本實(shí)用新型涉及發(fā)光半導(dǎo)體封裝技術(shù)，尤其涉及倒裝COB封裝技術(shù)。

背景技術(shù)：

正裝芯片技術(shù)是傳統(tǒng)的微電子封裝技術(shù)，其技術(shù)成熟，應(yīng)用范圍廣泛。目前市場(chǎng)上絕大多數(shù)LED為正裝LED，把LED芯片正裝在基板上，藍(lán)寶石襯底在下，電極在上，用金線焊接實(shí)現(xiàn)電氣連接。正裝LED芯片點(diǎn)亮?xí)r，熱量通過(guò)藍(lán)寶石襯底傳遞至導(dǎo)熱基板，導(dǎo)熱路徑較長(zhǎng)，芯片的熱阻大、結(jié)溫高；芯片發(fā)出的光會(huì)被金線和電極遮蔽，影響出光效率；而且細(xì)小的金線很脆弱，不夠穩(wěn)定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供用于倒裝COB封裝的倒裝COB基板，其能解決正裝芯片不穩(wěn)定的問(wèn)題。

本實(shí)用新型的目的采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

倒裝COB基板，包括基材層、上絕緣層、粘合層、線路層、焊盤層和阻焊層；基材層的頂面設(shè)有上絕緣層，線路層通過(guò)粘合層粘合于上絕緣層的頂面；

線路層頂面上設(shè)有第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域設(shè)有焊盤層，第二區(qū)域設(shè)有阻焊層；焊盤層包括用于連接外部LED芯片的引腳的電極焊盤和用于連接外部的電路的外接焊盤；所述線路層的橫截面面積為基材層的橫截面面積的30％以上。

進(jìn)一步地，電極焊盤包括P極焊盤和N極焊盤，P極焊盤和N極焊盤之間設(shè)有預(yù)留區(qū)域。

進(jìn)一步地，基材層的底面設(shè)有下絕緣層。

進(jìn)一步地，基材層的厚度為0.3mm-2mm。

進(jìn)一步地，上絕緣層的厚度為20um-70um。

進(jìn)一步地，粘合層的厚度為1um-5um。

進(jìn)一步地，線路層的厚度為10um-100um。

進(jìn)一步地，阻焊層的厚度為3um-50um。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果在于：提供一種適合倒裝COB的結(jié)構(gòu)及其制作方法，替代傳統(tǒng)LED芯片正裝方式，無(wú)金線，芯片直接焊接在基板上，提高散熱、出光效率、穩(wěn)定性。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的倒裝COB基板的縱截面圖；

圖2為本實(shí)用新型的倒裝COB基板的俯視圖一；

圖3為本實(shí)用新型的電極焊盤的俯視圖；

圖4為本實(shí)用新型的倒裝COB基板的俯視圖二；

圖5為本實(shí)用新型的倒裝COB基板的拼板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：001、V型凹槽；01、基材層；02、絕緣層；03、粘合層；04、線路層；05、焊盤層；050、預(yù)留區(qū)域；051、電極焊盤；052、外接焊盤；06、阻焊層；07、圍壩標(biāo)記點(diǎn)；08、引腳。

具體實(shí)施方式

下面，結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述：

倒裝COB基板，如圖1至圖4所示，包括基材層01、粘合層03、線路層04、焊盤層05和阻焊層06；

所述基材層01為鋁基材層，基材層01的厚度為0.3mm-2mm；基材層01全方位外圍設(shè)有一層絕緣層02，具體地，基材層01的頂面、底面和側(cè)壁均設(shè)有絕緣層02；所述絕緣層02為氧化鋁絕緣層，絕緣層02的厚度為20um-70um；該絕緣層02具有絕緣性強(qiáng)、附著力強(qiáng)的特點(diǎn)。

線路層04通過(guò)粘合層03粘合于基材層01頂面的絕緣層02的頂面；粘合層03為等離子鈦過(guò)渡層，厚度為1um-5um；線路層04為銅箔線路層，在銅箔上蝕刻所需要的線路，形成線路層04，線路層04的厚度為10um-100um。

線路層04的頂面上設(shè)有第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域?yàn)轭A(yù)設(shè)需要電性連接的區(qū)域，第二區(qū)域?yàn)轭A(yù)設(shè)需要電氣絕緣的區(qū)域；第一區(qū)域設(shè)有焊盤層05，第二區(qū)域設(shè)有阻焊層06；所述焊盤層05包括用于連接外部的LED芯片的引腳08的電極焊盤051和用于連接外部的電路的外接焊盤052；所述電極焊盤051包括P極焊盤和N極焊盤，P極焊盤和N極焊盤之間設(shè)有預(yù)留區(qū)域050，預(yù)留區(qū)域050為空白區(qū)域，預(yù)留區(qū)域050內(nèi)不進(jìn)行阻焊。預(yù)留區(qū)域050用于避免LED芯片墊高而影響焊接質(zhì)量增加產(chǎn)品失效風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)長(zhǎng)ED芯片焊盤間間距很小，而噴涂阻焊層有誤差，若對(duì)預(yù)留區(qū)域050進(jìn)行阻焊，阻焊白油可能會(huì)噴涂在焊盤上，焊接時(shí)就會(huì)把芯片墊高從而影響焊接質(zhì)量。阻焊層06的厚度為3um-50um。

