技術(shù)編號：11409834
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置以及用于制造半導(dǎo)體裝置的方法相關(guān)申請的交叉引用通過引用將2016年2月24日提交的日本專利申請No.2016-032688的公開(包括說明書、附圖和摘要)的全部內(nèi)容并入本文中。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及用于制造該半導(dǎo)體裝置的方法，并且本發(fā)明能夠適合地用于例如包括非易失性存儲器的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)作為電可寫且可擦除的非易失性存儲器，EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)已被廣泛使用。這些當(dāng)前廣泛使用的由閃存存儲器代表的儲存裝置包括MISFET的柵極電極之下由氧化物膜圍繞的捕獲絕...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。