本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED封裝方法與OLED封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED器件通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

柔性O(shè)LED是OLED器件的重要研究方向。OLED器件中的發(fā)光材料通常為聚合物或有機(jī)小分子，陰極材料通常為功函數(shù)較低的活潑金屬如鎂鋁等，這些發(fā)光材料與陰極材料對水汽和氧氣非常敏感，水/氧的滲透會大大縮減OLED器件的壽命，為了達(dá)到商業(yè)化對于OLED器件的使用壽命和穩(wěn)定性的要求，OLED器件對于封裝效果的要求非常高，通常要求OLED器件的使用壽命至少在10⁴小時以上，水汽透過率小于10^-6g/m²/day，氧氣穿透率小于10^-6cc/m²/day(1atm)，因此封裝在OLED器件的制作中處于非常重要的位置，是影響產(chǎn)品良率的關(guān)鍵因素之一。

傳統(tǒng)的封裝技術(shù)包括：(1)蓋板封裝技術(shù)：在封裝玻璃/金屬上涂覆可以紫外(UV)固化的框膠、或框膠及填充干燥劑(Dam&Fill)后經(jīng)過固化后為發(fā)光器件提供一個相對密閉的環(huán)境，從而隔絕水氧進(jìn)入；(2)鐳射封裝技術(shù)：在封裝玻璃上涂布玻璃膠，揮發(fā)溶劑后成為玻璃粉，待蒸鍍基板和封裝蓋板對組后，使用激光熔化玻璃粉實現(xiàn)黏合。以上傳統(tǒng)的封裝技術(shù)可以達(dá)到有效的水/氧阻隔效果，但是會增加器件的厚度和重量，因此不利于制備柔性O(shè)LED。

近些年，應(yīng)運而生的薄膜封裝(Thin Film Encapsulation，TFE)技術(shù)巧妙地克服了傳統(tǒng)封裝技術(shù)的弊端，不需要使用封裝蓋板和框膠來封裝OLED器件，而是采用薄膜封裝替代傳統(tǒng)的玻璃封裝，可以實現(xiàn)大尺寸器件的封裝、并且使得器件輕薄化。所謂的薄膜封裝，即在基板的OLED區(qū)表面形成無機(jī)-有機(jī)交替層，以沉積薄膜的方式來阻隔水氧。在薄膜封裝結(jié)構(gòu)中，無機(jī)層(主要成分為硅的氮化物、硅的氧化物或鋁的氧化物)為水/氧的有效阻擋層，但是在制備無機(jī)層過程中會產(chǎn)生一些針孔(Pinholes)或異物(Particle)缺陷；而有機(jī)層(包括一些高分子聚合物、含硅有機(jī)物、樹脂等)的作用就是覆蓋無機(jī)層的缺陷，并且可以釋放無機(jī)層之間的應(yīng)力，實現(xiàn)平坦化。

常用的薄膜封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括在OLED器件100上交替設(shè)置的多層無機(jī)層200與多層有機(jī)層300，所述多層無機(jī)層200與多層有機(jī)層300的面積相等，該薄膜封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)點為制備工藝簡單，只需單套掩膜板(Mask)即可完成多層無機(jī)層200的沉積，但是所沉積的無機(jī)層200沒有完全覆蓋有機(jī)層300，有機(jī)層300末端能夠接觸到空氣，提供水汽進(jìn)入通道，從而破壞封裝效果。因此出現(xiàn)了另一種薄膜封裝結(jié)構(gòu)(如圖2所示)，其包括在OLED器件100’上交替設(shè)置的多層無機(jī)層200’與多層有機(jī)層300’，該薄膜封裝結(jié)構(gòu)要求每一層有機(jī)層300’上方的無機(jī)層200’的面積均大于該有機(jī)層300’的面積，從而實現(xiàn)每一層有機(jī)層300’都能夠完全被其上方的無機(jī)層200’覆蓋，避免水汽從有機(jī)層300’進(jìn)入器件內(nèi)部，然而，由于從OLED器件100’向上的方向上所述多層無機(jī)層200’的面積逐漸增大，因此需要多套掩膜板來完成多層無機(jī)層200’的沉積，制備過程中需要多次調(diào)換掩膜板，工藝復(fù)雜，容易引入不可控因素。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED封裝方法，能夠提高封裝效果，同時節(jié)約生產(chǎn)成本。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，封裝效果好，且生產(chǎn)成本低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種OLED封裝方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成OLED器件；

