一種新型高速半導(dǎo)體激光器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型高速半導(dǎo)體激光器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的高速半導(dǎo)體激光器制作方法如下:在脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上生長S1Jl，涂覆BCB (苯并環(huán)丁烯)，通過光刻方法獲得圖形。然后通過采用RIE設(shè)備進行大面積干法刻蝕BCB,只留雙溝道里的BCB層，然后采用RIE刻蝕S1jl，露出電極接觸窗口，完成P面電極制作；將外延片減薄后，完成N面電極制作。但是在實際應(yīng)用中，發(fā)現(xiàn)一些問題，比如外延片制作工藝完成后，需要解理成獨立的芯片，這時，鈍化后的BCB材料，在外力解理時容易裂變，隨后芯片制作成器件時，需要在電極上打金屬引線，同時由于BCB與金屬電極(TiPtAu)粘結(jié)也不緊密，容易造成電極容脫落，使得器件制作成品率低下。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型實施例的目的在于提供一種新型高速半導(dǎo)體激光器，以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。
[0004]本實用新型實施例是這樣實現(xiàn)的，一種新型高速半導(dǎo)體激光器，所述激光器包括:
[0005]外延片的脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；
[0006]在所述脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上，經(jīng)由等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD方法生長S12絕緣層，所述S12薄膜的厚度為2-3um ;
[0007]在所述3102薄膜上存在使用光刻法，制作的電極柱圖形，其中，光刻的窗口寬度為1.5-2.5um ；
[0008]電極柱接口，是基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蝕S1Jl獲取的；
[0009]所述激光器的P面電極通過所述電極柱接口制作得到，所述激光器的N面電極通過減薄所述外延片制作得到。
[0010]優(yōu)選的，所述制作外延片由磷化銦InP材料制作。
[0011]優(yōu)選的，所述外延片的脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，具體包括:脊寬設(shè)置為1.8-2.2um。
[0012]優(yōu)選的，所述在所述S12薄膜上使用光刻法，制作電極柱圖形，具體包括:在S1 2層上涂敷光刻膠，并進行90°C固化；利用光刻機完成電極柱窗口的光刻；在120°C環(huán)境下完成曝光、顯影和鈍化，形成光刻窗口。
[0013]優(yōu)選的，所述基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蝕S1Jl，獲取電極柱接口，具體包括:利用曝光顯影形成光刻膠做掩蔽，用CF4和02氣體刻蝕光刻窗口下的S1Jl，形成電極柱接口。
[0014]優(yōu)選的，所述通過所述電極柱接口制作P面電極，具體包括:完成P面電極制作，電極材料為和厚度對應(yīng)關(guān)系分別為:T1-50nm，Pt_80nm，Au_200nm。
[0015]優(yōu)選的，所述通過減薄所述外延片制作N面電極，具體包括:將外延片背面減薄為100 μ??，制作N面電極，電極材料及厚度對應(yīng)關(guān)系分別為:T1-50nm，Pt_80nm，Au-100nm。
[0016]優(yōu)選的，所述方法還包括:進行解理，鍍膜，完成高速半導(dǎo)體激光器芯片制作。
[0017]本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器的有益效果包括:本實用新型實施例通過這種新型結(jié)構(gòu)設(shè)計與傳統(tǒng)激光器制作方法比較起來，本實用新型方法制作可以解決了后面打線封裝的問題，利于大規(guī)模生產(chǎn)的需要。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器的制造方法的流程圖；
[0020]圖2是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器制作過程中結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器制作過程中結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器制作過程中結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器制作過程中結(jié)構(gòu)示意圖
[0024]圖6是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器制作過程中結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖7是本實用新型實施例提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器的頻率特性示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0027]為了說明本實用新型所述的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來進行說明。
[0028]實施例一
[0029]如圖1所示為本實用新型提供的一種新型高速半導(dǎo)體激光器的制造方法，所述方法包括以下步驟:
[0030]在步驟201中，外延片的脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
[0031]如圖2所示，圖中脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)I通常是根據(jù)所要生產(chǎn)的激光器的功率大小以及激光束的粗細來設(shè)計，而其材料也可以是多種，例如:比較多的是采用聚四氟乙烯和磷化銦InP材料。
[0032]在步驟202中，脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD方法生長S12絕緣層，所述S1 2薄膜的厚度為2-3um。
[0033]如圖2所示，圖中2所示為S12薄膜，在本實施例中存在一種優(yōu)選的實現(xiàn)方案，即在脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDepoSit 1n，簡寫為:PECVD)方法生長S12*緣層。
[0034]在步驟203中，在所述S12薄膜上使用光刻法，制作電極柱圖形，光刻的窗口寬度為 1.5-2.5um。
[0035]在步驟204中，基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蝕S1jl，獲取電極柱接口。
[0036]在步驟205中，通過所述電極柱接口制作P面電極，并通過減薄所述外延片制作N面電極。
[0037]本實用新型實施例通過這種新型結(jié)構(gòu)設(shè)計與傳統(tǒng)激光器制作方法比較起來，本實用新型方法制作可以解決了后面打線封裝的問題，利于大規(guī)模生產(chǎn)的需要。
[0038]結(jié)合本實用新型實施例，存在一種優(yōu)選的方案，其中，所述制作外延片由磷化銦InP材料制作。
[0039]結(jié)合本實用新型實施例，存在一種優(yōu)選的方案，其中，所述外延片的脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，具體包括:脊寬設(shè)置為1.8-2.2um。如圖2所示。
[0040]結(jié)合本實用新型實施例，存在一種優(yōu)選的方案，其中，所述在所述S12薄膜上使用光刻法，制作電極柱圖形，如圖4所示，具體包括:在S1Jl上涂敷光刻膠3，并進行90°C固化；