技術特征：

1.一種碳量子點負載硫氰酸亞銅(CuSCN)光電薄膜，其特征在于：該薄膜具有排列規(guī)則的一維CuSCN納米棒陣列結(jié)構(gòu)，碳量子點顆粒均勻地分布在納米棒陣列表面。

2.根據(jù)權利1所述的碳量子點負載硫氰酸亞銅光電薄膜，其特征在于：CuSCN納米棒直徑約為80～90nm，碳量子點顆粒粒徑約為3～5nm。

3.一種碳量子點負載硫氰酸亞銅光電薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)將一定質(zhì)量的檸檬酸溶于80～100mL的去離子水，轉(zhuǎn)移至反應釜在一定溫度下進行水熱反應20～24h，獲得無色透明溶液，經(jīng)過濾、離心后獲得分散均一、水溶性良好的碳量子點溶液；

(2)在上述步驟1所得的碳量子點水溶液中，按照一定的摩爾比例依次加入CuSO₄、乙二胺四乙酸(EDTA)和KSCN，經(jīng)攪拌溶解后配制成電解液溶液；

(3)將步驟(2)配制的電解液溶液轉(zhuǎn)移至配有鉑絲對電極、甘汞參比電極和清洗干凈的FTO或ITO導電玻璃的三電極體系的電化學反應槽中，利用電化學工作站在導電玻璃表面進行電化學沉積，沉積電位為-0.1～-0.4V，沉積電量為20～60mC/cm²；

(4)將步驟(3)反應結(jié)束后的導電玻璃取出，用去離子水沖洗2～3遍，在60℃烘箱烘干后，即可獲得碳量子點負載CuSCN光電薄膜。

4.根據(jù)權利要求3所述的碳量子點負載硫氰酸亞銅光電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(1)中檸檬酸加入量為1.5～2.0g，水熱反應溫度為200～220℃。

5.根據(jù)權利要求3所述的碳量子點負載硫氰酸亞銅光電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(2)中CuSO₄、EDTA和KSCN加入的摩爾比為1∶1∶0.25～2，使得配制的電解液溶液中CuSO₄和EDTA的摩爾濃度均為12mmol/L，KSCN摩爾濃度為3～24mmol/L。

6.根據(jù)權利要求3所述的碳量子點負載硫氰酸亞銅光電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟(3)中電化學沉積電位為-0.1～-0.4V，沉積電量為20～60mC/cm²。