步驟2、在所述襯底基板上于所述OLED器件的周圍形成一圈第一框膠，并對所述第一框膠進(jìn)行固化，所述第一框膠的高度大于所述OLED器件的高度；

步驟3、在所述OLED器件、第一框膠及襯底基板上形成第一無機(jī)層，所述第一無機(jī)層覆蓋所述OLED器件與第一框膠，且所述第一無機(jī)層的面積大于所述第一框膠在水平方向上圍成的區(qū)域的面積；

步驟4、在所述第一無機(jī)層上位于所述第一框膠內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成第一有機(jī)層，并對所述第一有機(jī)層進(jìn)行固化；

步驟5、在所述第一有機(jī)層與第一無機(jī)層上形成第二無機(jī)層，所述第二無機(jī)層覆蓋所述第一有機(jī)層，且所述第二無機(jī)層的面積大于所述第一有機(jī)層的面積。

所述第一框膠的高度為3μm～20μm，所述第一框膠的寬度為0.1mm～5mm；

所述第一框膠的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件邊緣之間的距離為1mm～10mm；

所述第一框膠的成分包括硅樹脂與亞克力樹脂中的至少一種。

在水平方向上所述第一無機(jī)層及第二無機(jī)層的邊緣與所述第一框膠的外側(cè)邊緣之間的距離均為50μm～2000μm；

所述第一無機(jī)層與第二無機(jī)層的厚度分別為100nm～1μm；

所述第一無機(jī)層與第二無機(jī)層的成分分別包括硅的氧化物、硅的氮化物、及鋁的氧化物中的至少一種；

所述第一無機(jī)層與第二無機(jī)層的制備方法分別包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積與磁控濺射中的至少一種。

所述第一有機(jī)層的厚度為500nm～5μm；

所述第一有機(jī)層的成分包括硅樹脂與聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種；

所述第一有機(jī)層的制備方法包括絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴墨打印、及流延成膜中的至少一種。

可選的，所述OLED封裝方法還包括：步驟6、在所述第二無機(jī)層上形成至少一個封裝單元，所述封裝單元包括第二框膠、設(shè)于所述第二框膠內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的第二有機(jī)層、以及覆蓋所述第二有機(jī)層與第二框膠的第三無機(jī)層。

本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括：襯底基板、設(shè)于所述襯底基板上的OLED器件、設(shè)于所述襯底基板上且位于所述OLED器件周圍的第一框膠、設(shè)于所述OLED器件、第一框膠及襯底基板上的第一無機(jī)層、設(shè)于所述第一無機(jī)層上位于所述第一框膠內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的第一有機(jī)層、以及設(shè)于所述第一有機(jī)層與第一無機(jī)層上的第二無機(jī)層；

所述第一框膠的高度大于所述OLED器件的高度；所述第一無機(jī)層覆蓋所述OLED器件與第一框膠，且所述第一無機(jī)層的面積大于所述第一框膠在水平方向上圍成的區(qū)域的面積；所述第二無機(jī)層覆蓋所述第一有機(jī)層，且所述第二無機(jī)層的面積大于所述第一有機(jī)層的面積。

