技術(shù)編號：12681084
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電薄膜領(lǐng)域，具體涉及一種碳量子點負(fù)載硫氰酸亞銅光電薄膜及其制備方法。背景技術(shù)硫氰酸亞銅(CuSCN)是一種p型半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙(3.6eV)能帶結(jié)構(gòu)，僅能夠吸收波長小于350nm的紫外光，是一種透明的半導(dǎo)體，同時還具有較高的電導(dǎo)率(10-2～10-3S.cm-1)，能夠滿足光伏電池對固體電解質(zhì)的電導(dǎo)率要求，因此目前已經(jīng)作為一種空穴傳輸材料在太陽能電池、光伏器件等領(lǐng)域受到了關(guān)注并得到了廣泛證實。CuSCN要在光伏器件上得到應(yīng)用，前提條件是必須將其沉積到導(dǎo)電基底表面制備成光電...
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