且可提高電容式微型硅麥克風的良率和靈敏度。
本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:一種采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風及其制造方法，包括多孔背極板硅基及位于所述多孔背極板硅基上方的單晶硅振膜，其特征在干:所述的多孔背極板娃基和單晶娃振膜作為麥克風電容的兩極板，經過娃娃鍵合エ藝鍵合成一體；所述麥克風的制造方法包括如下步驟:
a、采用導電性良好的背極板硅基；
b、在上述背極板娃基上DRIE刻蝕出若干盲孔,形成多孔背極板娃基，所蝕刻出的盲孔為麥克風的聲孔；
C、在上述多孔背極板娃基上熱氧化出一層氧化娃層；
d、提供導電性良好的單晶硅作為振動薄膜基板，并在該基板上熱氧化出ー層氧化硅
層；
e、將上述振動薄膜基板和背極板硅基鍵合；
f、將上述振動薄膜基板減薄成為振動薄膜，即單晶硅振膜；
g、等離子刻蝕上述振動薄膜，刻蝕貫穿振動薄膜，刻蝕部分下面的氧化硅，形成所需小凸柱的外輪廓；
h、等離子刻蝕貫穿上述振動薄膜及其下的氧化硅，露出背極板硅基上沉積金屬電極的
面；
1、在上述器件表面LPCVD摻雜多晶硅；
j、去除上述器件中背極板硅基背面的多晶硅和氧化硅； k、在上述器件上表面沉積金屬層；
1、刻蝕貫穿上述器件的金屬層及其下的多晶硅，形成金屬電極和小凸柱； m、在上述器件上表面沉積ー層PECVD氧化硅；
n、在上述器件的多孔背極板硅基背面DRIE蝕刻背腔直至多孔背極板硅基上的氧化娃，背腔位于聲孔的正下方；
O、濕法去除上述器件中PECVD生成的氧化硅；
P、濕法去除上述器件中多孔背極板硅基的背腔及聲孔間的氧化硅以及振動薄膜振動部分下方的氧化硅，釋放振動薄膜。本發(fā)明方法制得的米用多孔SOI娃娃鍵合的MEMS娃麥克風,其特征在于:多孔背極板硅基和單晶硅振膜均導電良好，作為麥克風電容的兩極板；多孔背極板硅基上沉積有背極板多晶硅，背極板多晶硅上沉積有背極板金屬電極，背極板金屬電極經背極板多晶硅和多孔背極板硅基電連接；多孔背極板硅基上設有聲孔和背腔，聲孔和背腔相通；單晶硅振膜上設有小凸柱，小凸柱的材質為多晶硅和金屬層，小凸柱避免單晶硅振膜和多孔背極板娃基的吸合；單晶娃振膜上沉積有振膜多晶娃，振膜多晶娃上沉積有振膜金屬電極，振膜金屬電極經振膜多晶硅和單晶硅振膜電連接；振膜金屬電極和背極板電極均采用Al/Cu合金與TiN材質，分別為麥克風電容兩極板的輸出信號引出端，用來與CMOS信號放大電路實現(xiàn)電連接；單晶硅振膜和多孔背極板硅基經硅硅鍵合エ藝鍵合成一體，單晶硅振膜由氧化娃層支撐懸于多孔背極板娃基的上方，單晶娃振膜和多孔背極板娃基之間設有氣隙，多孔背極板硅基、單晶硅振膜和氣隙形成電容結構。所述的單晶硅振膜是利用單晶硅片減薄后形成的，所述的單晶硅振膜厚度為2 3微米。所述的單晶硅振膜和多孔背極板硅基之間的氣隙由濕法刻蝕氧化硅形成。
按照本發(fā)明的技術方案，本發(fā)明MEMS硅麥克風，所述多孔背極板硅基厚度為400^450 V- m,其導電作為電容的ー極，振動薄膜(即單晶娃振膜)導電作為電容的另ー極；多孔背極板硅基上設有幾十個聲孔，所述聲孔位于振動薄膜的正下方，孔徑為40 左右；聲孔下設有背腔，使聲孔更易貫通多孔背極板硅基；振動薄膜位于聲孔的上方且覆蓋整個聲孔面，振動薄膜上設有小凸柱，所述小凸柱可以降低在振膜化學濕法釋放エ藝過程中振動薄膜和背極板吸合在一起的可能性，振動薄膜由單晶硅片減薄后得到；振動薄膜由氧化硅支撐在背極板硅基上，所述氧化硅同時可實現(xiàn)振動薄膜和背極板硅基的電絕緣，且振動薄膜和背極板硅基間的氣隙深度也由該氧化硅厚度決定；振動薄膜和背極板硅基上均沉積有金屬焊盤，金屬焊盤用來與CMOS信號放大電路實現(xiàn)電連接。