所述電極焊盤051上設(shè)有引腳08；引腳08通過(guò)焊錫和電極焊盤051連接。電極焊盤051的橫截面的面積比引腳08的橫截面面積大1％-20％；因?yàn)榉胖肔ED芯片的時(shí)候存在誤差，可能會(huì)有一定偏移，電極焊盤051的橫截面比引腳08橫截面稍大，焊錫能完全包裹引腳08，既能提高焊接質(zhì)量，也不會(huì)因?yàn)殡姌O焊盤051太大導(dǎo)致LED芯片移位。

所述線路層04的橫截面面積為基材層01的橫截面面積的30％以上，可以提高散熱能力。

所述阻焊層06為高反射材料，阻焊層06的厚度為3-50um；阻焊層06可以對(duì)LED芯片發(fā)出的光進(jìn)行反射以及對(duì)線路層04進(jìn)行絕緣保護(hù)。

在阻焊層06上設(shè)置兩個(gè)圍壩標(biāo)記點(diǎn)07，用于后續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中定位圍壩中心點(diǎn)，兩個(gè)圍壩標(biāo)記點(diǎn)07連線的中點(diǎn)即圍壩中心點(diǎn)。

在本實(shí)施例中，基材層01的橫截面為矩形，所述矩形的任意兩個(gè)對(duì)角均被切除形成一個(gè)弧形的缺口，該缺口用于在應(yīng)用時(shí)固定螺絲。

本實(shí)施例在實(shí)際生產(chǎn)中，選取一塊較大的基材層01，在該基材層01上設(shè)置多個(gè)粘合層03、線路層04、焊盤層05和阻焊層06；最終形成一個(gè)包含多個(gè)倒裝COB基板的拼板，如圖5所示；在相鄰兩個(gè)倒裝COB基板之間的基材層01上通過(guò)V-cut工藝設(shè)有深度為0.05mm-0.5mm的V型凹槽001，以釋放倒裝COB基板在生產(chǎn)時(shí)候的熱應(yīng)力，放置后續(xù)生產(chǎn)烘烤時(shí)，基材層01和絕緣層02的受熱膨脹系數(shù)不一樣而導(dǎo)致基材層01彎曲。在所述拼板的某一角進(jìn)行倒角處理，切除某一個(gè)角，以使后續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中給生產(chǎn)人員標(biāo)識(shí)辨別基材層01的方向。該拼板在實(shí)際應(yīng)用中，通過(guò)V型凹槽001將單個(gè)倒裝COB基板拆下來(lái)進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用。

用于制造上述倒裝COB基板的方法包括以下步驟：

步驟101、選取一塊基材層；所述基材層為鋁基材層，基材層的厚度為0.3mm-2mm；

步驟102、在基材層進(jìn)行全方位氧化，在基材層的頂面、底面和側(cè)壁均形成一層氧化鋁絕緣層；

步驟103、在基材層的頂面的絕緣層的頂面用等離子濺射技術(shù)制作一層粘合層，所述粘合層為等離子鈦過(guò)渡層，厚度為1um-5um；

步驟104、在粘合層頂面進(jìn)行銅電鍍均形成一層銅箔層，在銅箔層上蝕刻出需要的線路，形成線路層；

步驟105、在線路層上的第一區(qū)域設(shè)焊盤層；對(duì)焊盤層進(jìn)行沉金、電銀、噴錫等處理，提高焊盤層的抗氧化能力和可焊性；所述焊盤層包括用于連接外部的LED芯片引腳的電極焊盤和用于連接外部的電路的外接焊盤；在焊盤層的外圍預(yù)留裸露出至少0.1mm的線路層，避免LED芯片懸空導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性降低，因?yàn)橹谱鲿r(shí)是通過(guò)噴涂阻焊層后裸露出來(lái)的線路層區(qū)域作為焊盤，而噴涂阻焊層存在誤差，若焊盤層區(qū)域外不預(yù)留一定區(qū)域的線路層，噴涂的阻焊層有誤差時(shí)，裸露出來(lái)的焊盤層的尺寸可能會(huì)與設(shè)計(jì)尺寸不符。

步驟106、在線路層上的第二區(qū)域涂覆高反射率材料以形成阻焊層；所述阻焊層06為高反射材料，阻焊層06的厚度為3-50um；阻焊層06可以對(duì)LED芯片發(fā)出的光進(jìn)行反射以及對(duì)線路層進(jìn)行絕緣保護(hù)。

步驟107、在阻焊層6上進(jìn)行絲印正負(fù)極符號(hào)和/或logo字符，設(shè)置圍壩標(biāo)記點(diǎn)，對(duì)基材層進(jìn)行V-cut、模沖或鑼板，最終得到所需的基材層形狀；所述V-cut刀的角度為10°和-70°。

本實(shí)用新型提供一種適合倒裝COB的結(jié)構(gòu)及其制作方法，替代傳統(tǒng)LED芯片正裝方式，無(wú)金線，芯片直接焊接在基板上，提高散熱、出光效率、穩(wěn)定性，基板包括基材層01、絕緣層02、粘合層03、線路層04、阻焊層06和焊盤層05。

倒裝LED芯片時(shí)，芯片直接焊接在基板上，這樣的結(jié)合可以很好的提高散熱能力，使得熱阻較低；芯片發(fā)出的光從頂部透明藍(lán)寶石襯底出射，提高出光效率，有更好的性能和可靠性。與正裝LED相比，倒裝LED還具有更簡(jiǎn)單的封裝過(guò)程、更低的封裝成本、更高的封裝良品率等優(yōu)勢(shì)。

對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。