所述第一框膠的高度為3μm～20μm，所述第一框膠的寬度為0.1mm～5mm；

所述第一框膠的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件邊緣之間的距離為1mm～10mm；

所述第一框膠的成分包括硅樹脂與亞克力樹脂中的至少一種。

在水平方向上所述第一無機(jī)層及第二無機(jī)層的邊緣與所述第一框膠的外側(cè)邊緣之間的距離均為50μm～2000μm；

所述第一無機(jī)層與第二無機(jī)層的厚度分別為100nm～1μm；

所述第一無機(jī)層與第二無機(jī)層的成分分別包括硅的氧化物、硅的氮化物、及鋁的氧化物中的至少一種。

所述第一有機(jī)層的厚度為500nm～5μm；

所述第一有機(jī)層的成分包括硅樹脂與聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。

可選的，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)還包括：設(shè)于所述第二無機(jī)層上的至少一個封裝單元，所述封裝單元包括第二框膠、設(shè)于所述第二框膠內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的第二有機(jī)層、以及覆蓋所述第二有機(jī)層與第二框膠的第三無機(jī)層。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED封裝方法，結(jié)合了框膠封裝技術(shù)和薄膜封裝技術(shù)，通過采用框膠對有機(jī)層進(jìn)行圍堰，可對有機(jī)層的尺寸進(jìn)行限制，保證每一層有機(jī)層均被其上方的無機(jī)層完全覆蓋，提高封裝效果，同時，多個無機(jī)層可以采用一套掩膜板進(jìn)行制備，減少了掩膜板的使用數(shù)量，節(jié)約生產(chǎn)成本。本發(fā)明提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)合了框膠封裝結(jié)構(gòu)和薄膜封裝結(jié)構(gòu)，通過采用框膠對有機(jī)層進(jìn)行圍堰，可對有機(jī)層的尺寸進(jìn)行限制，保證每一層有機(jī)層均被其上方的無機(jī)層完全覆蓋，封裝效果好，同時，多個無機(jī)層可以采用一套掩膜板進(jìn)行制備，生產(chǎn)成本低。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的一種薄膜封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；

圖2為現(xiàn)有的另一種薄膜封裝結(jié)構(gòu)的剖視示意圖；

圖3為本發(fā)明的OLED封裝方法的流程圖；

圖4為本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟1的示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟2的示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟3的示意圖；

圖7為本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟4的示意圖；

圖8為本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟5的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例的剖視示意圖；

圖9為本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟6的示意圖暨本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)的第二實施例的剖視示意圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖3，本發(fā)明提供一種OLED封裝方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖4所示，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成OLED器件20。

具體的，所述襯底基板10為TFT基板。

步驟2、如圖5所示，在所述襯底基板10上于所述OLED器件20的周圍形成一圈第一框膠31，并對所述第一框膠31進(jìn)行固化，所述第一框膠31的高度大于所述OLED器件20的高度。

具體的，所述第一框膠31的高度為3μm～20μm，所述第一框膠31的寬度為0.1mm～5mm。

具體的，所述第一框膠31的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的距離為1mm～10mm。

具體的，所述第一框膠31的成分包括硅樹脂與亞克力樹脂中的至少一種。

具體的，所述第一框膠31的固化方式包括熱固化與UV固化中的至少一種，優(yōu)選的，所述第一框膠31的固化方式為UV固化。

步驟3、如圖6所示，在所述OLED器件20、第一框膠31及襯底基板10上形成第一無機(jī)層41，所述第一無機(jī)層41覆蓋所述OLED器件20與第一框膠31，且所述第一無機(jī)層41的面積大于所述第一框膠31在水平方向上圍成的區(qū)域的面積。

具體的，所述第一無機(jī)層41的邊緣與所述第一框膠31的外側(cè)邊緣之間的距離為50μm～2000μm。

具體的，所述第一無機(jī)層41的厚度為100nm～1μm。

具體的，所述第一無機(jī)層41的制備方法包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)與磁控濺射(Sputtering)中的至少一種。

具體的，所述第一無機(jī)層41的成分包括硅(Si)的氧化物、硅的氮化物、及鋁(Al)的氧化物中的至少一種。

步驟4、如圖7所示，在所述第一無機(jī)層41上位于所述第一框膠31內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成第一有機(jī)層51，并對所述第一有機(jī)層51進(jìn)行固化。

在第一有機(jī)層51的制備過程中，所述第一框膠31起到圍堰防溢流的作用，并且限制了第一有機(jī)層51的尺寸，保證后續(xù)制作的第二無機(jī)層42能夠完全覆蓋該第一有機(jī)層51，提高封裝效果。

具體的，所述第一有機(jī)層51的厚度為500nm～5μm。

具體的，所述第一有機(jī)層51的制備方法包括絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴墨打印、及流延成膜中的至少一種。

具體的，所述第一有機(jī)層51的成分為有機(jī)樹脂。優(yōu)選的，所述第一有機(jī)層51的成分包括硅樹脂與聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。

具體的，所述第一有機(jī)層51的固化方式包括熱固化與UV固化中的至少一種，優(yōu)選的，所述第一有機(jī)層51的固化方式為熱固化。

步驟5、如圖8所示，在所述第一有機(jī)層51與第一無機(jī)層41上形成第二無機(jī)層42，所述第二無機(jī)層42覆蓋所述第一有機(jī)層51，且所述第二無機(jī)層42的面積大于所述第一有機(jī)層51的面積。

具體的，在水平方向上所述第二無機(jī)層42的邊緣與所述第一框膠31的外側(cè)邊緣之間的距離為50μm～2000μm。

具體的，所述第二無機(jī)層42的厚度為100nm～1μm。

具體的，所述第二無機(jī)層42的制備方法包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積與磁控濺射中的至少一種。