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明多孔背極板硅基上設有單晶硅的振動薄膜，即單晶娃振膜，其通過娃娃鍵合法與多孔背極板娃基鍵合，導電的單晶娃振膜與多孔背極板娃基形成電容結構；導電的單晶硅振膜為單晶硅片減薄而成，其導電性良好，作為電容的ー極，且其殘余應カ小且一致性好，從而可提高麥克風的靈敏度和良率；單晶硅振膜上設有小凸柱，小凸柱可降低在單晶硅振膜化學濕法釋放エ藝過程中和使用時單晶硅振膜和多孔背極板娃基吸合的可能性，進一步提聞麥克風的良率；多孔背極板娃基導電性良好，作為電容的另ー極，多孔背極板硅基上設有聲孔。聲音作用于單晶硅振膜上時，外接CMOS電路通過檢測單晶硅振膜變化引起的電容變化從而輸出相應的聲音信號。本發(fā)明方法制得麥克風的生產エ藝簡單、靈敏度高、成本低、一致性好、良率高。


圖1是本發(fā)明MEMS娃麥克風一側的結構不意圖。圖2是本發(fā)明MEMS硅麥克風另ー側的結構示意圖。

圖3是本發(fā)明MEMS硅麥克風的剖視結構示意圖。圖4是本發(fā)明方法中在背極板硅基上形成聲孔后的截面示意圖。圖5是本發(fā)明方法中在背極板硅基表面生成氧化硅后的截面示意圖。圖6是本發(fā)明方法中振膜硅基表面生成氧化硅后的截面示意圖。圖7 是本發(fā)明方法中背極板硅基和振膜硅基硅硅鍵合后形成器件的截面示意圖。圖8是本發(fā)明方法中將振膜硅基減薄為振膜后的截面示意圖。圖9 是本發(fā)明方法中在振膜和氧化硅上刻蝕出供沉積小凸柱的孔的截面示意圖。圖10是本發(fā)明方法中刻蝕振膜和氧化硅露出背極板硅基上沉積金屬電極的面的截面示意圖。圖11是本發(fā)明方法中在器件表面LPCVD摻雜多晶硅的截面示意圖。圖12是本發(fā)明方法中去除器件背極板硅基背面的多晶硅和氧化硅后的截面示意圖。圖13是本發(fā)明方法中在器件上表面沉積金屬膜的截面示意圖。圖14是本發(fā)明方法中刻蝕金屬膜和多晶硅得到電極和凸柱的截面示意圖。圖15是本發(fā)明方法中在器件上表面沉積ー層PECVD氧化娃的截面不意圖。
圖16是本發(fā)明方法中在器件背面刻蝕出背腔的截面示意圖。圖17是本發(fā)明方法中去除上表面的氧化硅的截面示意圖。圖18是本發(fā)明方法中去除背極板硅基背腔及聲孔間的氧化硅以及振動薄膜振動部分下方的氧化硅，釋放出振膜的截面示意圖。圖中:1、多孔背極板硅基；2、單晶硅振膜；3、聲孔；4、背腔；5、氣隙；6、背極板金屬電極；7、背極板多晶娃；8、小凸柱；9、絕緣介質層；10、振膜金屬電極；11、振
膜多晶硅。
具體實施例方式下面結合具體附圖和實施例對本發(fā)明作進ー步說明。根據(jù)附圖1 附圖18，本發(fā)明包括多孔背極板硅基1、單晶硅振膜2、聲孔3、背腔
4、氣隙(極板間距)5、背極板金屬電極6、背極板多晶硅7、小凸柱8、絕緣介質層(即氧化硅層)9、振膜金屬電極10、振膜多晶娃11。根據(jù)附圖3，本發(fā)明MEMS硅麥克風包括多孔背極板和位于背極板上的單晶硅振膜2以及單晶硅振膜的支撐體。本發(fā)明中背極板包括多孔背極板硅基1，多孔背極板硅基I設有聲孔3和背腔4。聲孔3均勻分布于背腔4的上方,且與背腔4相通。多孔背極板娃基I上LPCVD摻雜多晶硅，形成背極板多晶硅7，背極板多晶硅7為摻雜多晶硅，導電性良好。背極板多晶硅7上覆蓋有背極板金屬電極6，背極板金屬電極6通過背極板多晶硅7與多孔背極板硅基I電連接。