本實(shí)用新型涉及領(lǐng)域半導(dǎo)體發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及了一種新型倒裝LED光源。

背景技術(shù)：

LED芯片倒裝是近年來出現(xiàn)了較為先進(jìn)的倒裝芯片技術(shù)，這是一種理想的芯片粘接技術(shù)，現(xiàn)有技術(shù)中的倒裝式 LED 基本上均為平面結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)的倒裝式 LED 存在這樣的缺點(diǎn)，即倒裝的 LED 的 PN 結(jié)在正面、側(cè)面、底面上均會(huì)發(fā)光，但是由于側(cè)面及底面發(fā)出的光被散射出去，因而沒有被充分利用，造成 LED 的發(fā)光效率較低，使得正面出光的強(qiáng)度降低。

中國專利授權(quán)公告號(hào)為CN205092266U，授權(quán)公告日為2016年03月16日，公開了一種倒裝LED芯片，包括從上方及周側(cè)包圍 P 型 GaN 層的反射鏡，以將多量子阱有源區(qū)發(fā)出的光全部反射到襯底，雖然此結(jié)構(gòu)提高了LED芯片的發(fā)光效率，但同時(shí)也使LED芯片的散熱變差，散熱問題將更加嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺點(diǎn)，提供了一種新型倒裝LED光源，將側(cè)面和底面散射出來的光反射至襯底層發(fā)出，增大了出光效率，并且技術(shù)實(shí)現(xiàn)簡單，不影響LED芯片的散熱。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案得以解決：

一種新型倒裝LED光源，包括P-N電極外延片和基板，P-N電極外延片包括藍(lán)寶石襯底，藍(lán)寶石襯底上形成的N-GaN層，N-GaN層上形成的發(fā)光層和發(fā)光層上形成的P-GaN層，所述P-GaN層上和N-GaN層上分別引出P電極和N電極，所述基板上圍繞所述P-N電極外延片部位設(shè)有反射槽，所述反射槽內(nèi)均勻涂覆反射層。

作為優(yōu)選，所述反射槽橫截面為三角形，反射槽兩邊相交呈90度,反射槽兩邊分別與基板相交呈45度，通過設(shè)置三角形反射槽，能將外延片側(cè)面散出的光一部分反射出，經(jīng)過藍(lán)寶石襯底射出，同時(shí)將反射槽的開口設(shè)置為正對(duì)上方，能收集到更多的散射光。

作為優(yōu)選，所述反射槽橫截面為半圓形，所述半圓形橫截面的半徑為5um-7um，設(shè)置半圓形反射槽，使接收散射光的面積更大，增加了出光效率。

作為優(yōu)選，所述反射層為白色硅膠層或者鈦鋁合金反射層。使用白色硅膠或者鈦鋁合金作為反射層，能提高光的反射率。

作為優(yōu)選，所述反射層的厚度為0.1um-0.3um?？刂品瓷鋵拥暮穸仍?.3um內(nèi)，避免因?yàn)榉瓷鋵拥脑O(shè)置影響此處的電阻值，致使此處產(chǎn)生熱量堆積，影響芯片的長期使用。

本實(shí)用新型由于采用了上述技術(shù)方案，具有的技術(shù)效果：本實(shí)用新型提供的一種新型倒裝LED光源，通過設(shè)置反射槽，將P-N電極外延片側(cè)面散射出來的光反射至藍(lán)寶石襯底發(fā)出，提高了出光效率，并且不會(huì)影響LED芯片的散熱效率。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：基板1、N電極2、P電極3、P-GaN層4、發(fā)光層5 、N-GaN層6、藍(lán)寶石襯底7 、反射層8、反射槽9。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1、圖2所示，一種新型倒裝LED光源，包括P-N電極外延片和基板1，P-N電極外延片包括藍(lán)寶石襯底7，藍(lán)寶石襯底7上形成的N-GaN層6，N-GaN層6上形成的發(fā)光層5和發(fā)光層5上形成的P-GaN層4，P-GaN層4上和N-GaN層6上分別引出P電極3和N電極2，基板1上圍繞所述P-N電極外延片部位設(shè)有反射槽9，反射槽9內(nèi)均勻涂覆反射層8。

反射槽9橫截面為三角形，反射槽9兩邊相交呈90度,反射槽9兩邊分別與基板1相交呈45度。通過設(shè)置三角形的反射槽9，可以增大出光面積，且將三角形的開口設(shè)為朝向外延片的出光區(qū)域，可以收集更多的反射光和散射光，增大倒裝芯片的出光面積。

在另一實(shí)施例中，反射槽9還可以為半圓形，所述半圓形橫截面的半徑為5um-7um。設(shè)置半圓形橫截面的反射槽9，相比三角形的橫截面，在不增大芯片內(nèi)基板1的尺寸的情況下，增大了反射槽9的反光面積，反射層8為白色硅膠層或者鈦鋁合金反射層。反射層8設(shè)置為白色硅膠層或者鈦鋁合金反射層，反射效果最佳。反射層8的厚度為0.1um-0.3um。在較佳實(shí)施例中，反射層8的厚度為0.2um，控制反射層8的厚度，避免因?yàn)榉瓷鋵?的設(shè)置影響此處的電阻值，致使此處產(chǎn)生熱量堆積，影響芯片的長期使用。

本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案簡單易行，通過在外延片周圍開設(shè)反射槽9來收集外延片側(cè)面散射的光，提高了LED芯片的出光效率，并且不影響LED芯片的散熱。

總之，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型專利的涵蓋范圍。