具體的，所述第二無機(jī)層42的成分包括硅的氧化物、硅的氮化物、及鋁的氧化物中的至少一種。

具體的，所述第二無機(jī)層42與第一無機(jī)層41可以采用相同的掩膜板制備完成，從而減少掩膜板的使用數(shù)量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

可選的，本發(fā)明的OLED封裝方法還可以包括：

步驟6、如圖9所示，在所述第二無機(jī)層42上形成至少一個封裝單元60，所述封裝單元60包括第二框膠32、設(shè)于所述第二框膠32內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的第二有機(jī)層52、以及覆蓋所述第二有機(jī)層52與第二框膠32的第三無機(jī)層43。

具體的，所述第三無機(jī)層43的面積大于所述第二框膠32在水平方向上圍成的區(qū)域的面積。

優(yōu)選的，在水平方向上所述第二框膠32位于所述第一框膠31的外圍。

優(yōu)選的，從所述襯底基板10向上的方向上，所述至少一個封裝單元60中的第二框膠32的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的水平距離逐漸增大。

具體的，所述第二框膠32的高度為3μm～20μm，所述第二框膠32的寬度為0.1mm～5mm。

具體的，在水平方向上所述第二框膠32的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的距離為1mm～10mm。

具體的，所述第二框膠32的成分包括硅樹脂與亞克力樹脂中的至少一種。

具體的，所述第二框膠32的固化方式包括熱固化與UV固化中的至少一種，優(yōu)選的，所述第二框膠32的固化方式為UV固化。

具體的，所述第三無機(jī)層43的厚度為100nm～1μm。

具體的，所述第三無機(jī)層43的制備方法包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、原子層沉積與磁控濺射中的至少一種。

具體的，所述第三無機(jī)層43的成分包括硅的氧化物、硅的氮化物、及鋁的氧化物中的至少一種。

具體的，所述第二有機(jī)層52的厚度為500nm～5μm。

具體的，所述第二有機(jī)層52的制備方法包括絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴墨打印、及流延成膜中的至少一種。

具體的，所述第二有機(jī)層52的成分為有機(jī)樹脂。優(yōu)選的，所述第二有機(jī)層52的成分包括硅樹脂與聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。

具體的，所述第二有機(jī)層52的固化方式包括熱固化與UV固化中的至少一種，優(yōu)選的，所述第二有機(jī)層52的固化方式為熱固化。

具體的，所述第三無機(jī)層43可以與所述第一無機(jī)層41及第二無機(jī)層42采用相同的掩膜板制備完成，從而減少掩膜板的使用數(shù)量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

以下結(jié)合兩個優(yōu)選實施例對本發(fā)明的OLED封裝方法的步驟1至步驟5進(jìn)行詳細(xì)闡述。

實例一：

步驟1、如圖4所示，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成OLED器件20。

步驟2、如圖5所示，在所述襯底基板10上于所述OLED器件20的周圍形成一圈第一框膠31，并對所述第一框膠31進(jìn)行固化。

所述第一框膠31的高度為3μm～6μm；所述第一框膠31的寬度為0.1mm～3mm；

所述第一框膠31的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的距離為1.0mm～1.5mm；

所述第一框膠31的主要成分為亞克力樹脂；

所述第一框膠31的固化方式為UV固化，UV固化過程中，UV光的能量密度為3000mJ/cm²～5000mJ/cm²，UV照射時間為30s～100s。

步驟3、如圖6所示，在所述襯底基板10及OLED器件20上形成第一無機(jī)層41，所述第一無機(jī)層41覆蓋所述OLED器件20與第一框膠31，且所述第一無機(jī)層41的面積大于所述第一框膠31在水平方向上圍成的區(qū)域的面積。

所述第一無機(jī)層41的主要成分為硅的氮化物；

所述第一無機(jī)層41的制備方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的工藝參數(shù)為：以甲硅烷(SiH₄)和氨氣(NH₃)為反應(yīng)氣體，甲硅烷和氨氣的純度均大于99.99％，輔助電離氣體為氬氣(Ar)(純度為99.99％)，射頻電源功率為10W～500W，沉積腔的壓強(qiáng)為10Pa～20Pa，沉積速率為3nm/s～20nm/s，沉積時間20min～60min。

步驟4、如圖7所示，在所述第一無機(jī)層41上位于所述第一框膠31內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成第一有機(jī)層51，并對所述第一有機(jī)層51進(jìn)行固化。