聲孔3的孔徑為40微米左右，作為麥克風背極板的多孔背極板硅基I厚度為400 450微米；聲孔的大小、數(shù)量及位置按需要進行設定，以能夠得到所需的靈敏度、帶寬與極低的聲學噪音為準。單晶硅振膜2由單晶硅減薄而成，單晶硅振膜2導電性良好，作為麥克風電容的一扱。單晶硅振膜2由絕緣介質層(即氧化硅層)9支撐，懸空于聲孔3的上方，與多孔背極板硅基I間形成氣隙5。氧化硅層9的厚度決定了氣隙5的深度，同時氧化硅層9的絕緣性能保證了單晶硅振膜2和多孔背極板硅基I的電絕緣。單晶硅振膜2上設有小凸柱8，小凸柱可降低單晶硅振膜2和多孔背極板硅基I吸合在一起的可能性。小凸柱8的材質為多晶硅和金屬層，與電極同步成型。單晶硅振膜2的電極部分有多晶硅11，多晶硅11為摻雜多晶硅，導電性良好。多晶硅11上覆蓋有振膜金屬電極10，振膜金屬電極10通過振膜多晶硅11與單晶硅振膜2電連接。背極板金屬電極6、振膜金屬電極10和小凸柱上的金屬層的材質均為Al/Cu合金+TiN，采用先沉積金屬層，再干法刻蝕出所需圖形行成。根據(jù)附4 附圖18，本發(fā)明采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風的制造方法包括下述エ藝步驟:
a、提供導電性良好的背極板娃基,背極板娃基作為電容的ー極，其厚度為400 450微
米;
b、在上述背極板硅基上DRIE刻蝕50 100微米深的盲孔(即聲孔3)，形成多孔背極板硅基1，所蝕刻出的盲孔為麥克風的聲孔。如附圖4所示:盲孔使用DRIE刻蝕，深度為50 100微米，盲孔的孔徑為40微米左右；
C、在上述多孔背極板硅基I上熱氧化約I微米的氧化硅層12。如附圖5所示:氧化硅層12用于多孔背極板娃基I與振膜娃基的娃娃鍵合，且該氧化娃層可做為下面DRIE刻蝕背腔4時的停止層；
d、提供導電性良好的振膜硅基，并熱氧化約1.5微米厚的氧化硅層13。如附圖6所示:氧化硅層13用于振膜硅基與背極板硅基I硅硅鍵合；氧化硅層13與步驟c中的氧化硅層12在硅硅鍵合后合成為氧化硅層9 ；
e、將振膜硅基與背極板硅基I硅硅鍵合形成器件。如附圖7所示:采用硅硅鍵合エ藝將振膜硅基與背極板硅基鍵合成一體；
f、將上述器件上的振膜硅基減薄。如附圖8所示:將上述器件上的振膜硅基減薄形成振動薄膜，即單晶硅振膜2，單晶硅振膜2的厚度為2 3微米；
g、在單晶硅振膜2和氧化硅層9上刻蝕出小孔14。如附圖9所示:在上述單晶硅振膜2上干法刻蝕小孔，小孔貫穿單晶硅振膜2，在單晶硅振膜2上小孔的位置干法刻蝕露出的氧化硅層9，刻蝕氧化硅層9的深度約1.5微米，刻蝕的小孔14的輪廓為小凸柱8的外輪廓；
h、在上述器件上刻蝕貫穿單晶硅振膜2和氧化硅層9部分區(qū)域，露出多孔背極板硅基上供沉積背極板上多晶硅7和背極板金屬電極6的區(qū)域。如附圖10所示:干法刻蝕貫穿上述單晶硅振膜2的部分區(qū)域，同時刻蝕貫穿其下方的氧化硅層9，露出供沉積背極板多晶硅7和背極板金屬電極6的背極板區(qū)域，刻蝕エ藝同時刻蝕形成了單晶硅振膜2的外輪廓；
1、在上述器件表面LPCVD摻雜多晶硅層15。如附圖11所示:多晶硅層厚度為0.5微米，多晶硅導電性好；
j、去除上述器件背面的多晶硅和氧化硅。如附圖12所示:去除上述器件背面的多晶硅層和熱氧化硅層，利用光刻膠做正面保護，干法刻蝕去除多晶硅層，干法或濕法去除氧化硅層，干法為等離子刻蝕，濕法刻蝕液為BOE ；
k、在上述器件正面濺射沉積金屬層16。如附圖13所示:在上述器件正面濺射沉積金屬層16，金屬層16的材質為Al/Cu合金和TiN，TiN覆蓋在Al/Cu合金表面保護Al/Cu合金不被腐蝕，Al/Cu合金的厚度為2微米，TiN的厚度為0.1微米；
