1.一種半導(dǎo)體激光器，其特征是：包括有從下至上依次設(shè)置的n型襯底、n型第一下光學(xué)限制層、n型第一波導(dǎo)層、n型第二下光學(xué)限制層、n型第二下波導(dǎo)層、多量子阱有源區(qū)、p型第二上波導(dǎo)層、p型第二上光學(xué)限制層和p型接觸層；所述n型第一波導(dǎo)層的平面尺寸大于n型第二波導(dǎo)層的平面尺寸；所述n型襯底、n型第一下光學(xué)限制層和n型第一波導(dǎo)層的平面尺寸相同；所述n型第二下波導(dǎo)層、多量子阱有源區(qū)、p型第二上波導(dǎo)層、p型第二上光學(xué)限制層和p型接觸層的平面尺寸相同；所述n型第二下光學(xué)限制層下端面的平面尺寸與n型第一波導(dǎo)層的平面尺寸相同；所述n型第二下光學(xué)限制層上端面的平面尺寸與n型第二下波導(dǎo)層的平面尺寸相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體激光器，其特征是：激光器的后腔面上鍍有高反射膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體激光器，其特征是：所述激光器的前腔面上鍍有抗反射膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體激光器，其特征是：從n型第二波導(dǎo)層到p型接觸層的區(qū)間靠近出光區(qū)的區(qū)域刻蝕成布拉格光柵。