所述第一有機(jī)層51的制備方法為噴墨打?。?/p>

所述第一有機(jī)層51的主要成分為硅樹脂，優(yōu)選的，所述硅樹脂的粘度為10cps～20cps；

所述第一有機(jī)層51的厚度為500nm～800nm。

步驟5、如圖8所示，在所述第一有機(jī)層51與第一無機(jī)層41上形成第二無機(jī)層42，所述第二無機(jī)層42覆蓋所述第一有機(jī)層51，且所述第二無機(jī)層42的面積大于所述第一有機(jī)層51的面積。

實例二：

步驟1、如圖4所示，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上形成OLED器件20。

步驟2、如圖5所示，在所述襯底基板10上于所述OLED器件20的周圍形成一圈第一框膠31，并對所述第一框膠31進(jìn)行固化。

所述第一框膠31的高度為10μm～15μm；所述第一框膠31的寬度為1mm～2mm；

所述第一框膠31的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的距離為1.5mm～2mm；

所述第一框膠31的主要成分為硅樹脂；

所述第一框膠31的固化方式為熱固化，熱固化的條件為：加熱溫度60℃～90℃，加熱時間30min～100min。

步驟3、如圖6所示，在所述襯底基板10及OLED器件20上形成第一無機(jī)層41，所述第一無機(jī)層41覆蓋所述OLED器件20與第一框膠31，且所述第一無機(jī)層41的面積大于所述第一框膠31在水平方向上圍成的區(qū)域的面積。

所述第一無機(jī)層41的主要成分為硅的氮化物；

所述第一無機(jī)層41的制備方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的工藝參數(shù)為：以甲硅烷(SiH₄)和氨氣(NH₃)為反應(yīng)氣體，甲硅烷和氨氣的純度均大于99.99％，輔助電離氣體為氬氣(Ar)(純度為99.99％)，射頻電源功率為10W～500W，沉積腔的壓強(qiáng)為10Pa～20Pa，沉積速率為3nm/s～20nm/s，沉積時間20min～60min。

步驟4、如圖7所示，在所述第一無機(jī)層41上位于所述第一框膠31內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成第一有機(jī)層51，并對所述第一有機(jī)層51進(jìn)行固化。

所述第一有機(jī)層51的制備方法為絲網(wǎng)印刷；所述第一有機(jī)層51的主要成分為聚甲基丙烯酸甲酯；

所述第一有機(jī)層51的厚度為1μm～2μm；

所述第一有機(jī)層51的固化方式為熱固化，熱固化的條件為：加熱溫度60℃～90℃，加熱時間30min～90min。

步驟5、如圖8所示，在所述第一有機(jī)層51與第一無機(jī)層41上形成第二無機(jī)層42，所述第二無機(jī)層42覆蓋所述第一有機(jī)層51，且所述第二無機(jī)層42的面積大于所述第一有機(jī)層51的面積。

上述OLED封裝方法，結(jié)合了框膠封裝技術(shù)和薄膜封裝技術(shù)，通過采用框膠對有機(jī)層進(jìn)行圍堰，可對有機(jī)層的尺寸進(jìn)行限制，保證每一層有機(jī)層均被其上方的無機(jī)層完全覆蓋，提高封裝效果，同時，多個無機(jī)層可以采用一套掩膜板進(jìn)行制備，減少了掩膜板的使用數(shù)量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

請參閱圖8，基于上述OLED封裝方法，本發(fā)明還提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括：襯底基板10、設(shè)于所述襯底基板10上的OLED器件20、設(shè)于所述襯底基板10上且位于所述OLED器件20周圍的第一框膠31、設(shè)于所述OLED器件20、第一框膠31及襯底基板10上的第一無機(jī)層41、設(shè)于所述第一無機(jī)層41上位于所述第一框膠31內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的第一有機(jī)層51、以及設(shè)于所述第一有機(jī)層51與第一無機(jī)層41上的第二無機(jī)層42；

所述第一框膠31的高度大于所述OLED器件20的高度；所述第一無機(jī)層41覆蓋所述OLED器件20與第一框膠31，且所述第一無機(jī)層41的面積大于所述第一框膠31在水平方向上圍成的區(qū)域的面積；所述第二無機(jī)層42覆蓋所述第一有機(jī)層51，且所述第二無機(jī)層42的面積大于所述第一有機(jī)層51的面積。