1、在上述器件正面刻蝕多晶硅層15和金屬層16。如附圖14所示:利用光刻膠做掩膜，RIE刻蝕貫穿金屬層16，等離子刻蝕或RIE刻蝕貫穿多晶硅層15，刻蝕后形成背極板金屬電極6、背極板上多晶硅7、小凸柱8、振膜金屬電極10、振膜上多晶硅11，背極板金屬電極6和振膜金屬電極10用于與外接CMOS電路連接；
m、在上述器件正面PECVD氧化硅層17。如附圖15所示:氧化硅層17厚度為I微米，作為刻蝕背腔4時正面的保護層，PECVD氧化硅層較疏松，濕法去除時較易去除；
n、在上述器件背面DRIE刻蝕背腔4。如附圖16所示:利用DRIEエ藝刻蝕背腔4，背腔4位于聲孔3的正下方，背腔4的深度約300 350微米，DRIE刻蝕時遇到熱氧化硅層12時刻蝕停止；
O、去除上述器件的氧化硅層17。如附圖17所示:利用濕法刻蝕去除氧化硅層17，濕法刻蝕液為BOE，PECVD氧化硅層17較疏松，所以濕法去除時熱氧化硅層15不會同時完全被去除；
P、去除背腔4正上方部分的氧化硅層12和氧化硅層13。如附圖18所示:濕法去除背腔正上方的氧化硅層12和氧化硅層13，形成氣隙5，背腔4與聲孔3相通，刻蝕后形成氧化硅層9，氧化硅層9支撐單晶硅振膜2懸于多孔背極板硅基I上方，濕法刻蝕液為B0E，刻蝕時器件正面利用厚光刻膠保護，光刻膠的厚度為15微米以上，采用厚膠可以防止刻蝕后單晶硅振膜2被吸到多孔背極板硅基I上，厚膠可利用丙酮和干法去除，釋放出單晶硅振膜2。工作時,本發(fā)明MEMS娃麥克風的單晶娃振膜2與多孔背極板娃基I間形成電容結構。當外部有聲音時，聲音會對單晶硅振膜2產生作用力，單晶硅振膜2的表面受到作用力會產生相應的形變。當單晶硅振膜2發(fā)生形變時，單晶硅振膜2與多孔背極板硅基I間形成的電容結構也會發(fā)生對應變化，通過外接CMOS ASIC信號放大電路可檢測對應的聲音信號。本發(fā)明的背極板在多孔背極板硅基I上來實現(xiàn)，聲孔3的直徑設計為40微米左右，聲孔3通過背腔4與空氣相通，降低了刻蝕聲孔3的エ藝成本。單晶硅薄膜2由單晶硅基體減薄而成，簡化了制作エ藝且降低了振動膜的應力、提高了產品的一致性及良率。電容的兩極由多孔背極板硅基I和單晶硅振膜2擔當，進ー步簡化了エ藝。氧化硅層9保證了單晶硅振膜2和多孔背極板硅基I的電絕緣，同時氧化硅層9支撐單晶硅振膜2懸于背極板娃基之上，氣隙5的厚度有氧化娃層9的厚度決定,氣隙5由刻蝕氧化娃12和氧化娃13得到，エ藝簡単。單晶硅振膜2上設有小凸柱8，小凸柱8可降低單晶硅振膜2和多孔背極板硅基I吸合在一起的可能性。本發(fā)明的エ藝均采用成熟エ藝，且エ藝簡単。本發(fā)明麥克風靈敏度高、一致性好且生產良率高，該麥克風可和ASIC封裝為一體，使用SMTエ藝進行后續(xù)印刷電路板貼裝。
權利要求
1.一種米用多孔SOI娃娃鍵合的MEMS娃麥克風的制造方法,包括多孔背極板娃基(I)及位于所述多孔背極板硅基上方的單晶硅振膜(2)，其特征在于:所述的多孔背極板硅基(I)和單晶娃振膜(2)作為麥克風電容的兩極板,經過娃娃鍵合エ藝鍵合成一體；所述麥克風的制造方法包括如下步驟: a、采用導電性良好的背極板硅基； b、在上述背極板娃基上DRIE刻蝕出若干盲孔,此盲孔為麥克風的聲孔； C、在上述背極板娃基上熱氧化出一層氧化娃層； d、提供導電性良好的單晶硅作為振動薄膜基板，并在該基板上熱氧化出ー層氧化硅層； e、將上述振動薄膜基板和背極板硅基鍵合； f、將上述振動薄膜基板減薄成為振動薄膜； g、等離子刻蝕上述振動薄膜，刻蝕貫穿振動薄膜，刻蝕部分下面的氧化硅，形成所需小凸柱的外輪廓； h、等離子刻蝕貫穿上述振動薄膜及其下的氧化硅，露出背極板硅基上沉積金屬電極的面； 1、在上述器件表面LPCVD摻雜多晶硅； j、去除上述器件中背 極板硅基背面的多晶硅和氧化硅； k、在上述器件上表面沉積金屬層； 1.