技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及用于制造半導(dǎo)體裝置的方法。半導(dǎo)體裝置包括包含主表面的半導(dǎo)體襯底、形成在主表面上方的元件分離膜以及從元件分離膜突出并且在平面視圖中的第一方向上延伸的鰭。半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括控制柵極電極和存儲(chǔ)器柵極電極，其中控制柵極電極通過(guò)柵極絕緣膜沿著鰭的表面在與第一方向垂直的第二方向上延伸，并且與元件分離膜的第一主表面重疊，存儲(chǔ)器柵極電極通過(guò)絕緣膜沿著鰭的表面在第二方向上延伸并且與元件分離膜的第二主表面重疊，其中相對(duì)于主表面，第二主表面低于第一主表面。

技術(shù)研發(fā)人員：三原竜善
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瑞薩電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.20
技術(shù)公布日：2017.09.01