具體的，所述襯底基板10為TFT基板。

具體的，所述第一框膠31的高度為3μm～20μm，所述第一框膠31的寬度為0.1mm～5mm。

具體的，所述第一框膠31的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的距離為1mm～10mm。

具體的，所述第一框膠31的成分包括硅樹脂與亞克力樹脂中的至少一種。

具體的，在水平方向上所述第一無機(jī)層41及第二無機(jī)層42的邊緣與所述第一框膠31的外側(cè)邊緣之間的距離均為50μm～2000μm。

具體的，所述第一無機(jī)層41與第二無機(jī)層42的厚度分別為100nm～1μm。

具體的，所述第一無機(jī)層41與第二無機(jī)層42的成分分別包括硅的氧化物、硅的氮化物、及鋁的氧化物中的至少一種。

優(yōu)選的，所述第二無機(jī)層42的材料、尺寸及在襯底基板10上的投影位置與所述第一無機(jī)層41相同。

具體的，所述第一有機(jī)層51的厚度為500nm～5μm。

具體的，所述第一有機(jī)層51的成分為有機(jī)樹脂。優(yōu)選的，所述第一有機(jī)層51的成分包括硅樹脂與聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。

請參閱圖9，可選的，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)還可以包括：設(shè)于所述第二無機(jī)層42上的至少一個封裝單元60，所述封裝單元60包括第二框膠32、設(shè)于所述第二框膠32內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)的第二有機(jī)層52、以及覆蓋所述第二有機(jī)層52與第二框膠32的第三無機(jī)層43。

具體的，所述第三無機(jī)層43的面積大于所述第二框膠32在水平方向上圍成的區(qū)域的面積。

優(yōu)選的，在水平方向上所述第二框膠32位于所述第一框膠31的外圍。

優(yōu)選的，從所述襯底基板10向上的方向上，所述至少一個封裝單元60中的第二框膠32的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的水平距離逐漸增大。

優(yōu)選的，所述第二框膠32的高度為3μm～20μm，所述第二框膠32的寬度為0.1mm～5mm。

具體的，在水平方向上所述第二框膠32的內(nèi)側(cè)邊緣與所述OLED器件20邊緣之間的距離為1mm～10mm。

具體的，所述第二框膠32的成分包括硅樹脂與亞克力樹脂中的至少一種。

具體的，所述第三無機(jī)層43的成分包括硅的氧化物、硅的氮化物、及鋁的氧化物中的至少一種。

具體的，所述第三無機(jī)層43的厚度為100nm～1μm。

優(yōu)選的，所述第三無機(jī)層43的材料、尺寸及在襯底基板10上的投影位置與所述第一無機(jī)層41、及第二無機(jī)層42相同。

具體的，所述第二有機(jī)層52的成分為有機(jī)樹脂。優(yōu)選的，所述第二有機(jī)層52的成分包括硅樹脂與聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種。

具體的，所述第二有機(jī)層52的厚度為500nm～5μm。

上述OLED封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)合了框膠封裝結(jié)構(gòu)和薄膜封裝結(jié)構(gòu)，通過采用框膠對有機(jī)層進(jìn)行圍堰，可對有機(jī)層的尺寸進(jìn)行限制，保證每一層有機(jī)層均被其上方的無機(jī)層完全覆蓋，封裝效果好，同時，多個無機(jī)層可以采用一套掩膜板進(jìn)行制備，生產(chǎn)成本低。

綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED封裝方法與OLED封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的OLED封裝方法，結(jié)合了框膠封裝技術(shù)和薄膜封裝技術(shù)，通過采用框膠對有機(jī)層進(jìn)行圍堰，可對有機(jī)層的尺寸進(jìn)行限制，保證每一層有機(jī)層均被其上方的無機(jī)層完全覆蓋，提高封裝效果，同時，多個無機(jī)層可以采用一套掩膜板進(jìn)行制備，減少了掩膜板的使用數(shù)量，節(jié)約生產(chǎn)成本。本發(fā)明的OLED封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)合了框膠封裝結(jié)構(gòu)和薄膜封裝結(jié)構(gòu)，通過采用框膠對有機(jī)層進(jìn)行圍堰，可對有機(jī)層的尺寸進(jìn)行限制，保證每一層有機(jī)層均被其上方的無機(jī)層完全覆蓋，封裝效果好，同時，多個無機(jī)層可以采用一套掩膜板進(jìn)行制備，生產(chǎn)成本低。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。