刻蝕貫穿上述器件的金屬層及其下的多晶硅，形成金屬電極和小凸柱； m、在上述器件上表面沉積ー層PECVD氧化硅； n、在上述器件的背極板硅基背面DRIE蝕刻背腔直至背極板硅基上的氧化硅，背腔位于聲孔的正下方； O、濕法去除上述器件中PECVD生成的氧化硅； P、濕法去除上述器件中背極板硅基背腔及聲孔間的氧化硅以及振動薄膜振動部分下方的氧化硅，釋放振動薄膜。
2.一種由權利要求1所述制造方法獲得的采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風，其特征在干:多孔背極板硅基(I)和單晶硅振膜(2)均導電良好，作為麥克風電容的兩極板；多孔背極板硅基(I)上沉積有背極板多晶硅(7)，背極板多晶硅(7)上沉積有背極板金屬電極(6)，背極板金屬電極(6)經背極板多晶硅(7)和多孔背極板硅基(I)電連接；多孔背極板硅基(I)上設有聲孔(3)和背腔(4)，聲孔(3)和背腔(4)相通；單晶硅振膜(2)上設有小凸柱(8)，小凸柱(8)的材質為多晶硅和金屬層，小凸柱(8)避免單晶硅振膜(2)和多孔背極板硅基(I)的吸合；單晶硅振膜(2 )上沉積有振膜多晶硅(11 )，振膜多晶硅(11)上沉積有振膜金屬電極(10)，振膜金屬電極(10)經振膜多晶硅(11)和單晶硅振膜(2)電連接；振膜金屬電極(10)和背極板電極(6)均采用Al/Cu合金與TiN材質，分別為麥克風電容兩極板的輸出信號引出端，用來與CMOS信號放大電路實現(xiàn)電連接；單晶硅振膜(2)和多孔背極板娃基(I)經娃娃鍵合エ藝鍵合成一體，單晶娃振膜(2)由氧化娃層(9)支撐懸于多孔背極板硅基(I)的上方，單晶硅振膜(2)和多孔背極板硅基(I)之間設有氣隙(5)，多孔背極板娃基(I)、單晶娃振膜(2)和氣隙(5)形成電容結構。
3.根據(jù)權利要求2所述的采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風，其特征在于:所述的單晶硅振膜(2)是利用單晶硅片減薄后形成的，所述的單晶硅振膜(2)厚度為2 3微米。
4.根據(jù)權利要求3所述的采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風，其特征在于:所述的單晶硅振膜(2) 和多孔背極板硅基(I)之間的氣隙(5)由濕法刻蝕氧化硅形成。
全文摘要
本發(fā)明為一種采用多孔SOI硅硅鍵合的MEMS硅麥克風及其制造方法，包括多孔背極板硅基及位于所述多孔背極板硅基上方的單晶硅振膜，其特征在于所述的多孔背極板硅基和單晶硅振膜作為麥克風電容的兩極板，經過硅硅鍵合工藝鍵合成一體。多孔背極板硅基上設有背極板金屬電極、聲孔和背腔，單晶硅振膜上設有金屬電極和小凸柱，振膜金屬電極和背極板電極分別為麥克風電容兩極板的輸出信號引出端，用來與CMOS信號放大電路實現(xiàn)電連接；單晶硅振膜由氧化硅層支撐懸于多孔背極板硅基的上方，單晶硅振膜和多孔背極板硅基之間設有氣隙，多孔背極板硅基、單晶硅振膜和氣隙形成電容結構。本發(fā)明工藝簡單，產品靈敏度高、一致性好且生產良率高。
文檔編號H04R19/04GK103139691SQ20131005681
公開日2013年6月5日 申請日期2013年2月22日 優(yōu)先權日2013年2月22日
發(fā)明者繆建民 申請人:上海微聯(lián)傳感科技有限公司